JP2006165317A - 半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体製造装置のクリーニング方法は、チャンバ内壁に堆積した堆積物を除去する堆積物除去ステップと、チャンバ内壁を構成する材料と同一の材料を供給するCVDステップとを順次に有する。
【選択図】 図2
Description
繰り返し行う成膜ステップの間に、
チャンバ内壁に堆積した堆積物を除去する堆積物除去ステップと、前記チャンバ内壁を構成する材料と同一の材料を供給するCVDステップとを順次に有することを特徴とする。
11:チャンバ
11a:チャンバ内壁
12:チャンバ外容器
13:ボート支持台
13a:ボート
14:保温筒
15:ヒータ
16:第1のガス導入ポート
17:第2のガス導入ポート
18:ガス排出ポート
19:ウエハ
21:ガス導入配管
22a,22b,22c:MFC
23a:N2供給源
23b:NH3供給源
23c:DCS供給源
24:ガス導入配管
25a,25b,25c:MFC
26a:F2供給源
26b:HF供給源
26c:TEOS供給源
26d:O2供給源
27:ガス排出管
28:APC
29:真空吸引ポンプ
31:クラック
Claims (4)
- ホットウォール型CVD装置のチャンバ内壁をクリーニングする、半導体製造装置のクリーニング方法であって、
繰り返し行う成膜ステップの間に、
チャンバ内壁に堆積した堆積物を除去する堆積物除去ステップと、前記チャンバ内壁を構成する材料と同一の材料を供給するCVDステップとを順次に有することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。 - 前記成膜ステップがウエハ上にシリコン窒化膜又はシリコン膜を堆積するステップである、請求項1に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 前記CVDステップがシリコン酸化膜をチャンバ内壁に堆積するステップである、請求項1又は2に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 前記CVDステップが酸化アルミニウムをチャンバ内壁に堆積するステップである、請求項1又は2に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
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