TWI424105B - 成膜裝置及使用其之方法 - Google Patents

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Yamato Tonegawa
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Description

成膜裝置及使用其之方法
本發明係關於一種用於在一目標基板(諸如一半導體晶圓)上形成一膜的供半導體製程用之成膜裝置，且亦係關於一種使用該裝置之方法。本文所使用之術語"半導體製程"包括經執行以藉由在諸如一半導體晶圓或用於FPD(平板顯示器)(例如，LCD(液晶顯示器))之玻璃基板之目標基板上以預定圖案來形成半導體層、絕緣層及導電層而製造一半導體設備或製造一在該目標基板上具有連接至一半導體設備之配線層、電極及其類似物之結構的各種製程。
在製造半導體設備過程中，執行諸如CVD(化學氣相沈積)之製程，以在諸如半導體晶圓之目標基板上形成一薄膜，諸如氮化矽膜或氧化矽膜。舉例而言，此種成膜製程經配置以在半導體晶圓上形成薄膜，如下所述。
首先，藉由加熱器在預定負載溫度下加熱熱處理裝置之反應管(反應室)內部，且載入固持複數個半導體晶圓之晶舟。接著，將反應管內部加熱至預定製程溫度，且經由排氣口排放反應管內部之氣體，使得反應管內部之壓力降低至預定壓力。
接著，當將反應管內部保持在預定溫度及壓力下(保持排氣狀態)時，經由製程氣體饋給管線將成膜氣體供應至反應管中。舉例而言，在CVD之情況下，當將成膜氣體供應至反應管中時，成膜氣體引起熱反應且藉此產生反應產 物。該等反應產物沈積於各半導體晶圓之表面上，且在半導體晶圓之表面上形成薄膜。
在成膜製程期間產生之反應產物不僅沈積(黏附)於半導體晶圓之表面上，且亦沈積(黏附)於例如反應管之內表面及其他構件上，後者係作為副產物膜。若當副產物膜存在於反應管之內表面上時成膜製程繼續進行，則由於在石英與副產物膜之間的熱膨脹係數不同而產生應力且導致某些副產物膜與反應管之石英剝離。由此產生粒子且可減少待製造之半導體設備之產量及/或損壞製程裝置之某些組件。
為解決此問題，在成膜製程重複若干次之後執行反應管內部之清洗。在此清洗過程中，藉由加熱器在預定溫度下加熱反應管內部，且將諸如氟氣與含鹵素之酸性氣體之混合氣體的清洗氣體供應至反應管中。進而藉由清洗氣體乾式蝕刻且移除沈積於反應管之內表面上的副產物膜。日本專利申請案KOKAI公開案第3－293726號揭示此種清洗方法。然而，如下文所述，本發明者已發現此種習知清洗方法可引起以下問題：當在清洗反應管之後在其中執行成膜製程時，在所形成之膜上有污染，因此待製造之半導體設備之產量降低。
本發明之一目標為提供一種用於半導體製程之成膜裝置及使用其之方法，其可防止所形成之膜遭受污染。
根據本發明之第一態樣，提供一種將成膜裝置用於半導 體製程之方法，該方法包含設定一閒置態：在成膜裝置之反應室中未容納產物目標基板；且隨後藉由使自由基作用於反應室之內表面上執行移除反應室之內表面中存在之污染物的淨化製程，該等自由基係藉由活化含有氧氣及氫氣元素之淨化製程氣體而產生。
根據本發明之第二態樣，提供一種供半導體製程用之成膜裝置，該裝置包含：一反應室，其經架構成容納目標基板；一排氣系統，其經架構成排放來自反應室內部之氣體；一成膜氣體供應迴路，其經架構成將成膜氣體供應至反應室中以在目標基板上形成膜；一清洗氣體供應迴路，其經架構成將清洗氣體供應至反應室中以自反應室之內表面移除來源於成膜氣體之副產物膜；一淨化製程氣體供應迴路，其經架構成將淨化製程氣體供應至反應室中以自反應室之內表面移除污染物，該淨化製程氣體含有氧氣及氫氣元素；及一控制部分，其經架構成控制該裝置之操作，其中該控制部分執行設定一閒置態：在反應室中未容納產物目標基板；且隨後藉由使自由基作用於反應室之內表面上執行移除反應室之內表面中存在之污染物的淨化製程，該等自由基係藉由活化淨化製程氣體而產生。
根據本發明之第三態樣，提供一種電腦可讀媒體，其含有供在處理器上執行之程式指令，當該程式指令由處理器執行時，其使得用於半導體製程之成膜裝置執行設定閒置態：在成膜裝置之反應室中未容納產物目標基板；且隨後藉由使自由基作用於反應室之內表面上來執行移除反應室 之內表面中存在之污染物的淨化製程，該等自由基係藉由活化含有氧氣及氫氣元素之淨化製程氣體而產生。
本發明之其他目標及優勢將在以下描述中闡述，且部分將自該描述而明瞭或可藉由實踐本發明而瞭解。可藉由下文特別指出之工具及組合實現且獲得本發明之目標及優勢。
併入本說明書中且組成本說明書之一部分的隨附圖式闡明本發明之實施例，且與上文之一般描述及實施例之詳細描述一起用於解釋本發明之原理。
在開發本發明之過程中，本發明者研究關於清潔半導體製程之成膜裝置中所使用之反應管內部的習知方法之問題。因此，本發明者已獲得以下發現。
特定言之，在此種成膜裝置中，即使週期性執行裝置之清洗，但例如清洗氣體中所含有之金屬元素(諸如鐵)仍可沈積於反應管之內表面上(石英或其類似物)及/或滲入其中。此外，在製造過程期間所涉及之由石英或其類似物製成之裝置組件可含有金屬元素，諸如銅、鋁及鐵。除該等金屬元素外，當將含有鹵素組份之清洗氣體供應至反應管中時，氣體供應管線之內部可被腐蝕，且藉此產生之金屬化合物及/或金屬元素沈積於反應管之內表面上及/或滲入其中。當在低壓下在反應管內執行成膜製程時，此種污染物自反應管之內表面排出。從而在所形成之膜上產生諸如金屬污染物之污染物，藉此減少半導體設備之產量。
此外，當將含有氟或氟化氫之清洗氣體供應至反應管中時，清洗氣體中之氟可滲入反應管之內表面中。當在低壓下在反應管內執行成膜製程時，該等污染物亦自反應管之內表面排出。從而在所形成之膜上產生氟污染物，藉此減少半導體設備之產量。
現將參照隨附圖式描述基於上述發現而實現之本發明之實施例。在以下描述中，具有實質上相同功能及配置的構成元件由相同參考數字表示，且僅在需要時進行重複描述。
圖1為展示本發明之一實施例之垂直熱處理裝置的視圖。如圖1中所示，熱處理裝置1包括基本上圓筒形反應管(反應室)2，將其縱向設定為垂直方向。反應管2係由諸如石英(或碳化矽(SiC))之耐熱及耐腐蝕材料製成。
反應管2之頂部係形成為直徑向頂部遞減之基本上為圓錐形之頂板3。頂板3具有在中央形成之排氣口4，用於排放反應管2內之氣體。排氣口4經由氣密排氣管線5連接至排氣部分GE。排氣部分GE具有壓力調節機構，包括例如一閥門及一真空排氣泵(圖1中未展示，但於圖2中以參考符號127展示)。排氣部分GE係用於排放反應管2內之大氣且將其設定於預定壓力(真空位準)下。
蓋子6係安置於反應管2之下方。蓋子6係由諸如石英(或碳化矽)之耐熱及耐腐蝕材料製成。藉由以下所述之晶舟升降器(在圖1中未展示，但在圖2中以參考符號128展示)將蓋子6上下移動。當藉由晶舟升降器將蓋子6向上移動時， 反應管2之底部(載入口)關閉。當藉由晶舟升降器將蓋子6向下移動時，反應管2之底部(載入口)打開。
熱絕緣筒7係安置於蓋子6上。熱絕緣筒7裝備有由耐熱體製成之平面加熱器8以防止由於自反應管2之載入口之熱輻射造成之反應管內部的溫度降低。加熱器8藉由圓筒支撐物9支撐在相對於蓋子6之頂面的預定高度位準下。
旋轉台10係安置於熱絕緣筒7上方。旋轉台10係用作可將固持目標基板(諸如半導體晶圓W)之晶舟11旋轉安裝於其上之桌台。特定言之，旋轉台10連接至安置於其下之旋轉軸12。旋轉軸12穿過加熱器8之中心且連接至用於使旋轉台10旋轉之旋轉機構13。
旋轉機構13主要係由馬達(未展示)及具有自下方氣密穿透蓋子6之軸14之旋轉饋給器15形成。軸14耦接至旋轉台10之旋轉軸12，以經由旋轉軸12將馬達之旋轉力傳遞至旋轉台10。當藉由旋轉機構13之馬達使軸14旋轉時，軸14之旋轉力傳遞至旋轉軸12，且使旋轉台10旋轉。
晶舟11經架構以在垂直方向上以預定間隔固持複數個(例如100個)半導體晶圓W。晶舟11係由諸如石英(或氮化矽)之耐熱及耐腐蝕材料製成。因為晶舟11係安裝於旋轉台10上，所以晶舟11隨旋轉台10一起旋轉，且因此使固持於晶舟11中之半導體晶圓W旋轉。
由(例如)耐熱體製成之加熱器16係安置於接近反應管2處以環繞管2。藉由加熱器16加熱反應管2之內部，以便將半導體晶圓W加熱(溫度增加)至預定溫度。
製程氣體饋給管線17在接近底部處穿透反應管2之側壁，且係用於將製程氣體(諸如成膜氣體、清洗氣體及淨化製程氣體)供應至反應管2中。製程氣體饋給管線17之每一者經由質量流量控制器(MFC，未展示)連接至製程氣體供應部分20。
舉例而言，使用含有矽烷族氣體之第一成膜氣體及含有氮化氣體之第二成膜氣體作為藉由CVD在半導體晶圓W上形成氮化矽膜(產物膜)之成膜氣體。在此實施例中，矽烷族氣體為二氯矽烷(DCS：SiH2 Cl2 )或六氯二矽烷(HCD：Si2 Cl6 )氣體且氮化氣體為氨(NH3 )氣。
作為含有氮化矽作為主要組份(其意謂50%或50%以上)的用於移除沈積於反應管2內部之副產物膜之清洗氣體，使用含鹵素之酸性氣體或鹵素氣體與氫氣之混合氣體。在此實施例中，清洗氣體為氟(F2 )氣、氫(H2 )氣及用作稀釋氣體之氮(N2 )氣的混合氣體。
作為用於移除反應管2之內表面存在之污染物的淨化製程氣體，使用含有氧氣及氫氣元素且可被活化之氣體。如下文所述，在本發明之第一實施例之方法中，淨化製程氣體係用作金屬移除氣體以用於移除存在於反應管2內表面處之金屬元素。在本發明之第二實施例之方法中，淨化製程氣體係用作氟移除氣體以用於移除存在於反應管2內表面處之氟元素。對於第一及第二實施例而言常用之淨化製程氣體為氧(O2 )氣、氫(H2 )氣及用作稀釋氣體之氮(N2 )氣的混合氣體。應注意混合氮氣以防止裝置腐蝕且/或以調 節氣體濃度，但氮氣是否混合視情況而定。
儘管圖1僅展示一條製程氣體饋給管線17，但根據在此實施例中之氣體類型安置複數條製程氣體饋給管線17。特定言之，此裝置包括在接近底部處穿透反應管2之側壁的6條製程氣體饋給管線17，其係由用於供應DCS之DCS饋給管線、用於供應氨之氨饋給管線、用於供應氟之氟饋給管線、用於供應氫之氫饋給管線、用於供應氧之氧饋給管線及用於供應氮之氮饋給管線形成。
淨化氣體饋給管線18亦在接近底部處穿透反應管2之側壁。淨化氣體供應管線18經由質量流量控制器(MFC，未展示)連接至淨化氣體(諸如氮氣)供應源PGS。
熱處理裝置1另外包括用於控制該裝置之個別部分的控制部分100。圖2為展示控制部分100之結構的視圖。如圖2所示，控制部分係連接於操作面板121、(一組)溫度感應器122、(一組)壓力計123、加熱器控制器124、MFC控制器125、閥門控制器126、真空泵127、晶舟升降器128，等等。
操作面板121包括顯示螢幕及操作按鈕，且經架構成傳輸操作者之指令至控制部分100，且在顯示螢幕上顯示自控制部分100傳輸之各種資料。溫度感應器(組)122經架構成量測反應管2、排氣管線5及製程氣體饋給管線17內之個別部分處之溫度，且將量測值傳輸至控制部分100。壓力計(組)123經架構成量測反應管2、排氣管線5及製程氣體饋給管線17內之個別部分之壓力，且將量測值傳輸至控制部 分100。
加熱器控制器124經架構成分別控制加熱器8及加熱器16。加熱器控制器124根據來自控制部分100之指令開啟此等加熱器以產生熱。另外，加熱器控制器124量測此等加熱器之功率消耗，且將其傳輸至控制部分100。
MFC控制器125經架構成分別控制安置於製程氣體饋給管線17及淨化氣體供應管線18上之MFC(未展示)。MFC控制器125根據來自控制部分100之指令控制流經MFC之氣體之流動速率。另外，MFC控制器125量測流經MFC之氣體之流動速率，且將其傳輸至控制部分100。
閥門控制器126分別安置於管道線上且經架構根據自控制部分100所接收之指令值控制安置於管道線上之閥門的開啟速率。真空泵127連接至排氣管線5且經架構成排放來自反應管2內之氣體。
晶舟升降器128經架構成向上移動蓋子6，以便將置於旋轉台10上之晶舟11(半導體晶圓W)載入反應管2中。晶舟升降器128亦經架構成向下移動蓋子6，以便將置於旋轉台10上之晶舟11(半導體晶圓W)自反應管2中卸載。
控制部分100包括方案儲存部分111、ROM 112、RAM 113、I/O埠114及CPU 115。此等構件經由匯流排116相互連接以使資料可經由匯流排116在其間傳輸。
方案儲存部分111儲存設定方案及複數個製程方案。在製造熱處理裝置1之後，最初僅儲存設定方案。當用於特定熱處理裝置之熱模型或其類似物形成時，執行設定方 案。製程方案分別為實際待由使用者執行之熱製程而準備。每一製程方案指定自半導體晶圓W被載入反應管2中之時間至經處理之晶圓W被卸載之時間下個別部分處之溫度變化、反應管2內之壓力變化、供應製程氣體之開始/停止時序及製程氣體之供應速率。
ROM 112為由EEPROM、快閃記憶體或硬碟形成之儲存媒體，且係用於儲存由CPU 115或其類似物執行之操作程式。RAM 113係用作CPU 115之工作區域。
將I/O埠114連接至操作面板121、溫度感應器122、壓力計123、加熱器控制器124、MFC控制器125、閥門控制器126、真空泵127及晶舟升降器128，且其經架構成控制資料或訊號之輸出/輸入。
CPU(中央處理單元)115為控制部分100之集線器。CPU 115依據來自操作面板121之指令經架構成運行儲存於ROM 112中之控制程式且根據儲存於方案儲存部分111中之方案(製程方案)控制熱處理裝置1之操作。特定言之，CPU 115使得溫度感應器(組)122、壓力計(組)123及MFC控制器125在反應管2、排氣管線5及製程氣體饋給管線17內之個別部分處量測溫度、壓力及流動速率。此外，基於量測資料，CPU 115輸出控制訊號至加熱器控制器124、MFC控制器125、閥門控制器126及真空泵127以根據製程方案控制上述個別部分。
因此，在以下根據實施例所述之裝置使用方法中，熱處理裝置1之個別組件係在控制部分100(CPU 115)之控制下 操作。在反應管2內之溫度及壓力及在製程期間之氣體流動速率係根據方案來設定，同時控制部分100(CPU 115)控制加熱器控制器124(對於加熱器8及16)、MFC控制器125(對於製程氣體饋給管線17及淨化氣體饋給管線18)、閥門控制器126及真空泵127，如下文所說明。
<第一實施例>
以下將給出在圖1及2中所展示之熱處理裝置1中執行之根據本發明之第一實施例的裝置使用方法。在此實施例中，首先，在反應管2內之半導體晶圓W上形成氮化矽膜。隨後，移除沈積於反應管2內的含有氮化矽作為主要組份(其意謂50%或50%以上)的副產物膜。接著移除在反應管2之內表面處存在之金屬污染物等等。圖3為展示本發明之第一實施例之成膜製程、清洗製程及淨化製程之方案的視圖。
在成膜製程中，首先藉由加熱器16在預定負載溫度下(諸如400℃，如圖3中(a)所示)加熱反應管2內部。此外，以預定流動速率(如圖3中(c)所示)將氮氣(N2 )經由淨化氣體饋給管線18供應至反應管2中。接著，將固持半導體晶圓W之晶舟11置於蓋子6上，且藉由晶舟升降器128向上移動蓋子6。因此，將其上支撐有半導體晶圓W之晶舟11載入反應管2中且將反應管2氣密封閉(負載步驟)。
接著，以預定流動速率(如圖3中(c)所示)將氮氣(N2 )經由淨化氣體饋給管線18供應至反應管2中。此外，藉由加熱器16將反應管2內部加熱至預定成膜溫度(製程溫度)，諸如 780℃，如圖3中(a)所示。此外，排放反應管2內之氣體以將反應管2內部設定於預定壓力下，諸如26.5 Pa(0.2托(torr))，如圖3中(b)所示。不斷執行減壓及加熱操作直至反應管2穩定在預定壓力及溫度(穩定步驟)下。
控制旋轉機構13之馬達以使晶舟11經由旋轉台10旋轉。晶舟11與其上所支撐之半導體晶圓W一起旋轉，藉此均勻加熱半導體晶圓W。
當反應管2內部穩定在預定壓力及溫度下時，中止經由淨化氣體饋給管線18供應氮氣。接著將含有含矽氣體之第一成膜氣體及含有氮化氣體之第二成膜氣體經由製程氣體饋給管線17供應至反應管2中。在此實施例中，第一成膜氣體含有以預定流動速率(諸如0.075 slm(標準公升每分鐘)，如圖3中(e)所示)供應之DCS(SiH2 Cl2 )。第二成膜氣體含有以預定流動速率(諸如0.75 slm，如圖3中(d)所示)供應之氨(NH3 )。
使用反應管2內部之熱，供應至反應管2之DCS及氨引起熱分解反應。分解組份產生氮化矽(Si3 N4 )，自其在半導體晶圓W表面上形成氮化矽膜(成膜步驟)
當形成於半導體晶圓W表面上之氮化矽膜達到一預定厚度時，中止經由製程氣體饋給管線17供應DCS及氨。接著，對反應管2內部進行排氣，且經由淨化氣體饋給管線18以預定流動速率(如圖3中(c)所示)供應氮氣。如此操作可使反應管2內部之氣體排放至排氣管線5(淨化步驟)。較佳複數次對製程管2內部執行重複排氣及氮氣供應的循環 淨化，以便可靠地排放製程管2內部之氣體。
接著，藉由加熱器16將反應管2內部設定在預定溫度下，諸如400℃，如圖3中(a)所示。此外，以預定流動速率(如圖3中(c)所示)將氮氣(N2 )經由淨化氣體饋給管線18供應至反應管2中。藉此使製程管2內部之壓力恢復至大氣壓力，如圖3中(b)所示。接著，藉由晶舟升降器128向下移動蓋子6，且藉此卸載晶舟11(卸載步驟)。
重複此成膜製程複數次之後，由該成膜製程所產生之氮化矽不僅沈積(黏附)於半導體晶圓W之表面上，且亦作為副產物膜沈積(黏附)於反應管2之內表面等上。因此，在重複成膜製程複數次之後，執行清洗製程以移除含有氮化矽作為主要組份之副產物膜。配置清洗製程之條件，以便對氮化矽之蝕刻速率較高，且對形成反應管2內表面之材料(石英)之蝕刻速率較低。此外，在第一實施例中，當藉由清洗製程自反應管2之內表面上移除副產物膜時，執行淨化製程以移除出現於其上之金屬污染物。因此，淨化製程之條件經配置以促進諸如鐵、銅、鎳、鋁、鈷、鈉及鈣之金屬污染物自反應管2之內表面等上排出。
在清洗製程中，首先藉由加熱器16將反應管2內部維持在預定負載溫度下，諸如400℃，如圖3中(a)所示。此外，以預定流動速率(如圖3中(c)所示)將氮氣(N2 )經由淨化氣體饋給管線18供應至反應管2中。接著將其上未支撐有半導體晶圓W之呈空置狀態之晶舟11置於蓋子6上，且藉由晶舟升降器128將蓋子6向上移動。因此，將晶舟11載入反應 管2中且將反應管2氣密封閉(負載步驟)。
接著，以預定流動速率(如圖3中(c)所示)將氮氣經由淨化氣體饋給管線18供應至反應管2中。此外，藉由加熱器16在預定清洗溫度下(諸如400℃，如圖3中(a)所示)加熱反應管2內部。此外，排放反應管2內部之氣體以將反應管2內部設定在預定壓力下，諸如13,300 Pa(100托)，如圖3中(b)所示。不斷執行減壓及加熱操作直至反應管2穩定在預定壓力及溫度下(穩定步驟)。
當反應管2內部穩定在預定壓力及溫度下時，中止經由淨化氣體饋給管線18供應氮氣。接著將包含氟氣(F2 )、氫氣(H2 )及氮氣(N2 )之清洗氣體經由製程氣體饋給管線17供應至反應管2中。在此實施例中，氟氣係以諸如2 slm(如圖3中(f)所示)之預定流動速率供應，氫氣係以諸如2 slm(如圖3中(g)所示)之預定流動速率供應，且氮氣或稀釋氣體係以諸如8 slm(如圖3中(c)所示)之預定流動速率供應。
在反應管2中加熱清洗氣體，且清洗氣體中之氟氣被活化。經活化之氟氣與沈積於反應管2之內表面等上的副產物膜(含有氮化矽作為主要組份)接觸。因此，蝕刻副產物膜且將其移除(清洗步驟)。
在清洗步驟中，反應管2內之溫度較佳係設定為100至600℃，且更佳為200至400℃。若溫度低於100℃，則清洗氣體難以活化，因此清洗氣體對氮化矽之蝕刻速率可低於必需值。若溫度高於600℃，則對石英或碳化矽(SiC)之蝕刻速率可變得過高，因此蝕刻選擇性變差。
在該清洗步驟中，反應管2內部之壓力較佳係設定為13,300 Pa(100托)至80,000 Pa(600托)，且更佳為26,700 Pa(200托)至53,300 Pa(400托)。在使用此配置之情況下，對氮化矽之蝕刻速率較高，因此對其上之石英或碳化矽(SiC)之蝕刻選擇性經改良。
當將沈積於反應管2內部之副產物膜移除時，中止經由製程氣體饋給管線17供應清洗氣體。接著開始淨化製程。
在淨化製程中，首先，對反應管2之內部進行排氣，且經由淨化氣體饋給管線18以預定流動速率(如圖3中(c)所示)供應氮氣至反應管2中。藉此將反應管2內部之氣體排放至排氣管線5。此外，藉由加熱器16將反應管2之內部設定於預定溫度下，諸如950℃，如圖3中(a)所示。此外，將反應管2內部設定在預定壓力下，諸如46.55 Pa(0.35托)，如圖3中(b)所示。不斷執行此等操作直至反應管2穩定在預定壓力及溫度下(穩定步驟)。
當反應管2內部穩定在預定壓力及溫度下時，中止經由淨化氣體饋給管線18供應氮氣。接著將包含氧氣(O2 )、氫氣(H2 )及氮氣(N2 )之淨化製程氣體(其係用作金屬移除氣體以用於移除在反應管2之內表面上存在之金屬元素)經由製程氣體饋給管線17供應至反應管2。在此實施例中，氧氣係以諸如1 slm(如圖3中(h)所示)之預定流動速率供應，氫氣係以諸如1.7 slm(如圖3中(g)所示)之預定流動速率供應，且氮氣或稀釋氣體係以諸如0.05 slm(如圖3中(c)所示)之預定流動速率供應。
在反應管2中加熱淨化製程氣體，且淨化製程氣體中之氧氣及氫氣被活化，由此產生自由基(氧自由基(O＊ )、羥基自由基(OH＊ )及氫自由基(H＊ ))。如此產生之自由基激發存在於構件(諸如反應管2)表面上及/或其中之待擴散及排出之金屬元素(淨化除去)。接著當由廢氣流載運時，將金屬元素自反應管2排出。因此，在成膜製程期間防止自反應管2排出金屬污染物，藉此在所形成之膜上抑制諸如金屬污染物之污染物(自由基淨化步驟)。
在自由基淨化步驟中，可複數次重複淨化製程氣體之供應及中止。此時，由於保持反應管2之內部排氣，所以反應管2內之壓力隨著淨化製程氣體之供應及中止而改變，由此可靠地排出反應管2之表面等上存在之金屬污染物。
為有效產生自由基，淨化製程氣體中之氫及氧之組合流動速率應較大，且例如將其設定為0.1 slm至20 slm，且較佳設定為1 slm至5 slm。氫及氧之組合流動速率相對於淨化製程氣體之總流動速率之比率係設定為90%至100%，且較佳為95%至100%。氫之流動速率相對於氫及氧之組合流動速率之比率係設定為1%至99%，較佳為30%至70%，且更佳為50%以上。當在該等條件下執行淨化製程時，改良移除存在於反應管2之內表面處之金屬元素的效果。
在自由基淨化步驟中，將反應管2內之溫度設定為400℃至1,050℃。若此溫度低於400℃，則反應管2表面等上存在之金屬元素不易於排出(擴散)。若此溫度高於1,050℃，其超過構成反應管2之石英的軟化點。此溫度較佳設定為 600℃至1,050℃，且更佳為800℃至1,050℃。當使用此配置時，在自由基淨化步驟中改良金屬元素之排出。
在自由基淨化步驟中，在氣體供應過程中將反應管2內之壓力設定為931 Pa(7托)或小於931 Pa(7托)。若此壓力高於931 Pa，則金屬污染物不易於自反應管2之石英排出。較佳地，將此壓力設定為13.3 Pa(0.1托)至532 Pa(4托)，且更佳為13.3 Pa(0.1托)至133 Pa(1托)。當反應管2內之壓力設定於該低值時，在自由基淨化步驟中改良金屬元素之排出。
在自由基淨化步驟結束後，中止經由製程氣體饋給管線17供應淨化製程氣體。接著，對反應管2內部進行排氣，且經由淨化氣體饋給管線18以預定流動速率(如圖3中(c)所示)供應氮氣至反應管2中。藉此可將反應管2內部之氣體排放至排氣管線5(氮氣淨化步驟)。
接著，藉由加熱器16將反應管2內部設定在預定溫度下，諸如400℃，如圖3中(a)所示。此外，以預定流動速率(如圖3中(c)所示)將氮氣(N2 )經由淨化氣體供應管線18供應至反應管2中。藉此使製程管2內部之壓力恢復至大氣壓力，如圖3中(b)所示。接著，藉由晶舟升降器128向下移動蓋子6，且藉此卸載晶舟11(卸載步驟)。
在執行上述製程時，移除在反應管2之內表面、晶舟11之表面等上存在之副產物膜及金屬污染物。其後，將其上支撐有許多新的半導體晶圓W之晶舟11置於蓋子6上，且以上述方式再次開始成膜製程。
<實驗1>
作為第一實施例之本發明實例PE11及PE12，成膜製程、清洗製程及淨化製程係根據在實施例中所述之條件下在圖1及2中所示之熱處理裝置中執行，以便製備反應管2。在本發明實例PE11及PE12中，在自由基淨化步驟期間將反應管2內部之溫度分別設定為950℃及850℃。作為一比較實例CE11，成膜製程及清潔製程在與本發明實例PE11相同之條件下進行，且接著僅執行氮氣淨化來替代淨化製程，以便製備反應管2。將半導體晶圓載入如此製備之各反應管2中，且隨後將反應管2內部加熱至800℃以在半導體晶圓上執行熱處理。接著，自反應管2卸載半導體晶圓且量測晶圓表面上之鐵(Fe)、銅(Cu)及鎳(Ni)之濃度(原子/公分2 )。
圖4為展示藉由實驗1所獲得的本發明實例PE11及PE12及比較實例CE11中的半導體晶圓表面上之鐵、銅及鎳之濃度圖。如圖4中所示，在本發明實例之淨化製程中半導體晶圓表面上之鐵、銅及鎳之濃度變得相當低。此資料意謂淨化製程極大地減少殘存於反應管2內之金屬元素。
依照在自由基淨化步驟期間反應管2內之溫度與半導體晶圓表面上之金屬濃度之間的關係，鐵及銅之濃度低於950℃，而鎳之濃度低於850℃。在自由基淨化步驟期間反應管2內之溫度足夠恰好可活化淨化製程氣體且藉由產生其之自由基。然而，視待移除之金屬而定存在最優溫度，因此較佳根據相關金屬類型選擇合適溫度。
<實驗2>
作為第一實施例之本發明實例PE13、PE14、PE15、PE16及PE17，除了改變淨化製程氣體之組成之外，製備反應管2且將其用於在與本發明實例PE11相同之條件下執行半導體晶圓上之熱處理。在熱處理之後，量測晶圓表面上之鐵(Fe)、銅(Cu)及鎳(Ni)之濃度(原子/公分2 )。圖5為展示分別用於第一實施例之實驗2中的本發明實例PE13至PE17之金屬移除氣體(淨化製程氣體)之組成等的圖。
圖6為展示藉由實驗2所獲得之本發明實例PE13至PE17中的半導體晶圓表面上之鐵、銅及鎳之濃度圖。如圖6中所示，隨著淨化製程氣體中之氫氣比率增加，半導體晶圓上之鐵、銅及鎳之濃度降低。據推測此現象係因為氫比率之增加使得對於移除金屬元素有效之自由基增加。
<第二實施例>
其次，將給出在圖1及2中展示之熱處理裝置1中執行之本發明之第二實施例的裝置使用方法之說明。在此實施例中，首先，在反應管2中之半導體晶圓W上形成氮化矽膜。接著，移除沈積於反應管2內的含有氮化矽作為主要組份(其意謂50%或50%以上)之副產物膜。隨後移除反應管2之內表面等上存在之氟污染物。圖7為展示本發明之第二實施例之成膜製程、清洗製程及淨化製程之方案的視圖。
在成膜製程中，除成膜步驟之製程溫度係設定在760℃且成膜氣體係設定為以0.1 slm供應DCS(SiH2 Cl2 )、以1 slm 供應氨(NH3 )且以0.25 slm供應氮氣(N2 )(如圖7中所示)之外，藉由使用與第一實施例相同之條件及方式執行個別步驟。
重複成膜製程複數次之後，執行清洗製程。在清洗製程中，藉由使用與第一實施例相同之條件及方式執行個別步驟，其中供應至反應管2中之清洗氣體係由氟氣(F2 )、氫氣(H2 )及氮氣(N2 )形成，如圖7中所示。因此，氟元素被吸收於反應管2之表面等中及/或滲入其中，且留下形成污染物。為移除該等氟污染物，執行淨化製程。因此，淨化製程之條件經配置以促進氟污染物自反應管2之內表面等中排出。
在淨化製程中，首先，對反應管2內部進行排氣，且經由淨化氣體饋給管線18以預定流動速率(如圖7中(c)所示)供應氮氣至反應管2中。藉此，將反應管2內部之氣體排放至排氣管線5。此外，藉由加熱器16將反應管2之內部設定於預定溫度下，諸如850℃，如圖7中(a)所示。此外，將反應管2內部設定在預定壓力下，諸如46.55 Pa(0.35托)，如圖7中(b)所示。不斷執行此等操作直至反應管2穩定在預定壓力及溫度下(穩定步驟)。
當反應管2內部穩定在預定壓力及溫度下時，中止經由淨化氣體饋給管線18供應氮氣。接著將包含氧氣(O2 )、氫氣(H2 )及氮氣(N2 )之淨化製程氣體(其係用作氟移除氣體以用於移除在反應管2之內表面上存在之氟元素)經由製程氣體饋給管線17供應至反應管2。在此實施例中，氧氣係以 諸如1.7 slm(如圖7中(h)所示)之預定流動速率供應，氫氣係以諸如1 slm(如圖7中(g)所示)之預定流動速率供應，且氮氣或稀釋氣體係以諸如0.05 slm(如圖7中(c)所示)之預定流動速率供應。
在反應管2中加熱淨化製程氣體，且淨化製程氣體中之氧氣及氫氣被活化，由此產生自由基(氧自由基(O＊ )、羥基自由基(OH＊ )及氫自由基(H＊ ))。如此產生之自由基激發存在於構件(諸如反應管2)表面上及/或其中之待擴散及排出之氟元素(淨化除去)。隨後當由廢氣流載運時，將氟元素自反應管2排出。因此，在成膜製程期間防止自反應管2排出氟污染物，藉此在所形成之膜上抑制諸如氟污染物之污染物(自由基淨化步驟)。
在自由基淨化步驟中，可複數次重複淨化製程氣體之供應及中止。此時，由於保持反應管2之內部排氣，所以反應管2內之壓力隨著淨化製程氣體之供應及中止而改變，由此可靠地排出反應管2之表面等上存在之氟污染物。
如在第一實施例中，為有效產生自由基，淨化製程氣體中氫及氧之組合流動速率應較大。氫之流動速率相對於氫及氧之組合流動速率之比率係設定為1%至99%，較佳為30%至70%，且更佳為50%以上。當在該等條件下執行淨化製程時，改良移除存在於反應管2之內表面處之氟元素的效果。
在自由基淨化步驟中，將反應管2內之溫度設定為300℃至1,050℃。若此溫度低於300℃，則反應管2之表面等上存 在之氟元素不易於排出(擴散)。若此溫度高於1,050℃，其超過構成反應管2之石英的軟化點。在此移除氟污染物與移除上述金屬污染物一起執行之情況下，自由基淨化步驟之製程溫度較佳根據用於移除金屬污染物之溫度來設定。
另一方面，在無需考慮移除金屬污染物之情況下，此移除氟污染物可在相當低之溫度下執行。在此情況下，當自由基淨化步驟之溫度設定為相對於清洗步驟及/或成膜步驟具有較小差異時，有可能改良製程速率及裝置負荷。據此，在無需考慮移除金屬污染物之情況下，在自由基淨化步驟中所使用之反應管2內之溫度較佳設定為300℃至800℃，且更佳為400℃至600℃。
在自由基淨化步驟中，將氣體供應過程中反應管2內之壓力設定為53,200 Pa(400托)或53,200 Pa(400托)以下。若此壓力高於53,200 Pa，則氟污染物不易於自反應管2之石英中排出。然而，與成膜步驟之壓力相比，較佳不將此壓力設定過高而具有不同數量級。據此，此壓力較佳設定為13.3 Pa(0.1托)至532 Pa(4托)，且更佳為13.3 Pa(0.1托)至133 Pa(1托)。當反應管2內之壓力設定在如此之低值時，在自由基淨化步驟中改良氟元素之排出。
在自由基淨化步驟結束後，中止經由製程氣體饋給管線17供應淨化製程氣體。接著，對反應管2內部進行排氣，且經由淨化氣體饋給管線18以預定流動速率(如圖7中(c)所示)供應氮氣至反應管2中。藉此將反應管2內部之氣體排放至排氣管線5(氮氣淨化步驟)。
隨後，藉由加熱器16將反應管2內部設定在預定溫度下，諸如400℃，如圖7中(a)所示。此外，以預定流動速率(如圖7中(c)所示)將氮氣(N2 )經由淨化氣體供應管線18供應至反應管2中。藉此使製程管2內部之壓力恢復至大氣壓力，如圖7中(b)所示。接著，藉由晶舟升降器128向下移動蓋子6，且藉此卸載晶舟11(卸載步驟)。
在執行上述製程時，移除在反應管2之內表面、晶舟11之表面等上存在之副產物膜及氟污染物。其後，將其上支撐有許多新的半導體晶圓W之晶舟11置於蓋子6上，且以上述方式再次開始成膜製程。
<實驗3>
作為第二實施例之本發明實例PE21、PE22及PE23，成膜製程、清洗製程及淨化製程係根據在實施例中所述之條件下在圖1及2中所示之熱處理裝置中執行，以便製備反應管2。在本發明實例PE21、PE22及PE23中，淨化製程氣體之組成改變且自由基淨化步驟之時間段設定為不同值。作為一比較實例CE21，成膜製程及清潔製程在與本發明實例PE21相同之條件下執行，且接著僅執行氮氣淨化來替代淨化製程，以便製備反應管2。圖8為展示用於第二實施例實驗3中之本發明實例PE21至PE23及比較實例CE21之淨化製程條件的圖。將半導體晶圓載入如此製備之各反應管2中，且接著在實施例中所述之條件下執行成膜製程以在半導體晶圓上形成氮化矽膜。接著，自反應管2卸載半導體晶圓且量測氮化矽膜中氟之濃度(原子/公分2 )。
圖9為展示藉由實驗3所獲得之本發明實例PE21至PE23及比較實例CE21中氮化矽膜中之氟濃度之圖。如圖9中所示，在本發明實例之淨化製程中氮化矽膜中之氟濃度變得相當低。此資料意謂淨化製程極大地減少殘存於反應管2內之氟元素。
<結論及修改>
如上所述，根據第一實施例，淨化製程係在清洗步驟後執行，以使得存在於反應管2內之金屬污染物被移除。從而，在成膜製程期間防止自反應管2排出金屬污染物，藉此在所形成之膜上抑制諸如金屬污染物之污染物。另一方面，根據第二實施例，在清洗步驟後執行淨化製程，以使得存在於反應管2內之氟污染物被移除。從而，在成膜製程期間防止自反應管2排出氟污染物，藉此在所形成之膜上抑制諸如氟污染物之污染物。
在第一實施例中，藉由淨化製程移除鐵、銅及鎳，但其僅為可移除之金屬污染物之實例。在此態樣中，可藉由淨化製程移除其他金屬污染物，諸如鋁(Al)、鈷(Co)、鈉(Na)及/或鈣(Ca)。
在第一及第二實施例中，淨化製程氣體(金屬移除氣體或氟移除氣體)為氧、氫及氮之混合氣體。然而，淨化製程氣體之組成可經適當設定，只要其藉由活化產生自由基以自反應管之內表面移除金屬或氟。舉例而言，淨化製程氣體可為由氧及氫組成之混合氣體，或包含含有氧氣元素之氣體及含有氫氣元素氣體的混合氣體。
在第一及第二實施例中，當將清洗氣體及淨化製程氣體供應至加熱至預定溫度之反應管2中時，其被活化。或者，可將清洗氣體及/或淨化製程氣體供應至反應管2中同時藉由安置於相應製程氣體饋給管線17上之活化機構GAM(參見圖1)在反應管2外經活化。在此情況下，在清洗及自由基淨化步驟過程中，反應管2內之溫度可降低。活化機構GAM可經配置以利用一或多種選自由熱、電漿、光及催化劑組成之群的介質。
在第一及第二實施例中，淨化製程在清洗製程之後執行，但只要反應管2之內表面呈用於移除污染物之狀態，淨化製程之執行可與清潔製程無關。例如，淨化製程可作為成膜製程之前的預製程而執行。此外，在實施例中，清洗製程及淨化製程在成膜製程重複複數次後執行，但清洗製程及淨化製程可在每次成膜製程執行後執行。在此情況下，每次均清洗乾淨反應管2之內部，使得更可靠地防止所形成之薄膜受到污染。
在第一及第二實施例中，當氮化矽膜形成於半導體晶圓W上時，移除目標為沈積於反應管2內部的含有氮化矽作為主要組份之副產物膜。或者，本發明可應用於當另一含矽絕緣膜(諸如氧化矽膜或氮氧化矽膜)形成於半導體晶圓W上時移除目標為沈積於反應管2之內部的副產物膜之情況。在此情況下，為形成氧化矽膜或氮氧化矽膜，可供應含有含矽氣體之第一成膜氣體及含有氧化氣體或氮氧化氣體之第二成膜氣體。此外，本發明可應用於在半導體晶圓 W上形成多晶矽膜之製程。此等情況之每一者產生含有主要組份為來源於成膜製程中所用之成膜氣體物質的副產物膜。
在第一及第二實施例中，清洗氣體為氟氣、氫氣及用作稀釋氣體之氮氣的混合氣體。然而，只要可移除由於成膜製程沈積之副產物膜，清洗氣體可為任何氣體。清洗氣體較佳含有稀釋氣體，因為若如此配置，則處理時間可更易於控制。然而，清洗氣體可不含有稀釋氣體。稀釋氣體較佳由諸如氮氣、氦氣(He)、氖氣(Ne)或氬氣(Ar)之惰性氣體組成。
在第一及第二實施例中，製程氣體饋給管線17係根據氣體類型來安置。或者，例如，製程氣體饋給管線17可根據製程步驟類型來安置。此外，可將複數條製程氣體饋給管線17在接近底部處連接至反應管2之側壁，以經由複數條管線供應各氣體。在此情況下，經由複數條製程氣體饋給管線17將製程氣體供應至反應管2中，且藉此更均勻地散布於反應管2中。
在第一及第二實施例中，所採用之熱處理裝置為具有單管結構之批式熱處理裝置。然而，舉例而言，本發明可應用於具有由內管及外管形成之雙管型反應管的批式垂直熱處理裝置。或者，本發明可應用於單基板型熱處理裝置。目標基板並不限於半導體晶圓W，且其可為用於(例如)LCD之玻璃基板。
熱處理裝置之控制部分100並不限於特定系統，且其可 由普通電腦系統來實現。舉例而言，可利用其中儲存程式之儲存媒體(軟性磁碟、CD－ROM或其類似物)將用於執行上述製程之程式安裝於多用途電腦中，以便準備用於執行上述製程之控制部分100。
用於提供此類程式之構件多種多樣。舉例而言，可藉由通信線路、通信網路或通信系統代替如上所述之預定儲存媒體來提供程式。在此情況下，舉例而言，可將程式黏貼於通信網路上之布告欄(BBS)上，且隨後在疊加於載波上時經由網路來提供。如在其他應用程式中，將啟動由此所提供之程式且在電腦之OS控制下運行，藉此執行製程。
彼等熟習該項技術者易於想到其他優勢及修改。因此，本發明在其廣泛態樣下不限於本文所展示及描述之特定細節及代表性實施例。因此，在不背離如藉由隨附申請專利範圍及其均等物所定義之本發明一般概念的精神或範疇之情況下可進行各種修改。
1‧‧‧熱處理裝置
2‧‧‧反應管；反應室
3‧‧‧圓錐形頂板
4‧‧‧排氣口
5‧‧‧氣密排氣管線
6‧‧‧蓋子
7‧‧‧熱絕緣筒
8‧‧‧平面加熱器
9‧‧‧圓筒支撐物
10‧‧‧旋轉台
11‧‧‧晶舟
12‧‧‧旋轉軸
13‧‧‧旋轉機構
14‧‧‧軸
15‧‧‧旋轉饋給器
16‧‧‧加熱器
17‧‧‧製程氣體積給管線
18‧‧‧淨化氣體饋給管線；淨化氣體供應管線
20‧‧‧製程氣體供應部分
100‧‧‧控制部分
111‧‧‧方案儲存部分
112‧‧‧ROM
113‧‧‧RAM
114‧‧‧I/O埠
115‧‧‧CPU
116‧‧‧匯流排
121‧‧‧操作面板
122‧‧‧溫度感應器
123‧‧‧壓力計
124‧‧‧加熱器控制器
125‧‧‧MFC控制器
126‧‧‧閥門控制器
127‧‧‧真空泵
128‧‧‧晶舟升降器
GAM‧‧‧活化機構
GE‧‧‧排氣部分
PGS‧‧‧淨化氣體供應源
W‧‧‧半導體晶圓
圖1為展示本發明之一實施例之垂直熱處理裝置的視圖；圖2為展示圖1中所示之裝置之控制部分結構的視圖；圖3為展示本發明之第一實施例之成膜製程、清洗製程及淨化製程之方案的視圖；圖4為展示在藉由實驗1所獲得的第一實施例之本發明實例PE11及PE12及比較實例CE11中的半導體晶圓表面上之鐵、銅及鎳之濃度圖； 圖5為展示分別用於第一實施例之實驗2中之本發明實例PE13至PE17的金屬移除氣體(淨化製程氣體)之組成等的圖；圖6為展示藉由實驗2所獲得之本發明實例PE13至PE17中的半導體晶圓表面上之鐵、銅及鎳之濃度圖；圖7為展示本發明之第二實施例之成膜製程、清洗製程及淨化製程之方案的視圖；圖8為展示用於實驗3中之第二實施例之本發明實例PE21至PE23及比較實例CE21之淨化製程條件的圖；及圖9為展示藉由實驗3所獲得之本發明實例PE21至PE23及比較實例CE21中的氮化矽膜中之氟濃度的圖。
1‧‧‧熱處理裝置
2‧‧‧反應管；反應室
3‧‧‧圓錐形頂板
4‧‧‧排氣口
5‧‧‧氣密排氣管線
6‧‧‧蓋子
7‧‧‧熱絕緣筒
8‧‧‧平面加熱器
9‧‧‧圓筒支撐物
10‧‧‧旋轉台
11‧‧‧晶舟
12‧‧‧旋轉軸
13‧‧‧旋轉機構
14‧‧‧軸
15‧‧‧旋轉饋給器
16‧‧‧加熱器
17‧‧‧製程氣體饋給管線
18‧‧‧淨化氣體饋給管線；淨化氣體供應管線
20‧‧‧製程氣體供應部分
100‧‧‧控制部分
GAM‧‧‧活化機構
GE‧‧‧排氣部分
PGS‧‧‧淨化氣體供應源
W‧‧‧半導體晶圓

Claims (20)

  1. 一種將一成膜裝置用於一半導體製程之方法，該方法包含：設定一閒置態：在該成膜裝置之反應室中未容納產物目標基板；且隨後藉由使自由基作用於該反應室之內表面上執行移除該反應室之內表面中存在之污染物的淨化製程，該等自由基係藉由活化含有氧氣及氫氣元素之淨化製程氣體而產生。
  2. 如請求項1之方法，其中該淨化製程包含供應該淨化製程氣體至該反應室中同時排放來自該反應室內部之氣體，且設定該反應室內部之溫度及壓力以活化該淨化製程氣體。
  3. 如請求項1之方法，其中該淨化製程包含活化該反應室外部之該淨化製程氣體。
  4. 如請求項1之方法，其中該淨化製程氣體係藉由使用一或多種選自由熱、電漿、光及催化劑組成之群的介質而活化。
  5. 如請求項1之方法，其中在該設定該閒置態與該執行該淨化製程之間，該方法進一步包含藉由不同於該淨化製程氣體之清洗氣體執行自該反應室之內表面移除副產物膜之清洗製程。
  6. 如請求項5之方法，其中該清洗製程包含供應該清洗氣體至該反應室中同時排放來自該反應室內部之氣體，且 設定該反應室內之溫度及壓力以活化該清洗氣體。
  7. 如請求項5之方法，其中該副產物膜含有一選自由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及多晶矽組成之群的物質作為主要組份，且該清洗氣體含有鹵素氣體及氫氣元素。
  8. 如請求項7之方法，其中在該設定該閒置態之前，該方法進一步包含藉由CVD在該反應室內於一目標基板上執行形成選自由氮化矽、氧化矽、氮氧化矽及多晶矽組成之群的材料之膜的成膜製程，且該副產物膜含有來源於用於該成膜製程之成膜氣體之物質作為主要組份。
  9. 如請求項1之方法，其中該淨化製程氣體含有氧氣及氫氣，且該氫氣之流動速率相對於該氧氣與該氫氣之組合流動速率之比率係設定為30%至70%。
  10. 如請求項9之方法，其中該氫氣之流動速率相對於該氧氣與該氫氣之組合流動速率之比率係設定為50%或50%以上。
  11. 如請求項1之方法，其中該污染物含有一金屬元素且該淨化製程係在設定為移除該金屬污染物之條件下執行。
  12. 如請求項11之方法，其中該污染物含有一或多種選自由鐵、銅、鎳、鋁、鈷、鈉及鈣組成之群的金屬。
  13. 如請求項7之方法，其中該清洗氣體含有氟元素。
  14. 如請求項13之方法，其中該污染物含有該清洗氣體所含有之氟，且該淨化製程係在設定為移除該氟污染物之條件下執行。
  15. 如請求項2之方法，其中該淨化製程經安排為在該反應 室內使用400℃至1,050℃之溫度。
  16. 如請求項2之方法，其中該淨化製程經安排為在該反應室內使用13.3Pa至931Pa之壓力。
  17. 如請求項1之方法，其中該反應室之內表面含有一選自由石英及碳化矽組成之群的材料作為主要組份。
  18. 一種成膜裝置，其係用於一半導體製程，該成膜裝置包含：一反應室，其經架構成容納一目標基板；一排氣系統，其經架構成排放來自該反應室內部之氣體；一成膜氣體供應迴路，其經架構成供應一成膜氣體至該反應室中以在該目標基板上形成一膜；一清洗氣體供應迴路，其經架構成供應一清洗氣體至該反應室中以自該反應室之內表面移除來源於該成膜氣體之副產物膜；一淨化製程氣體供應迴路，其經架構成供應一淨化製程氣體至該反應室中以自該反應室之內表面移除污染物，該淨化製程氣體含有氧氣及氫氣元素；及一控制部分，其經架構成控制該裝置之操作，其中該控制部分執行以下操作：設定一閒置態：在該反應室中未容納產物目標基板；且隨後藉由使自由基作用於該反應室之內表面上執行一移除該反應室之內表面中存在之污染物的淨化製程， 該等自由基係藉由活化該淨化製程氣體而產生。
  19. 如請求項18之裝置，其中在該設定該閒置態與該執行該淨化製程之間，該控制部分執行藉由該清洗氣體執行自該反應室之內表面移除副產物膜之清洗製程。
  20. 一種電腦可讀媒體，其含有用於在一處理器上執行之程式指令，當該程式指令藉由該處理器執行時，致使用於一半導體製程之成膜裝置執行以下操作：設定一閒置態：在該成膜裝置之一反應室中未容納產物目標基板；且隨後藉由使自由基作用於該反應室之內表面上執行移除該反應室之內表面中存在之污染物的淨化製程，該等自由基係藉由活化含有氧氣及氫氣元素之淨化製程氣體而產生。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5665289B2 (ja) 2008-10-29 2015-02-04 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP5044579B2 (ja) * 2009-01-27 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
US20110000508A1 (en) * 2009-07-02 2011-01-06 L'Air Liquide, Societe Anonyme pour I'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude Method of removing residual fluorine from deposition chamber
US9349617B2 (en) * 2013-11-22 2016-05-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for wafer cleaning
JP6779165B2 (ja) * 2017-03-29 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 金属汚染防止方法及び成膜装置
CN109585267B (zh) * 2017-09-29 2023-12-01 住友电气工业株式会社 氮化硅膜的形成方法
CN112335017A (zh) * 2018-11-16 2021-02-05 玛特森技术公司 腔室上光以通过减少化学成分改善刻蚀均匀性
KR102051611B1 (ko) * 2019-01-08 2019-12-04 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
JP7418309B2 (ja) * 2020-09-16 2024-01-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマパージ方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6569257B1 (en) * 2000-11-09 2003-05-27 Applied Materials Inc. Method for cleaning a process chamber
US20040043626A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Chou San Nelson Loke Method of forming a film on a semiconductor substrate
US20060213539A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Kazuhide Hasebe Method for cleaning thin-film forming apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2746448B2 (ja) 1990-02-07 1998-05-06 セントラル硝子株式会社 混合ガス組成物
US7097716B2 (en) * 2002-10-17 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect
KR101082921B1 (ko) 2004-06-03 2011-11-11 삼성전자주식회사 반도체 소자의 실리콘 산화막 형성 방법
JP2007142354A (ja) 2005-10-20 2007-06-07 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US7494943B2 (en) 2005-10-20 2009-02-24 Tokyo Electron Limited Method for using film formation apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6569257B1 (en) * 2000-11-09 2003-05-27 Applied Materials Inc. Method for cleaning a process chamber
US20040043626A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Chou San Nelson Loke Method of forming a film on a semiconductor substrate
US20060213539A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Kazuhide Hasebe Method for cleaning thin-film forming apparatus

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