JP5700538B2 - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
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Description
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
200℃〜600℃に加熱された反応室内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程を備え、
前記付着物は、窒化珪素であり、
前記被処理体に形成される薄膜はシリコン窒化膜であり、
前記洗浄工程では、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより薄膜形成装置の内部に付着した窒化珪素を、前記クリーニングガスで除去する、ことを特徴とする。
前記希釈ガスには、例えば、不活性ガスを用いる。
被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
本発明の第1の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法により装置内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する工程と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記付着物は、窒化珪素であり、
前記被処理体に形成される薄膜はシリコン窒化膜であり、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して反応室内を200℃〜600℃に加熱した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して該クリーニングガスを活性化させ、該活性化したクリーニングガスにより前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄するように前記クリーニングガス供給手段を制御し、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより薄膜形成装置の内部に付着した窒化珪素を、前記クリーニングガスで除去する、ことを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
まず、被処理体としての半導体ウエハWを反応管2内に収容(ロード)するロードステップを実行する。具体的には、ボートエレベータ128により蓋体6が下降された状態で、図3(c)に示すように、パージガス供給管18から反応管2内に所定量の窒素を供給するとともに、昇温用ヒータ16により反応管2内を所定のロード温度に設定する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (5)
- 薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
200℃〜600℃に加熱された反応室内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程を備え、
前記付着物は、窒化珪素であり、
前記被処理体に形成される薄膜はシリコン窒化膜であり、
前記洗浄工程では、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより薄膜形成装置の内部に付着した窒化珪素を、前記クリーニングガスで除去する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記洗浄工程では、前記クリーニングガスを希釈ガスで希釈し、該希釈したクリーニングガスを前記反応室内に供給する、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記希釈ガスに不活性ガスを用いる、ことを特徴とする請求項2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により装置内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記付着物は、窒化珪素であり、
前記被処理体に形成される薄膜はシリコン窒化膜であり、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して反応室内を200℃〜600℃に加熱した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して該クリーニングガスを活性化させ、該活性化したクリーニングガスにより前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄するように前記クリーニングガス供給手段を制御し、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより薄膜形成装置の内部に付着した窒化珪素を、前記クリーニングガスで除去する、ことを特徴とする薄膜形成装置。
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