JP5772508B2 - 成膜装置及びその運用方法 - Google Patents
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Description
処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる。
ここで本発明方法で形成した密着膜に関する実験を行ったので、その評価結果について説明する。図4は密着膜に関する実験の結果を示す図面代用写真である。ここでは石英製(SiO2 )の母材である石英ベースの表面に、密着膜70としてシリコン膜(多結晶状態)を形成した試料1と、密着膜70としてシリコン窒化膜を形成した試料2と、密着膜70を全く形成しない試料3とを用意し、各試料1〜3の表面にカーボン膜(アモルファス状態)を形成し、このカーボン膜の表面に粘着テープを貼り付けて、この粘着テープを引き剥がした。
4 内筒
6 外筒
8 処理容器
12 加熱手段
22 ウエハボート(保持手段)
40 ガス導入手段
42 密着膜用ガス供給系
44 カーボン膜用ガス供給系
46 クリーニングガス供給系
60 制御手段
70 密着膜
72 プリコート膜
74 カーボン膜
S 処理空間
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (7)
- 石英製の処理容器内で石英製の保持手段に保持された複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、
前記被処理体を保持しない空状態の前記保持手段を前記処理容器内へ収容した状態で前記処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜を形成する密着膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする成膜装置の運用方法。 - 前記密着膜は、シリコン窒化膜又はシリコン膜よりなることを特徴とする請求項1記載の成膜装置の運用方法。
- 前記密着膜の厚さは、0.1〜10nmの範囲内であることを特徴とする請求項1又は2記載の成膜装置の運用方法。
- 前記密着膜形成工程は、前記処理容器内をクリーニングするクリーニング工程と前記成膜工程との間に行うようにしたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
- 前記密着膜形成工程と前記成膜工程との間に、前記被処理体を保持しない空状態の前記保持手段を前記処理容器内へ収容した状態で前記処理容器内に前記カーボン膜の原料ガスを流すことにより前記密着膜上にプリコート膜を形成するようにしたことを特徴とする請求項4記載の成膜装置の運用方法。
- 前記成膜工程を、1回又は複数回行った後に、再び前記クリーニング工程を行うようにしたことを特徴とする請求項4記載の成膜装置の運用方法。
- 複数の被処理体の表面にカーボン膜を成膜する成膜装置において、
排気が可能になされた縦型の石英製の処理容器と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記複数の被処理体を保持して前記処理容器内へロード及びアンロードされる石英製の保持手段と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法を実施するように装置全体を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011236196A JP5772508B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 成膜装置及びその運用方法 |
KR1020120109842A KR101626799B1 (ko) | 2011-10-27 | 2012-10-04 | 성막 장치 및 그 운용 방법 |
TW101139131A TWI503870B (zh) | 2011-10-27 | 2012-10-23 | 成膜設備及其操作方法 |
CN201210419452.4A CN103088314B (zh) | 2011-10-27 | 2012-10-26 | 成膜装置及其运用方法 |
US13/661,107 US8993456B2 (en) | 2011-10-27 | 2012-10-26 | Film forming apparatus and method of operating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011236196A JP5772508B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 成膜装置及びその運用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013093525A JP2013093525A (ja) | 2013-05-16 |
JP5772508B2 true JP5772508B2 (ja) | 2015-09-02 |
Family
ID=48172848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011236196A Active JP5772508B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 成膜装置及びその運用方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8993456B2 (ja) |
JP (1) | JP5772508B2 (ja) |
KR (1) | KR101626799B1 (ja) |
CN (1) | CN103088314B (ja) |
TW (1) | TWI503870B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5807511B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びその運用方法 |
US9044793B2 (en) * | 2011-11-22 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for cleaning film formation apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
SG11201508512PA (en) * | 2013-05-23 | 2015-12-30 | Applied Materials Inc | A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber |
JP7403382B2 (ja) * | 2020-05-01 | 2023-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プリコート方法及び処理装置 |
JP2022120690A (ja) * | 2021-02-05 | 2022-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2522987B2 (ja) * | 1988-05-24 | 1996-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成装置 |
JP2571957B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-01-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | バッファ層を介した炭素または炭素を主成分とする被膜及びその作製方法 |
JP3228183B2 (ja) * | 1996-12-02 | 2001-11-12 | 日本電気株式会社 | 絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法 |
JPH11330063A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 |
JP5121090B2 (ja) | 2000-02-17 | 2013-01-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | アモルファスカーボン層の堆積方法 |
JP2002194547A (ja) | 2000-06-08 | 2002-07-10 | Applied Materials Inc | アモルファスカーボン層の堆積方法 |
JP4209253B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2009-01-14 | 忠弘 大見 | フッ素添加カーボン膜の形成方法 |
JP2005045053A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
US7790226B2 (en) * | 2003-10-27 | 2010-09-07 | California Institute Of Technology | Pyrolyzed thin film carbon |
US7803705B2 (en) * | 2004-01-13 | 2010-09-28 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of semiconductor device and film deposition system |
CN100433294C (zh) * | 2004-01-13 | 2008-11-12 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法以及成膜系统 |
US7115993B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-10-03 | Tokyo Electron Limited | Structure comprising amorphous carbon film and method of forming thereof |
JP2005310966A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Fujitsu Ltd | 基板処理方法及びプログラム |
JP5140957B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2013-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP2007224383A (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Ltd | アモルファスカーボン膜の成膜方法、それを用いた半導体装置の製造方法、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4476232B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-06-09 | 三菱重工業株式会社 | 成膜装置のシーズニング方法 |
JP2008056546A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Ihi Corp | 炭素構造体の製造装置及び製造方法 |
US20090093128A1 (en) | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Martin Jay Seamons | Methods for high temperature deposition of an amorphous carbon layer |
JP4935684B2 (ja) * | 2008-01-12 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP5411171B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | アモルファスカーボン膜を含む積層構造を形成する方法 |
-
2011
- 2011-10-27 JP JP2011236196A patent/JP5772508B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-04 KR KR1020120109842A patent/KR101626799B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-23 TW TW101139131A patent/TWI503870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-10-26 CN CN201210419452.4A patent/CN103088314B/zh active Active
- 2012-10-26 US US13/661,107 patent/US8993456B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201330058A (zh) | 2013-07-16 |
TWI503870B (zh) | 2015-10-11 |
US20130109195A1 (en) | 2013-05-02 |
KR20130046351A (ko) | 2013-05-07 |
JP2013093525A (ja) | 2013-05-16 |
US8993456B2 (en) | 2015-03-31 |
KR101626799B1 (ko) | 2016-06-02 |
CN103088314A (zh) | 2013-05-08 |
CN103088314B (zh) | 2015-09-30 |
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