JP6024484B2 - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents
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Description
請求項9に係る発明は、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、前記第2のステップは、前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、前記炭化水素ガスを供給するC供給工程と、前記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法である。
請求項10に係る発明は、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、前記第2のステップは、前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、前記炭化水素ガスと前記酸化ガスとを同時に供給するCO同時供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法である。
請求項11に係る発明は、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、前記第2のステップは、前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と前記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、前記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法である。
請求項12に係る発明は、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、前記第2のステップは、前記シラン系ガスと前記炭化水素ガスとを同時に供給するSiC同時供給工程と、前記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法である。
SiOCN層よりなる薄膜を形成する方法において、酸素濃度のみならず炭素濃度も十分に高くして比誘電率を向上させると共にエッチング耐性も向上させることができる。
まず、本発明方法の第1実施例について図4及び図5も参照して説明する。図4は本発明の成膜方法の第1実施例における各種ガスの供給のタイミングを示すタイミングチャート、図5は本発明の成膜方法の第1実施例によって形成される積層構造の薄膜を示す断面図である。まず、常温の多数枚、例えば50〜150枚の300mmのウエハWが載置された状態のウエハボート12を予め所定の温度になされた処理容器4内にその下方より上昇させてロードし、蓋部18でマニホールド8の下端開口部を閉じることにより容器内を密閉する。
次に、上記第1のプロセスS1の他の実施例について説明する。先の第1のプロセスS1では、HCD、C3 H6 及びNH3 を、この順序で供給していたが、これに限定されず、以下のようなガス供給態様にしてもよい。
図6は第1のステップのガス供給態様を変えた第2実施例を示すタイミングチャートである。この第2実施例では、前記Si供給工程と前記N供給工程の内の少なくともいずれか一方の工程の時に前記炭化水素ガスも供給するようにしている。
次に第3実施例及び第4実施例について説明する。図7は第1のステップのガス供給態様を変えた第3実施例及び第4実施例を示すタイミングチャートである。図7(A)に示す第3実施例の場合には、先の図4(A)〜図4(C)で示す各ガスの供給態様に加えてC供給工程の時にNH3 を供給してCN同時供給工程を行うようにしている。
次に第5実施例について説明する。図8は第1のステップのガス供給態様を変えた第5実施例を示すタイミングチャートである。図8に示す第5実施例の場合には、上記第1のステップは、上記シラン系ガスを供給するSi供給工程と上記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、上記窒化ガスを供給するN供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしている。
次に第6実施例について説明する。図9は第1のステップのガス供給態様を変えた第6実施例を示すタイミングチャートである。図9に示す第6実施例の場合には、上記第1のステップは、上記シラン系ガスと前記炭化水素ガスとを同時に供給するSiC同時供給工程と、上記窒化ガスを供給するN供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしている。
以上の説明は、第1のプロセスS1の他の実施例についての説明であったが、次に上記第2のプロセスS2の他の実施例について説明する。先の第2のプロセスS2では、HCD、C3 H6 及びO2 を、この順序で供給していたが、これに限定されず、以下のようなガス供給態様にしてもよい。
図10は第2のステップのガス供給態様を変えた第7実施例を示すタイミングチャートである。この第7実施例では、上記Si供給工程と上記O供給工程の内の少なくともいずれか一方の工程の時に上記炭化水素ガスも供給するようにしている。
次に第8実施例及び第9実施例について説明する。図11は第2のステップのガス供給態様を変えた第8実施例及び第9実施例を示すタイミングチャートである。この第8実施例では、上記C供給工程の時に上記酸化ガスも供給するようにし、 第9実施例では、上記第2のステップは、上記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、上記炭化水素ガスと上記酸化ガスとを同時に供給するCO同時供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしている。
次に第10実施例について説明する。図12は第2のステップのガス供給態様を変えた第10実施例を示すタイミングチャートである。図12に示す第10実施例の場合には、上記第2のステップは、上記シラン系ガスを供給するSi供給工程と上記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、上記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしている。
次に第11実施例について説明する。図13は第2のステップのガス供給態様を変えた第11実施例を示すタイミングチャートである。図13に示す第11実施例の場合には、上記第2のステップは、上記シラン系ガスと上記炭化水素ガスとを同時に供給するSiC同時供給工程と、上記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしている。
<第12及び第13実施例>
ところで、アミノ系シランガスには炭素を含有しないアミノ系シランガスと炭素を含有するアミノ系シランガスの2種類存在するが、炭素含有のアミノ系シランガスをシラン系ガスとして用いた場合には、以下のように他のガス種の供給工程を省略することができる。図14はシラン系ガスとして炭素含有のアミノ系シランガスを用いた時の他の実施例おけるガスのタイミングチャートを示す図である。
次に、本発明の成膜方法を用いて実際に成膜処理を行ったので、その評価結果について説明する。図15は本発明の成膜方法を用いてSiOCN膜を形成した時の薄膜中に含まれる酸素濃度(O濃度)と炭素濃度(C濃度)を示すグラフである。ここでは本発明の成膜方法として第1実施例を用いた。また比較例として、先の特許文献5(特開12−160704号公報)に記載された成膜方法によってSiOCN膜を形成して、そのO及びC濃度についても測定した。この特許文献5の成膜方法では、SiCN膜とSiO膜とを交互に繰り返し成膜している。
4 処理容器
12 ウエハボート(保持手段)
28 窒化ガス供給手段
30 シラン系ガス供給手段
32 酸化ガス供給手段
34 炭化水素ガス供給手段
36 パージガス供給手段
38,40,42,44 ガス分散ノズル
72 真空排気系
80 加熱手段
82 制御手段
88 SiCN(第1の膜)
92 SiCO膜(第2の膜)
96 SiOCN層
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (34)
- シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、
少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、
前記第1のステップは、前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と前記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、前記窒化ガスを供給するN供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法。 - 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、
前記炭化水素ガスを供給するC供給工程と、
前記酸化ガスを供給するO供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。 - 前記Si供給工程と前記O供給工程の内の少なくともいずれか一方の工程の時に前記炭化水素ガスも供給するようにしたことを特徴とする請求項2記載の成膜方法。
- 前記C供給工程の時に前記酸化ガスも供給するようにしたことを特徴とする請求項2又は3記載の成膜方法。
- 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、
前記炭化水素ガスと前記酸化ガスとを同時に供給するCO同時供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。 - 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と前記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、
前記酸化ガスを供給するO供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。 - 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスと前記炭化水素ガスとを同時に供給するSiC同時供給工程と、
前記酸化ガスを供給するO供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。 - 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスとして炭素を含むアミノ系シランガスを供給するアミノ系シラン供給工程と、
前記酸化ガスを供給するO供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。 - シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、
少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、
前記第2のステップは、前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、前記炭化水素ガスを供給するC供給工程と、前記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法。 - シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、
少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、
前記第2のステップは、前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、前記炭化水素ガスと前記酸化ガスとを同時に供給するCO同時供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法。 - シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、
少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、
前記第2のステップは、前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と前記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、前記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法。 - シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスと酸化ガスとを必要に応じて用いて真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に少なくともシリコン(Si)と酸素(O)と炭素(C)と窒素(N)とを含むSiOCN層よりなる薄膜を形成する成膜方法において、
少なくともSiとCとNとを含む第1の膜を形成する第1のステップと、少なくともSiとCとOとを含む第2の膜を形成する第2のステップとを1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにし、
前記第2のステップは、前記シラン系ガスと前記炭化水素ガスとを同時に供給するSiC同時供給工程と、前記酸化ガスを供給するO供給工程と、を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする成膜方法。 - 前記第1のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、
前記炭化水素ガスを供給するC供給工程と、
前記窒化ガスを供給するN供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記Si供給工程と前記N供給工程の内の少なくともいずれか一方の工程の時に前記炭化水素ガスも供給するようにしたことを特徴とする請求項13記載の成膜方法。
- 前記C供給工程の時に前記窒化ガスも供給するようにしたことを特徴とする請求項13記載の成膜方法。
- 前記第1のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、
前記炭化水素ガスと前記窒化ガスとを同時に供給するCN同時供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記第1のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と前記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、
前記窒化ガスを供給するN供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記第1のステップは、
前記シラン系ガスと前記炭化水素ガスとを同時に供給するSiC同時供給工程と、
前記窒化ガスを供給するN供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記第1のステップは、
前記シラン系ガスとして炭素を含むアミノ系シランガスを供給するアミノ系シラン供給工程であることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記第1のステップは、
前記シラン系ガスとして炭素を含むアミノ系シランガスを供給するアミノ系シラン供給工程と、
前記窒化ガスを供給するN供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記Si供給工程と前記O供給工程の内の少なくともいずれか一方の工程の時に前記炭化水素ガスも供給するようにしたことを特徴とする請求項9記載の成膜方法。
- 前記C供給工程の時に前記酸化ガスも供給するようにしたことを特徴とする請求項9記載の成膜方法。
- 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と、
前記炭化水素ガスと前記酸化ガスとを同時に供給するCO同時供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項13乃至20のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスを供給するSi供給工程と前記炭化水素ガスを供給するC供給工程とよりなる1サイクルを複数サイクル行うSiC連続供給工程と、
前記酸化ガスを供給するO供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項13乃至20のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスと前記炭化水素ガスとを同時に供給するSiC同時供給工程と、
前記酸化ガスを供給するO供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項13乃至20のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記第2のステップは、
前記シラン系ガスとして炭素を含むアミノ系シランガスを供給するアミノ系シラン供給工程と、
前記酸化ガスを供給するO供給工程と、
を1サイクルとして該サイクルを1回以上行うようにしたことを特徴とする請求項13乃至20のいずれか一項に記載の成膜方法。 - 前記各供給工程間では、パージガスとして不活性ガス又は水素ガスを供給するパージ工程を行うことを特徴とする請求項1乃至26のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記シラン系ガスを供給した供給工程の直後には、パージガスとして水素ガスを供給するパージ工程を行うことを特徴とする請求項27記載の成膜方法。
- 前記窒化ガスと前記酸化ガスの内の少なくともいずれか一方は活性化されていることを特徴とする請求項1乃至28のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記シラン系ガスは、ヘキサクロロジシラン(HCD)、ジクロロシラン(DCS)、モノシラン[SiH4 ]、ジシラン[Si2 H6 ]、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、テトラクロロシラン(TCS)、ジシリルアミン(DSA)、トリシリルアミン(TSA)、ビスターシャルブチルアミノシラン(BTBAS)、ジイソプロピルアミノシラン(DIPAS)、アミノ系シランガスよりなる群より選択される1以上のガスであることを特徴とする請求項1乃至29のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記炭化水素ガスは、プロピレン、アセチレン、エチレン、メタン、エタン、プロパン、ブタンよりなる群より選択される1以上のガスであることを特徴とする請求項1乃至30のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記窒化ガスは、アンモニア[NH3 ]、一酸化二窒素[N2 O]、一酸化窒素[NO]よりなる群より選択される1以上のガスであることを特徴とする請求項1乃至31のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記酸化ガスは、酸素[O2 ]、オゾン[O3 ]、一酸化二窒素[N2 O]、一酸化窒素[NO]よりなる群より選択される1以上のガスであることを特徴とする請求項1乃至32のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 被処理体に対して所定の薄膜を形成するための成膜装置において、
真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、
前記被処理体を複数段に保持して前記処理容器内に挿脱される保持手段と、
前記処理容器の外周に設けられる加熱手段と、
前記処理容器内へシラン系ガスを供給するシラン系ガス供給手段と、
前記処理容器内へ炭化水素ガスを供給する炭化水素ガス供給手段と、
前記処理容器内へ窒化ガスを供給する窒化ガス供給手段と、
前記処理容器内へ酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段と、
請求項1乃至33のいずれか一項に記載の成膜方法を実行するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
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WO2012061593A2 (en) * | 2010-11-03 | 2012-05-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for deposition of silicon carbide and silicon carbonitride films |
JP5847566B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2016-01-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
KR101378478B1 (ko) * | 2011-03-23 | 2014-03-27 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
US8771807B2 (en) * | 2011-05-24 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organoaminosilane precursors and methods for making and using same |
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