CN103088314B

CN103088314B - 成膜装置及其运用方法

Info

Publication number: CN103088314B
Application number: CN201210419452.4A
Authority: CN
Inventors: 远藤笃史; 水永觉; 大塚武裕
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2011-10-27
Filing date: 2012-10-26
Publication date: 2015-09-30
Anticipated expiration: 2032-10-26
Also published as: US20130109195A1; TWI503870B; JP5772508B2; CN103088314A; KR101626799B1; TW201330058A; US8993456B2; JP2013093525A; KR20130046351A

Abstract

本发明提供一种成膜装置及其运用方法。在该成膜装置的运用方法中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其中，进行在与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合膜形成工序。由此，使碳膜相对于与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒。

Description

成膜装置及其运用方法

技术领域

本发明涉及在半导体晶圆等被处理体上形成碳膜的成膜装置及其运用方法。

背景技术

为了形成IC等半导体集成电路，通常对由硅基板等构成的半导体晶圆反复进行成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、退火处理等各种处理。而且，以上述蚀刻处理为例，为了实施微细加工，以往采用各种材料的薄膜作为蚀刻掩模，但最近存在采用碳膜作为蚀刻掩模、即牺牲膜的情况（例如专利文献1、2）。其原因在于，碳膜与其他蚀刻掩模材料相比，例如在成膜时能够在晶圆表面的图案凹部的侧壁也更加良好地堆积薄膜来提高阶梯覆盖率（step coverage）。

在这种情况下，上述碳膜例如多晶化，由于其阶梯覆盖率如上所述地良好，因此，在线宽等变得更小、推进微细化而设计规则变得严格的现状下，上述碳膜的可用性提升。

专利文献1：日本特表2007-523034号公报

专利文献2：日本特开2011-181903号公报

但是，为了在半导体晶圆上形成上述碳膜，使作为原料气体的例如乙烯流入到处于减压气氛的石英制的处理容器内。在这种情况下，为了微粒对策、维持成膜处理的再现性，在进行上述成膜处理之前形成不将晶圆收容在处理容器内的状态，并向处理容器内流入原料气体，在处理容器的内表面、保持处理容器内的石英制部件例如半导体晶圆的晶圆舟皿等的表面，形成作为预涂膜的非晶形状态的碳膜。然后，在形成该预涂膜之后，将半导体晶圆保持于晶圆舟皿而将其搬入（装载）到处理容器内，在晶圆上形成碳膜。

但是，上述碳膜相对于石英（SiO₂）的密合性并不良好，因此，存在上述预涂膜、在晶圆上成膜时堆积在该预涂膜上的碳膜易于剥离而产生微粒这样的问题。

发明内容

本发明是着眼于如上所述的问题点、为了有效地将所述的问题点解决而发明的。本发明提供一种能够使碳膜相对于与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒的成膜装置及其运用方法。

技术方案1的发明提供一种成膜装置的运用方法，其中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其特征在于，进行在与上述处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合膜的密合膜形成工序。

技术方案8的发明提供一种成膜装置，在多个被处理体的表面上形成碳膜，其特征在于，该成膜装置具有：立式的石英制的处理容器，其能够进行排气；加热部件，其用于对上述被处理体进行加热；保持部件，其用于保持上述多个被处理体并向上述处理容器内装载及卸载上述多个被处理体；气体导入部件，其用于向上述处理容器内导入气体；以及控制部件，其用于控制整个装置，从而实施技术方案1至7中任一项所述的成膜装置的运用方法。

本发明的附加的目的及优势将在随后的说明中被提出并且将根据说明在某种程度上是清楚的、或者本发明的附加的目的及优势通过对本发明的实践而获知。利用特别是在后文指出的手段和组合来实现并且获得本发明的目的和优势。

附图说明

包含在并且构成说明书的一部分的附图示出本发明的实施方式，并且与上文给出的大体说明及下文给出的详细说明一起，用于解释本发明的原理。

图1是表示本发明的成膜装置的一个例子的剖视结构图。

图2是表示本发明的成膜装置的运用方法的一个例子的流程图。

图3是表示堆积在石英制的处理容器的内表面上的薄膜的一个例子的放大示意图。

图4是表示关于密合膜的实验的结果的代替附图的照片。

具体实施方式

下面将参照附图，说明基于上文给出的发现而实现的本发明的实施方式。在下文的说明中，以相同的附图标记表示具有大致相同的功能和配置的组成元件并且仅当需要时将进行重复的说明。

下面，根据附图详细说明本发明的成膜装置及其运用方法的一实施例。图1是表示本发明的成膜装置的一个例子的剖视结构图。在此，以作为密合膜用气体采用硅烷系气体例如甲硅烷、作为碳膜用气体采用碳氢化合物气体例如乙烯、作为清洁气体采用氧气的情况为例进行说明。

如图所示，该成膜装置2具有由筒体状的石英制的内筒4、以同心圆状配置在内筒4的外侧的有顶的筒体状的石英制的外筒6构成的双重管构造的处理容器8。该处理容器8的外周利用具有加热器10的加热部件12覆盖，将收容在处理容器8内的被处理体加热。上述外筒6内形成为处理空间S。

该加热部件12呈圆筒体状，其包围处理容器8的侧面的大致整个区域。并且，在该处理容器8的外周，包含顶部在内覆盖处理容器8的整个侧面侧地设有绝热材料14。而且，在该绝热材料14的内侧面安装有上述加热部件12。

上述处理容器8的下端利用例如不锈钢制的筒体状的歧管18支承，上述内筒4的下端部支承在被安装于歧管18的内壁的支承环20上。另外，也可以利用石英等形成该歧管18，将其与上述处理容器8侧一体成型。另外，载置有多张作为被处理体的半导体晶圆W的作为保持部件的石英制的晶圆舟皿22可升降地从该歧管18的下方自由插拔（装载和卸载）。例如作为半导体晶圆W，采用直径为300mm的规格，但该尺寸并没有特别的限定。该晶圆舟皿22通过将偏向晶圆W的半圆部地设置的3根或者4根支柱22A的上下方向的两端固定而形成，将晶圆W的周边部保持在例如以预定的间距形成在该支柱22A上的槽部。

该晶圆舟皿22隔着石英制的保温筒24载置在旋转台26上，该旋转台26被旋转轴30的上端支承，该旋转轴30贯穿用于打开或关闭歧管18的下端开口部的盖部28。而且，在该旋转轴30的贯穿部中夹设有例如磁性流体密封件32，既将该旋转轴30气密地密封又将旋转轴30可旋转地支承。另外，在盖部28的周边部和歧管18的下端部夹设有例如由O型密封圈等构成的密封构件34，用于保持容器内的密封性。在此，作为石英制的构件，除了由内筒4和外筒6构成的处理容器8之外，晶圆舟皿22和保温筒24也是石英制的。

上述旋转轴30安装在支承于例如舟皿升降机等升降机构36上的臂38的顶端，能够使晶圆舟皿22和盖部28等一体地升降。在上述歧管18的侧部设有用于向上述处理容器8内导入处理所需的气体的气体导入部件40。具体地讲，该气体导入部件40具有用于供给密合膜用气体的密合膜用气体供给系统42、用于供给碳膜用气体的碳膜用气体供给系统44、用于供给清洁气体的清洁气体供给系统46、用于供给吹扫气体的吹扫气体供给系统48。

上述各气体供给系统42、44、46、48各自具有贯穿上述歧管18地设置的气体喷嘴42A、44A、46A、48A，能够自各气体喷嘴42A、44A、46A、48A分别控制对应气体的流量并根据需要地供给。上述各气体喷嘴的形态并没有特别的限定，例如也可以使用沿着处理容器8的高度方向延伸且形成有许多个气体喷射孔的、所谓的分散形的喷嘴。

作为上述所采用的气体种类，如上所述，作为密合膜用气体采用硅烷系气体例如甲硅烷，作为碳膜用气体采用碳氢化合物系气体例如乙烯，作为清洁气体采用氧气或者臭氧，作为吹扫气体采用氮气。上述密合膜用气体、硅烷系气体、清洁气体也可以根据需要与载气一同流动。

另外，在上述歧管18的侧壁上设有用于从内筒4与外筒6之间排出处理容器8内的气氛气体的排气口50，在该排气口50上连接有真空排气系统52，该真空排气系统52夹设有未图示的例如真空泵、压力调整阀等。

像以上那样形成的成膜装置2的整体动作利用例如由计算机等构成的控制部件60来控制。上述控制部件60控制整个装置的动作，执行该动作的计算机的程序存储在软盘、CD（CompactDisc）、硬盘、闪存器等存储介质62中。具体地讲，利用来自该控制部件60的指令，进行开始、停止供给各气体、控制各气体的流量、控制工艺温度、工艺压力等动作。

接着，也参照图2和图3说明像以上那样构成的成膜装置的运用方法。图2是表示本发明的成膜装置的运用方法的一个例子的流程图，图3是表示堆积在石英制的处理容器内表面上的薄膜的一个例子的放大示意图。首先，简单说明该成膜装置的一般动作。首先，保持半导体晶圆W的晶圆舟皿22从处理容器8内向下方下降、即成为卸载状态，在装载区域内成为待机状态。

在此，在半导体晶圆W上形成碳膜等对晶圆W进行处理的情况下，在上述晶圆舟皿22上，以多层保持有多个、例如50张～100张左右的未处理的晶圆W。另外，在处理容器8的内表面形成有密合膜的情况、进行清洁处理的情况下，在上述晶圆舟皿22上并未保持任何晶圆W，成为空的状态。然后，处理容器8维持在工艺温度或者比该工艺温度低的温度，使晶圆舟皿22上升而将其插入到处理容器8内、即装载，通过用盖部28关闭歧管18的下端开口部而将处理容器8内密闭。

然后，在将处理容器8内维持在预定的工艺压力的同时，增大向加热部件12的投入电力而使内部温度上升，稳定地维持在预定的工艺温度。之后，利用气体导入部件40将预定气体导入到处理容器8内。

导入到处理容器8内的气体被导入到内筒4内之后在内筒4中上升，在顶部折回而从顶部在内筒4与外筒6之间的间隙中流下，利用真空排气系统52从排气口50被排出到容器外。由此，进行密合膜的形成工序、碳膜的成膜工序、清洁工序等。

如上所述，在形成密合膜的情况下，自密合膜用气体供给系统42导入密合膜用气体即硅烷，在形成碳膜的情况下，自碳膜用气体供给系统44导入碳膜用气体即乙烯，在进行清洁处理的情况下，自清洁气体供给系统46导入清洁气体例如氧气，实施例如在各处理之间进行的吹扫处理的情况下，自吹扫气体供给系统48导入吹扫气体例如氮气。

接着，也参照图2具体说明本发明的成膜装置的运用方法的一个例子。本发明的特征在于在处理容器8的内表面上预先形成使碳膜的密合性提高的密合膜，该密合膜是在对处理容器8内进行了清洁处理之后且在对半导体晶圆W形成碳膜之前形成的。

首先，若开始运用该成膜装置2，则对是否需要进行密合膜的成膜进行判断（S1）。该判断通过在处理容器8的内表面上是否已经形成有密合膜来进行。例如，在停止了上一次的运用时，如果对处理容器8内实施清洁处理，则密合膜通过该清洁处理而被去除，因此需要再次形成密合膜。同样地在初次使用新的处理容器8的情况下，其内部为了去除有机物等污物而进行清洁处理，因此也需要形成密合膜。

对此，在前面的运用中，在进行容许次数以内的碳膜的成膜工序的情况下，成为在处理容器8的内表面上已经形成有密合膜的状态，因此在该情况下不需要再次形成密合膜。因而，在步骤S1中判断为不需要密合膜的成膜的情况下（S1的否），为了保持原样地形成碳膜而进入成膜工序（S4）。

另外，在步骤S1中判断为需要密合膜的成膜的情况下（S1的是），接下来进入密合膜形成工序（S2）。在该密合膜形成工序中，如上所述，在晶圆舟皿22上未保持有任何晶圆W的空的状态下预先将晶圆舟皿22收容在处理容器8内。

然后，自气体导入部件40的密合膜用气体供给系统42，将作为密合膜用气体的硅烷系气体即甲硅烷以预定的流量向处理容器8内导入。然后，将处理容器8内维持在预定的工艺温度和工艺压力。由此，甲硅烷热分解，利用CVD反应，在石英制的处理容器8的内表面堆积形成由硅膜构成的密合膜70（参照图3）。此时，在作为石英制品的内筒4的内外整个表面、作为石英制品的晶圆舟皿22的整个表面及作为石英制品的保温筒24的整个表面也堆积形成密合膜70。在这种情况下，作为上述密合膜70的硅膜以非晶形状态或者多晶状态堆积。

此时的处理条件如下所述：工艺温度处于550℃～650℃的范围内、工艺压力处于0.3Torr～1.0Torr的范围内。在工艺温度低于550℃的情况下，未形成硅膜，而在高于650℃的情况下，升温时间花费过多。另外，在工艺压力低于0.3Torr的情况下，成膜速度变慢而不实用，而在高于1.0Torr的情况下，膜厚不均匀而不理想。另外，密合膜用气体的流量处于50sccm～500sccm的范围内。

另外，密合膜70的膜厚处于0.1nm～10nm的范围内，优选处于0.1nm～1.0nm的范围内。在上述膜厚小于0.1nm的情况下，会担心密合膜70不均匀地堆积，而在比10nm厚的情况下，由于密合膜70的成膜所花费的时间过多，使晶圆处理的生产率降低，故不优选。

如果如上所述的密合膜形成工序S2完成，则接下来进行用于使相对于晶圆W的成膜处理的再现性提高等目的的预涂膜形成工序S3。另外，也可以省略该预涂膜形成工序S3。该预涂膜形成工序是为了将与应形成在晶圆W的表面上的薄膜相同材质的薄膜、即碳膜形成在处理容器8的内表面上而进行的。在此，与前面的密合膜形成工序S2相同地将晶圆舟皿22设为空的状态并从碳膜用气体供给系统44向处理容器8内导入乙烯气体作为碳膜用气体。由此，上述乙烯热分解，由碳膜构成的预涂膜72堆积在处理容器8的内表面上。该预涂膜72与上述密合膜70相同地也堆积在内筒4的内外整个表面、晶圆舟皿22的整个表面及保温筒24的整个表面上。该密合膜形成工序与预涂膜形成工序连续地进行。

此时的处理条件如下所述：工艺温度处于600℃～800℃的范围内、工艺压力处于5Torr～400Torr的范围内。该预涂膜72的膜厚非常薄，例如为50nm左右。另外，碳膜用气体的流量处于100sccm～2000sccm的范围内。作为该预涂膜72的碳膜例如是非晶形状态。

如上所述，如果预涂膜形成工序S3完成，则接下来进行碳膜的成膜工序S4。在此，通过使晶圆舟皿22向下方向下降进行一次卸载，再将1批量处理用的未处理的多张半导体晶圆W移载到晶圆舟皿22并加以保持，使晶圆舟皿22上升并装载到处理容器8内。然后，与上述预涂膜形成工序S4同样，自碳膜用气体供给系统44将乙烯气体作为碳膜用气体导入到处理容器8内。

该乙烯气体在内筒4内上升并热分解而与旋转的晶圆W相接触，通过CVD反应在该晶圆表面上堆积形成例如成为蚀刻用的掩模的碳膜。此时，在处理容器8的内表面上也堆积有碳膜74（参照图3）。该碳膜74与上述预涂膜72相同地也堆积在内筒4的内外整个表面、晶圆舟皿22的整个表面及保温筒24的整个表面上。

此时的处理条件与上述预涂膜形成工序S3相同，工艺温度处于600℃～800℃的范围内，工艺压力处于5Torr～400Torr的范围内。该碳膜74例如是非晶形状态。另外，该碳膜用气体的流量处于100sccm～2000sccm的范围内。另外，在该成膜工序中，优选的是，也可以在使碳膜用气体流入之前使DIPAS（二异丙基氨基硅烷）等氨基硅烷类气体流入并对晶圆W实施预处理。

这样，如果上述1批式的成膜处理完成，则对该1批式的成膜是否进行了规定的次数进行判断（S5）。该规定的次数n是1以上的次数，在未产生微粒的范围内任意设定。也可以是预先限定碳膜的膜厚的最大值、累计在每1次的批量成膜处理中堆积的碳膜的膜厚，将累计的膜厚达到上述最大值的时刻所用的次数确定为上述规定的次数n。

通过计数在形成密合膜70之后所进行的成膜工序的次数来进行以该预定的次数n为基准的判定。在此，在完成的成膜工序的次数小于规定的次数n的情况下（S5的否），对是否存在有未处理的半导体晶圆进行判断（S6）。在该判断的结果是未存在有未处理的晶圆的情况下（S6的否），处理结束。

另外，在该判断的结果是存在有未处理的半导体晶圆的情况下（S6的是），返回用于堆积碳膜的成膜工序（S4），再次对1批次半导体晶圆进行成膜工序。这样，重复进行1批量的成膜工序，直至该执行的成膜工序的次数达到规定的次数n，在这个过程中，堆积在处理容器8的内表面等上的碳膜74被依次层叠。然后，如果该执行的成膜工序达到规定的次数n（S5的是），则接下来进入清洁工序S7。

在该清洁工序中，在将未保持有晶圆的空状态的晶圆舟皿22收容到处理容器8内的状态下自清洁气体供给系统46向处理容器8内供给氧气作为清洁气体。作为上述清洁气体也可以取代上述氧气而使用臭氧或臭氧与氧气的混合气体。由此，堆积在处理容器8的内侧面（包括内筒4的内外两个面）、晶圆舟皿22的表面及保温筒24的表面上的碳膜和由碳构成的预涂膜72被氧化并去除。此时，由非常薄的硅膜构成的密合膜70也被去除，其结果，石英制的外筒6的内表面、内筒4的内外两个面、晶圆舟皿22的表面及保温筒24的表面分别成为露出石英表面的状态。

关于此时的处理条件，工艺温度在清洁气体为氧气时处于600℃～800℃的范围内、在为臭氧的情况下处于300℃～600℃的范围内，工艺压力在清洁气体为氧气的情况下处于50Torr～200Torr的范围内、在清洁气体为臭氧的情况下为10Torr以下。

这样，如果清洁工序S7完成，则对是否存在有未处理的半导体晶圆进行判断（S8）。在该判断的结果是存在有未处理的晶圆的情况下（S8的是），为了再次堆积密合膜而返回密合膜形成工序S2，如上所述进行各个工序和各个处理。在该情况下，在规定的次数n为“n＝1”的情况下，每进行1批量的成膜工序时，都进行清洁工序S7和密合膜形成工序S2等。然后，在上述判断的结果是未存在有未处理的晶圆的情况下（S8的否），结束处理。

如上所述，在与处理容器8内的处理空间S相接触的石英制的构件的表面、即外筒6的内表面、内筒4的内外两个面、晶圆舟皿22的整个表面及保温筒24的整个表面上，在进行相对于半导体晶圆W的碳膜的成膜处理之前形成例如由硅膜构成的密合膜70，因此能够使碳膜74相对于作为母材的石英制构件的表面的密合性提高。因而，在对半导体晶圆W进行的碳膜的成膜工序中，能够抑制上述碳膜74从处理容器8的内表面等剥离而产生微粒。

如上所述，采用本发明，能够使碳膜相对于与处理容器8内的处理空间S相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒。

另外，在上述实施例中，作为密合膜70使用了非晶形或多晶的硅膜，但是并不限定于此，也可以使用氮化硅膜（SiN）。在形成该氮化硅膜时，作为密合膜能够使用硅烷类气体、例如二氯硅烷（DSC）和氨。在该情况下，工艺条件如下所述：工艺温度处于600℃～800℃的范围内、工艺压力处于0.2Torr～0.5Torr的范围内。另外，作为密合膜70使用的氮化硅膜的膜厚与先前的硅膜的情况相同，处于0.1nm～10nm的范围内，优选处于0.1nm～1.0nm的范围内。

另外，在作为上述密合膜70使用氮化硅膜的情况下，该膜种类由于压力较大而被认为给硅制的处理容器8等母材带来了不良影响，但是如上所述由于氮化硅膜的膜厚为0.1nm～10nm左右、非常薄，因此几乎未产生上述不良影响。

密合性的评价

在此，由于进行了关于利用本发明的方法形成的密合膜的实验，并说明其评价结果。图4是表示关于密合膜的实验的结果的代替附图的照片。在此，准备在作为石英制（SiO₂）的母材的石英基底的表面上形成有作为密合膜70硅膜（多晶状态）的试样1、形成有作为密合膜70的氮化硅膜的试样2、完全未形成有密合膜70的试样3，在各个试样1～3的表面上形成碳膜（非晶形状态），在该碳膜的表面上粘贴粘合带，并剥离该粘合带。

另外，此时的密合膜70的厚度为0.5nm。另外，在形成碳膜时，作为碳膜用气体使用乙烯，以500sccm的流量流入。此时的工艺温度为800℃，工艺压力为7.5Torr，形成了厚度40nm左右的碳膜。图4中表示剥离了上述粘合带后的表面的状况。

如图4所示，在形成有密合膜的试样1和试样2的情况下，没有任何碳膜剥离的情况，密合性良好。与此相对，在试样3所示的无密合膜的情况下，判断出：产生了碳膜的剥离，密合性并不良好。

另外，作为在上述密合膜用气体中使用的硅烷类气体，能够使用从由二氯硅烷（DCS）、六氯乙硅烷（HCD）、甲硅烷[SiH₄]、乙硅烷[Si₂H₆]、六甲基二硅胺烷（HMDS）、四氯硅烷（TCS）、二甲硅烷基胺（DSA）、三甲硅烷基胺（TSA）、双叔丁基氨基硅烷（BTBAS）、二异丙基氨基硅烷（DIPAS）构成的群中选择的1种以上的气体。

另外，作为用作上述碳膜用气体的碳氢化合物气体，能够使用从由乙炔、乙烯、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷构成的群中选择的1种以上的气体。另外，在上述成膜装置中，以使用了双重管构造的处理容器8的情况为例进行了说明，但是并不限定于此，当然在使用了单管结构的处理容器的成膜装置中也能够应用本发明。

另外，在此作为被处理体以半导体晶圆为例进行了说明，但是该半导体晶圆也包括硅基板、GaAs、SiC、GaN等化合物半导体基板，而且并不限定于这些基板，在用于液晶显示装置的玻璃基板、陶瓷基板等中也能够应用本发明。

根据本发明的成膜装置及其运用方法，能够发挥如下优异的作用效果。

能够使碳膜相对于与处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面的密合性提高并抑制产生微粒。

本申请以2011年10月27日向日本特许厅提交的日本专利申请编号第2011-236196号为基础主张优先权的权益，其公开内容整体作为参照包括于本说明书中。

Claims

1.一种成膜装置的运用方法，其中，在石英制的处理容器内进行在保持于保持部件上的多个被处理体的表面上形成碳膜的成膜工序，其特征在于，

进行在与上述处理容器内的处理空间相接触的石英制的构件的表面上形成使碳膜的密合性提高的密合膜的密合膜形成工序。

2.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，

上述密合膜由氮化硅膜或硅膜构成。

3.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，

上述密合膜的厚度处于0.1nm～10nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，

在将未保持上述被处理体的空状态的上述保持部件收容到上述处理容器内的状态下进行上述密合膜形成工序。

5.根据权利要求1所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，

在对上述处理容器内进行清洁的清洁工序与上述成膜工序之间进行上述密合膜形成工序。

6.根据权利要求5所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，

在上述密合膜形成工序与上述成膜工序之间，通过在将未保持上述被处理体的空状态的上述保持部件收容到上述处理容器内的状态下使上述碳膜的原料气体流入上述处理容器内而在上述密合膜上形成预涂膜。

7.根据权利要求5所述的成膜装置的运用方法，其特征在于，

在进行1次或多次上述成膜工序之后再次进行上述清洁工序。

8.一种成膜装置，其用于在多个被处理体的表面上形成碳膜，其特征在于，该成膜装置具有：

立式的石英制的处理容器，其能够进行排气；

加热部件，其用于对上述被处理体进行加热；

保持部件，其用于保持上述多个被处理体并向上述处理容器内装载及卸载上述多个被处理体；

气体导入部件，其用于向上述处理容器内导入气体；以及

控制部件，其用于控制整个装置，从而实施权利要求1所述的成膜装置的运用方法。