TWI503870B - 成膜設備及其操作方法 - Google Patents

Description

成膜設備及其操作方法

本申請案主張2011年10月27日於日本特許廳提出申請之日本專利申請案第2011-236196號之優先權，其內容藉由參照於此全部併入。

本發明係關於用於形成碳膜於一目的物上(例如半導體晶圓)之成膜設備與其操作方法。

通常，為了形成積體電路(IC)，例如半導體IC，將在矽基板等形成的半導體晶圓上重複執行多種製程，例如成膜製程、蝕刻製程、氧化擴散製程、及退火製程。根據蝕刻製程的例子，多種材料其中任一所形成的薄膜通常用來作為蝕刻遮罩，以期執行微尺寸製程。近來，有用碳膜來作蝕刻遮罩(即犧牲膜，例如專利文獻1和2)的實例。這是因為與其他蝕刻遮罩材料相較，在例如成膜製程中，碳膜適合均勻地沉積到晶圓表面的圖案之凹陷部的側壁上，藉此增進了步階覆蓋性。

若該碳膜是(例如)多結晶化的，且有上述之良好的步階覆蓋性，在更加縮減線寬等及發展微小化而設計法則變得嚴格的現行情況下，碳膜之效用將會增加。

然而，當碳膜要形成在半導體晶圓上時，材料氣體(例如乙烯)將在降壓氛圍下被引入由石英材料所形成的製程容器。作為針對粒子的對策或是為了維持成膜製程的再現性，材料氣體在執行成膜製程前被引入無容納晶圓的製程容器，然後將非晶態的碳膜在製程容器的內表面、及製程容器內由石英材料所形成的構件(例如固持半導體晶圓的晶圓舟)之表面上加以形成作為預塗佈膜。在形成預塗佈膜後，半導體晶圓即由晶圓舟所固持，接著(裝)載入製程容器，並於半導體晶圓上形成碳膜。

然而，由於碳膜對石英(SiO₂ )無良好之黏著性，預塗佈膜或是在半導體上執行成膜製程期間沉積在預塗佈膜上之碳膜，將會易於剝落而產生微粒。

(專利文獻1)日本公開專利公報第2007-523034號

(專利文獻2)日本公開專利公報第2011-181903號

本發明提出藉由改善製程設備內碳膜對接觸製程空間之構件表面的黏著性而能夠抑制微粒產生的成膜設備；本發明亦提出操作該成膜設備的方法。

根據本發明之一態樣，提出操作成膜設備的方法，該方法包含形成碳膜於複數個目的物之表面每一者，複數個目的物是由在石英材料所形成的製程容器內之固持單元所固持，其中該方法更包含形成黏著膜以改善構件表面上碳膜之黏著性，該構件是由石英材料所形成且在製程容器內接觸製程空間。

根據本發明之另一態樣，提出形成碳膜於複數個目的物之表面的每一者上的成膜設備，該成膜設備包含：垂直製程容器，其由石英材料形成且設置成可以排空；加熱單元，其加熱複數個目的物；固持單元，其固持複數個目的物且載入至垂直製程容器及從之卸除；氣體引進單元，其引進氣體入垂直製程容器；和控制單元，其控制整體成膜設備以執行該操作成膜設備的方法。

本發明之額外目的及優點將在以下說明中陳述，且部份從該說明即顯而易知，或可從本發明之實行而習得。

本發明之目的及優點可由以下特別指出的工具及組合而得知及瞭解。

基於上述發現而得到的本發明之實施例，將參照伴隨之圖式而被描述。在下列描述中，具有實質上相同功能與配置的組成元件將用相同參考符號標示，且只在必須時作重複之描述。

此後，根據本發明之實施例的成膜設備及其操作方法，將照所附之圖式而描述。圖1是是根據本發明之一實施例的成膜設備2之剖面圖。此處矽烷基氣體(例如甲矽烷)，被用來作為黏著膜形成氣體；烴類氣體(例如乙烯)，被用來作碳膜形成氣體；且氧被用來作清潔氣體。

如圖1所示，成膜設備2包含具有雙管(double pipe)結構的製程容器8。雙管結構包含：內容器4，其係容器體形狀且由石英材料形成；以及外容器6，其係具頂部的容器體形狀且由石英材料形成，其中外容器6以同心圓形形狀設置在內容器4之外。製程容器8的外周圍由具有加熱器10的加熱單元12所圍繞，加熱單元12加熱容納於製程容器8內的目的物。外容器6之內部則形成製程空間S。

加熱單元12具有圓柱體形狀且圍繞製程容器8的側表面的幾乎所有區域。此外，絕緣材料14設置在製程容器8的外周圍，以完全圍繞製程容器8的側表面(包含頂部)。加熱單元12黏著至絕緣材料14的內側表面。

製程容器的底部由歧管18所支持，歧管18具有(例如)不鏽鋼所形成的容器體形狀，且內容器4的底部係由黏著至歧管18之內壁的支持環20所支持。歧管18可由石英或相似物形成，且可與製程容器8一起整體地加以塑造。此外，石英材料形成的晶圓舟22設置成固持單元，作為目的物之複數個半導體晶圓W放置於其上。晶圓舟22經由歧管18的底部自如地插入製程容器8及從製程容器8拉出(載入及卸除)，藉此能夠在製程容器8內上下移動。半導體晶圓W可有例如直徑300毫米。然而，吾人不具體地限定其尺寸。晶圓舟22由固定三或四個支架22A的上下側兩端點而形成，其中支架22A的位置不均分布於半導體晶圓W的周圍的半圓部，並且舉例來說，半導體晶圓W的周圍部係由於支架22A上以預定節距之所形成之溝槽部所支持。

晶圓舟22放置於旋轉臺26上，且石英材料形成的熱容器24介於兩者之間，且旋轉臺26由旋轉軸30的頂部所支持，旋 轉軸30貫穿覆蓋單元28，該覆蓋單元28係用以開啟和關閉歧管18的底部開口。此外，舉例來說，磁性流體密封件32設置於旋轉軸30的貫穿部，以不透氣地密封且可旋轉地支持旋轉軸30。此外，例如由O形環或相似物形成的密封構件34，設置於覆蓋單元28的周圍部和歧管18的底部之間，以維持容器的密封性。在此由石英材料所形成的構件包含晶圓舟22和熱容器24、以及包含內容器4和外容器6的製程容器8。

旋轉軸30黏著至由升降機構36(例如舟升降器)所支持之橫桿38的前端，以將晶圓舟22和覆蓋單元28成整體地升高。氣體引進單元40，其用以將製程所須氣體引進製程容器8，則設置於歧管18的側部。詳細地來說，氣體引進單元40包含：黏著膜形成氣體供應系統42，用以供應黏著膜形成氣體；碳膜形成氣體供應系統44，用以供應碳膜形成氣體；清潔氣體供應系統46，用以供應清潔氣體；以及沖洗氣體供應系統48，用以供應沖洗氣體。

氣體供應系統42、44、46、和48分別包含貫穿歧管18的氣體噴嘴42A、44A、46A、和48A，且在需要時控制對應氣體的流速，而從氣體噴嘴42A、44A、46A、和48A供給該相對應之氣體。吾人不具體地限制氣體噴嘴的形狀，並且舉例來說，可使用沿製程容器8之高度方向延伸，且包含複數個氣體排出孔之所謂的分散型噴嘴。

關於所用氣體的種類，如上所述，矽烷基氣體(例如甲矽烷)，被用來作為黏著膜形成氣體；烴基氣體(例如乙烯)，被用作碳膜形成氣體；氧或臭氧則被用作清潔氣體；且氮則被用作沖洗氣體。黏著膜形成氣體或矽烷基氣體、或清潔氣體可依需要由載體氣體引入。

此外，排空孔50形成於歧管18的側壁，排空孔50從內容器4和外容器6之間排空製程容器8的氛圍，並且真空排空系統52連接至排空孔50，真空排空系統52包含：(例如)真空幫浦或壓力調節閥(未顯示)。

依上述形成的成膜設備2之所有操作皆是由控制單元60所控制，控制單元60包含(例如)電腦。控制單元60控制設備的所有操作，且執行操作的電腦程式儲存於儲存媒體62，例如軟碟、光碟(CD)、硬碟、或快閃記憶體。詳細地來說，各氣體供應的開始或停止、流速的控制、製程溫度或製程壓力的控制等等皆是根據控制單元60的指令而執行。

接著，現在將參照圖2和3來描述如上設置的成膜設備2的操作方法。圖2是流程圖，其描述根據本發明之一實施例的成膜設備2之操作方法；圖3是放大示意圖，其顯示根據本發明之一實施例而在石英材料形成之製程容器8的內表面上所沉積的薄膜之範例。首先，現在將簡述成膜設備2之典型操作。固持半導體晶圓W的晶圓舟22從製程容器8的內部下降，即晶圓舟22現處於卸除狀態，且於裝載區呈待機狀態。

當一製程執行於半導體晶圓W上(例如在半導體晶圓W上形成碳膜)，晶圓舟22以多階固持著複數個(例如50到100片)未處理的半導體晶圓W。此外，當形成黏著膜於製程容器8的內表面上或執行清潔製程時，晶圓舟22並不固持任何半導體晶圓W且處於無載狀態。此外，將製程容器8維持在製造溫度或更低的溫度，且在插入後(即藉上移晶圓舟22而將晶圓舟22裝載入製程容器8)，歧管18的底部開口由覆蓋單元28所封閉，從而密封製程容器8的內部。

然後，將製程容器8的內部維持於預定的製程壓力，且藉增加功率輸入至加熱單元12而提高製程容器8的內溫度，以期穩定地維持製程容器8於預定製程溫度。接著，使用氣體引進單元40將預定氣體引入製程容器8。

在將氣體引入內容器4後，引入的氣體在內容器4內上升，在上蓋部轉向，沿內容器4和外容器6之間的間隙流通，且被真空排空系統52經由排空孔50排出到製程容器8的外部。如此執行黏著膜形成製程、碳膜形成製程、清潔製程等等。

如上描述，為了形成黏著膜，從黏著膜形成氣體供應系 統42引入黏著膜形成氣體(即甲矽烷)；為了形成碳膜，從碳膜形成氣體供應系統44引入碳膜形成氣體(即乙烯)；當執行清潔製程時，從清潔氣體供應系統46引入清潔氣體(例如氧)；以及當(例如)在各別製程間執行沖洗製程時，則從沖洗氣體供應系統48引入沖洗氣體(例如氮)。

接著，現在將根據本發明之一實施例，參照圖2來詳細描述操作成膜設備2之方法。本發明之特點是將改善碳膜之黏著性的黏著膜預形成在製程容器8的內表面上，並且是在製程容器8內執行清潔製程之後以及在半導體晶圓W上形成碳膜之前，將黏著膜形成。

首先，在成膜設備2的初始操作步驟中，判定是否需要形成黏著膜(操作S1)。該判定係基於黏著膜是否已形成於製程容器8的內表面上而加以執行。例如，若當停止先前操作之時已在製程容器8內執行過清潔製程，由於該清潔製程已移除黏著膜，需要再次形成黏著膜。相同地，當第一次使用新的製程容器8，由於清潔製程已執行於該新的製程容器8內以移除污染(例如有機材料)，故須要形成黏著膜。

若在先前的操作中，已執行允許的次數內之碳膜形成製程，則黏著膜就已經形成於製程容器8的內表面上，所以此時不需再次形成黏著膜。因此，若在操作S1中判定不需形成黏著膜(操作S1的「否」)，則執行操作S4以形成碳膜。

另一方面，若在操作S1中判定需要形成黏著膜(操作S1的「是」)，則執行黏著膜形成製程(操作S2)。在黏著膜形成製程期間，如上所述，晶圓舟22被容納於製程容器8內，且晶圓舟22處於無固持任何半導體晶圓W的無載狀態。

然後，作為黏著膜形成氣體的甲矽烷(即矽烷基氣體)，以預定之流速從氣體引進單元40的黏著膜形成氣體供應系統42被引入製程容器8內。接著，將製程容器8的內部維持於預定的製程溫度和製程壓力。因此，隨甲矽烷熱分解，矽膜形成的黏著膜70(參照圖3)便藉由化學蒸氣沉積(CVD)反應，沉積在石英材料 所形成之製程容器8的內表面上。黏著膜70亦沉積在內容器4(其為石英產品)的內外側的整體表面上、晶圓舟22(其為石英產品)的整體表面上、和熱容器24(其為石英產品)的整體表面上。此時之矽膜(黏著膜70)係以非晶或多晶態而沉積。

關於此時的製程條件，製程溫度係在從550到650℃的範圍內，且製程壓力係在從0.3到1.0托的範圍內。當製程溫度低於550℃，則不會形成矽膜；而當製程溫度高於650℃，要花過長時間來使溫度上升。此外，當製程壓力低於0.3托，成膜速度緩慢且不實用；而當製程壓力高於1.0托，則膜的厚度不均勻。黏著膜形成氣體的流速係在從50到500sccm的範圍內。

此外，黏著膜70的膜厚度可在從0.1到10奈米的範圍內，較佳係在從0.1到1.0奈米的範圍內。當膜厚度小於0.1奈米，黏著膜70可能不規則地沉積；而當膜厚度大於10奈米，則形成黏著膜70的時間過久，且因此有損晶圓製程之產量。

一旦完成操作S2中上述的黏著膜形成製程，則執行操作S3中的預塗佈膜形成製程，以改善半導體晶圓W或相似物上成膜製程的再現性。或者是，可以省略操作S3中預塗佈膜形成製程。預塗佈膜形成製程係執行來形成薄膜(即碳膜)於製程容器8的內表面，而形成該薄膜之材料，和欲形成於半導體晶圓W上的薄膜之材料相同。此時作為碳膜形成氣體的乙烯氣體，從碳膜形成氣體供應系統44引入製程容器8內，且晶圓舟22和操作S2相同仍是處於無載狀態。因此，乙烯氣體熱分解，且從而將碳膜形成的預塗佈膜72沉積在製程容器8的內表面上。預塗佈膜72和上述黏著膜70相同，沉積在內容器4的內外側的整體表面上、晶圓舟22的整體表面上、和熱容器24整體表面上。黏著膜形成製程和預塗佈膜形成製程係接續地執行。

關於此時的製程條件，製程溫度係在從600到800℃的範圍內，且製程壓力係在從5到400托的範圍內。預塗佈膜72的膜厚度非常薄，例如約50奈米。此外，碳膜形成氣體的流速係在從100到2000sccm的範圍內。預塗佈膜72之碳膜係(例如)處於非 晶態。

如上所述，在完成操作S3中的預塗佈膜形成製程後，則執行操作S4以形成碳膜。在操作S4中，將晶圓舟22朝下方下降而進行一次卸載，用於一批次製程的複數個未處理半導體晶圓W被運送到晶圓舟22且由晶圓舟22固持，接著將晶圓舟22上升而裝載入製程容器8。如同操作S3中的預塗佈膜形成製程，作為碳膜形成氣體的乙烯氣體，從碳膜形成氣體供應系統44被引入製程容器8。

乙烯氣體在內容器4之內上升時，乙烯氣體將熱分解，且接觸旋轉的半導體晶圓W，並藉由CVD反應而在半導體晶圓W的表面上沉積碳膜，前述碳膜則構成(例如)蝕刻遮罩。此時碳膜74亦沉積在製程容器8的內表面上(參照圖3)。如同上述的預塗佈膜72，碳膜74沉積在內容器4的內外側的整體表面上、晶圓舟22的整體表面上、和熱容器24整體表面上。

此時的製程條件和上述操作S3中預塗佈膜形成製程相同，其中製程溫度係在從600到800℃的範圍內，且製程壓力係在從5到400托的範圍內。碳膜74是(例如)非晶態的。此外，碳膜形成氣體的流速係在從100到2000sccm的範圍內。此外，在操作S3期間，在通入碳膜形成氣體前，可以藉通入胺基矽烷基氣體(例如二異丙基胺基矽烷(DIPAS))而在半導體晶圓上執行預先處理。

如此一來，當一批次型成膜製程完成後，則進行判定該一批次型成膜製程是否已執行預定次數n(操作S5)。預定次數n係等於或大於1，且被任意地設定在不產生微粒之範圍內。設定預定次數n可藉由預先判斷一碳膜之膜厚度的最大值，並加總該一批次型成膜製程期間沉積各碳膜厚度直到達到該最大值時而加以決定。

藉計算在形成黏著膜70後執行成膜製程的次數，而進行基於預定次數之判定。此處，若在成膜製程完成後，執行成膜製程的次數小於預定次數n(操作S5之「否」)，對是否存在未處理的半導體晶圓進行判定(操作S6)。若判斷未處理的半導體晶圓 不存在(操作S6的「否」)，則結束製程。

另一方面，若判斷未處理的半導體晶圓仍存在(操作S6的「是」)，則製程回到用於沉積碳膜之操作S4中的成膜製程，以再次於一批次半導體晶圓W上執行成膜製程。如此，重複執行一批次成膜製程直到達預定次數n，並且此時在製程容器8的內表面或相似者上所沉積的碳膜74係依序堆疊的。然後，當所執行的成膜製程達預定次數n時(操作S5的「是」)，執行操作S7中的清潔製程。

在清潔製程期間，作為清潔氣體的氧氣從清潔氣體供應系統46供入至製程容器8內，且此時處於無載狀態(無固持半導體晶圓)的晶圓舟22被容納於製程容器8之內。臭氧或氧和臭氧的混合物可以取代氧氣作為清潔氣體。因此，在製程容器8的內表面(包含內容器4的內外側表面二者)上、晶圓舟22的表面上、和熱容器24的表面上所沉積的碳膜、以及由碳形成的預塗佈膜72將被氧化且被移除。超薄矽膜所形成的黏著膜70亦被移除，所以熱容器24的表面、晶圓舟22的表面、內容器4的內外側表面二者、和外容器6的內表面之石英表面皆各自暴露出來。

關於此時的製程條件，當清潔氣體是氧氣時，製程溫度係在從600到800℃的範圍內；而當清潔氣體是臭氧時，製程溫度係在從300到600℃的範圍內。當清潔氣體是氧氣時，製程壓力係在從50到200托的範圍內；而當清潔氣體是臭氧時，製程壓力則小於或等於10托。

當操作S7的清潔製程如此完成後，判斷是否存在未處理的半導體晶圓(操作S8)。若判斷是存在未處理的半導體晶圓(操作S8的「是」)，則製程回到操作S2以再次形成黏著膜，且如上述執行各操作及各製程。其中要注意，當預定次數n為一時(「n=1」)，只要執行了一批次成膜製程，就要執行操作S7中的清潔製程和操作S2的黏著膜形成製程。若判斷未處理的半導體晶圓並不存在(操作S8的「否」)，則結束製程。

如上所述，因為在碳膜形成於半導體晶圓W上之前， 由(例如)矽膜形成的黏著膜70會形成在於製程容器8之內接觸製程空間S且由石英材料所形成之構件的表面上(即外容器6的內表面、內容器4的內外側表面二者、晶圓舟22的整體表面、熱容器24的整體表面)，所以可改善碳膜74對石英材料(其為基底材料)所形成之構件表面的黏著性。因此，在半導體晶圓W上形成碳膜的製程中，可抑制微粒由從製程容器8或相似者的內表面分離碳膜之過程加以產生。

如上所述，根據本發明，可以藉由改善碳膜對製程容器8內接觸製程空間S且由石英材料形成之構件的表面之黏著性，而抑制微粒之產生。

此外，在上述實施例中，非晶或多晶矽膜用來當作黏著膜70。然而，或者是亦可使用氮化矽(SiN)膜。為了形成氮化矽膜，矽烷基氣體(例如二氯矽烷DCS或氨)可用來當作黏著膜形成氣體。關於這種情況下的製程條件，製程溫度係在從600到800℃的範圍內，且製程壓力係在從0.2到0.5托的範圍內。此外，用作黏著膜70的氮化矽膜之膜厚度和上述的矽膜相同，係在從0.1到10奈米範圍內，較佳係在從0.1到1.0奈米的範圍內。

當氮化矽膜用作黏著膜70時，由於高應力的關係，吾人可能會覺得這樣的膜，對由矽材料或相似物形成的製程容器8的基底材料有不良影響。然而，如上所述，因為氮化矽膜的膜厚度係在從0.1到1.0奈米的範圍內，且因此非常薄，所以不良影響很少發生。

〈黏著性的評測〉

對根據本發明之方法而形成的黏著膜進行實驗，且現在將描述評測結果。圖4是照片組，其取代顯示黏著膜實驗結果的圖式。在這裡分別製備：樣本1，在以石英材料(SiO₂ )之基底材料的石英基底表面上形成矽膜(多晶態)作為黏著膜70；樣本2，在以石英材料(SiO₂ )之基底材料的石英基底表面形成氮化矽膜作為黏著膜70；及樣本3，以石英材料(SiO₂ )之基底材料的石英基底表面上完全未形成黏著膜70。接著碳膜(非晶態)形成在樣本1到3每 一者的表面上，然後將黏著帶黏著至碳膜的表面且接著自該處撕除。

此時黏著膜70的膜厚度是0.5奈米。此外，為了形成碳膜，乙烯被用來當作碳膜形成氣體且以500sccm之流速通入。製程溫度是800℃，製程壓力是7.5托，且形成具有膜厚度約40奈米的碳膜。圖4顯示黏著帶撕除時的表面狀態。

如圖4所顯示，在形成黏著膜的樣本1和2中，其碳膜不被撕除，黏著性令人滿意。在並未形成黏著膜的樣本3中，其碳膜被撕除，黏著性並不令人滿意。

此外，關於用來當作黏著膜形成氣體的矽烷基氣體，則可使用選自以下群組的一或更多氣體，該群組係由二氯矽烷(DCS)、六氯矽烷(HCD)、甲矽烷[SiH₄ ]、乙矽烷[Si₂ H₆ ]、六甲基二矽氮烷(HMDS)、四氯矽烷(TCS)、二矽烷基胺(DSA)、三矽烷基胺(TSA)、二(叔丁基胺基)矽烷(BTBAS)、和二異丙基胺基矽烷(DIPAS)所組成。

此外，關於用來當作碳膜形成氣體的烴類氣體，則使用選自由以下群組的一或更多氣體，該群組係由乙炔、乙烯、甲烷、乙烷、丙烷、和丁烷所組成。此外，在成膜設備中，係使用具雙管結構的製程容器8。然而，或者是本發明亦可適用於使用具單管結構之製程容器的成膜設備。

此外，半導體晶圓被用來作為欲處理的目的物，其中半導體晶圓的例子包含矽基板以及例如砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)之化合物的半導體基板。此外或者是，本發明亦可適用於玻璃基板、陶瓷基板、或用於液晶顯示設備的相似物。

根據本發明之成膜設備及其操作方法，可以獲得下列優異功效：

可以藉由改善碳膜對製程容器內接觸製程空間之石英材料之構件的表面的黏著性，而抑制微粒的產生。

雖然本發明已參照示例性實施例來具體地顯示及描述，吾人仍應瞭解熟習此技藝者亦可在不偏離隨附申請專利範圍 所界定之本發明的精神與範圍下，對本發明之型式及細節做出多種變更。

2‧‧‧成膜設備

4‧‧‧內容器

6‧‧‧外容器

8‧‧‧製程容器

10‧‧‧加熱器

12‧‧‧加熱單元

14‧‧‧絕緣材料

18‧‧‧歧管

20‧‧‧支持環

22‧‧‧晶圓舟(固持單元)

22A‧‧‧支架

24‧‧‧熱容器

26‧‧‧旋轉臺

28‧‧‧覆蓋單元

30‧‧‧旋轉軸

32‧‧‧磁性流體密封件

34‧‧‧密封構件

36‧‧‧升降機構

38‧‧‧橫桿

40‧‧‧氣體引進單元

42‧‧‧黏著膜形成氣體供應系統

42A‧‧‧噴嘴

44‧‧‧碳膜形成氣體供應系統

44A‧‧‧噴嘴

46‧‧‧清潔氣體供應系統

46A‧‧‧噴嘴

48‧‧‧沖洗氣體供應系統

48A‧‧‧噴嘴

50‧‧‧排空孔

52‧‧‧真空排空系統

60‧‧‧控制單元

62‧‧‧儲存媒體

70‧‧‧黏著膜(矽膜)

72‧‧‧預塗層膜

74‧‧‧碳膜

S1‧‧‧操作

S2‧‧‧操作

S3‧‧‧操作

S4‧‧‧操作

S5‧‧‧操作

S6‧‧‧操作

S7‧‧‧操作

S8‧‧‧操作

隨附之圖式，其併入且構成本說明書之一部份，描繪本發明之實施例，並和說明書一起共同闡述本發明之原理。

圖1是根據本發明之一實施例的成膜設備之剖面圖；圖2是流程圖，其係根據本發明之一實施例而描繪操作該成膜設備之方法；圖3是放大示意圖，其顯示根據本發明之一實施例，而沉積在由石英材料形成之製程容器之內表面上的薄膜；以及圖4是照片組，其取代黏著膜實驗結果之圖式。

S1‧‧‧操作

S2‧‧‧操作

S3‧‧‧操作

S4‧‧‧操作

S5‧‧‧操作

S6‧‧‧操作

S7‧‧‧操作

S8‧‧‧操作

Claims (8)

1. 一種操作成膜設備之方法，該方法包含形成一碳膜於複數個目的物之表面之每一者上，該複數個目的物在石英材料所形成之一製程容器內由一固持單元所固持，其中該方法更包含形成一黏著膜以改善該碳膜在構件之表面上的黏著性，該等構件係由石英材料所形成且在該製程容器內接觸製程空間。
2. 如申請專利範圍第1項之操作成膜設備之方法，其中該黏著膜係氮化矽膜或矽膜。
3. 如申請專利範圍第1項之操作成膜設備之方法，其中該黏著膜之厚度係在從0.1到10奈米之範圍內。
4. 如申請專利範圍第1項之操作成膜設備之方法，其中該形成該黏著膜的步驟係在一狀態下執行，該狀態係指處於無固持複數個目的物之無載狀態的該固持單元被容納於該製程容器內。
5. 如申請專利範圍第1項之操作成膜設備之方法，其中該形成該黏著膜的步驟係在用於清潔該製程容器內部的一清潔製程及該形成該碳膜的步驟之間進行。
6. 如申請專利範圍第5項之操作成膜設備之方法，更包含：在該形成該黏著膜的步驟及該形成該碳膜的步驟之間，在處於無固持複數個目的物之無載狀態的該固持單元被容納於該製程容器內的狀態下，藉由通入該碳膜之材料氣體至該製程容器內，形成一預塗佈膜於該黏著膜上。
7. 如申請專利範圍第5項之操作成膜設備之方法，其中執行該清潔製程，係在執行該形成該碳膜的步驟一或多次之後。
8. 一種形成一碳膜於複數個目的物之表面之每一者上的成膜設備，該成膜設備包含：一垂直製程容器，由石英材料而形成且被設置成能夠排空；一加熱單元，加熱該複數個目的物；一固持單元，固持該複數個目的物，且被裝置入該垂直製程容器及從該垂直製程容器被卸除；一氣體引進單元，將氣體導入該垂直製程容器；及一控制單元，控制整個該成膜設備以執行申請專利範圍第1項之該方法。