JP5250141B2 - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム - Google Patents
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Description
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去工程と、を備え、
前記除去工程では、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程と、を備え、前記酸化工程と前記酸化物除去工程とを複数回繰り返し、
前記酸化工程では、活性化された酸化ガスにより、前記装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去工程と、を備え、
前記除去工程では、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程と、を備え、前記酸化工程と前記酸化物除去工程とを複数回繰り返し、
前記洗浄工程では、前記反応室内の温度を前記被処理体に薄膜を形成する反応室内の温度と同一温度に設定する、ことを特徴とする。
被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
本発明の第1または第2の観点に係る薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記酸化手段は、活性化された酸化ガスにより、前記装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記洗浄手段による前記装置内部に付着した付着物を除去する際の前記反応室内の温度を、前記被処理体に薄膜を形成する反応室内の温度と同一温度に設定する、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記反応室内を所定温度に加熱するヒータを有しない、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段、
前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させ、
前記酸化手段は、活性化された酸化ガスにより、前記装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する、ことを特徴とする。
反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段、
前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させ、
前記制御手段は、前記洗浄手段による前記装置内部に付着した付着物を除去する際の前記反応室内の温度を、前記被処理体に薄膜を形成する反応室内の温度と同一温度に設定する、ことを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ127は、排気管に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 排気部
4 排気口
5 蓋体
6 ウエハボート
8、9 処理ガス供給管
10 プラズマ発生部
11 電極
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
129 プラズマ制御部
W 半導体ウエハ
Claims (11)
- 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去工程と、を備え、
前記除去工程では、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程と、を備え、前記酸化工程と前記酸化物除去工程とを複数回繰り返し、
前記酸化工程では、活性化された酸化ガスにより、前記装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記酸化工程では、プラズマにより前記酸化ガスを活性化させる、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、
前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去工程と、を備え、
前記除去工程では、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄工程により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程と、を備え、前記酸化工程と前記酸化物除去工程とを複数回繰り返し、
前記洗浄工程では、前記反応室内の温度を前記被処理体に薄膜を形成する反応室内の温度と同一温度に設定する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記酸化手段は、活性化された酸化ガスにより、前記装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記酸化手段は、プラズマにより前記酸化ガスを活性化させる、ことを特徴とする請求項5に記載の薄膜形成装置。
- 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記洗浄手段による前記装置内部に付着した付着物を除去する際の前記反応室内の温度を、前記被処理体に薄膜を形成する反応室内の温度と同一温度に設定する、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段と、
前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を除去する除去手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記除去手段は、前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段による洗浄により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段と、前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段と、を備え、
前記制御手段は、前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返し、
前記反応室内を所定温度に加熱するヒータを有しない、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段、
前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させ、
前記酸化手段は、活性化された酸化ガスにより、前記装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する、ことを特徴とするプログラム。 - 前記酸化手段は、プラズマにより前記酸化ガスを活性化させる、ことを特徴とする請求項9に記載のプログラム。
- 反応室内に収容された被処理体に処理ガスを供給して前記被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、前記装置内部に付着した付着物を除去する洗浄手段、
前記反応室に酸化ガスを供給して前記洗浄手段により装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化手段、
前記反応室にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去手段、
前記酸化手段を制御して、装置内部に付着した珪フッ化物を酸化させた後、前記酸化物除去手段を制御して、該酸化された珪フッ化物を除去する処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させ、
前記制御手段は、前記洗浄手段による前記装置内部に付着した付着物を除去する際の前記反応室内の温度を、前記被処理体に薄膜を形成する反応室内の温度と同一温度に設定する、ことを特徴とするプログラム。
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