JP6340332B2 - 薄膜形成方法、および、薄膜形成装置 - Google Patents
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Description
反応室内に被処理体を収容する収容工程と、
前記反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬出する搬出工程と、を繰り返す薄膜形成方法であって、
前記搬出工程と前記収容工程との間で、前記反応室内に炭素を含むガスを供給し、装置内部に付着した付着物の表面を炭素終端するとともに、前記薄膜から発生して装置内部に残留したガスを炭素終端する炭素パージ工程を備える、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に、成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内に、炭素を含むガスを供給する炭素ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記反応室内に被処理体を収容し、前記成膜用ガス供給手段を制御して前記反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成し、前記薄膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬出する工程を繰り返し、
前記薄膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬出してから前記反応室内に被処理体を収容する間に、前記炭素ガス供給手段を制御して、前記反応室内に炭素を含むガスを供給し、装置内部に付着した付着物の表面を炭素終端するとともに、前記薄膜から発生して装置内部に残留したガスを炭素終端する、ことを特徴とする。
パージガスは、反応管2内のガスを排気するガスであり、例えば、窒素(N2)が用いられている。
圧力計123は、反応管2内及び排気管4内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ126は、排気管4に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 マニホールド
4 排気管
5 圧力調整部
6 蓋体
8 保温筒
9 ウエハボート
10 ヒータ部
11〜15 ヒータ
21〜23 処理ガス供給管
24〜26 流量調整部
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 MFC
125 バルブ制御部
126 真空ポンプ
127 ボートエレベータ
128 ヒータコントローラ
W 半導体ウエハ
Claims (6)
- 反応室内に被処理体を収容する収容工程と、
前記反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬出する搬出工程と、を繰り返す薄膜形成方法であって、
前記搬出工程と前記収容工程との間で、前記反応室内に炭素を含むガスを供給し、装置内部に付着した付着物の表面を炭素終端するとともに、前記薄膜から発生して装置内部に残留したガスを炭素終端する炭素パージ工程を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記炭素パージ工程では、前記反応室内に供給される炭素を含むガスに、エチレン、プロピレン、または、アセチレンを用いる、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成方法。
- 前記薄膜は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、ボロンを含むシリコン窒化膜、または、ケイ素とボロンと炭素と窒素を含む膜である、ことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成方法。
- 前記炭素パージ工程では、前記反応室内の圧力を13.3Pa〜1.33kPaにする、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜形成方法。
- 前記炭素パージ工程では、前記反応室内に炭素を含むガスを0.1slm〜10slm供給する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜形成方法。
- 被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に、成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内に、炭素を含むガスを供給する炭素ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記反応室内に被処理体を収容し、前記成膜用ガス供給手段を制御して前記反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成し、前記薄膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬出する工程を繰り返し、
前記薄膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬出してから前記反応室内に被処理体を収容する間に、前記炭素ガス供給手段を制御して、前記反応室内に炭素を含むガスを供給し、装置内部に付着した付着物の表面を炭素終端するとともに、前記薄膜から発生して装置内部に残留したガスを炭素終端する、ことを特徴とする薄膜形成装置。
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