JP2856613B2 - アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法 - Google Patents
アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルコキシシランを原
料として用いたシリコン酸化膜形成装置の反応器、該装
置の冶具・部品および配管内に付着もしくは堆積したア
ルコキシシランの非完全分解物を装置、冶具・部品、配
管等そのものを損傷させることなく除去するアルコキシ
シランの非完全分解物のクリーニング法に関する。
料として用いたシリコン酸化膜形成装置の反応器、該装
置の冶具・部品および配管内に付着もしくは堆積したア
ルコキシシランの非完全分解物を装置、冶具・部品、配
管等そのものを損傷させることなく除去するアルコキシ
シランの非完全分解物のクリーニング法に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその解決すべき課題】アルコキシシ
ランを原料として用い、ＣＶＤ（熱ＣＶＤ、プラズマＣ
ＶＤ）によりＳｉＯ2 を堆積させる場合、装置器壁、該
装置冶具、配管内には、Ｃ，Ｈ，Ｏ，Ｓｉを含む化合物
（非完全分解物）が付着もしくは堆積する。これらの化
合物が生成することにより反応器内部にパーティクルが
発生したり、配管の詰まりを引き起こしたりする。その
ため、これら堆積物を随時除去せねばならない。現状の
これら堆積物の除去法としては、装置、配管等を解体
し、人力により擦り採る方法、強酸による湿式洗浄方
法、サンドブラスト法により除去する方法が一般的に用
いられている。また、反応室内に限れば、ＮＦ3 ガスに
よるプラズマクリーニングも行われている。ところが、
これらの方法では、洗浄のために装置解体、配管解体、
冶具取り出し等の作業が必要であり、長時間の作業時間
を必要としＣＶＤ装置の稼働率を著しく損う。また、Ｎ
Ｆ3 によるプラズマクリーニングでは、プラズマ雰囲気
外の部分は洗浄できず、配管内は当然クリーニングでき
ない。
ランを原料として用い、ＣＶＤ（熱ＣＶＤ、プラズマＣ
ＶＤ）によりＳｉＯ2 を堆積させる場合、装置器壁、該
装置冶具、配管内には、Ｃ，Ｈ，Ｏ，Ｓｉを含む化合物
（非完全分解物）が付着もしくは堆積する。これらの化
合物が生成することにより反応器内部にパーティクルが
発生したり、配管の詰まりを引き起こしたりする。その
ため、これら堆積物を随時除去せねばならない。現状の
これら堆積物の除去法としては、装置、配管等を解体
し、人力により擦り採る方法、強酸による湿式洗浄方
法、サンドブラスト法により除去する方法が一般的に用
いられている。また、反応室内に限れば、ＮＦ3 ガスに
よるプラズマクリーニングも行われている。ところが、
これらの方法では、洗浄のために装置解体、配管解体、
冶具取り出し等の作業が必要であり、長時間の作業時間
を必要としＣＶＤ装置の稼働率を著しく損う。また、Ｎ
Ｆ3 によるプラズマクリーニングでは、プラズマ雰囲気
外の部分は洗浄できず、配管内は当然クリーニングでき
ない。
【０００３】一方、ＣｌＦ3 、Ｆ2 、フッ化水素酸蒸気
を用いたプラズマレスクリーニングも考えられるが、当
該化合物と接触させるとＳｉＯ2 化した反応残査を生
じ、反応器内のパーティクル増加の原因となる。また、
フッ化水素酸蒸気を用いると配管やフランジに使用され
ている金属材料や反応器材料である石英を激しく腐食す
る。
を用いたプラズマレスクリーニングも考えられるが、当
該化合物と接触させるとＳｉＯ2 化した反応残査を生
じ、反応器内のパーティクル増加の原因となる。また、
フッ化水素酸蒸気を用いると配管やフランジに使用され
ている金属材料や反応器材料である石英を激しく腐食す
る。
【０００４】そこで、装置解体、冶具取り出し、配管解
体等の作業を必要とせず、効率的に、かつ装置材料に腐
食を与えずに、当該化合物を除去する方法が望まれる。
体等の作業を必要とせず、効率的に、かつ装置材料に腐
食を与えずに、当該化合物を除去する方法が望まれる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、アルコキシシラン非完全分解生成物とＨＦガスと
を接触させることにより装置解体、配管解体、冶具取り
外しを行うことなく速やかに反応除去し、特に、除去に
際してＨ2 Ｏが腐食に関与していることを見いだし、反
応装置の金属材料を腐食させることなくクリーニングす
る方法を見いだした。
結果、アルコキシシラン非完全分解生成物とＨＦガスと
を接触させることにより装置解体、配管解体、冶具取り
外しを行うことなく速やかに反応除去し、特に、除去に
際してＨ2 Ｏが腐食に関与していることを見いだし、反
応装置の金属材料を腐食させることなくクリーニングす
る方法を見いだした。
【０００６】すなわち、アルコキシシランの分解により
シリコン酸化膜を成膜する装置において、反応器、該装
置の治具・部品および配管内に堆積した非完全分解物
〔（ＳｉＣX ＨY ＯZ ）n ，Ｘ＝０．１〜２，Ｙ＝１〜
１５，Ｚ＝０．１〜５，ｎ＞０〕をＨＦガスと接触させ
て除去することを特徴とするアルコキシシラン非完全分
解物のクリーニング方法、特に、アルコキシシランの分
解によりシリコン酸化膜を成膜する装置において、反応
器、該装置の治具・部品および配管内に堆積した非完全
分解物〔（ＳｉＣX ＨY ＯZ ）n ，Ｘ＝０．１〜２，Ｙ
＝１〜１５，Ｚ＝０．１〜５，ｎ＞０〕を
シリコン酸化膜を成膜する装置において、反応器、該装
置の治具・部品および配管内に堆積した非完全分解物
〔（ＳｉＣX ＨY ＯZ ）n ，Ｘ＝０．１〜２，Ｙ＝１〜
１５，Ｚ＝０．１〜５，ｎ＞０〕をＨＦガスと接触させ
て除去することを特徴とするアルコキシシラン非完全分
解物のクリーニング方法、特に、アルコキシシランの分
解によりシリコン酸化膜を成膜する装置において、反応
器、該装置の治具・部品および配管内に堆積した非完全
分解物〔（ＳｉＣX ＨY ＯZ ）n ，Ｘ＝０．１〜２，Ｙ
＝１〜１５，Ｚ＝０．１〜５，ｎ＞０〕を
【０００７】
【数２】
【０００８】式（Ｉ）で求められるＨ2 Ｏ分圧（ＰH2O
）に相当する露点以上の温度でＨＦガスと接触させる
ことを特徴とする請求項１記載のアルコキシシラン非完
全分解物のクリーニング方法を提供するものである。
）に相当する露点以上の温度でＨＦガスと接触させる
ことを特徴とする請求項１記載のアルコキシシラン非完
全分解物のクリーニング方法を提供するものである。
【０００９】以下、本発明をより詳細に説明する。アル
コキシシランを原料として、ＣＶＤによりＳｉＯ2 膜を
堆積させ成膜する装置は一般的に図１の様な構成になっ
ている。この様な成膜装置の反応器３側壁や排気系配管
１等の内部には、付着箇所の違いによりアルコキシシラ
ンが非完全に分解した透明な硝子状、半透明な硝子状、
白色のカレット状、黄白色のカレット状など種々の組成
比でＳｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏを含有する重合物〔（ＳｉＣX Ｈ
Y Ｏ Z ）n ，Ｘ＝０．１〜２，Ｙ＝１〜１５，Ｚ＝０．
１〜５，ｎ＞０〕が多量に付着する。これらをＨＦガス
と反応させると完全に反応しガス化し、反応生成物とし
てＨ2 Ｏ、ＣＨ4 、Ｈ2 、ＳｉＦ4 を生じる。しかし、
反応生成物中にＨ2 Ｏが存在するため、ガスの滞留が起
こり易くＨＦの利用率が高い箇所ではＨ2 Ｏが液化し、
ＨＦを吸収することにより金属材料を腐食する場合があ
る。
コキシシランを原料として、ＣＶＤによりＳｉＯ2 膜を
堆積させ成膜する装置は一般的に図１の様な構成になっ
ている。この様な成膜装置の反応器３側壁や排気系配管
１等の内部には、付着箇所の違いによりアルコキシシラ
ンが非完全に分解した透明な硝子状、半透明な硝子状、
白色のカレット状、黄白色のカレット状など種々の組成
比でＳｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏを含有する重合物〔（ＳｉＣX Ｈ
Y Ｏ Z ）n ，Ｘ＝０．１〜２，Ｙ＝１〜１５，Ｚ＝０．
１〜５，ｎ＞０〕が多量に付着する。これらをＨＦガス
と反応させると完全に反応しガス化し、反応生成物とし
てＨ2 Ｏ、ＣＨ4 、Ｈ2 、ＳｉＦ4 を生じる。しかし、
反応生成物中にＨ2 Ｏが存在するため、ガスの滞留が起
こり易くＨＦの利用率が高い箇所ではＨ2 Ｏが液化し、
ＨＦを吸収することにより金属材料を腐食する場合があ
る。
【００１０】本発明において、原料として使用されるア
ルコキシシランは、一般式が （ＲＯ）n ＳｉＡ4-n または（ＲＯ）n ＳｉＲ'4-n 〔式中のＡはハロゲン原子、ＲとＲ’はそれぞれ独立し
てアルキル基、アリール基、グリシドキシアルキル基、
アクリロキシアルキル基、メタクリロキシアルキル基、
またはビニル基を示し、ｎは０または１〜４の整数であ
る。〕で表される化合物であって、例えばモノメトキシ
トリクロロシラン、ジメトキシジクロロシラン、トリメ
トキシモノクロロシラン、モノエトキシトリクロロシラ
ン、ジエトキシジクロロシラン、トリエトキシモノクロ
ロシラン、モノアリロキシトリクロロシラン、ジアリロ
キシジクロロシラン、モノメトキシトリフロロシラン、
ジメトキシジフロロシラン、トリメトキシモノフロロシ
ラン、モノエトキシトリフロロシラン、ジエトキシジフ
ロロシラン、トリエトキシモノフロロシラン、モノアリ
ロキシトリフロロシラン、ジアリロキシジフロロシラ
ン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テ
トラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、モノメ
チルトリメトキシシラン、モノエチルトリメトキシシラ
ン、モノエチルトリエトキシシラン、モノエチルトリエ
トキシシラン、モノエチルトリブトキシシラン、モノフ
ェニルトリメトキシシラン、モノフェニルトリエトキシ
シラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキ
シシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジ
エトキシシラン、ジエチルジブトキシシラン、ビニルメ
チルジメトキシシラン、ビニルエチルジエトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピル
トリエトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリメ
トキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリエトキシ
シラン、β−グリシロキシエチルトリメトキシシラン、
β−グリシロキシエチルトリエトキシシラン、γ−プロ
ピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リエトキシシラン等が挙げられる。
ルコキシシランは、一般式が （ＲＯ）n ＳｉＡ4-n または（ＲＯ）n ＳｉＲ'4-n 〔式中のＡはハロゲン原子、ＲとＲ’はそれぞれ独立し
てアルキル基、アリール基、グリシドキシアルキル基、
アクリロキシアルキル基、メタクリロキシアルキル基、
またはビニル基を示し、ｎは０または１〜４の整数であ
る。〕で表される化合物であって、例えばモノメトキシ
トリクロロシラン、ジメトキシジクロロシラン、トリメ
トキシモノクロロシラン、モノエトキシトリクロロシラ
ン、ジエトキシジクロロシラン、トリエトキシモノクロ
ロシラン、モノアリロキシトリクロロシラン、ジアリロ
キシジクロロシラン、モノメトキシトリフロロシラン、
ジメトキシジフロロシラン、トリメトキシモノフロロシ
ラン、モノエトキシトリフロロシラン、ジエトキシジフ
ロロシラン、トリエトキシモノフロロシラン、モノアリ
ロキシトリフロロシラン、ジアリロキシジフロロシラ
ン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テ
トラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、モノメ
チルトリメトキシシラン、モノエチルトリメトキシシラ
ン、モノエチルトリエトキシシラン、モノエチルトリエ
トキシシラン、モノエチルトリブトキシシラン、モノフ
ェニルトリメトキシシラン、モノフェニルトリエトキシ
シラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキ
シシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジ
エトキシシラン、ジエチルジブトキシシラン、ビニルメ
チルジメトキシシラン、ビニルエチルジエトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリブトキシシラン、γ−アクリロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピル
トリエトキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリメ
トキシシラン、β−メタクリロキシエチルトリエトキシ
シラン、β−グリシロキシエチルトリメトキシシラン、
β−グリシロキシエチルトリエトキシシラン、γ−プロ
ピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リエトキシシラン等が挙げられる。
【００１１】本発明においては、反応により生成するＨ
2 Ｏの液化を防ぎ、材料の腐食が発生しない条件とし
て、対象堆積非完全分解物の組成から得られるＨ2 Ｏ分
圧に相当する露点以上の温度で処理するものであるが、
予め配管中の種々の堆積物を元素分析し、最も多量にＨ
2 Ｏを発生する堆積物組成とクリーニング時のＨＦ濃度
条件から種々のクリーニング条件下におけるＨ2 Ｏの露
点を求め、金属材料に腐食を与えない適切なクリーニン
グ条件を設定する必要がある。
2 Ｏの液化を防ぎ、材料の腐食が発生しない条件とし
て、対象堆積非完全分解物の組成から得られるＨ2 Ｏ分
圧に相当する露点以上の温度で処理するものであるが、
予め配管中の種々の堆積物を元素分析し、最も多量にＨ
2 Ｏを発生する堆積物組成とクリーニング時のＨＦ濃度
条件から種々のクリーニング条件下におけるＨ2 Ｏの露
点を求め、金属材料に腐食を与えない適切なクリーニン
グ条件を設定する必要がある。
【００１２】本発明においては、式（Ｉ）より求めた露
点以上の温度でクリーニングを行えば金属の腐食を起こ
すことはなく、除去速度を考慮するとより高温の方がよ
いが、作業安全性から配管加温する温度は１００℃以下
が好ましい（但し、断熱材を用いる場合はこの限りでは
ない）。
点以上の温度でクリーニングを行えば金属の腐食を起こ
すことはなく、除去速度を考慮するとより高温の方がよ
いが、作業安全性から配管加温する温度は１００℃以下
が好ましい（但し、断熱材を用いる場合はこの限りでは
ない）。
【００１３】また、系内圧は特に限定されず、通常、常
圧ないし減圧が適用される。堆積物除去速度の面からは
高い方が好ましいが、装置構造等を考慮して適時選択す
ればよい。また、ＨＦ濃度は高い方が除去速度面からは
有利であるが、他の条件との関係を考慮して選択すれば
よい。例えば、クリーニング時の系内圧が１００Torr〜
７６０Torrの場合、ＨＦ濃度は５０ｖｏｌ％以下に窒
素、アルゴン等の不活性ガスで希釈し、空塔速度は０．
１ＳＬＭ〜１００ＳＬＭでクリーニングすることが好ま
しい。但し、成膜装置の構造上１００Torr以下の圧力で
しかクリーニングできない場合は、濃度１〜１００ｖｏ
ｌ％、空塔速度０．１ＳＬＭ〜１００ＳＬＭの範囲でク
リーニング条件を選択してもよい。また、希釈ガスとし
ては不活性ガス以外に、反応器壁に付着した完全分解物
であるＳｉＯ2 膜のエッチング速度を向上させる目的で
Ｆ2 やＣｌＦ3 等の他のフッ化物ガスや他のハロゲンガ
ス、酸素、水素等を式（Ｉ）で求めるＨ2 Ｏ分圧に影響
を与えない濃度（１ｖｏｌ％以下）ならば添加してもよ
い。
圧ないし減圧が適用される。堆積物除去速度の面からは
高い方が好ましいが、装置構造等を考慮して適時選択す
ればよい。また、ＨＦ濃度は高い方が除去速度面からは
有利であるが、他の条件との関係を考慮して選択すれば
よい。例えば、クリーニング時の系内圧が１００Torr〜
７６０Torrの場合、ＨＦ濃度は５０ｖｏｌ％以下に窒
素、アルゴン等の不活性ガスで希釈し、空塔速度は０．
１ＳＬＭ〜１００ＳＬＭでクリーニングすることが好ま
しい。但し、成膜装置の構造上１００Torr以下の圧力で
しかクリーニングできない場合は、濃度１〜１００ｖｏ
ｌ％、空塔速度０．１ＳＬＭ〜１００ＳＬＭの範囲でク
リーニング条件を選択してもよい。また、希釈ガスとし
ては不活性ガス以外に、反応器壁に付着した完全分解物
であるＳｉＯ2 膜のエッチング速度を向上させる目的で
Ｆ2 やＣｌＦ3 等の他のフッ化物ガスや他のハロゲンガ
ス、酸素、水素等を式（Ｉ）で求めるＨ2 Ｏ分圧に影響
を与えない濃度（１ｖｏｌ％以下）ならば添加してもよ
い。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はかかる実施例により限定されるものでは
ない。
るが、本発明はかかる実施例により限定されるものでは
ない。
【００１５】実施例１〜８、比較例１〜５ テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料とし熱ＣＶＤ
（８００℃）を行った装置の排気管中には透明硝子状の
物、半透明硝子状の物、白色カレット状の物が付着して
いた。この堆積物を蛍光Ｘ線分析装置、元素分析装置及
びＩＣＰを用いて元素分析したところ、各々の化合物は
何れもＳｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏを含有しておりその組成比か
ら、透明硝子状の物はＳｉＣＨ12Ｏ3 、半透明硝子状の
物ＳｉＣＨ 10Ｏ2 、白色の物はＳｉＣ0.5 Ｈ2 Ｏなる組
成であることがわかった。これらをＨＦガスと反応さ
せ、その反応生成物を同定したところＨ2 Ｏ、ＣＨ4 、
Ｈ2 、ＳｉＦ4 が存在することを確認した。これらの化
合物の組成から式（Ｉ）に従い種々のクリーニング条件
に於けるＨ2 Ｏの露点を求めた（表１）。
（８００℃）を行った装置の排気管中には透明硝子状の
物、半透明硝子状の物、白色カレット状の物が付着して
いた。この堆積物を蛍光Ｘ線分析装置、元素分析装置及
びＩＣＰを用いて元素分析したところ、各々の化合物は
何れもＳｉ、Ｃ、Ｈ、Ｏを含有しておりその組成比か
ら、透明硝子状の物はＳｉＣＨ12Ｏ3 、半透明硝子状の
物ＳｉＣＨ 10Ｏ2 、白色の物はＳｉＣ0.5 Ｈ2 Ｏなる組
成であることがわかった。これらをＨＦガスと反応さ
せ、その反応生成物を同定したところＨ2 Ｏ、ＣＨ4 、
Ｈ2 、ＳｉＦ4 が存在することを確認した。これらの化
合物の組成から式（Ｉ）に従い種々のクリーニング条件
に於けるＨ2 Ｏの露点を求めた（表１）。
【００１６】
【表１】
【００１７】次に、最もＨ2 Ｏの露点が高かった透明硝
子状の堆積物が平均の厚み１ｃｍほど付着した図１に示
すＳＵＳ３１６製の配管１およびフレキシブルホース２
を用いて図２の様な装置を製作し、表２の条件でＨＦガ
スを非完全分解物６と接触させクリーニングしたのち、
各部の腐食の有無及び反応状態を観察した。その結果、
表１で求めた露点以上の温度でテープヒータ５を用い加
温した場合、または加温しなかった場合でも配管温度が
表１に示す露点を越える条件の場合には装置各部に腐食
は認められなかった。また、何れの場合もクリーニング
時間１時間で付着物を完全に除去できた。
子状の堆積物が平均の厚み１ｃｍほど付着した図１に示
すＳＵＳ３１６製の配管１およびフレキシブルホース２
を用いて図２の様な装置を製作し、表２の条件でＨＦガ
スを非完全分解物６と接触させクリーニングしたのち、
各部の腐食の有無及び反応状態を観察した。その結果、
表１で求めた露点以上の温度でテープヒータ５を用い加
温した場合、または加温しなかった場合でも配管温度が
表１に示す露点を越える条件の場合には装置各部に腐食
は認められなかった。また、何れの場合もクリーニング
時間１時間で付着物を完全に除去できた。
【００１８】
【表２】
【００１９】以下実施例、比較例中には非完全分解物中
最もＨ2 Ｏ分圧が高くなる組成の化合物から算出した露
点を記した。 実施例９ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点６５℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、図１に示すＣＶＤ装置の配管１や反応器３
のフランジ部４等はすべて７０℃に加温した。ＨＦの流
通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察したが
腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平均膜
厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
最もＨ2 Ｏ分圧が高くなる組成の化合物から算出した露
点を記した。 実施例９ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点６５℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、図１に示すＣＶＤ装置の配管１や反応器３
のフランジ部４等はすべて７０℃に加温した。ＨＦの流
通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察したが
腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平均膜
厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００２０】比較例６ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点６５℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて６０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの
周辺部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配
管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点６５℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて６０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの
周辺部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配
管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００２１】実施例１０ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点５６℃）に５００Torr、濃度５０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量５ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて６０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認められなかっ
た。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に
除去できていた。
分解物：露点５６℃）に５００Torr、濃度５０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量５ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて６０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認められなかっ
た。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に
除去できていた。
【００２２】比較例７ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点５６℃）に５００Torr、濃度５０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量５ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて５０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの周辺
部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配管中
平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点５６℃）に５００Torr、濃度５０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量５ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて５０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの周辺
部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配管中
平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００２３】実施例１１ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点４２℃）に５００Torr、濃度２０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量２ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて５０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認められなかっ
た。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に
除去できていた。
分解物：露点４２℃）に５００Torr、濃度２０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量２ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて５０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認められなかっ
た。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に
除去できていた。
【００２４】比較例８ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点４２℃）に５００Torr、濃度２０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量２ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて４０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの周辺
部や配管が僅かに腐食していた。また、堆積物（配管中
平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点４２℃）に５００Torr、濃度２０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量２ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて４０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を
解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの周辺
部や配管が僅かに腐食していた。また、堆積物（配管中
平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００２５】実施例１２ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点３１℃）に５００Torr、濃度１０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて３５℃〜４０℃に保温した。ＨＦの流通を止めＣＶ
Ｄ装置を解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認めら
れなかった。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）
は完全に除去できていた。
分解物：露点３１℃）に５００Torr、濃度１０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等はす
べて３５℃〜４０℃に保温した。ＨＦの流通を止めＣＶ
Ｄ装置を解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認めら
れなかった。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）
は完全に除去できていた。
【００２６】比較例９ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点３１℃）に５００Torr、濃度１０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管は保温しなかった（２０℃〜
３５℃）。反応器のフランジは４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たところ温度が２８℃〜２０℃であったフレキシブルホ
ースが僅かに腐食していた。また、堆積物（配管中平均
膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点３１℃）に５００Torr、濃度１０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管は保温しなかった（２０℃〜
３５℃）。反応器のフランジは４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たところ温度が２８℃〜２０℃であったフレキシブルホ
ースが僅かに腐食していた。また、堆積物（配管中平均
膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００２７】実施例１３ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点３３℃）に１００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて４０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認められな
かった。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）は完
全に除去できていた。
分解物：露点３３℃）に１００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて４０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したが腐食は認められな
かった。また、堆積物（配管中平均膜厚約１ｃｍ）は完
全に除去できていた。
【００２８】比較例１０ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点３３℃）に５００Torr、濃度１０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管は保温しなかった（２５℃〜
３５℃）。反応器のフランジは４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たところ温度が２８℃〜２５℃であったフレキシブルホ
ースが僅かに腐食していた。また、堆積物（配管中平均
膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点３３℃）に５００Torr、濃度１０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、ＣＶＤ装置の配管は保温しなかった（２５℃〜
３５℃）。反応器のフランジは４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たところ温度が２８℃〜２５℃であったフレキシブルホ
ースが僅かに腐食していた。また、堆積物（配管中平均
膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００２９】実施例１４ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点２５℃）に１００Torr、濃度５０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量５ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、配管は特に加温しなかった（２５℃〜３５
℃）。反応器のフランジ部等は４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平
均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点２５℃）に１００Torr、濃度５０ｖｏｌ％
（ＨＦ流量５ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させた。
その際、配管は特に加温しなかった（２５℃〜３５
℃）。反応器のフランジ部等は４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平
均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００３０】実施例１５ ＴＥＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点２５℃）に１０Torr、濃度１００ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、配管は特に加温しなかった（２５℃〜３５
℃）。反応器のフランジ部等は４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平
均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点２５℃）に１０Torr、濃度１００ｖｏｌ％
（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、配管は特に加温しなかった（２５℃〜３５
℃）。反応器のフランジ部等は４０℃に保温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平
均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００３１】実施例１６ テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）を原料とし熱ＣＶＤ
を行った成膜装置（非完全分解物：露点６０℃）に５０
０Torr、濃度１００ｖｏｌ％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）の
ＨＦガスを１時間流通させた。その際、ＣＶＤ装置の配
管や反応器のフランジ部等はすべて７０℃に加温した。
ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観
察したが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管
中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
を行った成膜装置（非完全分解物：露点６０℃）に５０
０Torr、濃度１００ｖｏｌ％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）の
ＨＦガスを１時間流通させた。その際、ＣＶＤ装置の配
管や反応器のフランジ部等はすべて７０℃に加温した。
ＨＦの流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観
察したが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管
中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００３２】比較例１１ ＴＭＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点６０℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて５０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの
周辺部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配
管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点６０℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて５０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの
周辺部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配
管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００３３】実施例１７ トリエトキシモノフロロシランを原料とし熱ＣＶＤを行
った成膜装置（非完全分解物：露点５０℃）に５００To
rr、濃度１００ｖｏｌ％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦ
ガスを１時間流通させた。その際、ＣＶＤ装置の配管や
反応器のフランジ部等はすべて６０℃に加温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平
均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
った成膜装置（非完全分解物：露点５０℃）に５００To
rr、濃度１００ｖｏｌ％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦ
ガスを１時間流通させた。その際、ＣＶＤ装置の配管や
反応器のフランジ部等はすべて６０℃に加温した。ＨＦ
の流通を止めＣＶＤ装置を解体し、各部の腐食を観察し
たが腐食は認められなかった。また、堆積物（配管中平
均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００３４】比較例１２ ＴＭＯＳを原料とし熱ＣＶＤを行った成膜装置（非完全
分解物：露点５０℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて４０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの
周辺部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配
管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
分解物：露点５０℃）に５００Torr、濃度１００ｖｏｌ
％（ＨＦ流量１０ＳＬＭ）のＨＦガスを１時間流通させ
た。その際、ＣＶＤ装置の配管や反応器のフランジ部等
はすべて４０℃に加温した。ＨＦの流通を止めＣＶＤ装
置を解体し、各部の腐食を観察したところ、フランジの
周辺部や配管が激しく腐食していた。また、堆積物（配
管中平均膜厚約１ｃｍ）は完全に除去できていた。
【００３５】
【発明の効果】ＨＦガスを用いて行う本発明のクリーニ
ング方法は、薄膜形成装置、治具・部品、配管等の解体
を行うことなく、付着、堆積したアルコキシシランの非
完全分解生成物を容易にクリーニング処理できるもので
ある。
ング方法は、薄膜形成装置、治具・部品、配管等の解体
を行うことなく、付着、堆積したアルコキシシランの非
完全分解生成物を容易にクリーニング処理できるもので
ある。
【図１】本発明で用いたＣＶＤ装置の概略図を示す。
【図２】本発明で用いた実験装置の概略図を示す。
１．配管 ２．フレキシブルホース ３．反応器 ４．フランジ ５．テープヒータ ６．非完全分解物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 13/08 C23C 16/44 H01L 21/3065 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 アルコキシシランの分解によりシリコン
酸化膜を成膜する装置において、反応器、該装置の治具
・部品および配管内に堆積した非完全分解物［（ＳｉＣ
XＨYＯZ）ｎ，Ｘ＝０．１〜２，Ｙ＝１〜１５，Ｚ＝
０．１〜５，ｎ＞０］を 【数１】 式（１）で求められるＨ2Ｏ分圧（ＰH2O）に相当する露
点以上の温度でＨＦガスと接触させることを特徴とする
アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27458792A JP2856613B2 (ja) | 1991-12-03 | 1992-10-13 | アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-319431 | 1991-12-03 | ||
| JP31943191 | 1991-12-03 | ||
| JP27458792A JP2856613B2 (ja) | 1991-12-03 | 1992-10-13 | アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05214339A JPH05214339A (ja) | 1993-08-24 |
| JP2856613B2 true JP2856613B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=26551093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27458792A Expired - Lifetime JP2856613B2 (ja) | 1991-12-03 | 1992-10-13 | アルコキシシラン非完全分解物のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856613B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6095158A (en) * | 1997-02-06 | 2000-08-01 | Lam Research Corporation | Anhydrous HF in-situ cleaning process of semiconductor processing chambers |
| US6383300B1 (en) | 1998-11-27 | 2002-05-07 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same |
| JP3974547B2 (ja) | 2003-03-31 | 2007-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4675127B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及びプログラム |
-
1992
- 1992-10-13 JP JP27458792A patent/JP2856613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05214339A (ja) | 1993-08-24 |
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