JP2009099919A - 処理装置及びその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器4と、被処理体Wを複数段に保持して処理容器内に挿脱される保持手段12と、処理容器の外周に設けられる加熱手段96と、処理容器内へガスを供給するガス供給手段28,30,36と、処理容器内の長手方向に沿って設けられて対向する電極を有するプラズマボックス66と、プラズマ発生用の高周波電力を発生する高周波電源76と、対向する電極と高周波電源とを接続すると共にいずれか一方が接地された対の給電導体と78,80を備え、被処理体に所定の処理を施すようにした処理装置において、対の給電導体の途中に、対向する電極のグランド側とホット側とを切り替えるための切替手段84を設ける。
【選択図】 図1
Description
また例えば請求項3に記載したように、前記切替手段は、電子的又は機械的に形成されており、必要に応じて前記切替手段を制御する切替制御部を有している。
また例えば請求項4に記載したように、前記切替制御部は、所定の数のバッチ処理を行った時に切り替えるように制御する。
また例えば請求項6に記載したように、前記所定の処理は、前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜処理である。
また例えば請求項9に記載したように、前記切り替え操作は、1バッチ処理を行っている間に1回又は複数回実行する。
請求項11に係る発明は、請求項1に記載の処理装置を用いて被処理体に所定の処理を施すに際して、請求項7乃至10のいずれか一項に記載の使用方法を実行するようなコンピュータ読み書き可能なプログラムを記憶する記憶媒体である。
プラズマボックスに対向配置させて設けた電極に接続された対の給電導体の途中に、対向する電極のグランド側とホット側とを切り替えるための切替手段を設けるようにして、ホット側とグランド側とを適宜切り替えて高周波電力を印加するようにしたので、パーティクルの発生を抑制することができ、その結果、クリーニングの頻度を小さくしてスループットを向上させることができる。
図1は本発明の係る処理装置の一例を示す縦断面構成図、図2は処理装置(加熱手段は省略)を示す横断面構成図、図3は電極に高周波電力を供給する高周波回路の一例を示す回路図である。尚、ここではシラン系ガスとしてジクロロシラン(DCS)を用い、窒化ガスとしてアンモニアガス(NH3 )を用い、上記NH3 ガスをプラズマにより活性化して窒化膜としてSiN膜を成膜する場合を例にとって説明する。
そして、この回転軸20の貫通部には、例えば磁性流体シール22が介設され、この回転軸20を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部18の周辺部とマニホールド8の下端部には、例えばOリング等よりなるシール部材24が介設されており、処理容器4内のシール性を保持している。
まず、シラン系ガスを供給するシラン系ガス供給工程と窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを交互に繰り返し行うと共に、上記窒化ガス供給工程ではプラズマを立てるようにしてシリコン窒化膜(SiN)よりなる薄膜を形成する。
ここで、実際に先に説明した処理装置を用いてSiN膜の成膜処理を複数のバッチ処理に亘って行った時のパーティクルの発生の有無について実験を行ったので、その評価結果について説明する。
図5及び図6において、左側縦軸はパーティクル数を示し、右側縦軸は累積膜厚を示す。またグラフ中において、棒グラフはパーティクル数を示し、折れ線グラフは累積膜厚を示す。また各バッチ処理において、ウエハボートのトップ”T”、センタ”C”、ボトム”B”の各位置におけるパーティクルを測定している。
また、ここでは切替手段84の切替スイッチ86A、86Bが自動的に切り替わるように設定したが、これを手動で行ってもよく、また、切替手段84として単に下流側の給電導体78、80の接続状態を手動で交差接続と平行接続とを切り替えることができる切替スイッチを設けるようにしてもよい。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、LCD基板、セラミック基板等にも本発明を適用することができる。
4 処理容器
12 ウエハボート(供給手段)
28,30,36 第1、第2及び第3のガス供給手段
60 制御手段
62 記憶媒体
66 プラズマボックス
73 高周波回路
74,75 電極
76 高周波電源
78,80 給電導体
82 マッチング回路
84 切替手段
86A,86B 切替スイッチ
88 切替制御部
96 加熱手段
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (11)
- 真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、
被処理体を複数段に保持して前記処理容器内に挿脱される保持手段と、
前記処理容器の外周に設けられる加熱手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器内の長手方向に沿って設けられて対向する電極を有するプラズマボックスと、
プラズマ発生用の高周波電力を発生する高周波電源と、
前記対向する電極と前記高周波電源とを接続すると共にいずれか一方が接地された対の給電導体とを備え、前記被処理体に所定の処理を施すようにした処理装置において、
前記対の給電導体の途中に、前記対向する電極のグランド側とホット側とを切り替えるための切替手段を設けるように構成したことを特徴とする処理装置。 - 前記プラズマボックスは、プラズマ発生空間を区画する石英製の区画壁を有しており、該区画壁の外周面側に前記対向する電極が設けられていることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 前記切替手段は、電子的又は機械的に形成されており、必要に応じて前記切替手段を制御する切替制御部を有していることを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
- 前記切替制御部は、所定の数のバッチ処理を行った時に切り替えるように制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記切替制御部は、1バッチ処理を行っている間に1回又は複数回切り替えるように制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の処理装置。
- 前記所定の処理は、前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜処理であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の処理装置。
- 真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器と、
被処理体を複数段に保持して前記処理容器内に挿脱される保持手段と、
前記処理容器の外周に設けられる加熱手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器内の長手方向に沿って設けられて対向する電極を有するプラズマボックスと、
プラズマ発生用の高周波電力を発生する高周波電源と、
前記対向する電極と前記高周波電源とを接続すると共にいずれか一方が接地された対の給電導体とを備え、前記被処理体に所定の処理を施すようにした処理装置の使用方法において、
前記対向する電極のホット側とグランド側とを切り替える切り替え操作を行うようにしたことを特徴とする処理装置の使用方法。 - 前記切り替え操作は、所定の数のバッチ処理を行った時に実行するようにしたことを特徴とする請求項7記載の処理装置の使用方法。
- 前記切り替え操作は、1バッチ処理を行っている間に1回又は複数回実行するようにしたことを特徴とする請求項7記載の処理装置の使用方法。
- 前記所定の処理は、前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜処理であることを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載の処理装置。
- 請求項1に記載の処理装置を用いて被処理体に所定の処理を施すに際して、
請求項7乃至10のいずれか一項に記載の使用方法を実行するようなコンピュータ読み書き可能なプログラムを記憶する記憶媒体。
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