JP4434149B2 - 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
しかしながら、この場合、上記絶縁膜を例えば760℃程度の高温の熱CVDで成膜した場合には、このような高温の熱CVDで形成した絶縁膜のクリーニング時のエッチングレートはかなり小さいので、クリーニング時にこの絶縁膜が過度に削り取られることがなく、膜厚の制御性が良い状態でクリーニング処理を行うことができるが、下地層に耐熱性の低い薄膜が形成されている場合には、高温の熱CVD処理を採用できない。
また例えば請求項3に規定するように、前記各1サイクル内では、前記プラズマ活性化処理の後に、前記窒化ガスを単独で供給する工程を行う。
また例えば請求項4に規定するように、前記各1サイクル内では、前記シラン系ガスの供給工程の前に、前記窒化ガスを単独で供給する工程を行う。
また例えば請求項5に規定するように、前記各1サイクル内では、前記炭化水素ガスの供給工程の時に、同時に前記窒化ガスを供給する工程を行う。
また例えば請求項7に規定するように、前記シラン系ガスの供給工程と前記炭化水素ガスの供給工程との間の間欠期間には、全てのガスの供給を停止して真空引きするパージ工程が含まれる。
また例えば請求項9に規定するように、前記薄膜の成膜時の温度は、300℃〜700℃の範囲内である。
また例えば請求項10に規定するように、前記薄膜の成膜時の圧力は、13Pa(0.1Torr)〜1330Pa(10Torr)の範囲内である。
また例えば請求項11に規定するように、前記シラン系ガスは、ジクロロシラン(DCS)、ヘキサクロロジシラン(HCD)、モノシラン[SiH4 ]、ジシラン[Si2 H6 ]、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、テトラクロロシラン(TCS)、ジシリルアミン(DSA)、トリシリルアミン(TSA)、ビスターシャルブチルアミノシラン(BTBAS)よりなる群より選択される1以上のガスである。
また例えば請求項13に規定するように、前記炭化水素ガスは、アセチレン、エチレン、メタン、エタン、プロパン、ブタンよりなる群より選択される1以上のガスである。
請求項16に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、被処理体を保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へシラン系ガスを供給するシラン系ガス供給手段と、前記処理容器内へ窒化ガスを供給する窒化ガス供給手段と、前記処理容器内へ炭化水素ガスを供給する炭化水素ガス供給手段と、少なくとも前記炭化水素ガスを活性化する活性化手段と、装置全体を制御する制御手段とを備えた成膜装置を用いて前記被処理体に対してSiCN膜よりなる薄膜を形成するに際して、請求項1乃至13のいずれか一項に記載された成膜方法を実行するように装置全体を制御する、コンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体である。
シラン系ガスを供給する工程と炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う1サイクルを複数回繰り返して実行すると共に、上記各1サイクル内で上記窒化ガスを供給する工程を行うようにし、上記炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で上記炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行うようにしてSiCN膜(シリコン・カーボン窒化膜)を形成するようにしたので、比較的低温で成膜しても炭素成分を高濃度で含有させることができる結果、クリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる。
図1は本発明の係る成膜装置の一例を示す縦断面構成図、図2は成膜装置(加熱手段は省略)を示す横断面構成図である。尚、ここではシラン系ガスとしてジクロロシラン(DCS)を用い、窒化ガスとしてアンモニアガス(NH3 )を用い、炭化水素ガスとしてC2 H4 ガス(エチレンガス)を用い、上記エチレンガスをプラズマにより活性化して炭素含有の薄膜であるSiCN膜を成膜する場合を例にとって説明する。尚、必要に応じてNH3 ガスも活性化する場合がある。
そして、この回転軸20の貫通部には、例えば磁性流体シール22が介設され、この回転軸20を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部18の周辺部とマニホールド8の下端部には、例えばOリング等よりなるシール部材24が介設されており、処理容器4内のシール性を保持している。
そして上記プラズマ区画壁72の開口70の外側近傍、すなわち開口70の外側(処理容器4内)には、上記シラン系ガス用のガス分散ノズル40と窒化ガス用のガス分散ノズル42とがそれぞれ起立させて設けられており、各ノズル40、42に設けた各ガス噴射孔40A、42Aより処理容器4の中心方向に向けてシラン系ガスとNH3 ガスとをそれぞれ噴射し得るようになっている。
<第1実施例>
まず、本発明方法の第1実施例について説明する。
図4は本発明の成膜方法の第1実施例における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。尚、図中において”RF ON”は高周波を印加してプラズマを立てることを意味している。この点は、これ以降の図も同じである。本発明では、シラン系ガス(DCS)と窒化ガス(NH3 )と炭化水素ガス(C2 H4 )を用いて半導体ウエハ上にSiCN薄膜を形成するものであり、具体的には、シラン系ガスを供給する工程と炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う1サイクルを複数回繰り返して実行すると共に、窒化ガスを供給する工程を適宜に行うようにし、炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で記炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行うようになっている。
そして、シラン系ガスであるDCSを供給する工程(以下「DCS供給工程」とも称す)と炭化水素ガスであるC2 H4 を供給する工程(以下「C2 H4 供給工程」とも称す)とを、互いに間欠期間90、92を挟んで交互に複数回繰り返し行っている。ここでは、あるDCS供給工程の開始から次のDCS供給工程の開始までを1サイクルとする。そして、上記C2 H4 供給工程内の一部、すなわち後半において高周波を”オン”してプラズマを立てて、C2 H4 に対するプラズマ活性化処理を行っている。
従って、DCS供給工程とC2 H4 供給工程との間の間欠期間90はパージ工程P1となり、C2 H4 供給工程とNH3 供給工程との間はパージ工程P2となり、更に、NH3 供給工程と次のサイクルのDCS供給工程との間はパージ工程P3となる。これらのパージ工程P1、P2、P3では、全てのガスの供給が停止された状態で真空引きが行われ、処理容器4内の残留ガスが排出される。尚、このパージ工程で必要に応じてN2 やAr等の不活性ガス等を供給して残留ガスの排出を促進させるようにしてもよい。
またここでは1サイクルの最後の方でNH3 供給工程を行っていることから、ウエハ表面にNH3 ガスが付着した状態で、次のサイクルのDCS供給工程を行うことになり、この結果、ウエハ表面に付着したNH3 分子の作用でDSCガス成分のウエハ表面への付着が促進されるので、より多くのDCSガス成分をウエハ表面に付着させることができる。
またプロセス圧力は13Pa(0.1Torr)〜1330Pa(10Torr)の範囲内、好ましくは40Pa(0.3Torr)〜266Pa(2Torr)の範囲内であり、例えばDCSの吸着工程では1Torr、プラズマを用いる窒化工程では0.3Torrである。プロセス圧力が13Paよりも小さい場合には、成膜レートが実用レベル以下になり、また1330Paよりも大きい場合には、プラズマが十分に立たなくなってしまう。
次に本発明方法の第1実施例の変形例1について説明する。図5は本発明の成膜方法の第1実施例の変形例1における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。
図5に示すように、この第1実施例の変形例1が、先の第1実施例と異なる点は、上記第1実施例のガス供給タイミングに加えて、DCS供給工程と同時に、すなわち期間T1においてNH3 ガスも同じ時間だけ同時に供給している点であり、他のタイミングは図4に示す場合と全く同じである。
次に本発明方法の第1実施例の変形例2について説明する。図6は本発明の成膜方法の第1実施例の変形例2における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。
図6に示すように、この第1実施例の変形例1が、先の第1実施例と異なる点は、上記第1実施例のガス供給タイミングに加えて、DCS供給工程と同時に、すなわち期間T1においてC2 H4 ガスも同じ時間だけ同時に供給している点であり、他のタイミングは図4に示す場合と全く同じである。
尚、この場合のガス流量、プロセス圧力、プロセス温度等のプロセス条件は、上記第1実施例と同じである。
次に本発明方法の第1実施例の変形例3について説明する。図7は本発明の成膜方法の第1実施例の変形例3における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。
図7に示すように、この第1実施例の変形例3が、先の第1実施例と異なる点は、上記第1実施例のガス供給タイミングに加えて、DCS供給工程と同時に、すなわち期間T1においてNH3 ガスとC2 H4 ガスも同じ時間だけ同時に供給している点であり、他のタイミングは図4に示す場合と全く同じである。
次に本発明方法の第2実施例について説明する。図8は本発明の成膜方法の第2実施例における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。
図8に示すように、この第2実施例が、先の第1実施例の変形例1と異なる点は、上記第1実施例の変形例1(図5参照)の1サイクルの最後の方の期間T5で示すNH3 供給工程と期間T6で示すパージ工程P3とを省略して1サイクルの期間を短くした点である。この場合、第1実施例と同様な作用効果を発揮することができる。また上述したように期間T5、T6の工程を省略したので、その分、スループットを向上することができる。
次に本発明方法の第2実施例の変形例1について説明する。図9は本発明の成膜方法の第2実施例の変形例1における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。
図9に示すように、この第2実施例の変形例1が、先の図8に示す第2実施例と異なる点は、上記第2実施例ではDCS供給工程と同時に、すなわち期間T1においてNH3 ガスも同じ時間に供給していたが、ここではNH3 ガスの供給を期間T7だけ先行して行ってNH3 ガスのプリフローを行っている点である。他のタイミングは図8に示す場合と全く同じである。
尚、この場合のガス流量、プロセス圧力、プロセス温度等のプロセス条件は、上記第2実施例と同じである。また、この第2実施例の変形例1において、一点鎖線96に示すように供給タイミングを変更して、NH3 供給工程をDCS供給工程の直前に行うようにしてもよい。
次に本発明方法の第3実施例について説明する。図10は本発明の成膜方法の第3実施例における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。
図10に示すように、この第3実施例が、先の図4に示す第1実施例と異なる点は、C2 H4 供給工程のプリフローをなくしてこの期間T3を短くし、プラズマ活性化処理の期間T7と同じになるように設定している。更に、NH3 供給工程を前倒しで行ってC2 H4 供給工程と一部同時に行うと共に、その期間T5を長く設定し、プリフロー工程98を行っている。
次に、本発明方法の第3実施例の変形例1〜変形例3について説明する。
図11は本発明の成膜方法の第3実施例の変形例1における各種ガスの供給タイミングとRF(高周波)の印加タイミングとを示すタイミングチャート、図12は本発明の成膜方法の第3実施例の変形例2における各種ガスの供給タイミングとRF(高周波)の印加タイミングとを示すタイミングチャート、図13は本発明の成膜方法の第3実施例の変形例3における各種ガスの供給タイミングとRF(高周波)の印加タイミングとを示すタイミングチャートである。
この場合にも、先の第3実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
次に本発明方法の第4実施例について説明する。図14は本発明の成膜方法の第4実施例における各種ガスの供給のタイミングとRF(高周波)の印加タイミングを示すタイミングチャートである。
図14に示すように、この第4実施例が、先の図4に示す第1実施例と異なる点は、NH3 供給工程と同時に、ここでもRFをオンしてプラズマを立ててNH3 ガスを活性化するようにしている。更に、期間T4で示されるパージ工程P2(図4参照)をなくして、代わりにその分の長さだけ期間T5で示されるNH3 供給工程を長くしてRFを印加する前のプリフロー工程100を行うようにしている。
この場合のガス流量、プロセス圧力、プロセス温度等のプロセス条件は、上記第1実施例と同じである。
次に、本発明方法の第4実施例の変形例1〜変形例3について説明する。
図15は本発明の成膜方法の第4実施例の変形例1における各種ガスの供給タイミングとRF(高周波)の印加タイミングとを示すタイミングチャート、図16は本発明の成膜方法の第4実施例の変形例2における各種ガスの供給タイミングとRF(高周波)の印加タイミングとを示すタイミングチャート、図17は本発明の成膜方法の第4実施例の変形例3における各種ガスの供給タイミングとRF(高周波)の印加タイミングとを示すタイミングチャートである。
この場合にも、先の第4実施例を同様な作用効果を発揮することができる。
次に、本発明の上記各実施例の一部について実際に実験を行って評価を行ったので、その評価結果について説明する。また比較例として、本出願人が先の出願(特願2005−066340)において開示した成膜方法を行った。図18は本出願人が上記先の出願で開示した成膜方法の各ガス種の供給タイミングやRFの印加タイミングを示すフローチャートであり、ここではDCSガスとC2 H4 ガスとを同時に供給し、更にNH3 ガスの供給時にRFを印加してプラズマを立ててSiCN膜を形成している。図19はSiCN膜中の炭素濃度とDHF(希フッ酸)によるエッチングレートを示す図である。
図19(A)に示すように、SiCN膜中の炭素濃度に関しては、比較例が9.5×1019atoms/ccであってそれほど多くないのに対して、本発明方法の場合は738×1019atoms/cc、2240×1019atoms/cc、603×1019atoms/cc、2830×1019atoms/ccとなっており、本発明方法によれば、膜中に炭素成分を多量に含ませて炭素濃度を大幅に向上できることが確認できた。
また、ここでは成膜装置として一度に複数枚のウエハを処理できるバッチ式の成膜装置を例にとって説明したが、これに限定されず、ウエハを1枚ずつ処理する枚用式の成膜装置についても本発明方法を適用することができる。
また被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ガラス基板やLCD基板等にも本発明を適用することができる。
4 処理容器
12 ウエハボート(保持手段)
28 炭化水素ガス供給手段
30 シラン系ガス供給手段
32 窒化ガス供給手段
38,40,42 ガス分散ノズル
60 制御手段
62 記憶媒体
66 活性化手段
74 プラズマ電極
76 高周波電源
86 加熱手段
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (16)
- 被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiCN膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、
前記シラン系ガスを供給する工程と前記炭化水素ガスを供給する工程とを少なくとも間欠的に交互に行う1サイクルを複数回繰り返して実行すると共に、
前記各1サイクル内で前記窒化ガスを供給する工程を行うようにし、前記炭化水素ガスの供給工程の全部の期間、或いは一部の期間で前記炭化水素ガスをプラズマによって活性化するプラズマ活性化処理を行うことを特徴とする成膜方法。 - 前記炭化水素ガスと前記窒化ガスの内のいずれか一方、又は両方のガスを前記シラン系ガスの供給工程で同時に供給することを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記各1サイクル内では、前記プラズマ活性化処理の後に、前記窒化ガスを単独で供給する工程を行うことを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 前記各1サイクル内では、前記シラン系ガスの供給工程の前に、前記窒化ガスを単独で供給する工程を行うことを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 前記各1サイクル内では、前記炭化水素ガスの供給工程の時に、同時に前記窒化ガスを供給する工程を行うことを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 前記各1サイクル内では、前記プラズマ活性化処理の後に、前記窒化ガスを単独で供給すると共に、該窒化ガスをプラズマによって活性化する他のプラズマ活性化処理を行うことを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 前記シラン系ガスの供給工程と前記炭化水素ガスの供給工程との間の間欠期間には、全てのガスの供給を停止して真空引きするパージ工程が含まれることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記炭化水素ガスの供給工程では、前記炭化水素ガスの供給開始から所定の時間が経過した後に、前記プラズマが立てられることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記薄膜の成膜時の温度は、300℃〜700℃の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記薄膜の成膜時の圧力は、13Pa(0.1Torr)〜1330Pa(10Torr)の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記シラン系ガスは、ジクロロシラン(DCS)、ヘキサクロロジシラン(HCD)、モノシラン[SiH4 ]、ジシラン[Si2 H6 ]、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、テトラクロロシラン(TCS)、ジシリルアミン(DSA)、トリシリルアミン(TSA)、ビスターシャルブチルアミノシラン(BTBAS)よりなる群より選択される1以上のガスであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記窒化ガスは、アンモニア[NH3 ]、窒素[N2 ]、一酸化二窒素[N2 O]、一酸化窒素[NO]よりなる群より選択される1以上のガスであることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記炭化水素ガスは、アセチレン、エチレン、メタン、エタン、プロパン、ブタンよりなる群より選択される1以上のガスであることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の成膜方法。
- 被処理体に対してSiCN膜よりなる薄膜を形成するための成膜装置において、
真空引き可能になされた処理容器と、
前記被処理体を保持する保持手段と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内へシラン系ガスを供給するシラン系ガス供給手段と、
前記処理容器内へ窒化ガスを供給する窒化ガス供給手段と、
前記処理容器内へ炭化水素ガスを供給する炭化水素ガス供給手段と、
少なくとも前記炭化水素ガスを活性化する活性化手段と、
請求項1乃至13のいずれか一項に記載された成膜方法を実行するように装置全体を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記処理容器は、前記被処理体を複数枚収容することができる縦型の筒体状に成形されていることを特徴とする請求項14記載の成膜装置。
- 真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を保持する保持手段と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内へシラン系ガスを供給するシラン系ガス供給手段と、
前記処理容器内へ窒化ガスを供給する窒化ガス供給手段と、
前記処理容器内へ炭化水素ガスを供給する炭化水素ガス供給手段と、
少なくとも前記炭化水素ガスを活性化する活性化手段と、
装置全体を制御する制御手段とを備えた成膜装置を用いて前記被処理体に対してSiCN膜よりなる薄膜を形成するに際して、
請求項1乃至13のいずれか一項に記載された成膜方法を実行するように装置全体を制御する、コンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶することを特徴とする記憶媒体。
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