JP2007531304A - チャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
15、20、65、122・・・加熱器
25・・・処理チューブ
26・・・ターンテーブル
30・・・熱反射板
35、112・・・基板ホルダー
40、110・・・基板(ウェハ)
88、106・・・真空ポンプシステム
92、108・・・プロセスモニターシステム
94、104・・・ガス注入システム
300・・・チャンバー部品
302,304,702・・・予め存在している堆積物
306,508,606,704・・・クラック
500・・・清浄なチャンバー部品
502,602,608,706・・・パーティクル抑制膜
504,604,610,708・・・新しい堆積物
Claims (34)
- 処理システムの処理チャンバーのためのチャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法であって、
該方法は、前記処理チャンバー内のチャンバー部品を反応ガスに暴露し、パーティクル抑制膜を形成する工程であって、
前記パーティクル抑制膜を、前記チャンバー部品の清浄な表面上に形成された酸化膜または酸化窒化膜、前記チャンバー部品上に形成された予め存在している堆積物の上に形成された酸化膜または酸化窒化膜、または前記チャンバー部品上に形成された予め存在している堆積物の少なくとも一部から形成された窒化膜、酸化膜または酸化窒化膜としてパーティクル抑制膜を形成する工程と、
少なくとも一の基板を前記処理チャンバー内に導入する工程と、
前記処理チャンバー内で前記少なくとも一の基板の上に製造処理を実行する工程であって、
前記製造処理によって新しい堆積物が前記パーティクル抑制膜の上に形成され、前記パーティクル抑制膜は基板処理の間に、前記処理チャンバーの中で、前記予め存在している堆積物または前記新しい堆積物のうちの一方、もしくは両方からのパーティクル形成を抑制する工程と、
前記処理チャンバーから前記少なくとも一の基板を取り出す工程と、
を備えていることを特徴とする方法。 - 前記チャンバー部品は、処理チューブ、壁部、ガス供給ライン、マニホールド、または基板支持部材、もしくはこれらのうちの二以上の組み合わせであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記パーティクル抑制膜は、酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記パーティクル抑制膜は、SiO2膜であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記SiO2膜は、前記チャンバー部品を、酸素を含有するガスと珪素を含有するガスとに暴露することによって堆積されていることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記酸素を含有するガスは、02, 03, NO, N20, 及び N02からなるグループから選択された少なくとも一のガスを含有し、前記珪素を含有するガスは、SiH4,Si2H6, Si2Cl6,SiH2CI2, SiHC13, SiH3Cl, SiH2 (NHBut)2, 及び Si(OC2H5)4からなるグループから選択された少なくとも一のガスを含有することを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記SiO2膜は、前記チャンバー部品をSi(OC2H5)4を含有するガスに暴露することによって堆積されていることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記反応ガスは、H20, 02, 03, N2, NO, N20, N02, 及び NH3からなるグループから選択された少なくとも一のガスを含有し、予め存在している堆積物の少なくとも一部から、化学的に転換させることによって窒化膜、酸化膜または酸化窒化膜を形成し、前記予め存在している堆積物の膜応力を減少させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記チャンバー部品の温度を第1の温度から第2の温度へ昇温する工程と、
前記チャンバー部品を前記第2の温度で反応ガスに暴露する工程と、
前記少なくとも一の基板を導入する前に、前記チャンバー部品の温度を前記第1の温度まで下げる工程と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 前記暴露は、約10ミリトールと約100トールとの間の処理チャンバー圧力で行われることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記暴露は、前記少なくとも一の基板を導入する前に、前記処理チャンバーのパージ及び排気をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記暴露、前記パージ、及び前記排気は少なくとも一度繰り返されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記第1の温度は、約400℃と約800℃との間にあることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第2の温度は、前記第1の温度より、約100℃と約300℃との間の温度、高いことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記チャンバー部品の温度を前記第1の温度まで復帰する前に、前記チャンバー部品の温度を前記第2の温度から前記第1の温度より低い温度まで下げる工程をさらに含むことを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 前記実行は、SiNの製造工程の実行を含み、前記新しい堆積物は、SiNであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記実行は、さらに前記処理チャンバー圧力を約100トール以下にする工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記実行は、さらに前記処理チャンバー圧力を約1トール以下にする工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記暴露、前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記暴露を繰り返す前に前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回、前記処理チャンバー内のパーティクルレベルが前もって決められたレベルを超えるまでに繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 処理システムの処理チャンバーのためのチャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法であって、
該方法は、前記処理チャンバー内のチャンバー部品を、珪素を含有し、酸素を含有する反応ガスに暴露し、前記チャンバー部品の清浄な表面上、または前記チャンバー部品上に形成されている、予め存在している堆積物の上にSiO2膜を形成する工程と、
少なくとも一の基板を前記処理チャンバー内に導入する工程と、
前記処理チャンバー内でSiN製造処理を実行する工程であって、
前記製造処理によってSiN堆積物が前記SiO2膜の上に形成され、前記SiO2膜は基板処理の間に、前記処理チャンバーの中で、前記予め存在している堆積物または前記SiN堆積物のうちの一方、もしくは両方からのパーティクル形成を抑制する工程と、
前記処理チャンバーから前記少なくとも一の基板を取り出す工程と、
を備えていることを特徴とする方法。 - 前記暴露、前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記暴露を繰り返す前に前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回、前記処理チャンバー内のパーティクルレベルが前もって決められたレベルを超えるまでに繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項22に記載の方法。
- 前記SiN製造工程は前記少なくとも一の基板を有機シランベースの前躯体及び窒素を含有するガスに暴露し、前記少なくとも一の基板上にSiNを堆積させることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記SiN製造工程は前記少なくとも一の基板をビスターシャリーブチルアミノシラン前躯体にアンモニアガスの存在下で暴露し、前記少なくとも一の基板上にSiNを堆積させることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 処理システムの処理チャンバーのためのチャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法であって、
該方法は、処理チャンバー内のチャンバー部品上の予め存在している堆積物を、H20、02, 03, N2, NO, N20, N02, 及び NH3のうちの少なくとも一を含有する反応ガスに暴露し、前記予め存在している堆積物の少なくとも一部を化学的に転換し前記チャンバー部品上に窒化膜、酸化膜、または酸化窒化膜を形成する工程と、
少なくとも一の基板を前記処理チャンバー内に導入する工程と、
前記処理チャンバー内でSiN製造工程を実行する工程であって、
前記製造工程によってSiN堆積物が前記膜の上に形成され、前記膜は基板処理の間に、前記処理チャンバーの中で、前記予め存在している堆積物または前記SiN堆積物のうちの一方、もしくは両方からのパーティクル形成を抑制する工程と、
前記処理チャンバーから前記少なくとも一の基板を取り出す工程と、
を備えていることを特徴とする方法。 - 前記暴露、前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記形成を繰り返す前に前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。
- 前記導入、前記実行、及び前記取出しを少なくとも一回、前記処理チャンバー内のパーティクルレベルが前もって決められたレべルを超えるまでに繰り返す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項28に記載の方法。
- 前記SiN製造工程は前記少なくとも一の基板を有機シランベースの前躯体及び窒素を含有するガスに暴露し、前記少なくとも一の基板上にSiNを堆積させることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記SiN製造工程は前記少なくとも一の基板をビスターシャリーブチルアミノシラン前躯体にアンモニアガスの存在下で暴露し、前記少なくとも一の基板上にSiNを堆積させることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- プログラム命令を記憶し、プロセッサーによって実行可能として装置に処理を行わせるためのコンピュータで読み取り可能な媒体であって、
処理装置に処理チャンバー内のチャンバー部品を反応ガスに暴露させ、
前記チャンバー部品の清浄な表面上に形成された酸化膜または酸化窒化膜、前記チャンバー部品上に形成されている、予め存在している堆積物の上に形成された酸化膜または酸化窒化膜、または前記チャンバー部品上に形成されている、予め存在している堆積物の少なくとも一部から形成された窒化膜、酸化膜または酸化窒化膜のうちの1つを形成し、
少なくとも一の基板を前記処理チャンバー内に導入させ、
前記処理チャンバー内で前記少なくとも一の基板の上に製造工程を実行させ、これにより新しい堆積物を前記パーティクル抑制膜の上に形成させ、この場合において、前記パーティクル抑制膜は基板処理の間に、前記処理チャンバーの中で、前記予め存在している堆積物または前記新しい堆積物のうちの一方、もしくは両方からのパーティクル形成を抑制し、
前記処理チャンバーから前記少なくとも一の基板を取り出させる、
ようにプログラム命令を記憶し、プロセッサーによって実行可能として装置に処理を行わせるためのコンピュータで読み取り可能な媒体。
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