JP3400293B2 - Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents

Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法

Info

Publication number
JP3400293B2
JP3400293B2 JP10321197A JP10321197A JP3400293B2 JP 3400293 B2 JP3400293 B2 JP 3400293B2 JP 10321197 A JP10321197 A JP 10321197A JP 10321197 A JP10321197 A JP 10321197A JP 3400293 B2 JP3400293 B2 JP 3400293B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
cvd apparatus
cleaning
film
cvd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP10321197A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1050685A (ja
Inventor
明生 宇井
成彦 梶
秀史 宮島
伸夫 早坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP10321197A priority Critical patent/JP3400293B2/ja
Priority to US08/848,264 priority patent/US6164295A/en
Publication of JPH1050685A publication Critical patent/JPH1050685A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3400293B2 publication Critical patent/JP3400293B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H01L21/02049—Dry cleaning only with gaseous HF

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造装置、
特に酸化珪素膜成長に使用されるＣＶＤ装置及びＣＶＤ
装置内のクリーニングの方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）
の技術には熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等があ
る。ＣＶＤ装置は、半導体素子作製に必要となるＳｉＯ
2 薄膜等をウェハ上に成長させる半導体製造装置の一つ
である。ＣＶＤ装置は、例えば、ウェハに対するＳｉＯ
2 薄膜の成長に伴って、反応チャンバ（以下。単にチャ
ンバという）内の壁面や絶縁体面、サセプタや電極部、
真空シール部、窓板等にもＳｉとＯを主成分とする完全
酸化物、あるいは不完全酸化物の膜が付着、堆積する。
これらの膜は、厚くなると剥れ落ち、パーティクルとな
ってウェハに付着し、半導体素子の動作不良を引き起こ
す原因となる。
【０００３】そこで、一定の時間、例えば上記のような
不用の膜がチャンバ内に数μｍ堆積毎にチャンバ内をク
リーニングする。このクリーニングは従来、次の３つの
いずれかで行われる。 (a) チャンバを分解しての洗浄処理。すなわち、王水等
の処理液に、分解したチャンバを所定時間漬け込む。 (b) ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＮＦ3 を用いたプラズマクリー
ニング。 (c) ＣｌＦ3 ，Ｆ2 を用いたプラズマレスクリーニン
グ。
【０００４】上記(a) はオーバホール処理と同様なの
で、長時間の作業を伴い、ＣＶＤ装置の稼働率を著しく
損なう。また、上記(b) はチャンバを分解せずにチャン
バ内の不用のＳｉＯ2 膜をクリーニングする方法である
が、クリーニング速度が小さいという問題がある。クリ
ーニング速度とはＳｉＯ2 のエッチング速度に他ならな
い。だいたい、１００〜３００ｎｍ／分であり、ＣＶＤ
装置のスループット（生産効率）を下げてしまう。
【０００５】また、上記(b) のプラズマクリーニングは
プラズマ領域外ではクリーニング（エッチング）の効果
が小さいので、プラズマ外周辺部の領域に相当するチャ
ンバ内壁面や絶縁体面のクリーニング速度はさらに小さ
くなる。さらに問題として、プラズマ中及び近傍におけ
るＯ−リング（窓板と結合する真空シール部分）を腐食
し、パーティクルを生成することもある。
【０００６】上記(c) のプラズマレスクリーニングは、
上記(b) に比べてクリーニング部分の制限は少なくなる
が、１００ｎｍ／分以下とクリーニング速度が小さい。
また、Ｏ−リング等を腐食し、パーティクルを発生す
る。
【０００７】半導体装置の製造には、熱酸化ＳｉＯ2
膜、またはシランやテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）
などのガスを原料として減圧または常圧でのＣＶＤによ
り形成されたＳｉＯ2 膜が主に使用されている。特に、
アルミニウム（Ａｌ）配線間の絶縁には、４００℃程度
の低温で形成できることから、プラズマＣＶＤ法による
ＳｉＯ2 膜が使用されている。
【０００８】近年、半導体素子の高集積化・高速化に伴
い、ＳｉＯ2 膜中に含まれる汚染物やパーティクルの存
在が問題となってきている。このような問題が起こる理
由は、プラズマを用いてＳｉＯ2 膜を半導体基板上に形
成する際に、チャンバ内がプラズマにさらされることに
より、チャンバの構成材料であるステンレス部材やアル
ミ部材等がメタル汚染源となって半導体基板上のＳｉＯ
2 膜中に取り込まれたり、チャンバ内壁等に堆積したＳ
ｉＯ2 膜等が剥がれることにある。
【０００９】現状の対策としては、半導体基板上にＳｉ
Ｏ2 膜を形成する前工程として、予めチャンバ内壁にＳ
ｉＯ2 膜を保護膜として形成した後（プレコート工
程）、半導体基板をチャンバ内に搬入する方法が採用さ
れている。
【００１０】すなわち、上記プレコートの後、チャンバ
内に半導体基板を搬入し、半導体基板上に所望の薄膜を
形成し、その後、半導体基板をチャンバから搬出する。
または、プレコートの後、複数の枚数の半導体基板の搬
入・薄膜形成・搬出を繰り返す。ここで、注意すべきこ
とは、チャンバ内に堆積した膜は、上述したように、パ
ーティクルの発生原因となることである。
【００１１】プラズマＣＶＤ装置では、長い時間をかけ
てＣＦ4 等を用いたプラズマクリーニングを行うのが最
も一般的である。そして、上述したように、実際のウェ
ハ上の膜成長工程に先がけて、チャンバ内壁等へ、数十
ｎｍ〜１μｍ程度のＳｉＯ2膜をプレコートする工程を
入れる。これは、ウェハ上のＳｉＯ2 膜中に、チャンバ
内のステンレス部材、アルミ部材によるメタル汚染を防
止するために行う工程に他ならない。
【００１２】（１）クリーニング （２）プレコート （３）ウェハへの成膜（実際の製造プロセス） すなわち、上記のように、ＣＶＤ装置がパーティクルを
極力低減させながら稼働するには、毎回ではないが上記
（１）→（２）→（３）の順序を経ることが必要であ
る。
【００１３】ただし、上記プラズマクリーニング方法で
は、チャンバ内に堆積した膜を除去する際、プレコート
工程において予め形成した保護膜（プレコート膜ともい
う）をも同時に除去される。このため、次の（ａ），
（ｂ）のような問題があげられる。
【００１４】（ａ）プラズマ領域と外ではクリーニング
速度に差があることは上述した。すなわち、クリーニン
グ速度が速い部分では、ＣＶＤ装置のチャンバ内壁が早
い時間に露出してしまい、プラズマによりダメージを受
ける。このようなＣＶＤ装置内のダメージは、パーティ
クル発生の新たな原因となる可能性もある。また、装置
内部の消耗品の交換頻度が高まり、生産コストが非常に
高くなる。
【００１５】（ｂ）チャンバ内壁のプレコート膜を同時
に除去することにより、クリーニング時間が長くかか
り、また、再度プレコート工程により保護膜を形成する
必要があるため、プレコート工程に要する時間が、全体
の処理時間を長くする。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ装置のスループ
ットの改善、生産コスト低減を考えた場合、ここでは、
クリーニングに関係する時間に着目する。すなわち、Ｃ
ＶＤ装置がパーティクルを極力低減させながら稼働する
には、必ずしも毎回ではないが、（１）クリーニング→
（２）プレコート→（３）ウェハへの成膜（実際の製造
プロセス）の順序を経ることが必要である。すなわち、
長いクリーニング時間の上プレコート工程が入るため、
ＣＶＤ装置全体のスループットが劣化する。さらには長
いクリーニング時間は装置内部の消耗品の交換頻度を高
め、生産コストの上昇を招く。従って、クリーニングに
関して、諸対策が必要である。
【００１７】この発明は上記のような事情を考慮して、
次のような課題を提示する。 （１）ＣＶＤ装置に関し、高速でクリーニングする方法
を提供する。 （２）ＣＶＤ装置内部の腐食（エッチング）を抑え、パ
ーティクルを発生させることなしに所望の部分のみを選
択的にクリーニングする方法を提供する。 （３）ＣＶＤ装置をクリーニングにするにあたり、クリ
ーニング時間とクリーニング箇所を制御して、クリーニ
ング後のチャンバ内のプレコート工程を削減する方法を
提供する。 （４）ＣＶＤ装置をクリーニングにするにあたり、実際
クリーニングに使うクリーニングガスをＣＶＤ装置内部
で生成し、生成したガスでクリーニングする方法を提供
する。 （５）ＣＶＤ装置のクリーニングにあたり、プレコート
工程で形成するプレコート膜の上に堆積した膜のみ選択
的に除去することにより、パーティクルの発生のない、
低生産コスト・処理時間の短縮を可能とした半導体製造
装置のクリーニング方法を提供する。 （６）上記（１）〜（５）のクリーニング方法を実現す
るＣＶＤ装置を提供する。
【００１８】有機アルコキシシラン（ＴＥＯＳ等）を原
料としたＣＶＤの系での堆積物は、ＳｉとＯの他にカー
ボンを含み、非完全分解物である。よって、そのエッチ
ング速度は、水素化珪素化合物（Ｓｉx Ｈ2x+2）を原料
としたＣＶＤの系での堆積物のそれよりも大きい。この
ため、上記課題は水素化珪素化合物（Ｓｉx Ｈ2x+2）を
原料としたＣＶＤの系のクリーニングに関し、特に重要
である。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この発明のＣＶＤ装置
は、酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置において、ＨＦ
ガスを前記ＣＶＤ装置に導入する手段と、クリーニング
の対象以外の前記ＣＶＤ装置内部の部材をエッチングさ
せないように加熱する加熱手段とを具備し、装置内部に
付着したＳｉとＯを主成分とする堆積物をクリーニング
することを特徴とする。
【００２０】また、この発明のＣＶＤ装置は、水素化珪
素化合物（Ｓｉ x Ｈ 2x+2 ）を用いて酸化珪素膜を成長さ
せるＣＶＤ装置において、ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に
導入する手段と、クリーニングの対象以外の前記ＣＶＤ
装置内部の部材をエッチングさせないように加熱する加
熱手段とを具備し、装置内部に付着したＳｉとＯを主成
分とする堆積物をクリーニングすることを特徴とする。
【００２１】さらに、この発明のＣＶＤ装置は、酸化珪
素膜を成長させるＣＶＤ装置において、クリーニングの
ためのＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に導入する第１の導入
手段と、前記ＨＦガスを希釈するための不活性ガスを前
記ＣＶＤ装置に導入する第２の導入手段と、クリーニン
グの対象以外の前記ＣＶＤ装置内部の部材をエッチング
させないように前記ＨＦガスの濃度を所定領域に制御す
る手段とを具備し、前記クリーニングの対象の前記ＣＶ
Ｄ装置内部の部材として前記ＣＶＤ装置内部の壁面上に
おけるフッ素（Ｆ）を添加したＳｉとＯとＦを主成分と
するプレコート膜を含むことを特徴とする。
【００２２】この発明のＣＶＤ装置は、酸化珪素膜を成
長させるＣＶＤ装置において、クリーニングのためのＨ
Ｆガスを前記ＣＶＤ装置に導入する第１の導入手段と、
前記ＨＦガスを希釈するための不活性ガスを前記ＣＶＤ
装置に導入する第２の導入手段と、クリーニングの対象
以外の前記ＣＶＤ装置内部の部材をエッチングさせない
ように前記ＨＦガスの濃度を所定領域に制御する手段
と、前記クリーニングの対象以外の前記ＣＶＤ装置内部
の部材をエッチングさせないように加熱する加熱機構と
を具備したことを特徴とする。さらに、この発明のＣＶ
Ｄ装置は、酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置におい
て、ＣＦ 4 ，Ｃ 2 Ｆ 6 ，ＮＦ 3 ，Ｆ 2 のうち、少なくと
も１種類のガスを前記ＣＶＤ装置に導入する第１の導入
手段と、Ｈ 2 ，Ｈ 2 Ｏ，Ｈ 2 Ｏ 2 ガスのうち、少なくと
も１種類のガスを前記ＣＶＤ装置に導入する第２の導入
手段と、前記第１、第２の導入手段のガスを用いて前記
ＣＶＤ装置内部をプラズマを起こしてプラズマクリーニ
ングする手段とを具備し、前記クリーニングの対象の前
記ＣＶＤ装置内部の部材として前記ＣＶＤ装置内部の壁
面上におけるフッ素（Ｆ）を添加したＳｉとＯとＦを主
成分とするプレコート膜を含むことを特徴とする。
【００２３】この発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法
は、酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置において、ＨＦ
ガスを前記ＣＶＤ装置に導入する工程を具備し、装置内
部に付着したＳｉとＯを主成分とする堆積物をクリーニ
ングすること、さらに前記ＣＶＤ装置内部を部分的に加
熱することにより選択的にエッチングを抑えることを特
徴とする。
【００２４】この発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法
は、水素化珪素化合物（Ｓｉx Ｈ2x+2）を用いて酸化珪
素膜を成長させるＣＶＤ装置において、ＨＦガスを前記
ＣＶＤ装置に導入する工程を具備し、装置内部に付着し
たＳｉとＯを主成分とする堆積物をクリーニングするこ
と、さらに前記ＣＶＤ装置内部を部分的に加熱すること
により選択的にエッチングを抑えることを特徴とする。
【００２５】この発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法
は、フッ素添加酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置にお
いて、ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に導入する工程に先が
けてＨ 2 Ｏガスを導入する工程と、前記ＨＦガスを不活
性ガスにより希釈して前記ＣＶＤ装置に導入する工程と
を具備し、ＳｉとＯとＦを主成分とする膜をエッチング
・クリーニングすることを特徴とする。
【００２６】この発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法
は、酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置において、ＨＦ
ガスを前記ＣＶＤ装置に導入する工程に先がけてＨ 2 Ｏ
ガスを導入する工程と、前記ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置
に導入する工程とを具備し、装置内部に付着したＳｉと
Ｏを主成分とする堆積物をクリーニングすることを特徴
とする。 さらに、この発明のＣＶＤ装置のクリーニング
方法は、水素化珪素化合物（Ｓｉ x Ｈ 2x+2 ）を用いて酸
化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置において、ＨＦガスを
前記ＣＶＤ装置に導入する工程に先がけてＨ 2 Ｏガスを
導入する工程と、前記ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に導入
する工程とを具備し、装置内部に付着したＳｉとＯを主
成分とする堆積物をクリーニングすることを特徴とす
る。
【００２７】
【発明の実施の形態】まず、この発明の基礎になるもの
として、ＨＦガスを用いてウェハ上の自然酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）をエッチングする事例がある。ＨＦガスによれ
ば、図１５に示すようにＮ2 の希釈制御に伴い、ＳｉＯ
2 を室温で１μｍ／分程度まで高速にエッチングできる
（参考文献、Extended Abstructs of the 22nd(1990 In
ternational)Conference on Solid State Devices and
Materials,Sendai,1990,pp.1091-1093がある）。
【００２８】このＨＦガスをＣＶＤ装置のクリーニング
に使用するのが本発明の重要な特徴の一つである。ＨＦ
ガスは腐食性が強く、石英やステンレス部材を著しく腐
食するのでパーティクル対策が必要となってくる。
【００２９】図１はこの発明の第１の実施形態に係るプ
ラズマＣＶＤ装置のシステム構成の要部を示す断面図で
ある。11はＣＶＤ装置の反応チャンバ、11-aはチャンバ
内の壁面、12は絶縁体、13はサセプタ及び電極（下部電
極14) 、14は電極（上部電極）、15は真空シール部（Ｏ
−リング）、16は石英窓板、17-a，17-bは原料ガス供給
管、18はクリーニング用のエッチングガス供給管、20は
排気配管であり、21は例えば自動圧力調整弁である。ガ
ス供給管18には、例えばバルブ22を介した先に、クリー
ニング用のエッチングガスとしてのＨＦ系ガス供給シス
テム23が設けられている。エッチングガス供給管18はＨ
Ｆ系ガス供給を考えると、好ましくは耐蝕性の部材（例
えばセラミック管）を用いるとよい。
【００３０】図１において、例えば、原料ガス供給管17
-aを介してチャンバ11内に成膜ガス（例えば、ＳｉＨ4
とＯ2 ガス）を導入し、プラズマ等を利用してサセプタ
13上に置かれたウェハに酸化珪素膜（ＳｉＯ2 ）を形成
する。すると、チャンバ内11の壁面11-a、窓板16、真空
シール部15、サセプタ13、電極14、絶縁体12、排気配管
20等の各表面にも、シリコンと酸素を主成分とした薄膜
（ＳｉＯ2 ）あるいはシリコンの不完全酸化膜等）が付
着する。
【００３１】これら望ましくない膜をクリーニングする
べく、この発明のＣＶＤ装置のクリーニング方法を以下
に説明する。図１において、成膜したウェハを回収した
後、ガス供給管18の導入口からＨＦガスを不活性ガス
（例えば、Ｎ2 、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等）で、０．１ｖｏ
ｌ％〜１０ｖｏｌ％程度に希釈してチャンバ11内に導入
する。これにより、上記望ましくない部分、すなわち、
チャンバ内11の壁面11-a、窓板16、真空シール部15、サ
セプタ13、電極14、絶縁体12、排気配管20等の各表面に
付着した、ＳｉとＯを主成分とした膜が、０．７μｍ／
分程度の高速でエッチング・クリーニングされる。すな
わち、ＳｉＯ2 ＋４ＨＦ→ＳｉＦ4 ＋２Ｈ2 Ｏにより、
付着した不用膜は気体に変化させ排気配管20を経てチャ
ンバ外部へ排気させる。
【００３２】図２は第２の実施形態として、この発明に
関するＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図であ
る。ＨＦガスの導入は図２に示されるように、チャンバ
導入前にＨＦガスを不活性ガスで希釈してチャンバに導
入する構成となっている。図において、実線は配管を示
し、矢印はガスの供給、排気を示している。図１のチャ
ンバ11をブロック化し、17-a，17-bの原料ガス供給管、
排気配管20を表示している。ガスシステムにおける22は
バルブ、24はマスフローコントローラ、25はＨＦガス供
給系、26は流量計である。例えば、エッチングガス供給
管18はＨＦ系ガス供給を考えて、耐蝕性の部材が用いら
れれば好ましく、ＨＦガス希釈ガス混合から２０〜３０
ｃｍの長さを有すると好ましい。ＨＦガスを希釈するた
めの不活性なガスを以降、「希釈ガス」と称する。
【００３３】図３は第３の実施形態として、この発明に
関するＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図であ
る。ＨＦガスの導入は原料ガス供給管17-aを用いる構成
となっている。すなわち、クリーニング時は、原料ガス
の導入をエッチングガス導入用に切換えて対応する。
【００３４】図４は第４の実施形態として、この発明に
関するＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図であ
る。ＨＦガスを希釈しないでガス供給管18の導入口から
チャンバ11内に導入し、他のガス導入口から、例えば原
料ガス供給管17-aの導入口からチャンバ11内に希釈ガス
を導入する構成となっている。ガス供給管18はＨＦガス
が供給されるのでセラミック管等、耐蝕性の配管を用い
たほうがよい。
【００３５】上記希釈ガスは、エッチング・クリーニン
グを妨害しないガスであればＯ2 ガス、Ｆ2 ガス、Ｃｌ
2 ガス、ＨＣｌガス、ＣＦ4 ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガス、ＮＦ
3 ガス、ＣＯ2 ガス、ＣＯガス、ＮＯ2 ガス、Ｎ2 Ｏガ
ス等でもよい。
【００３６】この発明によれば、特にＳｉx Ｈ2x+2（x=
1,2,3 ）とＯ2 ガスを原料として成膜した膜は、有機シ
リコンガスを原料とした場合の不完全酸化膜（例えばＴ
ＥＯＳ）と比較して、完全酸化膜となるため、結合が強
固である。よって、プラズマクリーニング等ではエッチ
ング速度はますます遅くなる。従って、この発明のＨＦ
ガスを用いたクリーニングが非常に有効となる。
【００３７】また、窒素添加の酸化珪素膜（例えば、Ｔ
ＥＯＳ＋Ｏ3 ＋ＮＨ3 あるいはＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ＋ＮＨ3
のＣＶＤによって成膜されるＳｉＯＮ）は、より結合が
強固になるため、プラズマクリーニング等ではエッチン
グ速度はますます遅くなる。従って、この発明のＨＦガ
スを用いたクリーニングが非常に有効になる。
【００３８】第５の実施形態として、クリーニングに用
いるＨＦガス濃度の制御を考慮したＣＶＤ装置のクリー
ニング方法について説明する。ＨＦガスによってエッチ
ング・クリーニングされるシリコン酸化膜は、その膜の
成分や、ウェットエッチングレート、水素含有量、密度
等によって、エッチングレートや、エッチングが始まる
ＨＦ濃度領域が異なってくる。
【００３９】ここで、 Ｃ1 ：石英部材に対し、ＨＦガスによるエッチングが始
まるＨＦ濃度。 Ｃ2 ：チャンバ内にプレコートした膜に対し、ＨＦガス
によるエッチングが始まるＨＦ濃度。 Ｃ3 ：チャンバ内にプレコートした膜上に付着したＳｉ
とＯを主成分とする膜に対し、ＨＦガスによるエッチン
グが始まるＨＦ濃度。 Ｃ4 ：チャンバ内に部材として存在するステンレスやア
ルミニウムが腐食されるＨＦガスの濃度。 とする。
【００４０】上記条件から、使用するＨＦガスの濃度を
ｘとした場合、 Ｃ3 ＜ｘ＜Ｃ1 … (1) を満たすＨＦ濃度のＨＦガスを用いて、ＳｉとＯを主成
分とする膜をエッチングすれば、石英部材を腐食させず
に選択的にクリーニングすることができる。
【００４１】例えば、ＨＦ濃度１ｖｏｌ％〜５ｖｏｌ％
（ただし、Ｈ2 Ｏは１ｖｏｌppm 以下）の条件でクリー
ニングすると、石英窓板やステンレス部材等は腐食され
ずに、ＳｉとＯを主成分とする不用膜を高速でエッチン
グ除去することができた。
【００４２】また、 Ｃ3 ＜ｘ＜Ｃ4 … (2) を満たすようにＨＦガスのＨＦ濃度を調整すると、チャ
ンバ内のステンレス部材やアルミニウムを腐食すること
なしにＳｉとＯを主成分とする不用膜をエッチング除去
することができる。
【００４３】一方、プレコート膜を考慮した場合、 Ｃ3 ＜ｘ＜Ｃ2 … (3) を満たすＨＦ濃度のＨＦガスを用いれば、チャンバ内の
プレコート膜はエッチングされずにその上の不用膜のみ
が選択的にエッチングされるように制御することも可能
である。これにより、次のプレコート工程を省略するこ
とができる。
【００４４】プレコート膜を、シリコンが多くなる組成
比の膜として形成しておくことで、よりＣ3 ＜Ｃ2 がは
っきりする。プレコート工程を少しでも省略できること
は、ＣＶＤ装置全体のスループットを向上させる。
【００４５】図５は第６の実施形態として、この発明に
関するＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図であ
る。ここでは、プレコート工程により、チャンバ11内に
プレコート膜が形成されている。ここでのプレコート膜
はＦ（フッ素）が添加された酸化珪素膜である。
【００４６】ところで、フッ素添加酸化珪素膜をＣＶＤ
形成する場合、この膜のエッチング速度はフッ素を添加
していない酸化珪素膜に比べてかなり速い。従って、上
述のエッチングが始まる濃度Ｃ3 が低いために、(1) ，
(2) ，(3) 式中の濃度ｘの範囲が大きくとれ、選択性良
くクリーニングできる。
【００４７】また、図５のように、Ｆ添加の酸化珪素膜
でチャンバ内をプレコートしておくと、実際の製造プロ
セス後に付着するプレコート膜上の不用膜は、リフトオ
フ作用が働き、ＨＦガスによるクリーニングはさらに高
速化される。
【００４８】上述で、第５の実施形態において、濃度に
よる選択性を制御することにより、チャンバ内のプレコ
ート膜を残し不用膜のみを除去する例をあげ、第６の実
施形態において、クリーニング時、不用膜を下層のプレ
コート膜ごと除去する例をあげたが、それぞれには次の
ような利点がある。
【００４９】すなわち、第５の実施形態は、パーティク
ルの発生を極力抑えながら、プレコート工程を削減し、
ＣＶＤ装置のスループットを向上させるクリーニングの
方法であり、第６の実施形態は、パーティクル発生等信
頼性を最優先して、かつクリーニングを高速に処理し、
ＣＶＤ装置のスループットを向上させるクリーニングの
方法であるといえる。
【００５０】なお、ＨＦ濃度の制御は、希釈ガスを、エ
ッチングしたくない部分近傍にのみパージガスとして流
すことで達成してもよい。パージガス流量制御により、
クリーニングの程度を制御できるし、クリーニングを途
中で止めることもできる。これにより、部分的なクリー
ニングが期待できる。これを第７の実施形態とする。
【００５１】第８の実施形態として、エッチング・クリ
ーニングにおいて温度を考慮したＣＶＤ装置のクリーニ
ング方法について説明する。ＨＦガスによるＳｉＯ2 の
エッチングは、図６に示すように通常の室温付近に関し
ては、温度上昇と共にエッチング速度は大きくなるが、
それ以上の温度になると、チャンバ壁面でのＨＦガスの
吸着が少なくなるために、エッチングの反応が遅くな
り、５０℃以上では極端にエッチング速度が小さくな
る。実質エッチング作用がなくなる。 ＨＦ＋｛表面｝→ＨＦabsorb（吸着） ＳｉＯ2 ＋ＨＦabsorb→ＳｉＦ4 ＋Ｈ2 Ｏ …(4) このことから、チャンバ内のステンレスやアルミニウム
の部分や石英部材、排気配管、サセプタ等、ＨＦガスに
よりエッチングしたくない部分を昇温（例えば５０℃以
上）することにより、クリーニングすべき部分のみ選択
的にクリーニングできる。
【００５２】図７は上述したこの発明の第８の実施形態
に係るプラズマＣＶＤ装置のシステム構成の要部を示す
断面図である。図１と相違する箇所は上記部分昇温を目
的とした加熱機構27を備えていることである。
【００５３】実際、ＳｉとＯを主成分とする膜を１μｍ
／分の高速クリーニングをしたとき、リボンヒータを巻
いて６０℃に熱したチャンバ内壁のアルミニウム部に腐
食（エッチング）は発見されなかった。昇温は、ＣＶＤ
で付着した不用膜のクリーニングの途中から行う、ある
いは温度を制御することにより、エッチング各部分、部
分でエッチングを途中で止めたりして、エッチングの進
み具合を調整することができる。加熱機構27は抵抗加熱
方式で構成しても良いし、ランプ加熱によって構成して
も良い。
【００５４】第９の実施形態として、プラズマクリーニ
ングを併用することを考慮したＣＶＤ装置のクリーニン
グ方法について説明する。プラズマクリーニングは、そ
れ自体はクリーニング速度は遅いが、ＨＦガスクリーニ
ングを伴うことによって新たな効果を発揮する。これ
は、酸化珪素膜のＨＦクリーニングは膜中のＨやＦの濃
度が増大することによりエッチング速度が大きくなるこ
とを利用する。
【００５５】ＣＦ4 プラズマクリーニングや、プラズマ
を印加することにより、チャンバ内壁等に付着した不用
膜が、ＨやＦを含む膜に改質される。クリーニング速度
は相乗的に大きくなる（図８）。
【００５６】プラズマクリーニングはＨＦクリーニング
と同時でもよいし、ＨＦクリーニングの前に行ってもよ
い。また、ＨＦガスによるプラズマクリーニングをして
もよい。また、石英やステンレス、アルミ部材を腐食す
る恐れのあるＨＦクリーニングでクリーニング前半を行
い、後半はプラズマクリーニングで穏やかにクリーニン
グするのも信頼性を考慮した一つの方法である。
【００５７】図９はこの発明の第１０の実施形態に係る
プラズマＣＶＤ装置のシステム構成の要部を示す断面図
である。プラズマクリーニング時にチャンバ内部でプラ
ズマによる反応を起こし、ＨＦガスを生成することによ
り結果的にＨＦクリーニングすることができる。図９に
おいては、ガス供給管18からＣＦ4 ガス、ガス供給管17
-bからＨ2 Ｏガスをチャンバ11内に導入する構成であ
る。その他、符号は図１と同様である。すなわち、プラ
ズマが条件で、 ＣＦ4 ＋Ｈ2 Ｏ→ＨＦ＋ＣＯ2 …(5) 上記方法によれば、ＨＦガスをチャンバ外部から導入す
る必要がなく、導入配管の腐食を心配する必要はなくな
る。この実施の形態ではＣＦ4 とＨ2 Ｏのガスを用いた
が、他にも組み合わせがある。例えばＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ
6 ，ＮＦ3 ，Ｆ2の中の少なくとも１種類のガスと、Ｈ2
，Ｈ2 Ｏ，Ｈ2 Ｏ2 のうちの少なくとも１種類のガス
をチャンバに導入し、プラズマを発生させることによ
り、ＨＦガスをチャンバ内部で生成させればよい。
【００５８】図１０は第１１の実施形態として、この発
明に関するＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図で
ある。ＨＦガスによるクリーニングに関し、Ｈ2 Ｏの導
入を考慮したＣＶＤ装置のクリーニング方法である。Ｈ
Ｆガスによるエッチング能力はＨ2 Ｏの存在により飛躍
的に加速される。ガス供給管17-aからＨＦガス、供給管
17-bからＨ2 Ｏ蒸気で飽和した例えばＮ2 ガスをチャン
バ11内に導入する構成となっている。
【００５９】Ｈ2 Ｏで飽和させるガスはＮ2 ガスの他、
Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ等の不活性ガス、ＣＯ2 ガス、Ｏ2 ガ
ス、ＮＯ2 ガス、Ｈ2 ガス等が考えられる。また、Ｈ2
Ｏ蒸気は飽和していなくてもよい。
【００６０】Ｈ2 Ｏ蒸気を含んだガスのチャンバへの導
入は、この図１０のように別々の供給口から導入しても
よいし、チャンバに導入する前にＨＦガスと混合して導
入してもよい。そのときは、セラミック管等、耐蝕性の
配管の配設を考慮するとよい。
【００６１】第１２の実施形態として、上記第１１の実
施形態において、チャンバ内におけるエッチング制御を
考慮したＣＶＤ装置のクリーニング方法について説明す
る。Ｈ2 Ｏ蒸気を含んだガスと、ＨＦガスをチャンバ内
に同時に導入することにより、ＳｉとＯを主成分とする
膜のエッチングは高速化される。しかし、反応性が増す
ためにチャンバ内の石英窓板やステンレス部やアルミ部
が腐食されやすくなる。
【００６２】この実施形態においても前記した第５〜第
８の実施形態による種々のエッチングの制御により、チ
ャンバ内の腐食を防止することは可能だが、いずれにし
ても、特にＨ2 Ｏ濃度の制御が重要である。 ＳｉＯ＋Ｈ2 Ｏ→ＳｉＯ（Ｈ2 Ｏ） …(6) ＳｉＯ＋Ｈ2 Ｏ→Ｓｉ−ＯＨ …(7) 上記式のように、ＳｉとＯを主成分とする不完全酸化
物、あるいは完全酸化物の膜は、Ｈ2 Ｏの蒸気にさらさ
れることにより、膜内部にＨ2 Ｏを含んだり（式(6)
）、膜の一部はＳｉ−ＯＨ結合を含む構造へと変化す
る（式(7) ）。
【００６３】すなわち、ＳｉとＯを主成分とする不用膜
が、Ｈ2 Ｏ蒸気に触れることにより、Ｓｉ−ＯＨ構造
や、Ｈ2 Ｏを膜中に含んだ膜に改質される。この結果、
ＨＦガスによるクリーニング速度が加速されるのであ
る。
【００６４】そこで、図１１に示すように、ＨＦガスに
よるクリーニングに先がけて、まずＨ2 Ｏ蒸気を含んだ
ガスをチャンバ内に導入し、ＳｉとＯを主成分とした不
用膜を改質し、Ｈ2 Ｏガス供給を止めた後に、ＨＦガス
を導入する。これにより、チャンバ内を腐食することな
く、高速なクリーニングが達成される。図１１におい
て、ｔ1 はＨ2 Ｏ蒸気を含んだガスを供給する時間、ｔ
2 はチャンバのＨ2 Ｏ蒸気を真空引きし、チャンバ内壁
に吸着したＨ2 Ｏを脱離させる時間である。
【００６５】ｔ2 の時間内にチャンバ内を熱する、ある
いはＮ2 等の不活性ガス（Ｈ2 Ｏの混入していないドラ
イガスであることが重要）でパージ（一掃）することを
加えてもよい。これにより、チャンバ内壁に付着したＨ
2 Ｏを脱離させることができ、チャンバ内の腐食の完全
防止に寄与する。
【００６６】第１３の実施形態として、上記第１１の実
施形態において、チャンバ内におけるエッチング制御を
考慮したＣＶＤ装置のクリーニング方法について説明す
る。図１２に示すように、上述の図１１の方法を基本と
し、さらにエッチング時間制御をも考慮した応用例とな
っている。すなわち、Ｈ2 Ｏ蒸気を含むガスとＨＦ含有
ガスを交互に供給する。ｔ1 はＨ2 Ｏ蒸気を含んだガス
を供給する時間、ｔ2はチャンバのＨ2 Ｏ蒸気を真空引
きし、チャンバ内壁に吸着したＨ2 Ｏを脱離させる時間
である。ｔ3 はＨＦクリーニング時間、ｔ4 はクリーニ
ングガスの真空引き排気時間である。
【００６７】上記方法によれば、チャンバ内壁に付着し
たＳｉとＯを主成分とした不用膜の表面近傍の改質と、
ＨＦガスの導入によるエッチングを繰り返し、エッチン
グ時間の制御により、エッチングの進み具合を制御でき
る（図１３）。これにより、チャンバ内を腐食すること
なく、高速なクリーニングを達成する。
【００６８】なお、上記第１２、１３の実施形態を行う
にあたり、Ｈ2 Ｏによる膜の改質はＦ（フッ素）添加の
酸化珪素膜で特に有効になる。Ｆ添加の酸化珪素膜を扱
うプロセスにおけるＣＶＤ装置のクリーニングに有効で
あることも当然である。
【００６９】第１４の実施形態として、上記第１１の実
施形態において、チャンバ内におけるクリーニング時の
圧力を考慮したＣＶＤ装置のクリーニング方法について
説明する。上述のように、ＨＦガスによるエッチングは
Ｈ2 Ｏの存在によりエッチング速度が大きく変わる。Ｈ
2 Ｏの飽和蒸気圧により高い圧力でクリーニングする
と、サセプタ、チャンバ内壁等、部分的にＨ2 Ｏが凝結
（液化）し、その部分を腐食してしまう。対策として
は、Ｈ2 Ｏの飽和蒸気圧の圧力以下の減圧下でチャンバ
内をエッチング・クリーニングすることにより、部分的
な腐食を防止して、クリーニングすることができる。
【００７０】図１４は第１５の実施形態として、この発
明に関するＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図で
ある。チャンバ11内に、クリーニングのモニタ手段であ
る、膜厚測定器30が配備されている。これにより、ＣＶ
Ｄ装置のクリーニング中、途中のクリーニング状況をモ
ニタすることができる。
【００７１】膜厚測定器30としては、例えば、水晶発振
器やガスの透過率や発光を調べる光学的方法による構成
でもよいし、チャンバ内壁やプレコート膜の露出検出器
でもよい。このような構成により、例えば、エッチング
終点でクリーニングを止めることが確実にでき、オーバ
エッチングによるチャンバ内の腐食が防止できる。ある
いは、プレコート膜のエッチング防止にも機能させるこ
とができる。
【００７２】この発明のＨＦガスによるクリーニング
は、ＣＶＤ装置のチャンバ内壁に堆積したＳｉとＯを主
成分とする膜（膜厚３μｍ程度）をクリーニングするの
に、従来のＣＦ4 プラズマクリーニングの約１２分間に
比べて約半分の６分間で終了する。さらに、実施の形態
中に示したＨＦガスによるクリーニングとＣＦ4 プラズ
マクリーニングとの併用に至っては約２分間でクリーニ
ングが可能である。しかも、プレコート膜を落とさない
ようにしたり、チャンバ内各部の腐食を防止しながらク
リーニングされるのでＣＶＤ装置のスループット（生産
効率）や寿命の改善に大いに寄与する。
【００７３】次に、ＣＶＤ装置のクリーニングにおい
て、プレコート膜はエッチングせず、極力そのままの状
態を維持させる方法について説明する。以下の説明は、
ＨＦガスによるクリーニング以外のクリーニングにも適
用可能である。
【００７４】上述したように、半導体装置の製造工程に
関し、プラズマＣＶＤにより半導体基板等にＳｉＯ2 膜
の形成を行う際、チャンバ内壁がプラズマにより衝撃を
受ける。従って、チャンバの材料である金属がエッチン
グされてＳｉＯ2 膜中に混入するのを防ぐため、チャン
バ内壁にＳｉＯ2 膜等をプレコート膜として予め形成し
ている。
【００７５】このようなプレコート膜を、クリーニング
工程を経た後でも、（理想的にはプレコート膜を形成し
た最初の状態を維持するよう）残っているようにする。
すなわち、プレコート膜とＳｉＯ2 膜成膜によって形成
されるプレコート膜上の堆積膜との膜質の違いを利用す
る（あるいはプレコート膜のみを強化する）ことによ
り、プレコート膜のエッチングを防止し、プレコート膜
上の堆積膜のみを選択的に除去することに着目する。
【００７６】すなわち、プレコート膜形成時において、
チャンバ自体を加熱することによりプレコート膜の膜質
を向上させる。さらに、半導体基板上にＳｉＯ2 膜を堆
積する際には、チャンバ自体を加熱しないか、または冷
却する。これにより、堆積するＳｉＯ2 膜の膜質を劣化
させる（半導体装置には支障ない程度である）。従っ
て、その後のクリーニング工程では、プレコート膜を残
し、このプレコート膜上に堆積したＳｉＯ2 膜のみを除
去することを可能とする。
【００７７】その際のクリーニング工程では、Ｆ等のハ
ロゲンを含むガスプラズマを利用するか、または、ＨＦ
ガスを用いても効果的である。また、半導体基板上にＳ
ｉＯＦ膜を堆積する際には、プレコート膜のＳｉＯ2 膜
形成の際の温度を特に制御しなくとも、その後のクリー
ニング工程ではプレコート膜を残してその上に堆積した
ＳｉＯＦ膜のみを除去することが可能である。
【００７８】以下、上述の実施形態について図面を参照
しつつ説明する。図１６は、第１６の実施形態に係るプ
ラズマＣＶＤ装置のシステム構成の要部を示す概念図で
ある。31はＣＶＤ装置の反応チャンバ、32はウェハホル
ダ及び下部電極（サセプタ）、33は半導体基板、34は抵
抗加熱ヒータ、35は高周波電源、36は整合器、37はガス
導入口、38はシャワーノズル及び上部電極、39は真空ポ
ンプ、40は抵抗加熱ヒータ、41はガス供給バルブであ
る。
【００７９】この実施形態による方法では、クリーニン
グの前提として、まず、チャンバ31内部の保護膜として
プレコート膜（例えばＳｉＯ2 膜）を形成することが必
須条件である。そして、この例では、プレコート膜形成
の際、チャンバ31外部に設置したヒータ40にてチャンバ
31を１００℃以上に加熱する。その際、ウェハホルダ32
上には、ウェハホルダ32上へのプレコート膜の堆積を防
止するためにダミーの半導体基板等を設置しておいても
良い。
【００８０】このようにして、シャワーノズル38に、ガ
スバルブ41を介したガス導入口37より、ＳｉＨ4 を５０
ｃｍ3 ／ｍｉｎ及びＯ2 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ供給
し、チャンバー内圧力を５Ｔｏｒｒに保たれるようにし
ておく。ウェハホルダ32（下部電極）の対向電極として
のシャワーノズルを備えた上部電極38は、整合器36を介
して高周波電源35に接続されている。電極38に１３．５
６ＭＨｚのＲＦ電力を１ｋＷ印加して放電を開始し、プ
レコート膜の成膜を行う。その後、図示しないが、水冷
もしくは空冷などの冷却機構を用いてチャンバ31を冷却
する。
【００８１】次に、実際の製造プロセスに関係する半導
体基板33をチャンバ31内のウェハホルダ32上に導入す
る。ウェハホルダ32には、内部にヒータ34が設けられ、
４００℃まで加熱する。シャワーノズル（上部電極）38
にはガスバルブ41を介してガス導入口37が接続されてお
り、原料ガスであるＴＥＯＳ，ＳｉＨ4 、酸化性ガスで
あるＯ2 ，Ｎ2 Ｏ、添加ガスであるＮＦ3 ，ＣＦ4 など
が導入可能である。
【００８２】半導体基板33にＳｉＯ2 膜を形成する場合
には、チャンバ31内に原料ガスとして、例えば、ＴＥＯ
Ｓを５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、Ｏ2 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ
の流量で同時に導入し、チャンバー内圧力を５Ｔｏｒｒ
に保たれるようにしておく。半導体基板33に対向させた
電極38に１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を１ＫＷ印加して
放電を開始し成膜を行う。この際、チャンバ31内壁のプ
レコート膜上にもＳｉＯ2 膜が堆積するが、このときチ
ャンバ31内壁は加熱されていないので、予め形成したプ
レコート膜としてのＳｉＯ2 膜と比べて膜質は大きく劣
る（この詳細については後述する）。
【００８３】１枚もしくは複数の半導体基板上にＳｉＯ
2 膜を堆積することにより、チャンバ31内壁上に堆積し
た膜（つまり、プレコート膜上の不用な堆積膜）の剥離
等の影響が良好な成膜プロセスを妨げはじめる。これに
伴い、クリーニングを行う。
【００８４】半導体基板の処理枚数は処理膜厚やチャン
バ内部の形状に依存するので適宜決定すればよい。クリ
ーニング工程は、まず、ヒータ40にてチャンバ31内壁を
１８０℃に加熱し、チャンバ内にＣＦ4 を２００ｃｍ3
／ｍｉｎ導入する。圧力を１Ｔｏｒｒに保ち、電極38に
１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を１００Ｗ印加して放電を
開始する。チャンバ31内は、放電電力が低いためにイオ
ンの生成は成膜時と比べて低いが、ラジカルと呼ばれる
中性のＦ励起子が多く生成される。このＦラジカルはチ
ャンバ31内壁に到達する。その際、チャンバを１８０℃
に加熱してあるため、プレコート膜上の堆積膜中に含ま
れる水分が脱離しており、その水分と膜表面で反応しＨ
Ｆを形成する。ＨＦはＳｉＯ2 膜を高速にエッチングす
るが、水分を多く含む膜がより高速にエッチングされる
ことは、第１１、第１２の実施形態で記載したとおりで
ある。プレコート膜が露出すると水分の脱ガスが無くな
りＨＦの生成が起こらなくなり、エッチングがほぼ停止
する。この方法によりクリーニングの制御（エッチング
の停止）を行ったところ、チャンバ31内の部分によって
はプレコート膜膜上に極僅かに残る堆積膜があり、その
厚さに差異はあるが、良好なクリーニング状態が得ら
れ、特に問題は見られなかった。
【００８５】クリーニングがなぜプレコート膜が露出し
た時点でほぼストップするのかは、前述した様に、プレ
コート膜とプレコート膜上の堆積膜の膜質による。プレ
コート膜はチャンバ31を１００℃以上に加熱しながら、
積極的に膜密度が高くなるように成膜される。より好ま
しくは、チャンバ31を２００℃以上に加熱することによ
り、より緻密なプレコート膜が形成できる。このような
プレコート膜に比べ、製造プロセス中に形成されるプレ
コート膜上の堆積膜は膜密度が低く、その膜中の水分量
が非常に多い。また、緻密なプレコート膜を形成するの
に紫外線を照射する方法、プラズマにさらす方法（Ｏ2
プラズマ、Ｎ2 プラズマ、不活性プラズマ）も考えら
れ、この場合は図示しないが、紫外線照射機構を設けた
り、プレコート膜成膜後、プラズマを起こす条件を設定
する必要がある。上記プレコート膜の膜密度的な改質も
表面的、全体的と種々の制御が考えられる。
【００８６】図１７（ａ），（ｂ）はそれぞれ、半導体
基板上にＳｉＯ2 膜を形成する際にプレコート膜上に堆
積する膜（堆積膜）とチャンバ内壁のプレコート膜との
膜質の違いを赤外吸収分光法（ＦＴ−ＩＲ法）により調
べた結果を示す赤外吸収スペクトルの特性図である。縦
軸は吸収の大きさ（ｌｏｇ（Ｉ0 ／Ｉ）；Ｉ0 は入射し
た光、Ｉは透過した光を示す）、横軸は波長の逆数で１
／λｃｍ-1である。この結果から明らかなように、プレ
コート膜上の堆積膜では、３５００ｃｍ-1近傍に非常に
強い吸収が確認され、水分が大量に膜中に含まれること
が分かった。また、両者の膜密度を比べたところ、プレ
コート膜は２．１５ｇ／ｃｍ3 であり、プレコート膜上
の堆積膜では２．０５ｇ／ｃｍ3 であったので、これら
の膜質の違いが、クリーニングがなぜプレコート膜が露
出した時点でほぼストップするのかの原因であると現時
点では考えられる。すなわち、これら膜質の違いが、ク
リーニング時プレコート膜を残し、プレコート膜上の堆
積膜のみを選択的に除去する工程を実現する。プレコー
ト膜とプレコート膜上の堆積膜のエッチング選択比は、
プレコート膜と堆積膜がほぼ同じ厚さであるなら２倍く
らいあれば実現可能であるが、３倍以上の選択比を有す
ることが好ましい。上述したプレコート膜とその上の堆
積膜の膜質の違いは、３倍以上の選択比を持たせること
は容易である。
【００８７】上記第１６の実施形態では、プレコート膜
の成膜にはＳｉＨ4 ／Ｏ2 を用いたが、これに限定され
るわけではなく、堆積膜としてＳｉＯ2 膜が形成される
ような少なくともＳｉを含むガスと酸化性のガスの組み
合わせであればよい。また、クリーニング用のガスとし
てＣＦ4 を用いたが、これに限定されるわけではなく、
少なくともＦを含むようなガス、例えばＮＦ3 ，Ｃ2 Ｆ
6 ，ＳＦ6 などを用いてもよく、さらにそこにＯ2 を添
加しても同様の効果が得られる。
【００８８】さらに、第１７の実施形態を説明する。第
１６の実施形態と同様の手順でチャンバ内壁にプレコー
ト膜を形成する。次に、第１６の実施形態ではクリーニ
ングにＣＦ4 ガスの放電を利用したが、ここでは放電無
しでＨＦガスを用いる。このようにクリーニングしても
同様の効果が得られた。この場合も、加熱により膜中か
ら脱離する水分が膜のエッチング速度を促進することに
より、選択的にプレコート膜上の堆積膜のみ選択的にエ
ッチングできることが確認された。また、この例で、Ｈ
Ｆガスの代わりにＣＩＦ3 ガスを用いても同様の効果が
得られた。
【００８９】次に、この発明の第１８の実施形態を図１
を参照しつつ説明する。この例においてはＳｉＯＦ膜の
プラズマＣＶＤ装置に関する。第１６の実施形態と同様
の方法でチャンバ31内壁にプレコート膜を形成した後、
半導体基板33をウェハホルダ32上にセットする。続い
て、ヒーター34により半導体基板33を約３７０℃まで加
熱し、チャンバ31内に原料ガスとして例えば、ＴＥＯＳ
を５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、Ｏ2 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ、
ＮＦ3 を０〜５００ｃｍ3 ／ｍｉｎの流量で同時に導入
し、チャンバー内圧力を５Ｔｏｒｒに保たれるようにし
ておく。半導体基板33に対向させた電極38に１３．５６
ＭＨｚのＲＦ電力を１ＫＷ印加して放電を開始し、Ｓｉ
ＯＦ膜の形成を行う。
【００９０】１枚もしくは複数の半導体基板上にＳｉＯ
Ｆ膜を堆積することにより、チャンバ31内壁上に堆積し
た膜（つまり、プレコート膜上の不用な堆積膜）の剥離
等の影響が良好な成膜プロセスを妨げはじめる。これに
伴い、クリーニングを行う。
【００９１】半導体基板の処理枚数は処理膜厚やチャン
バ内部の形状に依存するので適宜決定すればよい。クリ
ーニング工程は、チャンバ31内にＨ2 Ｏを２００ｃｍ3
／ｍｉｎ導入し、内部圧力を５Ｔｏｒｒに保ち２分間維
持する。その際、プレコート膜上に堆積したＳｉＯＦ膜
中に水分（Ｈ2 Ｏ）が選択的に吸収されることが赤外吸
収法により確認された。
【００９２】その後、ヒータ40にてチャンバ側壁を１８
０℃に加熱し、チャンバ内にＣＦ4を２００ｃｍ3 ／ｍ
ｉｎ導入する。圧力を１Ｔｏｒｒに保ち電極38に１３．
５６ＭＨｚのＲＦ電力を１００Ｗ印加して放電を開始す
る。チャンバ31内は、放電電力が低いためにイオンの生
成は成膜時と比べて低いが、ラジカルと呼ばれる中性の
Ｆ励起子が多く生成される。このＦラジカルはチャンバ
内壁に到達するがその際、チャンバを１８０℃に加熱し
てあるため、プレコート膜上の堆積膜中に含まれる水分
が脱離しており、その水分と膜表面で反応しＨＦを形成
する。ＨＦはＳｉＯ2 膜を高速にエッチングするが、水
分を多く含む膜をより高速にエッチングする。プレコー
ト膜が露出すると水分の脱ガスが無くなりＨＦの生成が
起こらなくなりエッチングが停止する。チャンバ31内の
部分によってはプレコート膜上の堆積膜が極僅かに残
り、その厚さは異なるが、特に問題は見られなかった。
【００９３】この第１８の実施形態において、プレコー
ト膜の成膜は、ＳｉＨ4 ／Ｏ2 のみでなく、堆積膜とし
てＳｉＯ2 膜が形成されるような、少なくともＳｉを含
むガスと酸化性のガスの組み合わせであればよい。ま
た、クリーニング用のガスとしてＣＦ4 を用いたがこれ
に限定されるわけではなく、少なくともＦを含むような
ガス、例えばＮＦ3 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＳＦ6 などを用いても
よく、さらにそこにＯ2を添加しても同様の効果が得ら
れる。
【００９４】上記実施形態では、プレコート膜としてＳ
ｉＯ2 膜を用いていたが、ＳｉＯＦ膜を用いてもよい。
さらに、この第１８の実施形態では、そのクリーニング
工程においてまずＨ2 Ｏを導入したが、成膜条件によっ
てはプレコート膜上に堆積したＳｉＯＦ中にはじめから
多量の水分が含まれている場合もあり、このときにはＨ
2 Ｏの導入は必要ない。
【００９５】さらに、第１９の実施形態を説明する。第
１８の実施形態と同様の手順でチャンバ内壁にプレコー
ト膜を形成する。次に、第１８の実施形態ではクリーニ
ングにＣＦ4 ガスの放電を利用したが、ここでは放電無
しでＨＦガスを用いる。このようにクリーニングしても
同様の効果が得られた。この場合も、加熱により膜中か
ら脱離する水分が膜のエッチング速度を促進することに
より、選択的にプレコート膜上の堆積膜のみ選択的にエ
ッチングできることが確認された。また、この例で、Ｈ
Ｆガスの代わりにＣＩＦ3 ガスを用いても同様の効果が
得られた。
【００９６】以上各実施の形態によって、ＣＶＤ装置の
チャンバ内壁に堆積したＳｉとＯを主成分とする膜をク
リーニングするのに、高速でしかも、パーティクル等発
生させない信頼性あるクリーニングが達成されると共
に、クリーニングによるチャンバ内の各部の腐食等を防
止する種々の手段を示してきた。
【００９７】また、各実施形態では、平行平板型の容量
結合を用いたＳｉＯ2 膜のプラズマＣＶＤ装置を用いる
例を多く示したが、放電方法はそれに限るわけではな
い。誘導結合放電もしくはマイクロ波放電もしくはマグ
ネトロン放電もしくは電子線衝撃による放電もしくはヘ
リコン波放電のいずれか一つ、または複数の放電方法の
組み合わせにより放電を行ってもよい。
【００９８】また、平行平板型の容量結合を用いた場合
でも、これら実施の形態では１種類の周波数を用いた
が、複数の周波数を重畳させてもよいし、また、基板に
バイアス用の高周波を同時に作用させてもよい。
【００９９】また、各実施例中、プラズマＣＶＤ装置へ
の応用について述べたが、プラズマＣＶＤ装置に限定さ
れるものではなく、光ＣＶＤ・熱ＣＶＤ等あらゆるＳｉ
Ｏ2膜のＣＶＤ装置に応用が可能である。その他、本発
明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変形が可能で
ある。
【０１００】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
ＣＶＤ装置のＨＦガスによるクリーニングにより、チャ
ンバ内壁に堆積したＳｉとＯを主成分とする膜を、高速
に除去し、しかも、チャンバ内の各部の腐食等を防止し
つつパーティクル等発生させない信頼性あるクリーニン
グが達成される。また、ＨＦガスによるクリーニングに
限らず、予め形成するチャンバの内壁のプレコート膜上
に堆積した膜のみ選択的に除去する工夫を種々示したこ
とにより、パーティクルの発生のなく、低生産コスト・
処理時間の短縮を可能としたＣＶＤ装置及びそのクリー
ニング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置のシステム構成の要部を示す断面図。
【図２】第２の実施形態として、この発明に関するＣＶ
Ｄ装置のガスシステム例を示す構成図。
【図３】第３の実施形態として、この発明に関するＣＶ
Ｄ装置のガスシステム例を示す構成図。
【図４】第４の実施形態として、この発明に関するＣＶ
Ｄ装置のガスシステム例を示す構成図。
【図５】第６の実施形態として、この発明に関するＣＶ
Ｄ装置のガスシステム例を示す構成図。
【図６】ＨＦガスによる温度とエッチング速度の関係を
示す特性曲線図。
【図７】この発明の第８の実施形態に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置のシステム構成の要部を示す断面図。
【図８】プラズマクリーニングとＨＦクリーニングとを
併用した時のエッチングレートと併用しない場合のそれ
とを比較を示す特性曲線図。
【図９】この発明の第１０の実施形態に係るプラズマＣ
ＶＤ装置のシステム構成の要部を示す断面図。
【図１０】第１１の実施形態として、この発明に関する
ＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図。
【図１１】この発明の第１２の実施形態に係る、ＨＦガ
スとＨ2 Ｏガスの供給タイミングを示すチャート。
【図１２】この発明の第１３の実施形態に係る、ＨＦガ
スとＨ2 Ｏガスの供給タイミングを示すチャート。
【図１３】この発明の第１３の実施形態に係る、ＨＦガ
スとＨ2 Ｏガスの相互供給クリーニングに伴うエッチン
グ状態を示す特性図。
【図１４】第１５の実施形態として、この発明に関する
ＣＶＤ装置のガスシステム例を示す構成図。
【図１５】自然酸化膜のＨＦガスによるエッチングレー
トを示す特性図。
【図１６】この発明の第１６及び第１８の実施形態に係
るプラズマＣＶＤ装置のシステム構成の要部を示す概念
図。
【図１７】第１６の実施形態に関し、（ａ），（ｂ）は
それぞれ、プレコート膜上の堆積膜とチャンバ内壁のプ
レコート膜との膜質の違いを赤外吸収分光法（ＦＴ−Ｉ
Ｒ法）により調べた結果を示す赤外吸収スペクトルの特
性図。
【符号の説明】
11…ＣＶＤ装置のチャンバ 11-a…チャンバ内の壁面 12…絶縁体 13…サセプタ及び電極 14…電極 15…真空シール部（Ｏ−リング） 16…石英窓板 17-a，17-b…原料ガス供給管 18…ガス供給管 20…排気配管 21…自動圧力調整弁 22…バルブ 23…ＨＦ系ガス供給システム 24…マスフローコントローラ 25…ＨＦガス供給系 26…流量計 31…チャンバ 32…ウェハホルダ、 33…半導体基板、 34…抵抗加熱ヒータ（ウェハホルダ用） 35…高周波電源、 36…整合器、 37…ガス導入口 38…シャワーノズル及び上部電極 39…真空ポンプ 40…抵抗加熱ヒータ（チャンバ用） 41…ガス供給バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早坂 伸夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝研究開発センター内 (56)参考文献 特開 平６−333854（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−286424（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−94059（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−55804（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−94522（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−169693（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−275100（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−249976（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 C23C 16/44 H01L 21/3065

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置にお
    いて、ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に導入する手段と、 クリーニングの対象以外の前記ＣＶＤ装置内部の部材を
    エッチングさせないように加熱する加熱手段と を具備
    し、 装置内部に付着したＳｉとＯを主成分とする堆積物をク
    リーニングすることを特徴とするＣＶＤ装置。
  2. 【請求項２】 水素化珪素化合物（Ｓｉx Ｈ2x+2）を用
    いて酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置において、ＨＦ
    ガスを前記ＣＶＤ装置に導入する手段と、 クリーニングの対象以外の前記ＣＶＤ装置内部の部材を
    エッチングさせないように加熱する加熱手段と を具備
    し、 装置内部に付着したＳｉとＯを主成分とする堆積物をク
    リーニングすることを特徴とするＣＶＤ装置。
  3. 【請求項３】 酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置にお
    いて、クリーニングのためのＨＦガスを前記ＣＶＤ装置
    に導入する第１の導入手段と、 前記ＨＦガスを希釈するための不活性ガスを前記ＣＶＤ
    装置に導入する第２の導入手段と、 クリーニングの対象以外の前記ＣＶＤ装置内部の部材を
    エッチングさせないように前記ＨＦガスの濃度を所定領
    域に制御する手段とを具備し、 前記クリーニングの対象の前記ＣＶＤ装置内部の部材と
    して前記ＣＶＤ装置内部の壁面上におけるフッ素（Ｆ）
    を添加したＳｉとＯとＦを主成分とするプレコート膜を
    含む ことを特徴とするＣＶＤ装置。
  4. 【請求項４】 酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置にお
    いて、クリーニングのためのＨＦガスを前記ＣＶＤ装置
    に導入する第１の導入手段と、 前記ＨＦガスを希釈するための不活性ガスを前記ＣＶＤ
    装置に導入する第２の導入手段と、 クリーニングの対象以外の前記ＣＶＤ装置内部の部材を
    エッチングさせないように前記ＨＦガスの濃度を所定領
    域に制御する手段と、 前記クリーニングの対象以外の前記ＣＶＤ装置内部の部
    材をエッチングさせないように加熱する加熱機構とを具
    備したことを特徴とするＣＶＤ装置。
  5. 【請求項５】 酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置にお
    いて、ＣＦ4 ，Ｃ2Ｆ6 ，ＮＦ3 ，Ｆ2 のうち、少なく
    とも１種類のガスを前記ＣＶＤ装置に導入する第１の導
    入手段と、 Ｈ2 ，Ｈ2 Ｏ，Ｈ2 Ｏ2 ガスのうち、少なくとも１種類
    のガスを前記ＣＶＤ装置に導入する第２の導入手段と、 前記第１、第２の導入手段のガスを用いて前記ＣＶＤ装
    置内部をプラズマを起こしてプラズマクリーニングする
    手段とを具備し、 前記クリーニングの対象の前記ＣＶＤ装置内部の部材と
    して前記ＣＶＤ装置内部の壁面上におけるフッ素（Ｆ）
    を添加したＳｉとＯとＦを主成分とするプレコート膜を
    含む ことを特徴とするＣＶＤ装置。
  6. 【請求項６】 前記第１、第２の導入手段が前記クリー
    ニングの対象となる前記ＣＶＤ装置内部に至る前に連結
    されていることを特徴とする請求項３，４のいずれかに
    記載のＣＶＤ装置。
  7. 【請求項７】 酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置にお
    いて、ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に導入する工程を具備
    し、装置内部に付着したＳｉとＯを主成分とする堆積物
    をクリーニングすること、さらに前記ＣＶＤ装置内部を
    部分的に加熱することにより選択的にエッチングを抑え
    ることを特徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法。
  8. 【請求項８】 水素化珪素化合物（Ｓｉx Ｈ2x+2）を用
    いて酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置において、ＨＦ
    ガスを前記ＣＶＤ装置に導入する工程を具備し、装置内
    部に付着したＳｉとＯを主成分とする堆積物をクリーニ
    ングすること、さらに前記ＣＶＤ装置内部を部分的に加
    熱することにより選択的にエッチングを抑えることを特
    徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法。
  9. 【請求項９】 フッ素添加酸化珪素膜を成長させるＣＶ
    Ｄ装置において、ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に導入する
    工程に先がけてＨ 2 Ｏガスを導入する工程と、前記ＨＦ
    ガスを不活性ガスにより希釈して前記ＣＶＤ装置に導入
    する工程とを具備し、ＳｉとＯとＦを主成分とする膜を
    エッチング・クリーニングすることを特徴とするＣＶＤ
    装置のクリーニング方法。
  10. 【請求項１０】 酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置に
    おいて、ＨＦガスを前記ＣＶＤ装置に導入する工程に先
    がけてＨ 2 Ｏガスを導入する工程と、前記ＨＦガスを前
    記ＣＶＤ装置に導入する工程とを具備し、装置内部に付
    着したＳｉとＯを主成分とする堆積物をクリーニングす
    ることを特徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法。
  11. 【請求項１１】 水素化珪素化合物（Ｓｉ x Ｈ 2x+2 ）を
    用いて酸化珪素膜を成長させるＣＶＤ装置において、Ｈ
    Ｆガスを前記ＣＶＤ装置に導入する工程に先がけてＨ 2
    Ｏガスを導入する工程と、前記ＨＦガスを前記ＣＶＤ装
    置に導入する工程とを具備し、装置内部に付着したＳｉ
    とＯを主成分とする堆積物をクリーニングすることを特
    徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法。
JP10321197A 1996-05-01 1997-04-21 Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 Expired - Fee Related JP3400293B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10321197A JP3400293B2 (ja) 1996-05-01 1997-04-21 Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法
US08/848,264 US6164295A (en) 1996-05-01 1997-04-29 CVD apparatus with high throughput and cleaning method therefor

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11076996 1996-05-01
JP8-110769 1996-05-01
JP10321197A JP3400293B2 (ja) 1996-05-01 1997-04-21 Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1050685A JPH1050685A (ja) 1998-02-20
JP3400293B2 true JP3400293B2 (ja) 2003-04-28

Family

ID=26443865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10321197A Expired - Fee Related JP3400293B2 (ja) 1996-05-01 1997-04-21 Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6164295A (ja)
JP (1) JP3400293B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8809203B2 (en) 2007-06-05 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device using a microwave plasma CVD apparatus

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6419986B1 (en) * 1997-01-10 2002-07-16 Chevron Phillips Chemical Company Ip Method for removing reactive metal from a reactor system
JP3559691B2 (ja) * 1997-09-04 2004-09-02 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP3770718B2 (ja) * 1997-12-22 2006-04-26 セントラル硝子株式会社 フッ化アンモニウムの付着した基体のクリーニング方法
US6290779B1 (en) * 1998-06-12 2001-09-18 Tokyo Electron Limited Systems and methods for dry cleaning process chambers
TW404987B (en) * 1998-11-06 2000-09-11 United Microelectronics Corp The cleaning method of the chemical vapor-phase deposition room
JP3601988B2 (ja) * 1999-01-04 2004-12-15 株式会社東芝 絶縁膜の形成方法
JP3433392B2 (ja) * 1999-01-12 2003-08-04 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス及び真空処理装置のクリーニング方法
JP3670533B2 (ja) * 1999-09-27 2005-07-13 株式会社東芝 基板処理装置及びそのクリーニング方法
JP2001127056A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Applied Materials Inc プロセスチャンバー内のクリーニング方法及び基板処理装置
US6890863B1 (en) * 2000-04-27 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Etchant and method of use
KR100688479B1 (ko) * 2000-08-21 2007-03-08 삼성전자주식회사 균일한 클리닝 가스 공급을 위한 플라즈마 화학 기상 증착챔버
US6784108B1 (en) * 2000-08-31 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Gas pulsing for etch profile control
US6805791B2 (en) 2000-09-01 2004-10-19 Applied Science And Technology, Inc. Ozonated water flow and concentration control apparatus
US6569257B1 (en) * 2000-11-09 2003-05-27 Applied Materials Inc. Method for cleaning a process chamber
JP4669605B2 (ja) * 2000-11-20 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置のクリーニング方法
JP2004533118A (ja) * 2001-05-30 2004-10-28 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 低温搬入出およびベーク
US20030172953A1 (en) * 2002-03-14 2003-09-18 Koji Teranishi Method of treating inner wall of apparatus
US6902629B2 (en) * 2002-04-12 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US7204913B1 (en) * 2002-06-28 2007-04-17 Lam Research Corporation In-situ pre-coating of plasma etch chamber for improved productivity and chamber condition control
JP3748837B2 (ja) * 2002-07-11 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US6857433B2 (en) * 2002-07-22 2005-02-22 Air Products And Chemicals, Inc. Process for cleaning a glass-coating reactor using a reactive gas
US6919279B1 (en) 2002-10-08 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Endpoint detection for high density plasma (HDP) processes
US7097716B2 (en) * 2002-10-17 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect
JP3946130B2 (ja) 2002-11-20 2007-07-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6923189B2 (en) * 2003-01-16 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry
US20050087297A1 (en) * 2003-08-06 2005-04-28 Hiroyuki Kitsunai Plasma processing apparatus and method for stabilizing inner wall of processing chamber
JP4272486B2 (ja) * 2003-08-29 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成装置の洗浄方法
JP4675127B2 (ja) * 2004-04-23 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム
US20060046465A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Dongbuanam Semiconductor Inc. Method for manufacturing a semiconductor device
TWI365919B (en) * 2004-12-28 2012-06-11 Tokyo Electron Ltd Film formation apparatus and method of using the same
US20060266288A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Applied Materials, Inc. High plasma utilization for remote plasma clean
JP2007059617A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US8278176B2 (en) 2006-06-07 2012-10-02 Asm America, Inc. Selective epitaxial formation of semiconductor films
US7789965B2 (en) 2006-09-19 2010-09-07 Asm Japan K.K. Method of cleaning UV irradiation chamber
US7789993B2 (en) * 2007-02-02 2010-09-07 Applied Materials, Inc. Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber
US20080188090A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Applied Materials, Inc. Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber
US7572647B2 (en) * 2007-02-02 2009-08-11 Applied Materials, Inc. Internal balanced coil for inductively coupled high density plasma processing chamber
US8083862B2 (en) * 2007-03-09 2011-12-27 Tokyo Electron Limited Method and system for monitoring contamination on a substrate
US7759199B2 (en) 2007-09-19 2010-07-20 Asm America, Inc. Stressor for engineered strain on channel
JP4915957B2 (ja) * 2008-03-19 2012-04-11 独立行政法人産業技術総合研究所 真空装置における水分除去方法及び装置
US7871937B2 (en) 2008-05-16 2011-01-18 Asm America, Inc. Process and apparatus for treating wafers
US9353625B2 (en) * 2009-01-13 2016-05-31 General Electric Technology Gmbh Device for cleaning oxidized or corroded components in the presence of a halogenous gas mixture
JP5044579B2 (ja) * 2009-01-27 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
US8367528B2 (en) 2009-11-17 2013-02-05 Asm America, Inc. Cyclical epitaxial deposition and etch
JP5514129B2 (ja) * 2010-02-15 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法
JP5839514B2 (ja) * 2010-02-15 2016-01-06 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法
US9885123B2 (en) 2011-03-16 2018-02-06 Asm America, Inc. Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow
US8809170B2 (en) 2011-05-19 2014-08-19 Asm America Inc. High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process
JP5763477B2 (ja) * 2011-08-26 2015-08-12 大陽日酸株式会社 炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法
JP6101113B2 (ja) * 2012-03-30 2017-03-22 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置並びにプログラム
US9698386B2 (en) 2012-04-13 2017-07-04 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
US8853070B2 (en) 2012-04-13 2014-10-07 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
JP5250141B2 (ja) * 2012-07-13 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP5571157B2 (ja) * 2012-11-28 2014-08-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP5465802B2 (ja) * 2013-04-12 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP5740447B2 (ja) 2013-10-10 2015-06-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CN105088175B (zh) * 2014-04-25 2018-09-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种对沉积薄膜反应装置的处理方法、薄膜沉积方法
JP5762602B1 (ja) * 2014-06-24 2015-08-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6391171B2 (ja) * 2015-09-07 2018-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体製造システムおよびその運転方法
KR101757816B1 (ko) * 2015-09-30 2017-07-14 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP6779165B2 (ja) * 2017-03-29 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 金属汚染防止方法及び成膜装置
JP6964515B2 (ja) * 2017-12-27 2021-11-10 東京エレクトロン株式会社 サセプターのクリーニング方法
JP6799550B2 (ja) * 2018-01-16 2020-12-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法
JP6799549B2 (ja) * 2018-01-16 2020-12-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の部品をクリーニングする方法
US10704141B2 (en) * 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
JP2022098040A (ja) * 2020-12-21 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0630351B2 (ja) * 1987-03-31 1994-04-20 株式会社東芝 半導体製造装置のクリ−ニング終点判定方法
JP2708533B2 (ja) * 1989-03-14 1998-02-04 富士通株式会社 Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法
JP2856613B2 (ja) * 1991-12-03 1999-02-10 セントラル硝子株式会社 アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法
JPH06330323A (ja) * 1993-05-18 1994-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法
JPH0786242A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5609721A (en) * 1994-03-11 1997-03-11 Fujitsu Limited Semiconductor device manufacturing apparatus and its cleaning method
JPH0945623A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法およびプラズマｃｖｄ装置
US5647953A (en) * 1995-12-22 1997-07-15 Lam Research Corporation Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber
US5824375A (en) * 1996-10-24 1998-10-20 Applied Materials, Inc. Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean
US5712702A (en) * 1996-12-06 1998-01-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for determining chamber cleaning end point
US5861065A (en) * 1997-01-21 1999-01-19 Air Products And Chemicals, Inc. Nitrogen trifluoride-oxygen thermal cleaning process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8809203B2 (en) 2007-06-05 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device using a microwave plasma CVD apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1050685A (ja) 1998-02-20
US6164295A (en) 2000-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3400293B2 (ja) Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法
KR102158307B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스
JP3086719B2 (ja) 表面処理方法
JP6602699B2 (ja) クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2674488B2 (ja) ドライエッチング室のクリーニング方法
US20060090773A1 (en) Sulfur hexafluoride remote plasma source clean
US7479191B1 (en) Method for endpointing CVD chamber cleans following ultra low-k film treatments
WO1997023663A1 (en) A plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber
JPH07169693A (ja) 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法
JP6368850B2 (ja) クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US10892143B2 (en) Technique to prevent aluminum fluoride build up on the heater
US20070028943A1 (en) Method of using sulfur fluoride for removing surface deposits
JP4716370B2 (ja) 低誘電率膜のダメージ修復方法及び半導体製造装置
JP6453637B2 (ja) クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US20050009356A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and method of cleaning plasma etching apparatus used therefor
JPH10163195A (ja) 成膜前処理方法及び半導体装置の製造方法
JPH1050686A (ja) Ｃｖｄ装置のクリーニング方法及びその装置
JPH0496226A (ja) 半導体装置の製造方法
US20110114114A1 (en) Cleaning method of apparatus for depositing carbon containing film
JP2006319041A (ja) プラズマクリーニング方法、成膜方法
JPH07201749A (ja) 薄膜形成方法
JPH1140502A (ja) 半導体製造装置のドライクリーニング方法
JP3979003B2 (ja) 成膜装置
JPH1098019A (ja) 表面清浄化方法
JP3729567B2 (ja) 半導体製造装置のクリーニング方法，半導体ウエハのクリーニング方法、および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees