JP2014209558A - シリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜の形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パーティクルの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜の形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、反応室内に被処理体を収容/回収するスタンバイ工程と、前記被処理体を反応室内に収容するロード工程と、前記反応室内に収容された被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、前記シリコン酸化膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬送するアンロード工程と、を繰り返す。シリコン酸化膜の形成方法では、アンロード工程と、スタンバイ工程と、ロード工程との少なくとも1つの工程で、反応室内を加熱するとともに、当該反応室内に水蒸気を含むガスを供給する。
【選択図】図3
Description
反応室内に被処理体を収容/回収するスタンバイ工程と、
前記被処理体を反応室内に収容するロード工程と、
前記反応室内に収容された被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬送するアンロード工程と、を繰り返すシリコン酸化膜の形成方法であって、
前記アンロード工程と、前記スタンバイ工程と、前記ロード工程との少なくとも1つの工程で、前記反応室内を加熱するとともに、当該反応室内に水蒸気を含むガスを供給する、ことを特徴とする。
前記アンロード工程と、前記スタンバイ工程と、前記ロード工程とで、前記反応室内を加熱するとともに、当該反応室内に水蒸気を含むガスを供給することが好ましい。
前記反応室内の圧力を常圧にする常圧復帰工程をさらに備え、
前記反応室内が常圧に復帰すると同時、または、前記アンロード工程開始と同時に、前記反応室内に水蒸気を含むガスを供給することが好ましい。
前記スタンバイ工程では、前記反応室内が所定の圧力となるように前記水蒸気を含むガスを供給した後、当該反応室内の圧力が26.6kPa以下となるように窒素を供給して窒素置換することが好ましい。
前記反応室内に供給される水蒸気を含むガスは、例えば、水蒸気と窒素ガスと酸素ガスとの混合ガス、または、空気である。
前記被処理体が収容された反応室内に、シリコンソースガスを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させる吸着工程と、
前記吸着工程で吸着されたシリコンに酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する酸化工程と、を備え、
前記吸着工程と、前記酸化工程とを、複数回繰り返すことが好ましい。
前記酸化工程では、200℃〜600℃に設定された反応室内にオゾンを供給してオゾンを活性化させ、当該活性化されたオゾンを前記吸着されたシリコンに供給して当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成することが好ましい。
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に、成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内に、水蒸気を含むガスを供給するガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記反応室内に被処理体を収容/回収するスタンバイ工程と、
前記被処理体を反応室内に収容するロード工程と、
前記成膜用ガス供給手段を制御して、前記反応室内に収容された被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬送するアンロード工程と、を繰り返し、
前記アンロード工程と、前記スタンバイ工程と、前記ロード工程との少なくとも1つの工程で、前記加熱手段を制御して前記反応室内を加熱した状態で、前記ガス供給手段を制御して前記反応室内に水蒸気を含むガスを供給する、
ことを特徴とする。
圧力計123は、反応管2内及び排気管内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ127は、排気管に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
2a 内管
2b 外管
3 排気部
4 排気口
5 蓋体
6 ウエハボート
7 昇温用ヒータ
8 ソースガス供給管
9 酸化ガス供給管
10 窒素ガス供給管
11 アニール用ガス供給管
12 水蒸気発生装置
13 空気供給装置
20 プラズマ発生部
21 一対の電極
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
LA ローディングエリア
Claims (10)
- 反応室内に被処理体を収容/回収するスタンバイ工程と、
前記被処理体を反応室内に収容するロード工程と、
前記反応室内に収容された被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬送するアンロード工程と、を繰り返すシリコン酸化膜の形成方法であって、
前記アンロード工程と、前記スタンバイ工程と、前記ロード工程との少なくとも1つの工程で、前記反応室内を加熱するとともに、当該反応室内に水蒸気を含むガスを供給する、ことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記水蒸気の濃度が1%以上である、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記アンロード工程と、前記スタンバイ工程と、前記ロード工程とで、前記反応室内を加熱するとともに、当該反応室内に水蒸気を含むガスを供給する、ことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程では、前記反応室内の圧力を減圧にした状態で前記被処理体にシリコン酸化膜を形成し、
前記反応室内の圧力を常圧にする常圧復帰工程をさらに備え、
前記反応室内が常圧に復帰すると同時、または、前記アンロード工程開始と同時に、前記反応室内に水蒸気を含むガスを供給する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記スタンバイ工程のみで前記反応室内を加熱するとともに、当該反応室内に水蒸気を含むガスを供給する、ことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記スタンバイ工程では、前記反応室内が所定の圧力となるように前記水蒸気を含むガスを供給した後、当該反応室内の圧力が26.6kPa以下となるように窒素を供給して窒素置換する、ことを特徴とする請求項5に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記反応室内に供給される水蒸気を含むガスは、水蒸気と窒素ガスと酸素ガスとの混合ガス、または、空気である、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程では、
前記被処理体が収容された反応室内に、シリコンソースガスを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させる吸着工程と、
前記吸着工程で吸着されたシリコンに酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する酸化工程と、を備え、
前記吸着工程と、前記酸化工程とを、複数回繰り返す、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記酸化工程では、200℃〜600℃に設定された反応室内にオゾンを供給してオゾンを活性化させ、当該活性化されたオゾンを前記吸着されたシリコンに供給して当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、ことを特徴とする請求項8に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に、成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内に、水蒸気を含むガスを供給するガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記反応室内に被処理体を収容/回収するスタンバイ工程と、
前記被処理体を反応室内に収容するロード工程と、
前記成膜用ガス供給手段を制御して、前記反応室内に収容された被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜が形成された被処理体を前記反応室外に搬送するアンロード工程と、を繰り返し、
前記アンロード工程と、前記スタンバイ工程と、前記ロード工程との少なくとも1つの工程で、前記加熱手段を制御して前記反応室内を加熱した状態で、前記ガス供給手段を制御して前記反応室内に水蒸気を含むガスを供給する、
ことを特徴とするシリコン酸化膜の形成装置。
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