JP5807511B2 - 成膜装置及びその運用方法 - Google Patents
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Description
処理容器内で保持手段に保持された複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に処理容器内に付着した不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜を形成するようにしたので、処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができると共に、カーボン膜に対するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させることができる。
また、シリコン膜やシリコン窒化膜よりなる上記耐性プリコート膜70を除去するためには、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング処理を行ったり、又は例えばHF(フッ化水素)系溶液を用いたウエットエッチング処理を行なうようにすればよい。
ここで本発明方法で形成した耐性プリコート膜に関する実験を行ったので、その評価結果について説明する。図4は耐性プリコート膜に関する実験の結果を示す図面代用写真である。ここでは石英製(SiO2 )の母材である石英ベースの表面に、耐性プリコート膜70としてシリコン膜(多結晶状態)を形成した試料1と、耐性プリコート膜70としてシリコン窒化膜を形成した試料2と、耐性プリコート膜70を全く形成しない試料3とを用意し、各試料1〜3の表面にカーボン膜(アモルファス状態)を形成し、このカーボン膜の表面に粘着テープを貼り付けて、この粘着テープを引き剥がした。
4 内筒
6 外筒
8 処理容器
12 加熱手段
22 ウエハボート(保持手段)
40 ガス導入手段
42 耐性プリコート膜用ガス供給系
44 カーボン膜用ガス供給系
46 クリーニングガス供給系
60 制御手段
70 耐性プリコート膜
72 プリコート膜
74 カーボン膜
S 処理空間
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (7)
- 処理容器内で保持手段に保持された複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に前記処理容器内に付着した不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、
前記成膜工程に先立って、前記処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させ且つ前記クリーニングガスに対して耐性を有するようなシリコン窒化膜よりなる耐性プリコート膜を形成する耐性プリコート膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする成膜装置の運用方法。 - 前記クリーニングガスは、酸素又はオゾン或いは両者の混合ガスよりなることを特徴とする請求項1記載の成膜装置の運用方法。
- 前記耐性プリコート膜の厚さは、10〜300nmの範囲内であることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜装置の運用方法。
- 前記耐性プリコート膜形成工程は、前記被処理体を保持しない空状態の前記保持手段を前記処理容器内へ収容した状態で行うようにしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
- 前記耐性プリコート膜形成工程と前記成膜工程との間に、前記被処理体を保持しない空状態の前記保持手段を前記処理容器内へ収容した状態で前記処理容器内に前記カーボン膜の原料ガスを流すことにより前記耐性プリコート膜上にプリコート膜を形成するようにしたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
- 前記成膜工程を、1回又は複数回行った後に、前記クリーニング工程を行うようにしたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
- 複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜すると共に付着した不要なカーボン膜を除去するためにクリーニング処理を行なうようにした成膜装置において、
排気が可能になされた縦型の処理容器と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記複数の被処理体を保持して前記処理容器内へロード及びアンロードされる保持手段と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法を実施するように装置全体を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
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JP2007224383A (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Ltd | アモルファスカーボン膜の成膜方法、それを用いた半導体装置の製造方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4476232B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-06-09 | 三菱重工業株式会社 | 成膜装置のシーズニング方法 |
US20090093128A1 (en) | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Martin Jay Seamons | Methods for high temperature deposition of an amorphous carbon layer |
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JP5202372B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置のメタル汚染低減方法、半導体装置の製造方法、記憶媒体及び成膜装置 |
US20100075488A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Applied Materials, Inc. | Cvd reactor with multiple processing levels and dual-axis motorized lift mechanism |
TW201044462A (en) * | 2009-01-22 | 2010-12-16 | Tokyo Electron Ltd | A method for manufacturing semiconductor devices |
JP2010205854A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4943536B2 (ja) * | 2009-10-30 | 2012-05-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
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