KR102507814B1 - 챔버 세정 종료점에 대한 인-시튜 식각률 결정 - Google Patents

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압둘 아지즈 카하자
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Abstract

본원에서 설명되는 실시예들은 세정 종료점을 결정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 제1 플라즈마 세정 프로세스는 제1 기울기에 의해 정의되는 세정 시간 함수를 결정하기 위해 청정 챔버 환경(clean chamber environment)에서 수행될 수 있다. 제2 플라즈마 세정 프로세스는 제2 기울기에 의해 정의되는 세정 시간 함수를 결정하기 위해 비청정 챔버 환경(unclean chamber environment)에서 수행될 수 있다. 세정 종료점 시간을 결정하기 위해 제1 기울기와 제2 기울기가 비교될 수 있다.

Description

챔버 세정 종료점에 대한 인-시튜 식각률 결정
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 프로세싱 챔버 세정 종료점들을 결정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 실시예들은 챔버 세정 종료점 검출을 위한 인-시튜 식각률 결정(in-situ etch rate determination)들을 위한 방법들에 관한 것이다.
[0002] 세정 시간은 종종 반도체 제조 프로세스들 및 장비 생산성에서 중요한 팩터이다. 세정 시간은 일반적으로, 제조 장비의 피스를 세정하는 데 요구되는 시간량을 나타낸다. 세정 프로세스들은 종종 제조 장비의 유효 수명을 증가시키기 위해 주기적으로 수행된다. 세정 프로세스들은 또한, 제조 장비 내의 차선(sub-optimal)의 프로세싱 환경들의 결과로서 결함이 있는 마이크로디바이스들을 제조할 확률을 감소시킨다. 따라서, 장비 세정과 연관된 세정 시간은 입자 감소 및 스루풋 효율성에 비교적 큰 영향을 미친다.
[0003] 불충분한 세정 시간은 제조 장비 내에서의 반응 생성물들 및 부산물들의 원하지 않는 축적을 야기할 수 있으며, 이는 증가된 디바이스 결함 및 프로세스 드리프트(process drift)를 초래할 수 있다. 대안적으로, 과도한 세정 시간은 부식성 환경들에 대한 장기적인 노출을 초래할 수 있으며, 이는 제조 장비 컴포넌트들의 조기의 열화를 초래할 수 있다. 추가하여, 과도한 세정 시간은 일반적으로 스루풋에 부정적인 영향을 미친다.
[0004] 세정 시간을 결정하기 위한 현재의 종료점 검출 방법들은 일반적으로, 2 차 라디칼 또는 플라즈마 신호를 모니터링하는 것을 수반한다. 종래의 방법들은 종료점 결정을 위해 RGA(residual gas analysis), OES(optical emission spectroscopy), NDIR(non-dispersive infrared spectroscopy) 등의 사용을 포함한다. 그러나, 이들 방법들은 차선의 계측 조건들의 결과로서 부정확한 종료점 결정들을 제공할 수 있다. 예컨대, RGA에 대한 2 차 플라즈마 해리의 결여는 적절한 종료점들을 결정하는 것에 대한 부정확한 데이터를 초래할 수 있다. 다른 예에서, OES에 대한 검출 위치에서의 라디칼들/플라즈마의 결여는 종료점 데이터에 부정적으로 영향을 미칠 수 있다. 추가하여, 위에서 언급된 분석을 수행하기 위해 요구되는 기기들이 상당히 고비용일 수 있고, 종료점 검출을 수행하는 것이 바람직한 모든 타입들의 장비와 호환가능하지는 않을 수 있다.
[0005] 그러므로, 종료점 검출을 위한 개선된 방법들이 당해 기술분야에서 필요하다.
[0006] 일 실시예에서, 종료점 검출 방법이 제공된다. 방법은 청정 챔버 환경(clean chamber environment)에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계 및 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 제1 식각률들을 결정하는 단계를 포함한다. 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제1 기울기가 결정될 수 있고, 제1 기울기는 시간의 함수로써 제1 식각률들을 정의할 수 있다. 제2 플라즈마 세정 프로세스는 비청정 챔버 환경(unclean chamber environment)에서 수행될 수 있고, 제2 식각률들은 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 결정될 수 있다. 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제2 기울기가 결정될 수 있고, 제2 기울기는 시간의 함수로써 제2 식각률들을 정의할 수 있다. 세정 종료점 시간을 결정하기 위해 제1 기울기와 제2 기울기가 비교될 수 있다.
[0007] 다른 실시예에서, 종료점 검출 방법이 제공된다. 방법은 청정 챔버 환경에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계 및 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 제1 식각률들을 결정하는 단계를 포함한다. 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제1 기울기가 결정될 수 있고, 제1 기울기는 시간의 함수로써 제1 식각률들을 정의할 수 있다. 제2 플라즈마 세정 프로세스는 비청정 챔버 환경에서 수행될 수 있고, 제2 식각률들은 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 결정될 수 있다. 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제2 기울기가 결정될 수 있고, 제2 기울기는 시간의 함수로써 제2 식각률들을 정의할 수 있다. 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 종료점 시간 범위가 결정될 수 있고, 제1 기울기와 제2 기울기가 실질적으로 동일한 포인트에서 세정 종료점 시간을 결정하기 위해, 종료점 시간 범위 내에서 제1 기울기와 제2 기울기가 비교될 수 있다.
[0008] 또 다른 실시예에서, 종료점 검출 방법이 제공된다. 방법은 청정 챔버 환경에서 제1 세정 프로세스를 수행하는 단계 및 제1 세정 프로세스에 대한 제1 식각률을 결정하는 단계를 포함한다. 청정 챔버 환경에서 제2 세정 프로세스가 수행될 수 있고, 제2 세정 프로세스에 대한 제2 식각률이 결정될 수 있다. 제1 식각률 및 제2 식각률은 제1 기울기를 정의할 수 있다. 비청정 챔버 환경에서 제3 세정 프로세스가 수행될 수 있고, 제3 세정 프로세스의 제3 식각률이 결정될 수 있다. 비청정 챔버 환경에서 제4 세정 프로세스가 수행될 수 있고, 제4 세정 프로세스의 제4 식각률이 결정될 수 있다. 제3 식각률 및 제4 식각률은 제1 기울기의 대략 2% 이내의 기울기를 정의할 수 있다. 제1 기울기와 제2 기울기가 실질적으로 동일한 경우, 세정 종료점 시간이 결정될 수 있다.
[0009] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 세정 프로세스 종료점 시간을 결정하기 위한 방법의 동작들을 예시한다.
[0011] 도 2는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 청정 챔버 환경 및 비청정 챔버 환경에서 수행되는 플라즈마 프로세스들에 대한 세정 시간의 함수로써 식각률들을 도시하는 그래프를 예시한다.
[0012] 도 3은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 방법들의 실시예들이 구현될 수 있는 프로세싱 시스템을 개략적으로 예시한다.
[0013] 도 4는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 세정 프로세스 종료점 시간을 결정하기 위한 방법의 동작들을 예시한다.
[0014] 도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 비청정 챔버 환경에서 수행되는 플라즈마 프로세스들에 대한 증착 시간 또는 증착 두께의 함수로써 식각률을 도시하는 그래프를 예시한다.
[0015] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처(feature)들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0016] 본원에서 설명되는 실시예들은 세정 종료점을 결정하기 위한 방법들에 관한 것이다. 제1 플라즈마 세정 프로세스는 제1 기울기에 의해 정의되는 세정 시간 함수를 결정하기 위해 청정 챔버 환경에서 수행될 수 있다. 제2 플라즈마 세정 프로세스는 제2 기울기에 의해 정의되는 세정 시간 함수를 결정하기 위해 비청정 챔버 환경에서 수행될 수 있다. 세정 종료점 시간을 결정하기 위해 제1 기울기와 제2 기울기가 비교될 수 있다.
[0017] 도 1은 세정 프로세스 종료점 시간을 결정하기 위한 방법(100)의 동작들을 예시한다. 동작(110)에서, 제1 플라즈마 세정 프로세스가 청정 챔버 환경에서 수행될 수 있다. 본원에서 설명되는 청정 챔버 환경은 챔버의 프로세싱 볼륨 내의 다양한 컴포넌트들 상에 실질적으로 재료 증착이 없는 챔버 환경이다. 플라즈마 세정 프로세스는 인-시튜 생성되는 플라즈마를 활용할 수 있거나 또는 플라즈마가 원거리에 생성될 수 있다. 유도성 커플링, 용량성 커플링, 또는 열적 플라즈마 생성 기법들과 같은 적절한 플라즈마 생성 기법들이 세정 플라즈마를 형성하는 데 활용될 수 있다.
[0018] 세정 플라즈마를 형성하기 위해 다양한 세정 케미스트리들이 활용될 수 있다. 세정 플라즈마를 형성하는 데 적절한 전구체 재료들은 불소 함유 재료들, 염소 함유 재료들, 산소 함유 재료들 등을 포함한다. 챔버 환경에 증착된 재료들과 반응하도록 세정 플라즈마 케미스트리가 선택될 수 있다는 것이 고려된다. 일 실시예에서, NF3으로부터 형성된 불소 라디칼들이 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안 활용될 수 있다. 동작(110)은 일반적으로, 동작(140)의 플라즈마 세정 프로세스와 같은 플라즈마 세정 프로세스의 후속 비교를 위한 베이스라인 레퍼런스를 정의하기 위해 수행된다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 베이스라인 레퍼런스는 열적으로 불안정할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
[0019] 도 2는 청정 챔버 환경 및 비청정 챔버 환경에서 수행되는 플라즈마 프로세스들에 대한 세정 시간의 함수로써 식각률들을 도시하는 그래프(200)를 예시한다. 곡선(202)은 청정 챔버 환경에서의 시간의 함수로써 식각률을 나타내고, 곡선(204)은 비청정 챔버 환경에서의 시간의 함수로써 식각률을 나타낸다. 예시된 바와 같이, 곡선(202)의 기울기는 시간에 따라 약간 증가하며, 그 증가는 청정 챔버 환경 내에서의 증가된 온도들의 결과로서 세정 라디칼들의 재결합보다는 청정 챔버 환경 내에서의 프로세싱 챔버 컴포넌트 온도의 증가로 인한 것일 수 있다고 여겨진다.
[0020] 도 1을 다시 참조하면, 방법(100)은, 동작(120)에서 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들(206, 208)(도 2 참조)에서 제1 식각률들을 결정함으로써 계속된다. 2개의 시간 인터벌들이 설명되지만, 제1 식각률들을 조사하기 위해 더 많은 시간 인터벌들이 선택될 수 있다는 것이 고려된다. 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들(206, 208)은 세정 종료점 범위(210)를 정의할 수 있다. 제1 식각률들은 특정 시간량 내에 제거된 재료의 양(예컨대 Å/second)을 나타낸다. 도 2에 예시된 바와 같이, 제1 식각률들은 제1 시간 인터벌(206) 및 제2 시간 인터벌(208)에서 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 식각률은 제1 시간 인터벌(206)에 대응할 수 있고, 제2 식각률은 제2 시간 인터벌(208)에 대응할 수 있다. 제1 식각률은 1 차 제1 플라즈마 세정 프로세스에서 결정될 수 있고, 제2 식각률은 2 차 제1 플라즈마 세정 프로세스에서 결정될 수 있다.
[0021] 동작(130)에서, 2개 또는 그 초과의 인터벌들(206, 208)에 의해 정의된 곡선(202)의 제1 기울기가 결정될 수 있다. 제1 기울기는, 세정 종료점 범위(210) 내에서 곡선(202) 상의 포인트를 선택함으로써 결정될 수 있고, 제1 기울기는 선택된 포인트에서의 접선(tangent line)일 수 있다. 따라서, 제1 기울기는 일반적으로, 시간의 함수로써 청정 챔버 환경의 제1 식각률들을 정의한다.
[0022] 동작(140)에서, 제2 플라즈마 세정 프로세스가 비청정 챔버 환경에서 수행될 수 있다. 비청정 챔버 환경은, 비청정 챔버 환경 내의 다양한 컴포넌트들 상에 재료 증착(material deposit)들이 존재한다는 점에서 청정 챔버 환경과 상이하다. 일 실시예에서, 제2 플라즈마 세정 프로세스는 제1 플라즈마 세정 프로세스와 유사할 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 플라즈마 세정 프로세스들 둘 모두에서 동일한 또는 유사한 케미스트리들 및 프로세싱 조건들이 활용될 수 있다.
[0023] 동작(150)에서, 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들(206, 208)에서의 제2 식각률들이 결정될 수 있다. 곡선(204)은 비청정 챔버 환경에서의 시간의 함수로써 제2 식각률들을 나타낸다. 일반적으로, 동작(120) 동안 활용되는 시간 인터벌들은 동작(150) 동안 활용되는 시간 인터벌들과 동일하다. 제1 식각률들과 유사하게, 제2 식각률들은 특정 시간량 내에 제거된 재료의 양(예컨대 Å/second)을 나타낸다. 위에서 설명된 바와 같이, 제2 식각률들은 제1 시간 인터벌(206) 및 제2 시간 인터벌(208)에서 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 식각률들은 열적 산화물 식각률을 나타낸다.
[0024] 일 실시예에서, 제3 식각률은 제1 시간 인터벌(206)에 대응할 수 있고, 제4 식각률은 제2 시간 인터벌(208)에 대응할 수 있다. 제3 식각률은 1 차 제2 플라즈마 세정 프로세스(즉, 제3 플라즈마 세정 프로세스)에서 결정될 수 있고, 제2 식각률은 2 차 제2 플라즈마 세정 프로세스(즉, 제4 플라즈마 세정 프로세스)에서 결정될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 식각률들(즉, 제3 및 제4 식각률들)은 광학 계측 장비, 예컨대 타원계 등과 같은 적절한 계측 장비에 의해 결정될 수 있다.
[0025] 동작(160)에서, 2개 또는 그 초과의 인터벌들(206, 208)에 의해 정의된 제2 기울기가 곡선(204)에 대해 결정될 수 있다. 동작(130)에서의 제1 기울기 결정과 유사하게, 제2 기울기는, 세정 종료점 범위(210) 내에서 곡선(204) 상의 포인트를 선택함으로써 결정될 수 있고, 제2 기울기는 선택된 포인트에서의 접선일 수 있다. 따라서, 제2 기울기는 일반적으로, 시간의 함수로써 비청정 챔버 환경의 제2 식각률들을 정의한다.
[0026] 제2 곡선(204)은 제1 곡선(202)과 점근적 관계를 가질 수 있다는 것이 주목되어야 한다. 세정 종료점 범위(210) 내에서의 제1 곡선(202)과 제2 곡선(204) 사이의 델타(212)는 제1 곡선(202)의 열적 불안정성에 의해 야기되는 것으로 여겨진다.
[0027] 동작(170)에서, 세정 종료점 시간을 결정하기 위해 제1 기울기와 제2 기울기가 비교될 수 있다. 일반적으로, 제1 기울기 및 제2 기울기는 대략 5% 미만만큼, 이를테면, 대략 2% 이내로 상이할 수 있다. 세정 종료점 범위(210) 내에서의 세정 종료점 시간은, 제1 기울기와 제2 기울기가 실질적으로 동일할 때 결정될 수 있다. 본원에서 활용되는 바와 같은 실질적으로 동일한 기울기들은, 제1 기울기와 제2 기울기가 대략 2% 이하만큼 상이하다는 것을 나타낸다.
[0028] 선택적으로, 세정 시간 종료점을 결정한 후에, 완전한 세정을 보장하기 위해 추가의 세정 시간량이 세정 시간 종료점에 추가될 수 있다. 일 실시예에서, 추가의 세정 시간량은 총 세정 시간의 대략 5% 미만일 수 있다.
[0029] 도 3은 방법(100)의 실시예들이 구현될 수 있는 프로세싱 시스템(300)을 개략적으로 예시한다. 본원에서 설명되는 방법(100)이, 종래의 종료점 검출 프로세스들과 연관된 외부 장비를 활용하지 않으면서 유리한 인-시튜 세정 종료점 결정을 제공한다는 것이 고려된다. 프로세싱 시스템(300)은 제1 프로세싱 챔버(306) 및 제2 프로세싱 챔버(308)에 각각 커플링되는 제1 원격 플라즈마 소스(302) 및 제2 원격 플라즈마 소스(304)를 포함한다. 제1 및 제2 프로세싱 챔버(306, 308)는 일반적으로, 세정 프로세스들을 수행한 후에 포어라인(310)을 통해 배기된다.
[0030] 도 4는 세정 프로세스 종료점 시간을 결정하기 위한 방법(400)의 동작들을 예시한다. 동작(410)에서, 플라즈마 세정 프로세스가 비청정 챔버 환경에서 수행될 수 있다. 세정 프로세스는 특정 실시예들에서 동작(140)과 관련하여 설명된 프로세스와 유사할 수 있다. 동작(420)에서, 식각률 데이터를 생성하기 위해 증착 시간 또는 증착 두께의 함수로써 식각률이 결정될 수 있다. 동작(430)에서, 세정 종료점을 표시하는 그래프 상에 플로팅된 데이터의 기울기의 변화 또는 변곡점을 결정하기 위해 식각률 데이터가 분석될 수 있다. 따라서, 식각률 데이터는, 프로세싱 챔버 또는 프로세싱 챔버 컴포넌트들을 충분히 세정하기 위해 세정 프로세스가 수행될 수 있는 시간량 및/또는 세정 종료점을 결정하는 데 활용될 수 있다.
[0031] 도 5는 비청정 챔버 환경에서 수행되는 플라즈마 프로세스들에 대한 증착 시간 또는 증착 두께의 함수로써 식각률을 도시하는 그래프(500)를 예시한다. 그래프(500)는 증착 시간 또는 증착 두께의 함수로써 식각률의 데이터(501)를 도시한다. 데이터(501)는 프로세싱 챔버 환경으로부터 재료를 능동적으로 제거하는 식각률을 나타내는 제1 기울기(502)를 포함한다. 데이터(501)는 또한, 어떠한 재료도 능동적으로 제거되지 않거나 또는 증가된 레이트로 제거되는 경우의 식각률을 나타내는 제2 기울기(506)를 포함한다. 제2 기울기(506)는 청정 챔버 환경들과 연관된 식각률을 표시하는 것으로 여겨진다.
[0032] 데이터(501)의 변곡점(504)은 기울기들(502, 506)이 상이한, 제1 기울기(502)와 제2 기울기(506) 사이의 포인트에 존재한다. 변곡점(504)은, 챔버 환경이 충분히 세정되지만 과도하게 세정되지 않는 세정 종료점을 결정하는 데 활용될 수 있다. 방법(100)과 유사하게, 변곡점(504)의 분석을 통해 세정 시간 종료점을 결정한 후에, 완전한 세정을 보장하기 위해 추가의 세정 시간량이 세정 시간 종료점에 추가될 수 있다. 일 실시예에서, 추가의 세정 시간량은 총 세정 시간의 대략 5% 미만일 수 있다.
[0033] 종래의 종료점 검출 방법들은 일반적으로 포어라인(310)에서의 배출물을 분석한다. 그러나, 각각의 챔버(306, 308) 내에서의 세정 식각률들은 상이할 수 있으며, 다수의 챔버들로부터의 단일 배출물 스트림을 모니터링한 결과로서 결함이 있는 종료점이 표시될 수 있다. 본원에서 설명되는 방법들은 챔버들(306, 308) 각각에 적용될 수 있으며, 각각의 개별 챔버에 대한 개별화된 종료점 검출의 결과로서 종료점 검출이 개선될 수 있다는 것이 고려된다. 예컨대, 본원에서 설명되는 방법들은 Applied Materials, Inc., Santa Clara, CA로부터 입수가능한 PRODUCER® 시스템과 같은 다양한 단일 또는 다중 챔버 아키텍처들 상에서 구현될 수 있다.
[0034] 요약하면, 인-시튜 종료점 검출은, 청정 챔버 환경에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하고 비청정 챔버 환경에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행함으로써, 결정될 수 있다. 제1 및 제2 플라즈마 세정 프로세스들에 대한 세정 시간 함수들이 유도될 수 있고, 적절한 세정 종료점을 결정하기 위해 함수들의 기울기들이 비교될 수 있다. 종료점 검출은 또한, 청정 챔버 환경을 표시하는 식각률 데이터의 변곡점을 분석함으로써 결정될 수 있다. 본원에서 설명되는 방법들을 활용하는 것은 과도한 세정으로 인한 챔버 컴포넌트들에 대한 손상을 방지하면서 세정 종료점 시간 정확도를 개선하고 스루풋을 개선할 수 있다는 것이 고려된다.
[0035] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 종료점 검출 방법으로서,
    청정 챔버 환경(clean chamber environment)에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 제1 식각률들을 결정하는 단계;
    상기 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제1 기울기를 결정하는 단계 ― 상기 제1 기울기는 시간의 함수로써 상기 제1 식각률들을 정의함 ―;
    비청정 챔버 환경(unclean chamber environment)에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 제2 식각률들을 결정하는 단계;
    상기 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제2 기울기를 결정하는 단계 ― 상기 제2 기울기는 시간의 함수로써 상기 제2 식각률들을 정의함 ―; 및
    세정 종료점 시간을 결정하기 위해 상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기를 비교하는 단계를 포함하는,
    종료점 검출 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 청정 챔버 환경에는 재료 증착(material deposit)들이 없는,
    종료점 검출 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 및 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스는 불소계 케미스트리, 염소계 케미스트리, 산소계 케미스트리, 또는 이들의 조합들 및 혼합물들을 활용하는,
    종료점 검출 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2개 또는 그 초과의 인터벌들 및 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2개 또는 그 초과의 인터벌들은 동일한,
    종료점 검출 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들은 종료점 시간 범위를 정의하는,
    종료점 검출 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 종료점 시간 범위는 상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기를 비교함으로써 결정되는,
    종료점 검출 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 종료점 시간 범위 내에서 상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기가 동일한 포인트에서 상기 세정 종료점 시간을 결정하는 단계를 더 포함하는,
    종료점 검출 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 세정 종료점 시간을 결정한 후에, 총 세정 시간의 5% 미만의 세정 시간량을 상기 세정 종료점 시간에 추가하는 단계를 더 포함하는,
    종료점 검출 방법.
  9. 종료점 검출 방법으로서,
    청정 챔버 환경에서 제1 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 제1 식각률들을 결정하는 단계;
    상기 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제1 기울기를 결정하는 단계 ― 상기 제1 기울기는 시간의 함수로써 상기 제1 식각률들을 정의함 ―;
    비청정 챔버 환경에서 제2 플라즈마 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제2 플라즈마 세정 프로세스 동안 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에서 제2 식각률들을 결정하는 단계;
    상기 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 제2 기울기를 결정하는 단계 ― 상기 제2 기울기는 시간의 함수로써 상기 제2 식각률들을 정의함 ―;
    상기 2개 또는 그 초과의 시간 인터벌들에 의해 정의된 종료점 시간 범위를 결정하는 단계; 및
    상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기가 동일한 포인트에서 세정 종료점 시간을 결정하기 위해, 상기 종료점 시간 범위 내에서 상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기를 비교하는 단계를 포함하는,
    종료점 검출 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2개 또는 그 초과의 인터벌들 및 상기 제2 플라즈마 세정 프로세스에 대한 2개 또는 그 초과의 인터벌들은 동일한,
    종료점 검출 방법.
  11. 종료점 검출 방법으로서,
    청정 챔버 환경에서 제1 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제1 세정 프로세스에 대한 제1 식각률을 결정하는 단계;
    상기 청정 챔버 환경에서 제2 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제2 세정 프로세스에 대한 제2 식각률을 결정하는 단계 ― 상기 제1 식각률 및 상기 제2 식각률은 제1 기울기를 정의함 ―;
    비청정 챔버 환경에서 제3 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제3 세정 프로세스의 제3 식각률을 결정하는 단계;
    상기 비청정 챔버 환경에서 제4 세정 프로세스를 수행하는 단계;
    상기 제4 세정 프로세스의 제4 식각률을 결정하는 단계 ― 상기 제3 식각률 및 상기 제4 식각률은 상기 제1 기울기의 2% 내에서 제2 기울기를 정의함 ―; 및
    상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기가 동일한 세정 종료점 시간을 결정하는 단계를 포함하는,
    종료점 검출 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 기울기는 열적으로 불안정한,
    종료점 검출 방법.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 세정 프로세스, 상기 제2 세정 프로세스, 상기 제3 세정 프로세스, 및 상기 제4 세정 프로세스는 불소계 케미스트리, 염소계 케미스트리, 산소계 케미스트리, 또는 이들의 조합들 및 혼합물들을 활용하는,
    종료점 검출 방법.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기가 동일한 인터벌에 걸쳐 상기 제1 기울기와 상기 제2 기울기를 비교함으로써 종료점 시간 범위를 결정하는 단계를 더 포함하는,
    종료점 검출 방법.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 세정 종료점 시간을 결정한 후에, 총 세정 시간의 5% 미만의 세정 시간량을 상기 세정 종료점 시간에 추가하는 단계를 더 포함하는,
    종료점 검출 방법.
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