JP5710033B2 - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム - Google Patents
薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5710033B2 JP5710033B2 JP2014009346A JP2014009346A JP5710033B2 JP 5710033 B2 JP5710033 B2 JP 5710033B2 JP 2014009346 A JP2014009346 A JP 2014009346A JP 2014009346 A JP2014009346 A JP 2014009346A JP 5710033 B2 JP5710033 B2 JP 5710033B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- silicofluoride
- film forming
- cleaning
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 74
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 176
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 164
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 83
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 56
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 28
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 28
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 9
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 49
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 39
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 10
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 9
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 9
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-silylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N([SiH3])C(C)C BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940070337 ammonium silicofluoride Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去工程と、
を備え、
前記除去工程では、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して前記酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程と、を備え、前記酸化工程と前記酸化物除去工程とを複数回繰り返し、
前記珪フッ化物は、フッ素原子を6以上持つ分子からなる珪フッ化物である、
ことを特徴とする。
被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
本発明の第1の観点に係る薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して前記酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記珪フッ化物は、フッ素原子を6以上持つ分子からなる珪フッ化物である、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段、
前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して前記酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させ、
前記珪フッ化物は、フッ素原子を6以上持つ分子からなる珪フッ化物である、ことを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ127は、排気管に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 排気部
4 排気口
5 蓋体
6 ウエハボート
8、9 処理ガス供給管
10 プラズマ発生部
11 電極
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
129 プラズマ制御部
W 半導体ウエハ
Claims (4)
- 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去工程と、
を備え、
前記除去工程では、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して前記酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程と、を備え、前記酸化工程と前記酸化物除去工程とを複数回繰り返し、
前記珪フッ化物は、フッ素原子を6以上持つ分子からなる珪フッ化物である、
ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して前記酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記珪フッ化物は、フッ素原子を6以上持つ分子からなる珪フッ化物である、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段、
前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して前記酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させ、
前記珪フッ化物は、フッ素原子を6以上持つ分子からなる珪フッ化物である、ことを特徴とするプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014009346A JP5710033B2 (ja) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014009346A JP5710033B2 (ja) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013084275A Division JP5465802B2 (ja) | 2013-04-12 | 2013-04-12 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014068045A JP2014068045A (ja) | 2014-04-17 |
JP5710033B2 true JP5710033B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=50744081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014009346A Active JP5710033B2 (ja) | 2014-01-22 | 2014-01-22 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5710033B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6453637B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2019-01-16 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6742265B2 (ja) | 2017-03-28 | 2020-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄副生成物の付着抑制方法及びこれを用いた反応室内のクリーニング方法、並びに室温成膜装置 |
JP2023178083A (ja) | 2022-06-03 | 2023-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1050686A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | Cvd装置のクリーニング方法及びその装置 |
JP2001127056A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Applied Materials Inc | プロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置 |
KR100900587B1 (ko) * | 2003-11-11 | 2009-06-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 |
JP4675127B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム |
JP4802977B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2011-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の運転方法、熱処理装置及び記憶媒体 |
-
2014
- 2014-01-22 JP JP2014009346A patent/JP5710033B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014068045A (ja) | 2014-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5044579B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP5008957B2 (ja) | シリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラム | |
JP4918452B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP5113705B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP4959733B2 (ja) | 薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP4918453B2 (ja) | ガス供給装置及び薄膜形成装置 | |
JP2008112973A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2008028326A (ja) | ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP5554469B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP5193527B2 (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム | |
JP2006165317A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
JP5710033B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP2008283148A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP5250141B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP2012209412A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2014209558A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜の形成装置 | |
KR102243842B1 (ko) | 세정 부생성물의 부착 억제 방법 및 이를 이용한 반응실 내의 클리닝 방법, 그리고 실온 성막 장치 | |
KR20150110358A (ko) | 실리콘 산화막 형성 장치의 세정 방법, 실리콘 산화막의 형성 방법, 및 실리콘 산화막 형성 장치 | |
TWI738053B (zh) | 清潔方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 | |
JP5571233B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP5465802B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP5918423B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、及び、薄膜形成装置 | |
JP2010050270A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム | |
JP5661444B2 (ja) | 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム | |
JP6340332B2 (ja) | 薄膜形成方法、および、薄膜形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5710033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |