JP2013093526A - 成膜装置及びその運用方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 121
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 105
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 105
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 98
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 264
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 98
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 17
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-silylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N([SiH3])C(C)C BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N ac1l3fa4 Chemical compound [SiH3]N([SiH3])[SiH3] VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
【解決手段】処理容器2内で保持手段22に保持された被処理体Wの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜74の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜70を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。
【選択図】 図2
Description
処理容器内で保持手段に保持された複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に処理容器内に付着した不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜を形成するようにしたので、処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができると共に、カーボン膜に対するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させることができる。
また、シリコン膜やシリコン窒化膜よりなる上記耐性プリコート膜70を除去するためには、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチング処理を行ったり、又は例えばHF(フッ化水素)系溶液を用いたウエットエッチング処理を行なうようにすればよい。
ここで本発明方法で形成した耐性プリコート膜に関する実験を行ったので、その評価結果について説明する。図4は耐性プリコート膜に関する実験の結果を示す図面代用写真である。ここでは石英製(SiO2 )の母材である石英ベースの表面に、耐性プリコート膜70としてシリコン膜(多結晶状態)を形成した試料1と、耐性プリコート膜70としてシリコン窒化膜を形成した試料2と、耐性プリコート膜70を全く形成しない試料3とを用意し、各試料1〜3の表面にカーボン膜(アモルファス状態)を形成し、このカーボン膜の表面に粘着テープを貼り付けて、この粘着テープを引き剥がした。
4 内筒
6 外筒
8 処理容器
12 加熱手段
22 ウエハボート(保持手段)
40 ガス導入手段
42 耐性プリコート膜用ガス供給系
44 カーボン膜用ガス供給系
46 クリーニングガス供給系
60 制御手段
70 耐性プリコート膜
72 プリコート膜
74 カーボン膜
S 処理空間
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (7)
- 処理容器内で保持手段に保持された複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に前記処理容器内に付着した不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、
前記成膜工程に先立って、前記処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させ且つ前記クリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜を形成する耐性プリコート膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする成膜装置の運用方法。 - 前記耐性プリコート膜は、シリコン窒化膜又はシリコン膜よりなることを特徴とする請求項1記載の成膜装置の運用方法。
- 前記耐性プリコート膜の厚さは、10〜300nmの範囲内であることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜装置の運用方法。
- 前記耐性プリコート膜形成工程は、前記被処理体を保持しない空状態の前記保持手段を前記処理容器内へ収容した状態で行うようにしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
- 前記耐性プリコート膜形成工程と前記成膜工程との間に、前記被処理体を保持しない空状態の前記保持手段を前記処理容器内へ収容した状態で前記処理容器内に前記カーボン膜の原料ガスを流すことにより前記耐性プリコート膜上にプリコート膜を形成するようにしたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
- 前記成膜工程を、1回又は複数回行った後に、前記クリーニング工程を行うようにしたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
- 複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜すると共に付着した不要なカーボン膜を除去するためにクリーニング処理を行なうようにした成膜装置において、
排気が可能になされた縦型の処理容器と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記複数の被処理体を保持して前記処理容器内へロード及びアンロードされる保持手段と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法を実施するように装置全体を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011236197A JP5807511B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 成膜装置及びその運用方法 |
KR1020120109844A KR101614408B1 (ko) | 2011-10-27 | 2012-10-04 | 성막 장치 및 그 운용 방법 |
TW101139571A TWI503871B (zh) | 2011-10-27 | 2012-10-25 | 膜形成設備及其操作方法 |
CN201210419154.5A CN103088313B (zh) | 2011-10-27 | 2012-10-26 | 成膜装置及其运用方法 |
US13/661,120 US9279183B2 (en) | 2011-10-27 | 2012-10-26 | Film forming apparatus and method of operating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011236197A JP5807511B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 成膜装置及びその運用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013093526A true JP2013093526A (ja) | 2013-05-16 |
JP5807511B2 JP5807511B2 (ja) | 2015-11-10 |
Family
ID=48172849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011236197A Active JP5807511B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 成膜装置及びその運用方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9279183B2 (ja) |
JP (1) | JP5807511B2 (ja) |
KR (1) | KR101614408B1 (ja) |
CN (1) | CN103088313B (ja) |
TW (1) | TWI503871B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP5807511B2 (ja) | 2015-11-10 |
US20130109196A1 (en) | 2013-05-02 |
CN103088313A (zh) | 2013-05-08 |
KR20130046352A (ko) | 2013-05-07 |
CN103088313B (zh) | 2015-12-09 |
TW201335975A (zh) | 2013-09-01 |
US9279183B2 (en) | 2016-03-08 |
TWI503871B (zh) | 2015-10-11 |
KR101614408B1 (ko) | 2016-04-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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