JP3601988B2 - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜の形成方法に関し、とくに半導体基板上にシリコン酸化膜(SiO2 )、シリコン窒化膜(SiN)、弗素添加シリコン酸化膜(SiOF)、シリコン酸化窒化膜(SiON)などの絶縁膜を形成するプラズマ化学気相成長(PCVD:Plasma Chemical Vapour Deposition)法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置には、素子間や配線間あるいは素子・配線間などを電気的に隔離するためにSiO2 絶縁膜が用いられる。この絶縁膜は、SiH4 やテトラエトキシシラン(TEOS)等のガスを原料として減圧又は常圧の化学気相成長法(CVD)によって形成されたSiO2 膜が主に用いられている。とくに400℃程度の低温で形成できることからTEOSとO2 を用いたプラズマ化学気相成長法によるSiO2 膜(以下、TEOS膜という)が多用されている。さらにCVD法は、他の薄膜形成法に比べ、反応ソースとして高純度のガスを用いることが多いので高品質な絶縁膜を得ることができる。
ところで近年半導体素子の微細化に伴い信号伝達の遅延が懸念されるようになってきた。これは半導体素子の微細化に伴い配線の間隔も狭くなることによって配線−配線間の容量が増大し信号の伝達が遅延してしまうという問題である。この信号伝達の遅延は、半導体装置の性能向上を妨げる要因の一つになる。このため配線間にある絶縁膜の比誘電率(以下、誘電率という)をできるだけ低下させることが必要である。
【0003】
また、配線の多層化や高密度化が進むため配線の断線防止及びフォーカスマージンの向上のためには高密度配線間をボイドなしに埋め込み、さらに表面の段差を緩和することが必要となる。このような理由により、より段差被覆性の良い膜の形成方法の要求が高まっている。
ところで、信号伝達の遅延を少なくするために行われる誘電率の低減対策としては弗素添加シリコン酸化物(F−dopedSiO2 )からなる絶縁膜(以下、FSG膜という)の開発が行われている。しかし、FSG膜は、吸湿性の問題がある。図9に示すように、弗素(F)の濃度が高くなるほど低誘電率な絶縁膜になるが同時に吸湿性の大きい絶縁膜となる。吸湿が起こることによりFSG膜の誘電率εが増加するとともにHFの遊離により金属配線の腐食が起こり膜剥がれや信頼性の低下を引き起こすことになる。
以上のような吸湿性を増加させる要因としては、FSG膜中の不純物、とくにFSG膜中にHの残留量が存在することであることが解っており、そのためできるだけ水素(H)不純物を低減することが必要となっている。
【0004】
このため高密度プラズマCVD法(HDP(High Density Plasma) −CVD)によるFSG膜の形成技術の開発が試みられており、例えば、ECRの高密度プラズマ源を用いたCVDやICP(Inductively Coupled Plasma)コイル及びヘリコンなどの高密度プラズマ源を用いた方法が報告されている。
HDP−CVD法により、原料ガスの解離度が大きくなりFSG膜中に含まれるH不純物の量は、従来の平行平板型CVDのFSG膜と比較して減少しており、それに伴って吸湿性は抑制される。しかし、原料ガスとしてSiH4 を用いており、FSG膜中へのH不純物の混入は避けられない。特に低誘電率を実現するために高濃度のFをドープした場合、吸湿性に対するH不純物の依存性は非常に大きい。そこで、SiF4 などのHを含まないガスを用いてできるだけHを減少したガス系での成膜方法が試みられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、HDP−CVD法によるFSG成膜は、真空チャンバーに対するダメージとそれに伴う不純物の問題、さらに成膜特性が変化する問題、成膜速度が大きくとれない問題がある。例えば、ICPコイルを用いた高密度プラズマCVD法でSiF4 、SiH4 、O2 、Arの混合ガスを用いてFSG膜を成膜する場合、成膜中に発生するFイオンやFラジカルによってチャンバーがエッチングされたり弗素化され、その結果チャンバーの成分が膜中に混入したり、成膜ドリフトが発生する。通常、チャンバー内にコーティングをし、これらの問題点を改善するがFによるエッチング作用が非常に大きいため、コーティング膜はすぐにエッチングされチャンバーが露出し、同様にチャンバーがエッチングやF化されチャンバーの成分が膜中に混入したり、成膜ドリフトが発生する。これは、他のHDP−CVD装置でも同様な問題が発生する。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、プラズマ気相成長法により半導体基板などの基板上に絶縁膜を成膜する工程中において、成膜される基板が載置されたチャンバー内部が成膜中はエッチングされないように処理されている絶縁膜の形成方法を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、真空チャンバー内部にプラズマ気相成長法によりコーティング膜を形成する工程と、原料ガスを導入してプラズマ気相成長法により真空チャンバー内の基板上に絶縁膜を形成する工程とを有し、基板上に絶縁膜を形成する工程において真空チャンバー内のコーティング膜が成膜中にエッチングされ、このエッチングにより発生したガスを原料ガスの一部として前記基板上に前記絶縁膜を堆積させ、且つこの工程中は、前記コーティング膜が残存して前記チャンバー内壁が露出しないようにすることを特徴としている。
ICPコイルなどを用いた高密度プラズマCVD法でSiF4 、SiH4 、O2 、Arの混合ガスを用いてFSG膜を成膜する場合、成膜中に発生する弗素イオンや弗素ラジカルによって真空チャンバーがエッチングされたり弗素化され、その結果チャンバーの成分がFSG膜中に混入したり、成膜ドリフトが発生する。本発明では基板上での成膜工程前に絶縁膜のコーティング処理を真空チャンバー内に施すので上記問題が発生せず安定した成膜特性のFSG膜を形成することが可能になる。
【0007】
すなわち本発明の絶縁膜の形成方法は、少なくとも真空チャンバー内表面にプラズマ気相成長法によりコーティング膜を形成する工程と、原料ガスを導入してプラズマ気相成長法により前記基板上に絶縁膜を形成する工程とを備え、前記真空チャンバー内に載置された基板上に絶縁膜を形成する工程において前記チャンバー内壁にコーティングした前記コーティング膜をエッチングし、このエッチングにより発生したガスを原料ガスの一部として前記基板上に前記絶縁膜を堆積させ、且つこの工程中は前記コーティング膜が残存して前記チャンバー内壁が露出しないようにすることを特徴としている。
【0008】
前記絶縁膜は、弗素添加酸化シリコン膜(SiOF)、弗素添加酸化窒化シリコン膜(SiONF)のいずれかであっても良い。前記コーティング膜は、酸化シリコン膜(SiO2 )、弗素添加酸化シリコン膜(SiOF)、弗素添加酸化窒化シリコン膜(SiONF)、窒化シリコン膜(SiN)、酸化窒化シリコン膜(SiON)、シリコン膜のいずれかであり、フッ素を含むガスでエッチングされ、このエッチングにより生成されたガスを前記基板上に成膜される前記絶縁膜を生成する原料ガスの一部とするようにしても良い。
前記導入原料ガスは、四弗化シリコン(SiF4 )、シラン(SiH4 )、酸素、アルゴン及び窒素を含むようにしても良い。前記プラズマ気相成長法は、プラズマ密度1010/cm 3 以上の高密度プラズマを用いても良い。前記プラズマ気相成長法は、ICPコイルを用いた高密度プラズマ装置を用いても良い。なお、膜厚が1〜2μmのFSG膜を形成する場合は、コーティング膜の膜厚は0.8〜1.5μm程度が必要である。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
図1は、ICPコイルを用いたHDP−CVD装置の概略断面図であり、この装置を用いてFSG膜を成膜する工程を説明する。図1に示すように、反応容器は、セラミックドーム1とメタルチャンバー2より構成されている。セラミックドーム1には、その側面及び上面にアンテナコイル3が巻かれており、アンテナ端子は、RF電源4に接続されていると共に接地されている。このRF電源4をアンテナコイル3に印加することにより、誘導結合でセラミックドーム1内の空間に電力が供給されプラズマが発生する。
また、メタルチャンバー2には、ターボ分子ポンプ5及びドライポンプ6が接続されており、反応容器内を真空にすることができる。また、反応容器内は、スロットルバルブ7により圧力制御が可能になっている。さらにガス導入部としてガスノズル8を備えておりSiH4 、O2 、SiF4 、Arガスなどを導入することができる。
【0010】
基板接地電極9は、静電チャックとなっておりシリコン半導体などのウエハ10を吸着することができる。さらにシリコンウエハ10と静電チャックの間にHeガスを導入してシリコンウエハ10を冷却できるようになっている。基板接地電極9にはRF電源11が接続されており、セルフバイアス(Bias)をかけることが可能になっている。
ターボ分子ポンプ5は、ゲートバルブ12を介してスロットルバルブ7に接続されており、圧力調整をしながら反応容器内部を真空にすることができるようになっている。また、ドライポンプ6は、アイソレーションバルブ13を介してターボ分子ポンプ5に接続されている。
【0011】
次に、図1、図2及び図3に示したHDP−CVD装置及び図8に示す製造工程のフローチャートを用いて本発明の方法による実施例を説明する。
まず、反応容器のメタルチャンバー2内にSi02 膜をコーティング膜20として形成する工程を行う(工程(1)、図2参照)。反応室内壁に取り付けたガス導入口(ガスノズル)8からSiH4 100sccm、O2 100sccm、Arガス 100sccmを導入する。そしてメタルチャンバー内を5mTorrにし、セラミックドーム1のアンテナ3に取り付けられたRF電源4からRF電力を3000W程度印加してプラズマ状態を励起させる。プラズマによって導入ガスは分解されSiO2 膜20がセラミックドーム1内にコーティングされる。この状態は図2に示される。コーティング膜(SiO2 )20は、反応容器内壁は勿論のこと、ガス導入口(ガスノズル)8やウエハが搭載されていない基板接地電極9の上などにも堆積される。この実施例ではコーティング膜厚は、基板接地電極9上で1μm程度である。
【0012】
次に、シリコンウエハ10を反応容器に導入し、基板接地電極9の上に載置させる(工程(2)、図3参照)。そして、シリコンウエハ10の上にFSG膜を成膜させる(工程(3))。まず、ガス導入口(ガスノズル)8からSiF4 100sccm、O2 100sccm、Arガス 100sccm、SiH4 10sccmを導入し、メタルチャンバー内を5mTorrにし、セラミックドーム1にRF電力を3000W程度印加してプラズマを励起させる。シリコンウエハ10は、静電チャックで基板接地電極9に固定され、シリコンウエハ10の裏面は、Heガスで冷却されている。さらに基板接地電極9にはRF電源11によりRF電力1500Wが印加されている。
このようにしてシリコンウエハ10上には約400nm/分の成膜速度でFSG膜が成膜される。FSG膜が形成されてからシリコンウエハ10を取り出して反応容器内での工程が終了する(工程(4))。この時コーティング膜(SiO2 )は、成膜の際に発生するFイオン及びラジカルによりエッチングされてSiFx ガスが発生する。この発生したガスは、FSG膜の成膜に寄与し、さらに成膜速度の向上につながる。コーティング膜が無い場合の成膜速度は、約300nm/分であり100nm/分ほど成膜速度が増加する。
【0013】
また、この発明は、成膜中はコーティング膜(SiO2 )20が反応容器内に残存してメタルチャンバー2内壁が露出しないことを特徴としている。反応容器内がこのような構成になっていると、シリコンウエハ10上に成膜処理を施す最中の反応ガスが反応容器内壁近傍でエッチング動作を行っても内壁自身がエッチングされることはなく、逆に成膜処理に役立つガスを発生するので成膜速度の向上は勿論のこと、半導体基板、寄与する効果をもたらすメタルチャンバー内壁の変質、成膜特性の変動等が抑制される。
コーティング膜(SiO2 )20がなくなりメタルチャンバー2内壁が露出した場合、アルミナ(Al2 O3 )からなるセラミックドーム1の内壁がFラジカル、Fイオン等でF化されて弗化アルミニウム(AlF)を発生する。このAlFは誘電体であり、このAlFの影響でプラズマの状態が変化し、成膜特性も変化する。例えば、コーティング膜20の膜厚を1μmと0.3μmとした場合において、シリコンウエハ10上にFSG膜を1.2μm堆積したときの成膜の安定性を比較する。
【0014】
図4は、成膜面内に形成されたFSG膜の均一性(%)のコーティング膜厚依存性を説明する。ウエハ面内の所定の49点における膜厚Tを測定し、その中で膜厚平均値TA 、最大膜厚TMAX 及び最小膜厚TMIN を選択し、((TMAX −TMIN )/2TA )×100をこのFSG膜均一性とする。そして、A線をコーティング膜の膜厚が1μmの特性線、B線をコーティング膜の膜厚が0.3μmの特性線を示している。図4から明らかなように、A線(1μmの場合)は、4.50%を前後して、ほぼ一定しているが、B線(0.3μmの場合)は、均一性が変化する。したがって、コーティング膜の膜厚は、少なくとも0.3μm以上であることが必要である。また、コーティング膜の膜厚が0.3μmの場合は、FSG膜の成膜中に反応容器の内壁が露出してしまうが、この膜厚を1μmにすると成膜中には反応容器の内壁が露出することはない。したがって、コーティング膜の膜厚は1μmで十分である。
【0015】
次に、コーティング膜の膜厚が0.3μmの場合において、成膜検討の前後にArによるSiO2 膜のスパッタリングレートを確認した。このスパッタリングレートは、間接的にメタルチャンバー内のプラズマの状態を知ることができる。図5に示されたように、検討前(0.3μmのコーティング膜を施さない場合)のスパッタリングレートの均一性は、2%程度であるのに対して、検討後(0.3μmのコーティング膜を施した場合)は、スパッタリングレートが傾き、均一性は5%と悪化し、プラズマの均一性が崩れていることが判った。したがって、コーティング膜が0.3μmでは不十分であることがわかる。
セラミックドーム(Al2 03 )の内壁が弗素(F)化して形成されたAlFは、後のチャンバードライクリーニングでは除去されず、成膜特性の復帰のためには、メタルチャンバーのウエットクリーニング等が必要となり、スループットの大きな妨げとなる。
また、同様にメタルチャンバー内壁が露出した場合、コーティング膜から供給されていたSiFx の量が変化し、成膜途中においても成膜特性が変動する。
【0016】
FSG成膜の膜厚に対する必要なコーティング膜(SiO2 )の膜厚量について図6に示す。必要であるか否かの判断はスパッタリングレートの均一性のシフトで行った。FSG膜が1μm成膜の場合、コーティング膜は0.8μmが必要である。FSG膜が1.5μmではコーティング膜は1μmが必要である。FSG膜が2μmではコーティング膜は1.5μmが必要である。つまり、FSG膜が1〜2μmの場合、コーティング膜の膜厚は0.8〜1.5μmが必要である。この膜厚は、成膜条件、特にSiH4 の流量変化に対して敏感であり、条件変更の際には、必要なコーティング膜厚は変化する。
したがって、工程(4)においてシリコンウエハを反応容器から搬出後、チャンバードライクリーニングを行う(工程(5))。
【0017】
次に、図7を参照して、図1、図2及び図3のCVD装置を使用して形成した半導体装置を説明する。
図7は、配線間にFSG膜などの低誘電率の層間絶縁膜を用いた半導体装置の断面図である。P型シリコン半導体基板30にはPウエル31及びNウエル32が形成され、主面には素子分離領域(STI(Shallow Trench Isolation))33が形成されている。半導体基板30の素子領域には、Pウエル31に、N型ソース/ドレイン領域34、ゲート酸化膜35及びソース/ドレイン領域34間の上にゲート酸化膜35を介して形成されたゲート電極36から構成されたN型MOSトランジスタ(NMOS)、Nウエル32に、P型ソース/ドレイン領域37、ゲート酸化膜35及びソース/ドレイン領域37間の上にゲート酸化膜35を介して形成されたゲート電極36から構成されたP型MOSトランジスタ(PMOS)がそれぞれ形成されている。これらトランジスタを被覆するように半導体基板30上には、例えば、BPSG(Boron−doped Phospho−Silicate Glass)膜からなる層間絶縁膜38が形成されている。
【0018】
層間絶縁膜38は、表面をCMPなどにより平坦化され、その上に所定のパターンを有する第1の金属配線39が形成されている。第1の金属配線39は、アルミニウム(Al)膜とこの上下に形成された、例えば、Ti/TiNなどからなるバリアメタル層から構成されている。第1の金属配線3の一部は、層間絶縁膜38に形成されたコンタクト孔に埋め込まれたタングステンなどからなる接続プラグ40を介してP型MOSトランジスタのソース/ドレイン領域37と電気的に接続されている。
第1の金属配線39を被覆するように、半導体基板30上にFSG膜41からなる低誘電率層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜41は、表面をCMPなどにより平坦化され、その上に所定のパターンを有する第2の金属配線42が形成されている。第2の金属配線42は、第1の配線39と同様にアルミニウム膜とこの上下に形成されたTi/TiN等からなるバリアメタル層から構成されている。第2の金属配線42の一部は、層間絶縁膜40に形成されたコンタクト孔に埋め込まれたタングステンなどからなる接続プラグ43を介して第1の金属配線39と電気的に接続されている。
【0019】
この第2の金属配線42を被覆するように、層間絶縁膜41上にFSG膜44からなる低誘電率層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜44は、表面をCMPなどにより平坦化され、その上に所定のパターンを有する第3の金属配線45が形成されている。第3の金属配線45は、第1の配線109と同様にアルミニウム膜とこの上下に形成されたTi/TiNなどからなるバリアメタル層から構成されている。第3の金属配線45の一部は、層間絶縁膜44に形成されたコンタクト孔に埋め込まれたタングステンなどからなる接続プラグ46を介して第2の金属配線42と電気的に接続されている。この第3の金属配線45を被覆するように層間絶縁膜44上に、例えば、CVDSiO2 膜などからなる保護絶縁膜47を形成する。この実施例では3層の金属配線を用いたが、本発明は、第4、第5あるいはそれ以上の金属配線を積み重ねることもできる。
以上のFSG膜からなる層間絶縁膜を形成する際には、図1、図2及び図3に記載されたHDP−CVD装置の反応容器内で成膜される。
【0020】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、HDP−CVD法により、その装置内をエッチングによって原料ガスを生成するコーティング膜で覆っているのでFSG膜を成膜する場合、安定した成膜特性で膜を形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明で用いるHDP−CVD装置の断面図。
【図2】本発明で用いるHDP−CVD装置の断面図。
【図3】本発明で用いるHDP−CVD装置の断面図。
【図4】基板に形成されたFSG膜均一性とコーティング膜厚との関係を示す特性図。
【図5】基板に形成されたFSG膜の特性を示すウエハの平面図。
【図6】本発明のコーティング膜厚とFSG膜厚との関係を示す特性図。
【図7】本発明の方法により形成された半導体基板の断面図。
【図8】本発明の形成方法を説明するフローチャート。
【図9】FSG膜の特性を説明する特性図。
【符号の説明】
1・・・セラミックドーム、 2・・・メタルチャンバー、
3・・・アンテナコイル、 4、11・・・RF電源、
5・・・ターボ分子ポンプ、 6・・・ドライポンプ、
7・・・スロットルポンプ、 8・・・ガスノズル、
9・・・基板接地電極、 10・・・シリコンウエハ、
12・・・ゲートバルブ、 13・・・アイソレーションバルブ、
20・・・コーティング膜、 30・・・半導体基板、
31・・・Pウエル、 32・・・Nウエル、
33・・・素子分離領域、 34・・・N型ソース/ドレイン領域、
35・・・ゲート酸化膜、 36・・・ゲート電極、
37・・・P型ソース/ドレイン領域、38、41、44・・・層間絶縁膜、
39・・・第1の金属配線、 40、43、46・・・接続プラグ、
42・・・第2の金属配線、 45・・・第3の金属配線、
47・・・保護絶縁膜。
Claims (6)
- 少なくとも真空チャンバー内表面にプラズマ気相成長法によりコーティング膜を形成する工程と、
原料ガスを導入してプラズマ気相成長法により前記真空チャンバー内に載置された基板上に絶縁膜を形成する工程とを備え、
前記基板上に絶縁膜を形成する工程において前記チャンバー内壁にコーティングした前記コーティング膜をエッチングし、このエッチングにより発生したガスを原料ガスの一部として前記基板上に前記絶縁膜を堆積させ、且つこの工程中は、前記コーティング膜が残存して前記チャンバー内壁が露出しないようにすることを特徴とする絶縁膜の形成方法。 - 前記絶縁膜は、弗素添加酸化シリコン膜(SiOF)、弗素添加酸化窒化シリコン膜(SiONF)のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記コーティング膜は、酸化シリコン膜(SiO2 )、弗素添加酸化シリコン膜(SiOF)、弗素添加酸化窒化シリコン膜(SiONF)、窒化シリコン膜(SiN)、酸化窒化シリコン膜(SiON)、シリコン膜のいずれかであり、フッ素を含むガスでエッチングされ、このエッチングにより生成されたガスを前記基板上に成膜される前記絶縁膜を生成する原料ガスの一部とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記導入原料ガスは、四弗化シリコン、シラン、酸素、アルゴン及び窒素を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記プラズマ気相成長のプラズマ密度が1010/cm 3 以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
- 前記プラズマ気相成長法は、ICPコイルを用いたプラズマ装置を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
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