JP5887962B2 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5887962B2 JP5887962B2 JP2012017528A JP2012017528A JP5887962B2 JP 5887962 B2 JP5887962 B2 JP 5887962B2 JP 2012017528 A JP2012017528 A JP 2012017528A JP 2012017528 A JP2012017528 A JP 2012017528A JP 5887962 B2 JP5887962 B2 JP 5887962B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- film forming
- forming apparatus
- dispersion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 241
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 106
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 95
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 72
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 68
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 41
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 41
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 27
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 description 35
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 10
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N ac1l3fa4 Chemical compound [SiH3]N([SiH3])[SiH3] VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- WZUCGJVWOLJJAN-UHFFFAOYSA-N diethylaminosilicon Chemical compound CCN([Si])CC WZUCGJVWOLJJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWFPGKLDLMAPMK-UHFFFAOYSA-N dimethylaminosilicon Chemical compound CN(C)[Si] AWFPGKLDLMAPMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-silylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N([SiH3])C(C)C BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOERHRIFSQUTET-UHFFFAOYSA-N N-propyl-N-silylpropan-1-amine Chemical compound CCCN([SiH3])CCC UOERHRIFSQUTET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 disilylamine (DSA) Chemical compound 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
原料ガスと反応ガスを処理容器内へ供給する分散ノズルの内の少なくともいずれか一方の分散ノズルであって、保持手段の被処理体保持領域よりも上方に位置するノズル上部は保持手段の天板よりも上方へ延びる延長部を有すると共に延長部にパーティクル放出孔を設けて、分散ノズル内等で発生したパーティクルをこのパーティクル放出孔より主に排出させるようにしたので、被処理体保持領域に支持されている被処理体にパーティクルが付着することを大幅に抑制することができる。
図1は本発明の係る成膜装置の実施例を示す縦断面構成図、図2は成膜装置(加熱手段は省略)を示す横断面構成図、図3は分散ノズルの上部の状態の一例を示す部分拡大図である。尚、ここでは原料ガスとしてシリコン含有ガスであるジクロロシラン(DCS)を用い、反応ガスとして窒化ガスであるアンモニアガス(NH3 )を用い、パージガスとしてN2 ガスを用い、上記NH3 ガスをプラズマにより活性化して薄膜としてシリコン窒化膜を成膜する場合を例にとって説明する。
ここで多数のガス噴射孔を有する分散ノズルから放出されるパーティクルの分布量についてシミュレーションを行ったので、そのシミュレーション結果について説明する。図5は多数のガス噴射孔を有する分散ノズルから放出されるパーティクルの分布量を示すグラフである。分散ノズル110には多数、例えば100〜150個程度のガス噴射孔112が7〜10mmのピッチの間隔で形成されている。この分散ノズル110に原料ガス(DCSガス)を100〜150Torr程度の圧力範囲内で供給し、各ガス噴射孔112からガスを放出している。分散ノズル110の内径は8〜14mm、ガス噴射孔112の直径は0.8〜2.0mmである。パーティクル分布量のグラフから明らかなように、ガス流の最下流である分散ノズル110の上端部に設けたガス噴射孔112A(112)からのパーティクル量が、他の部分に形成したガス噴射孔112から排出されるパーティクル量よりも遥かに多いことが判る。
ここで上記した成膜装置を用いて実際にシリコン窒化膜の成膜処理を行った時のパーティクルについて測定したので、その測定結果について説明する。従来の成膜装置のウエハボートの最上段の近傍の半導体ウエハのパーティクル数は、0.1μm以上のものが100個程度であったが、原料ガス用の分散ノズル40に図3に示すようなパーティクル放出孔60を設けた本発明の成膜装置の場合には、パーティクル数は0.1μm以上のものが10個程度であり、パーティクルを大幅に減少させることができることを確認することができた。
次に、本発明の第1変形実施例について説明する。先の実施例にあっては、分散ノズル38、40、44の長さを通常よりも長くしてノズル上部58に延長部58Aを設け、この延長部58Aにパーティクル放出孔60を形成したが、これに限定されず、分散ノズル38、40、44の長さを延ばすことなく通常の長さに設定した状態で、ノズル上部58にパーティクル放出孔60を形成するようにしてもよい。図6はこのような分散ノズルの第1変形実施例を示す部分拡大図である。図6中において図1乃至図3に示した構成と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。ここでも原料ガス用の分散ノズル40を例にとって説明するが、この第1変形実施例を他の分散ノズル38、44にも適用できるのは勿論である。
次に本発明の第2変形実施例について説明する。先の各実施例では側壁側のパーティクル放出孔60のガス噴射方向は、ウエハボート12の中心軸方向に向けられていたが、これに限定されず、中心軸方向よりも外側へそれた方向に向けるようにしてもよい。図7はこのような分散ノズルの第2変形実施例を示す部分拡大図であり、図7(A)は側断面図、図7(B)は平面図である。図7中において図1乃至図3及び図6に示した構成と同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。ここでも原料ガス用の分散ノズル40を例にとって説明するが、この第2変形実施例を他の分散ノズル38、44にも適用できるのは勿論である。
4 処理容器
12 ウエハボート(保持手段)
13A 天板
13B 底板
15 被処理体保持領域
18 蓋部
28 反応ガス供給手段
30 原料ガス供給手段
34 パージガス供給手段
56 バッファタンク
58 ノズル上部
58A 延長部
60、60A、60B パーティクル放出孔
66 活性化手段
74 プラズマ電極
76 高周波電源
86 排気系
94 加熱手段
96 装置制御部
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (13)
- 被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置において、
真空引き可能になされた処理容器と、
天板と底板との間で複数枚の前記被処理体を前記処理容器内で保持する保持手段と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
原料ガスを供給するために前記処理容器の長手方向に沿って延びると共に複数のガス噴射孔が形成された分散ノズルを有する原料ガス供給手段と、
反応ガスを供給するために前記処理容器の長手方向に沿って延びると共に複数のガス噴射孔が形成された分散ノズルを有する反応ガス供給手段と、
装置全体の動作を制御する装置制御部とを備え、
前記分散ノズルの内の少なくともいずれか一方の分散ノズルであって前記保持手段の被処理体保持領域よりも上方に位置するノズル上部は前記保持手段の天板よりも上方へ延びる延長部を有すると共に前記延長部にパーティクル放出孔を設けるように構成したことを特徴とする成膜装置。 - 前記パーティクル放出孔は、前記ノズル上部の側壁に設けられることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。
- 前記パーティクル放出孔のガス噴射方向は、前記保持手段の中心軸方向に向けられていることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記パーティクル放出孔のガス噴射方向は、前記保持手段の中心軸方向よりも外側へそれた方向に向けられていることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記パーティクル放出孔のガス噴射方向は、前記保持手段に保持された前記被処理体の上方向への投影輪郭に対する接線方向よりも外側へそれた方向に向けられていることを特徴とする請求項4記載の成膜装置。
- 前記パーティクル放出孔は、前記分散ノズルの上端に設けられることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記原料ガス用の分散ノズルは、前記処理容器内に設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記反応ガス用の分散ノズルは、前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ室内に設けられることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記原料ガス供給手段は、前記原料ガスを一時的に貯留するバッファタンクを有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記薄膜中にドープされる不純物を含む不純物ガスを導入する不純物ガス供給手段を更に有し、前記不純物ガス供給手段は、前記処理容器の長手方向に沿って延びると共に複数のガス噴射孔が形成された分散ノズルを有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記不純物ガス供給手段の分散ノズルであって前記保持手段の被処理体保持領域よりも上方に位置するノズル上部にパーティクル放出孔を設けるように構成したことを特徴とする請求項10記載の成膜装置。
- 前記原料ガスは、シリコン含有ガスを含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記反応ガスは、窒化ガス、酸化ガス、還元ガスよりなる群から選択される1つのガスよりなることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012017528A JP5887962B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012017528A JP5887962B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013157491A JP2013157491A (ja) | 2013-08-15 |
JP5887962B2 true JP5887962B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=49052388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012017528A Active JP5887962B2 (ja) | 2012-01-31 | 2012-01-31 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5887962B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6291297B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP6578243B2 (ja) | 2015-07-17 | 2019-09-18 | 株式会社Kokusai Electric | ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP6560924B2 (ja) | 2015-07-29 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6695975B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-05-20 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、ガスノズルおよび半導体装置の製造方法 |
JP2018170468A (ja) * | 2017-03-30 | 2018-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
KR102009348B1 (ko) | 2017-09-20 | 2019-08-09 | 주식회사 유진테크 | 배치식 플라즈마 기판처리장치 |
JP6952595B2 (ja) * | 2017-12-20 | 2021-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JP7064577B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-05-10 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
KR102034766B1 (ko) * | 2018-04-12 | 2019-10-22 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7012613B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP7365973B2 (ja) * | 2020-06-19 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスノズル、基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7455013B2 (ja) | 2020-07-10 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010052556A1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-12-20 | Weichi Ting | Injector |
JP4873820B2 (ja) * | 2002-04-01 | 2012-02-08 | 株式会社エフティーエル | 半導体装置の製造装置 |
JP4935687B2 (ja) * | 2008-01-19 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2009260151A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体 |
-
2012
- 2012-01-31 JP JP2012017528A patent/JP5887962B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013157491A (ja) | 2013-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5887962B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5920242B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP5233562B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4935687B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP5190307B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP4935684B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4179311B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP5151260B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4506677B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP4396547B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP4305427B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP4929811B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4258518B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP4434149B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP4893729B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
KR101503725B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
JP4929932B2 (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP6024484B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2009260151A (ja) | 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP2008227460A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2011029284A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
US20150031216A1 (en) | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP2006066884A (ja) | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 | |
JP5082595B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP4793306B2 (ja) | プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5887962 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |