CN108165953B - 改善hto厚度稳定性的方法 - Google Patents
改善hto厚度稳定性的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108165953B CN108165953B CN201711419332.3A CN201711419332A CN108165953B CN 108165953 B CN108165953 B CN 108165953B CN 201711419332 A CN201711419332 A CN 201711419332A CN 108165953 B CN108165953 B CN 108165953B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pressure
- hto
- cleaning program
- thickness
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种改善HTO厚度稳定性的方法，在炉管HTO机台正常的工艺过程中，在累积膜厚达到一定数值时，通过自动运行新的循环清洁程式，该循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式，在高压高温条件下，利用蒸汽压的不同将含氯副产物转化成气态带出，达到有效去除的效果。本发明能够有效去除掉工艺腔体底部的副产物，保证机台成膜工艺的厚度稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种改善HTO(低压高温氧化硅沉积炉)厚度稳定性的方法。
背景技术
低压炉管HTO机台对应的制程属于成膜工艺，随着累积膜厚的增长，炉管工艺腔体内部环境逐渐变得不稳定而造成工艺波动。结合图1所示，主要表现为在工艺腔体底部6副产物(氯离子7)不断堆集，对成膜工艺本身的重点参数-成膜厚度造成影响，导致底部位置产品硅片厚度慢慢降低，逐渐偏离目标值，严重时会造成厚度超出控制线，CPK(制程能力指数)降低等问题。在图1中随着副产物堆集，反应方程式向左偏移，即SiH2Cl2+2N2O→SiO2+2N2+2HCl向左偏移。图1中，标号1代表作业腔体，2代表作业腔体顶部位置，3代表作业腔体顶部和中间位置，4代表作业腔体中间位置，5代表作业腔体中间和底部位置。图1中箭头指示通入作业腔体里的工艺气体为SiH2Cl2和N2O。
现有的循环清洁程式是在高温环境下，通过多次抽真空方式带走工艺腔体内和晶舟上的颗粒来源，以改善工艺腔体内部环境的颗粒状况，无法针对性的解决副产物堆集对厚度的影响。
由于低压炉管HTO机台对应的成膜工艺，随着累积膜厚的增长不可避免的会在工艺腔体底部聚集副产物(氯离子)，受其影响会造成底部成膜厚度波动，造成产品硅片厚度逐渐偏离目标值。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种改善HTO厚度稳定性的方法，能够有效去除掉工艺腔体底部的副产物，保证机台成膜工艺的厚度稳定性。
为解决上述技术问题，本发明的改善HTO厚度稳定性的方法是采用如下技术方案实现的：
在炉管HTO机台正常的工艺过程中，在累积膜厚达到一定数值时，自动运行新的循环清洁程式，该循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式，在高压高温条件下，利用蒸汽压的不同将含氯副产物转化成气态带出，达到有效去除的效果；
所述高压为50torr，所述高温为780℃，所述低温为600℃；所述循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式是指，在780℃高温情况下反复抽真空清洁半个小时，然后将温度降低到600℃，压力回到50torr进行清洁。
本发明的方法采用一种新的循环清洁程式，在HTO机台累积膜厚达到一定数值时自动运行，在改善工艺腔体内部环境颗粒状况的同时，有效去除掉工艺腔体底部聚集的副产物(氯离子)，避免对成膜工艺造成影响，确保持续成膜工艺的厚度稳定性。这种新的循环清洁程式能够达到有效去除副产物的效果，从而确保持续成膜工艺的厚度稳定性。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是副产物影响产品厚度示意图；
图2是现有的循环清洁温度/压力工艺曲线图；
图3是改进后的循环清洁温度/压力工艺曲线图；
图4是副产物被有效去除，成膜工艺稳定进行示意图。
具体实施方式
所述改善HTO厚度稳定性的方法，是在低压炉管HTO机台累积膜厚达到一定数值时，例如，累积膜厚达到1μm～2μm，自动运行新的循环清洁程式以去除掉工艺腔体底部的副产物(氯离子)，减少甚至避免底部副产物对成膜厚度的影响，改善成膜工艺厚度稳定性，从而确保产品质量稳定。
如果按照所述改善HTO厚度稳定性的方法，可以有效地去除工艺腔体底部的副产物(氯离子)，避免其对成膜厚度的影响，最终达到改善成膜工艺厚度稳定性的目的。
所述改善HTO厚度稳定性的方法关键点在于提出一种新的循环清洁程式，通过增加一步高压(反应腔体里面的压力在50torr左右)高温(780℃)清洁来去除工艺腔体底部的副产物，在改善工艺腔体内部环境的颗粒问题的同时，避免其对成膜厚度的影响，确保成膜工艺的厚度稳定性，最终达到改善成膜工艺厚度稳定性的目的。
在实施所述改善HTO厚度稳定性的方法时可更改参数包括循环清洁的时间，压力、不同压力间切换的顺序等。
结合图3所示，具体实施时，可在780℃高温情况下反复抽真空清洁半个小时，然后将温度降低到600℃，压力回到50torr左右进行清洁。图3中，图3(a)为温度曲线，图3(b)为压力曲线。
副产物被有效去除，成膜工艺稳定进行的示意图可参见图4，它与图1相比的区别在于，采用新的循环清洁程式后作业腔体内不存在氯离子7残留，不会造成成膜工艺厚度波动。图2是现有的循环清洁温度/压力工艺曲线图。其中，图2(a)为温度曲线，图2(b)为压力曲线。
以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种改善HTO厚度稳定性的方法，其特征在于：在炉管HTO机台正常的工艺过程中，在累积膜厚达到一定数值时，自动运行新的循环清洁程式，该循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式，在高压高温条件下，利用蒸汽压的不同将含氯副产物转化成气态带出，达到有效去除的效果；
所述高压为50torr，所述高温为780℃，所述低温为600℃；所述循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式是指，在780℃高温情况下反复抽真空清洁半个小时，然后将温度降低到600℃，压力回到50torr进行清洁。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述累积膜厚达到一定数值是指膜厚达到1μm～2μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711419332.3A CN108165953B (zh) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 改善hto厚度稳定性的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711419332.3A CN108165953B (zh) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 改善hto厚度稳定性的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108165953A CN108165953A (zh) | 2018-06-15 |
| CN108165953B true CN108165953B (zh) | 2020-06-30 |
Family
ID=62520526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711419332.3A Active CN108165953B (zh) | 2017-12-25 | 2017-12-25 | 改善hto厚度稳定性的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108165953B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200402771A (en) * | 2002-05-08 | 2004-02-16 | Asml Us Inc | In-situ thermal chamber cleaning |
| TW200536947A (en) * | 2004-03-31 | 2005-11-16 | Tokyo Electron Ltd | A method for extending time between chamber cleaning process |
-
2017
- 2017-12-25 CN CN201711419332.3A patent/CN108165953B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200402771A (en) * | 2002-05-08 | 2004-02-16 | Asml Us Inc | In-situ thermal chamber cleaning |
| TW200536947A (en) * | 2004-03-31 | 2005-11-16 | Tokyo Electron Ltd | A method for extending time between chamber cleaning process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108165953A (zh) | 2018-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102097381B (zh) | Cmos晶体管应力记忆处理方法和cmos晶体管 | |
| CN103962353B (zh) | 等离子体刻蚀装置的腔体清洗方法 | |
| US20150050812A1 (en) | Wafer-less auto clean of processing chamber | |
| KR102058106B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| US20190382889A1 (en) | Technique to enable high temperature clean for rapid processing of wafers | |
| KR100806041B1 (ko) | 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 | |
| CN104867815A (zh) | 一种刻蚀反应腔体的清洁方法 | |
| CN108165953B (zh) | 改善hto厚度稳定性的方法 | |
| CN110752158A (zh) | 氧化镓材料表面缺陷修复方法 | |
| KR102507814B1 (ko) | 챔버 세정 종료점에 대한 인-시튜 식각률 결정 | |
| WO2012027187A1 (en) | Deposition chamber cleaning using in situ activation of molecular fluorine | |
| CN1506172A (zh) | 等离子体反应室的干式清洁方法 | |
| CN105448772A (zh) | 腔室维护后的恢复方法 | |
| KR20080062112A (ko) | 박막 증착 장비의 세정 방법 | |
| Qi et al. | A Technical Optimization of Waferless Auto Clean for Aluminum Etcher | |
| CN103972063B (zh) | 一种优化离子注入区域形貌的方法 | |
| KR102114039B1 (ko) | 증착 공정 가스와 클리닝 가스를 분리 처리하는 하이브리드 스크러버 및 상기 하이브리드 스크러버의 운용 시스템 | |
| CN102637586A (zh) | 金属栅极的形成方法 | |
| KR20190109210A (ko) | 증착 공정 및 클리닝 공정을 연동한 하이브리드 스크러버의 운용 방법 | |
| CN103426812B (zh) | 铝线条返工方法 | |
| KR102114042B1 (ko) | 가열 챔버와 건식 스크러버 챔버를 갖는 하이브리드 스크러버 및 상기 하이브리드 스크러버의 운용 방법 | |
| CN1967773B (zh) | 深沟道器件的刻蚀方法 | |
| KR20040006481A (ko) | 식각 및 증착장비의 항상성 개선방법 | |
| KR101402231B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| CN111360004B (zh) | 一种离子刻蚀机反应腔清洗方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |