JP2007531304A5 - - Google Patents

Description

図６Ａ〜図６Ｃは、本発明の一形態によるチャンバー部品の断面を図表的に示している。図６Ａは、チャンバー部品６００上に形成されたパーティクル抑制膜６０２上に形成された新しい蒸着材料６０４を示している。図６Ｂは、蒸着材料６０４の上に形成され、蒸着材料６０４の中の膜応力を緩和し、クラック６０６ａ〜６０６ｃをシールする、第２のパーティクル抑制膜６０８を示している。選択的に、第２のパーティクル抑制膜６０８は、蒸着材料６０４が臨界厚みに達し、クラック６０６ａ〜６０６ｃが形成される前に形成されても良い。第２のパーティクル抑制膜６０８の形成に続いて、基板の処理はチャンバー洗浄工程を行わない処理チャンバーの中で続けられても良い。図６Ｃはさらに基板が処理された後に、第２のパーティクル抑制膜６０８の上に形成された第２の新しい蒸着材料６１０を示している。第２のパーティクル抑制膜６０８は、その下層の蒸着材料６０４からのパーティクル形成、及び第２の新しい蒸着材料６１０からのパーティクル形成を抑制する。パーティクル抑制膜は、チャンバー部品の上に、それぞれの製造工程の後、または選択的に、複数の製造工程の後の選択された合間に形成されることができる。

Claims (33)

1. 処理システムの処理チャンバーのためのチャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法であって、
   処理チャンバーの中に１つ以上の第１の基板を導入するステップと、
   前記処理チャンバーの中で前記１つ以上の第１の基板上に第１の製造工程を実施するステップであって、第１の膜状堆積物が前記処理チャンバー内のチャンバー部品上に形成されるステップと、
   前記１つ以上の第１の基板を前記処理チャンバーから取り出すステップと、
   前記処理チャンバー内の前記チャンバー部品を反応ガスに暴露し、パーティクル抑制膜を形成するステップであって、前記パーティクル抑制膜は、前記チャンバー部品上に存在している第１の膜状堆積物の上に形成された酸化膜又は酸化窒化膜、又は前記チャンバー部品上に存在している第１の膜状堆積物の少なくとも一部から形成された窒化膜、酸化膜または酸化窒化膜であるステップと、
   前記処理チャンバー内に１つ以上の第２の基板を導入するステップと、
   前記処理チャンバー内で前記１つ以上の第２の基板上に第２の製造工程を実行するステップであって、新しい膜状堆積物が前記パーティクル抑制膜の上に形成され、前記パーティクル抑制膜は、前記１つ以上の第２の基板の処理の間に、前記処理チャンバーの中における、前記第１の膜状堆積物又は前記新しい膜状堆積物のうちの一方もしくは両方からのパーティクル形成を抑制するステップと、
   前記処理チャンバーから前記１つ以上の第２の基板を取り出すステップと、
   を備えていることを特徴とする方法。
2. 前記チャンバー部品は、処理チューブ、壁部、ガス供給ライン、マニホールド、又は基板支持部材、もしくはこれらのうちの二以上の組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記パーティクル抑制膜は、酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記パーティクル抑制膜は、ＳｉＯ _２ 膜であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記ＳｉＯ _２ 膜は、前記チャンバー部品を、酸素を含有するガスと珪素を含有するガスとに暴露することによって堆積されていることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
6. 前記酸素を含有するガスは、０ _２ 、０ _３ 、ＮＯ、Ｎ _２ ０、及びＮ０ _２ からなるグループから選択された少なくとも一のガスを含有し、前記珪素を含有するガスは、ＳｉＨ _４ 、Ｓｉ _２ Ｈ _６ 、Ｓｉ _２ Ｃｌ _６ 、ＳｉＨ _２ ＣＩ _２ 、ＳｉＨＣ１ _３ 、ＳｉＨ _３ Ｃｌ、ＳｉＨ _２ （ＮＨＢｕｔ） _２ 、及びＳｉ（ＯＣ _２ Ｈ _５ ） _４ からなるグループから選択された少なくとも一のガスを含有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
7. 前記ＳｉＯ _２ 膜は、前記チャンバー部品をＳｉ（ＯＣ _２ Ｈ _５ ） _４ を含有するガスに暴露することによって堆積されていることを特徴とする請求項４に記載の方法。
8. 前記反応ガスは、Ｈ _２ ０、０ _２ 、０ _３ 、Ｎ _２ 、ＮＯ、Ｎ _２ ０、Ｎ０ _２ 、及びＮＨ _３ からなるグループから選択された少なくとも一のガスを含有し、前記第１の膜状堆積物の少なくとも一部から化学的に転換させることによって窒化膜、酸化膜又は酸化窒化膜を形成し、前記第１の膜状堆積物の膜応力を減少させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 前記チャンバー部品の温度を第１の温度から第２の温度へ昇温するステップ及び前記チャンバー部品を前記第２の温度で反応ガスに暴露するステップと、
   前記１つ以上の第２の基板を導入する前に、前記チャンバー部品の温度を前記第１の温度まで下げるステップと、
   をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
10. 前記暴露は、約１０ミリトール〜約１００トールの処理チャンバー圧力で行われることを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 前記暴露は、前記１つ以上の第２の基板を導入する前に、前記処理チャンバーをパージし、排気するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
12. 前記暴露、前記パージ、及び前記排気のステップは、少なくとも一度繰り返されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 前記第１の温度は、約４００℃〜約８００℃にあることを特徴とする請求項９に記載の方法。
14. 前記第２の温度は、前記第１の温度より、約１００℃〜約３００℃高いことを特徴とする請求項９に記載の方法。
15. 前記チャンバー部品の温度が前記第１の温度まで復帰する前に、前記チャンバー部品の温度を前記第２の温度から前記第１の温度より低い温度まで下げるステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
16. 前記第１及び第２の製造工程の実施は、ＳｉＮの製造工程の実施を含み、前記第１の膜状堆積物及び新しい膜状堆積物は、ＳｉＮであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
17. 前記第１及び第２の製造工程の実施は、さらに前記処理チャンバー圧力を約１００トール以下にするステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
18. 前記第１及び第２の製造工程の実施は、さらに前記処理チャンバー圧力を約１トール以下にするステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
19. 前記暴露するステップ、前記１つ以上の第２の基板を導入するステップ、前記第２の製造工程を実施するステップ、及び前記１つ以上の第２の基板を取り出すステップからなる一連のステップを、少なくとも一回繰り返すステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
20. 前記１つ以上の第２の基板を導入するステップ、前記第２の製造工程を実施するステップ、及び前記１つ以上の第２の基板を取り出すステップからなる一連のステップを、少なくとも一回、前記処理チャンバー内のパーティクルレベルが前もって決められたレベルを超えるまで繰り返すステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
21. 前記第２の製造工程を実施するステップは、前記処理チャンバー内でＳｉＮ製造処理を実施するステップであって、前記新しい膜状堆積物は前記ＳｉＯ _２ 膜の上に形成されたＳｉＮ蒸着材料であり、前記ＳｉＯ _２ 膜は、基板処理の間に、前記処理チャンバーの中において、前記第１の膜状堆積物又は前記ＳｉＮ堆積物のうちの一方、もしくは両方からのパーティクル形成を抑制する、ステップを備えていることを特徴とする請求項５に記載の方法。
22. 前記ＳｉＮ製造工程は、前記１つ以上の第２の基板を有機シランベースの前躯体及び窒素を含有するガスに暴露し、前記１つ以上の第２の基板上にＳｉＮを堆積させるステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
23. 前記ＳｉＮ製造工程は、前記１つ以上の第２の基板をビスターシャリーブチルアミノシラン前躯体にアンモニアガスの存在下で暴露し、前記１つ以上の第２の基板上にＳｉＮを堆積させるステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
24. 前記第２の製造工程を実施するステップは、前記処理チャンバー内でＳｉＮ製造工程を実施するステップであって、新しい膜状の堆積物は、パーティクル抑制膜上に形成されたＳｉＮ堆積物である、ステップを備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
25. 前記ＳｉＮ製造工程は、前記１つ以上の第２の基板を有機シランベースの前躯体及び窒素を含有するガスに暴露し、前記１つ以上の第２の基板上にＳｉＮを堆積させるステップを含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
26. 前記ＳｉＮ製造工程は、前記１つ以上の第２の基板をビスターシャリーブチルアミノシラン前躯体にアンモニアガスの存在下で暴露し、前記１つ以上の第２の基板上にＳｉＮを堆積させるステップを含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
27. 処理システムの処理チャンバーのためのチャンバー洗浄工程間の時間を延長する方法であって、
    前記処理チャンバーの中に１つ以上の第１の基板を導入し、前記処理チャンバー内のチャンバー部品を第１の温度まで加熱するステップと、
    前記処理チャンバーの中で前記１つ以上の第１の基板上に前記第１の温度で第１の製造工程を実施するステップであって、第１の膜状堆積物が前記処理チャンバー内のチャンバー部品上に形成されるステップと、
    前記１つ以上の第１の基板を前記処理チャンバーから取り出すステップと、
    前記処理チャンバー内の前記チャンバー部品の温度を前記第１の温度より高い第２の温度まで昇温するステップと、
    前記処理チャンバー内の前記チャンバー部品上の前記第１の膜状堆積物を前記第２の温度で反応ガスに暴露するステップであって、前記反応ガスはＨ _２ ０、０ _２ 、０ _３ 、Ｎ _２ 、ＮＯ、Ｎ _２ ０、Ｎ０ _２ 、及び ＮＨ _３ のうちの少なくとも１つを含有し、前記第１の膜状堆積物の少なくとも一部を化学的に転換し、前記チャンバー部品上に窒化膜、酸化膜、または酸化窒化膜のパーティクル抑制膜を形成する、ステップと、
    前記処理チャンバー内の前記チャンバー部品を前記第１の温度まで下げるステップと、
    前記処理チャンバーの中に１つ以上の第２の基板を導入するステップと、
    前記処理チャンバー内の前記１つ以上の第２の基板上に前記第１の温度で製造工程を実行するステップであって、新しい膜状堆積物が前記パーティクル抑制膜の上に形成され、前記パーティクル抑制膜は、前記１つ以上の第２の基板の処理の間に、前記処理チャンバーの中における、前記第１の膜状堆積物又は前記新しい膜状堆積物のうちの一方、もしくは両方からのパーティクル形成を抑制するステップと、
    前記処理チャンバーから前記１つ以上の第２の基板を取り出すステップと、
    を備えていることを特徴とする方法。
28. 前記チャンバー部品は、処理チューブ、壁部、ガス供給ライン、マニホールド、又は基板支持部材、若しくはこれらのうちの二以上の組み合わせであることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
29. 前記第１の温度は、約４００℃〜約８００℃にあることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
30. 前記第２の温度は、前記第１の温度より約１００℃〜約３００℃高いことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
31. 前記チャンバー部品を前記第１の温度まで下げるステップは、前記チャンバー部品を前記第２の温度から前記第１の温度より低い第３の温度まで下げ、次いで前記チャンバー部品の温度を前記第１の温度へ戻すステップを含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。
32. 前記第１及び第２の製造工程を実施するステップはＳｉＮ製造工程を実施するステップであって、前記第１の膜状堆積物及び前記新しい膜状堆積物がＳｉＮである、ステップを備えることを特徴とする請求項２７に記載の方法。
33. 前記１つ以上の第２の基板を導入するステップ、前記第２の製造工程を実施するステップ、及び前記１つ以上の第２の基板を取り出すステップを、少なくとも一回、前記処理チャンバー内のパーティクルレベルが前もって決められたレベルを超えるまで繰り返すステップをさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載の方法。