KR101627297B1 - 플라즈마 처리부 및 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 증착 장치는 복수의 반응 공간들, 상기 복수의 반응 공간들에 각기 배치되어 있는 복수의 플라즈마 전극, 상기 복수의 플라즈마 전극들 중 적어도 2개와 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부, 그리고 상기 제1 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제1 플라즈마 전원을 포함한다. 상기 제1 플라즈마 처리부는 플라즈마 분배기 또는 플라즈마 스플리터를 포함할 수 있다.
Figure R1020080100300
복수의 챔버, 플라즈마, 전극, 전력, 스플리터(splitter)

Description

플라즈마 처리부 및 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법{PLASMA PROCESSING MEMBER, DEPOSITION APPARATUS INCLUDING THE SAME AND DEPOSITING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 플라즈마 처리부 및 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 기술이 발전함에 따라, 전도성 또는 비전도성 박막을 균일하고 정확하게 증착하는 공정 기술에 대한 중요성이 높아지고 있다.
박막 증착 방법은 크게 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD), 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD), 그리고 원자층 증착(ALD)로 나눌 수 있으며, 이러한 증착법에는 플라즈마가 이용된다.
한편, 박막 증착 속도를 높이기 위해, 여러 장의 기판을 동시에 처리할 수 있는 다중 웨이퍼 시스템에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 다중 웨이퍼 원자층 증착 시스템에서, 공간 분할 방식을 이용하는 경우, 플라즈마 강화 증착법에서 각 반응 공간들 내에 간단한 장치를 이용하여 균일한 플라즈마를 발생하는 것이 중요하다.
균일한 플라즈마를 발생하기 위해서는 각 반응 공간에 공급되는 플라즈마 전력이 균일하여야 한다. 각 반응 공간에 균일한 플라즈마를 발생하기 위해, 각 반응 공간을 각기 다른 플라즈마 전원에 연결하고, 동일한 플라즈마 전력을 인가할 수 있으나, 이 경우 장비가 복잡해지고 비용이 높아지게 된다.
본 발명의 한 기술적 과제는 다중 웨이퍼 시스템을 이용한 증착 장치에서, 각 반응 공간에 균일한 플라즈마를 쉽게 제공할 수 있는 플라즈마 처리부 및 이를 포함하는 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 증착 장치는 복수의 반응 공간들, 상기 복수의 반응 공간들에 각기 배치되어 있는 복수의 플라즈마 전극, 상기 복수의 플라즈마 전극들 중 적어도 2개와 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부, 그리고 상기 제1 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제1 플라즈마 전원을 포함한다.
상기 제1 플라즈마 처리부는 플라즈마 분배기를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 분배기는 복수의 분배 회로를 포함할 수 있다.
상기 복수의 분배 회로의 출력 단자는 상기 플라즈마 전극에 각기 연결될 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리부는 상기 분배 회로의 출력 단자와 상기 플라즈마 전극 사이에 연결되어 있는 센서를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리부는 상기 센서에 연결되어 있으며, 상기 플라즈마 분배기의 동작을 제어하는 플라즈마 분배기 구동 회로를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리부는 플라즈마 스플리터를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 스플리터는 상기 제1 플라즈마 전원에 연결된 입력 단자를 복수의 출력 단자에 연결하도록 스위칭하기 위한 복수의 스위치를 포함할 수 있다.
상기 스위치의 출력 단자는 상기 플라즈마 전극에 각기 연결될 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리부는 스위치의 동작을 제어하는 플라즈마 스플리터 구동 회로를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리부는 플라즈마 스플리터와 상기 플라즈마 스플리터에 연결되어 있는 플라즈마 분배기를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 스플리터는 상기 제1 플라즈마 전원에 연결된 입력 단자를 복수의 출력 단자에 연결하도록 스위칭하기 위한 복수의 스위치를 포함하고, 상기 복수의 스위치의 출력 단자는 상기 플라즈마 분배기에 각기 연결될 수 있다.
상기 플라즈마 분배기는 복수의 플라즈마 분배 회로를 포함하고, 상기 복수의 분배 회로의 출력 단자는 상기 플라즈마 전극에 각기 연결될 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리부는 상기 플라즈마 스플리터의 동작을 제어하는 구동 회로를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리부와 상기 플라즈마 전극 사이에 각기 연결되어 있는 복수의 정합기를 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 플라즈마 전극들 중 상기 적어도 2개를 제외한 나머지 플라즈마 전극 중 적어도 2개와 연결되어 있는 제2 플라즈마 처리부, 그리고 상기 제2 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제2 플라즈마 전원을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 플라즈마 분배기를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 분배기는 복수의 분배 회로를 포함할 수 있다.
상기 복수의 분배 회로의 출력 단자는 상기 플라즈마 전극에 각기 연결될 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 상기 분배 회로의 출력 단자와 상기 플라즈마 전극 사이에 연결되어 있는 센서를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 상기 센서에 연결되어 있으며, 상기 플라즈마 분배기의 동작을 제어하는 플라즈마 분배기 구동 회로를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 플라즈마 스플리터를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 분배기는 복수의 분배 회로를 포함할 수 있다.
상기 복수의 분배 회로의 출력 단자는 상기 플라즈마 전극에 각기 연결될 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 상기 분배 회로의 출력 단자와 상기 플라즈마 전극 사이에 연결되어 있는 센서를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 상기 센서에 연결되어 있으며, 상기 플라즈마 분배기의 동작을 제어하는 플라즈마 분배기 구동 회로를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 플라즈마 스플리터를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 스플리터는 상기 제2 플라즈마 전원에 연결된 입력 단자를 복 수의 출력 단자에 연결하도록 스위칭하기 위한 복수의 스위치를 포함할 수 있다.
상기 스위치의 출력 단자는 상기 플라즈마 전극에 각기 연결될 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리부는 상기 플라즈마 스플리터의 동작을 제어하는 구동 회로를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 플라즈마 처리부는 하나의 플라즈마 전원에 연결되어 있는 복수의 플라즈마 분배 회로, 상기 플라즈마 분배 회로의 출력 단자에 연결되어 있는 복수의 플라즈마 전극, 그리고 상기 플라즈마 분배 회로의 동작을 제어하는 구동 회로를 포함한다.
상기 복수의 플라즈마 분배 회로의 출력 단자와 상기 복수의 플라즈마 전극 사이에 각기 연결되어 있는 복수의 센서를 더 포함하고, 상기 복수의 센서는 상기 구동 회로에 연결될 수 있다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 플라즈마 처리부는 하나의 플라즈마 전원에 연결되어 있는 입력 단자, 상기 입력 단자에 연결되어 있으며, 상기 입력 단자를 복수의 출력 단자에 각기 연결하도록 스위칭하는 스위치, 상기 출력 단자에 각기 연결되어 있는 복수의 플라즈마 전극, 그리고 상기 스위치의 동작을 제어하는 구동 회로를 포함한다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 플라즈마 처리부는 하나의 플라즈마 전원에 연결되어 있는 입력 단자, 상기 입력 단자에 연결되어 있으며, 상기 입력 단자를 복수의 출력 단자에 각기 연결하도록 스위칭하는 스위치, 상기 출력 단자에 각기 연결되어 있는 복수의 플라즈마 분배 회로, 그리고 상기 플라즈마 분배 회로의 출력 단자에 각기 연결되어 있는 복수의 플라즈마 전극을 포함한다.
상기 복수의 플라즈마 분배 회로의 출력 단자와 상기 복수의 플라즈마 전극 사이에 각기 연결되어 있는 복수의 센서, 그리고 상기 복수의 센서에 연결되어 있으며, 상기 플라즈마 분배 회로의 동작을 제어하는 구동 회로를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 다중 웨이퍼 시스템을 이용한 증착 장치에서, 간단한 구성으로 각 반응 공간에 플라즈마를 간단하고 쉽게 발생할 수 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나 타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 본 발명의 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치(100)에 대하여 도 1 및 도 2를 참고로 하여, 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 개략도이고, 도 2는 도 1에 도시한 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 증착 장치는 큰 시스템 또는 반응기의 일부로서, 로딩 플랫폼, 로드 백 챔버, 로봇들과 같은 로딩 시스템들, 본 발명의 실시예에 따른 방법을 순차적으로 수행하도록 프로그램화된 메모리, 프로세서, 사용자 인터페이스 등과 같은 기체 분사 시스템 및 제어 시스템들을 포함하는 반응기의 일부이다. 또한, 각 구성 요소의 위치는 다른 부분에 대한 상대적인 것이지, 절대적인 것이 아니다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 다중 웨이퍼 증착 장치(100)는 하부 부분(115)과 상부 부분(또는 덮개)(130)을 포함한다. 하부 부분(115)은 하부 바디(120)와 상부 바디(121)를 포함한다. 본 실시예에 따른 증착 장치(100)는 제1 내지 제4 반응 공간들(170, 180, 190, 200)을 포함한다. 기판 지지 플랫폼(110)은 기판 또는 웨이퍼들(W1 내지 W4)을 반응 공간들 사이에서 이송하도록 구성된다. 본 실시예에서, 반응 공간(170, 180, 190, 200)은 수직판(163)에 의하여 정의되는 퍼지 벽에 의하여 분리되는데, 퍼지벽 사이의 공간은 덮개(130)의 배관(160)으로부터 퍼지 기체를 받아서 구멍(162)을 통해 퍼지 기체를 반응 공간 아래의 영역(125)으로 보내도록 구성되는 채널부(161)를 가진다. 영역(125)은 기판 지지 플랫폼(110)과 덮개(130) 또는 상부 바디(121) 사이로 정의된다. 각 반응 공간들(170, 180, 190, 200)은 복수의 벽으로 정의되는데, 복수의 벽은 덮개(130), 수직판(163), 기판 및 기판 지지 플랫폼(110)을 포함한다.
각 반응 공간들 각각의 하부 부분은 기판 표면을 장착할 수 있는 빈 공간을 가지는 수평 벽에 의하여 정의될 수 있다. 본 실시예에서, 반응 공간(170)은 반응 공간(180)에 인접하고, 반응 공간(180)은 반응 공간(190)에 인접하고, 반응 공간(190)은 반응 공간(200)에 인접하고, 반응 공간(200)은 반응 공간(170)에 인접한다. 덮개(130)는 각 반응 공간들(170, 180, 190, 200)과 채널부(161)의 개구 영역의 상부를 덮어서 밀폐한다. 각 반응 공간은 덮개(130)의 유입구(172, 182, 192, 202)로부터 기체를 공급받고, 각 반응 공간 측변에 형성되어 있는 배출구(173, 183, 193)와 수직 배기 통로(175, 185, 195)를 통해 기체를 배출한다. 도 1에서는 네 개의 반응 공간 중 단지 세 개에 대한 배기구와 수직 배기 통로를 도시하고 있다. 반응 공간은 유입구(172, 182, 192, 202)로부터 유입된 기체를 기판 전면에 분산시키는 기체 분산 수단(도시하지 않음)을 포함하는데, 기체 분산 수단은 샤워헤드(showerhead), 깔때기(trumpet) 등의 당업자에게 알려진 형태일 수 있다.
도 1을 참고하면, 원자층 증착 장치(100)의 하부 부분(115)은 하부 바 디(120)와 상부 바디(121)를 포함한다. 상부 바디(121)는 덮개(130)를 삽입할 수 있도록 구성되고, 덮개(130)는 수직판(163) 위에 놓여진다.
기체는 반응 공간의 측면에 형성되어 있는 배출구(173, 183, 193)를 통해 반응 공간들(170, 180, 190)로부터 배기될 수 있다. 기체는 이어서 상부 바디(121)에 배치되어 있는 하나 이상의 통로들로 유입되고, 그 후 기체는 하부 바디(120)에 배치되어 있는 통로들(175, 185, 195)로 배기된다. 반응 공간들의 배기구들은 각기 분리되는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 불필요한 입자를 발생시킬 수 있는 반응물의 기체 상 혼합은 완전히 방지되거나, 반응 공간으로부터 충분히 멀리 떨어진 곳에서 발생하므로, 반응 공간의 오염을 발생하지 않는다. 각 배기구는 전용 펌핑 시스템과 연결되어 있을 수 있다. 비용을 절감하기 위하여 공용 펌핑 시스템이 사용될 경우, 반응 공간들의 입구에서 입자의 발생을 방지하기 위하여, 배기구들은 각 반응 영역들로부터 충분히 멀리 떨어진 부분에서 만나도록 구성되어야 한다. 도 1에서 화살표는 원자층 증착 장치(100)에서의 일반적인 기체 흐름 방향을 나타낸다.
웨이퍼들(W1 내지 W4)은 적어도 부분적으로 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 노출되어 있는 상부 표면을 가진다. 도 2를 참고하면, 웨이퍼(W1)의 상부 표면은 반응 공간(170)에 노출되고, 웨이퍼(W2)의 상부 표면은 반응 공간(180)에 노출되고, 웨이퍼(W3)의 상부 표면은 반응 공간(190)에 노출되고, 웨이퍼(W4)의 상부 표면은 반응 공간(200)에 노출된다. 다른 실시예에서, 기판 지지 플랫폼(110)은 반응 공간들을 정의하는 벽들과 매우 가까이 접하여 반응 공간의 빈 공간을 효과적 으로 밀폐시킬 수 있다. 반응 공간들이 실질적으로 밀폐되지 않고, 기판 지지 플랫폼(120)과 상부 바디(121) 사이에 공간이 존재하는 경우, 퍼지 기체가 채널(161) 아래에서 반응 공간 아래의 영역(125)으로 흘러 반응 공간을 격리하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서, 기판 지지 플랫폼(110)은 회전 샤프트(shaft)(도시하지 않음)를 포함할 수 있다. 기판 지지 플랫폼(110)은 연속적으로 또는 순차적으로 회전할 수 있다. 다른 실시예에서, 기판 지지 플랫폼(110)은 전후방(back-and-forth) 회전 운동할 수 있다. 기판 지지 플랫폼(110)과 하부 바디(120) 사이의 공간은, 반응물들이 이 공간으로 유입되어 서로 만남으로써 원하지 않는 입자들을 발생하는 것을 방지하기 위하여, 퍼지 기체들에 의하여 퍼지된다. 퍼지 기체는 하부 바디(120)와 기판 지지 플랫폼(110) 사이의 공간(126)을 통해 반응 공간을 향해 위쪽으로 계속 흐른다. 퍼지 기체는 배기구(173, 183, 193)를 통해 배기된다.
본 발명의 다른 한 실시예에서는, 기판 지지 플랫폼은 반응 공간들에 대하여 상하로(vertically) 이동하도록 구성된다. 이러한 상하 이동은 웨이퍼들을 반응 공간들로부터 이격하고, 각 반응 공간의 하부에 빈 공간 영역을 노출시킨다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치(100)는 각 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 삽입되어 있는 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504)을 포함한다. 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504)에는 증착 장치(100)의 각 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 플라즈마를 발생하기 위한 전압이 인가된다. 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504)에 는 각기 제1 내지 제4 정합기(510, 520, 530, 540)가 연결되어 있으며, 제1 정합기(510)와 제2 정합기(520), 그리고 제3 정합기(530)와 제4 정합기(540)는 각기 쌍을 지어 제1 플라즈마 처리부(610)와 제2 플라즈마 처리부(620)에 연결되어 있다. 또한, 제1 플라즈마 처리부(610)와 제2 플라즈마 처리부(620)는 각기 제1 전원(710)과 제2 전원(720)에 연결되어 있다.
본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치(100)에서는, 제1 전원(710)에 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부(610)는 제1 전원(710)으로부터 전력을 인가 받아, 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제1 정합기(510)와 제2 정합기(520)에 전력을 인가함으로써, 제1 플라즈마 전극(501)과 제2 플라즈마 전극(502)에 원하는 전압을 인가한다. 또한, 제2 전원(720)에 연결되어 있는 제2 플라즈마 처리부(620)는 제2 전원(720)으로부터 전력을 인가 받아, 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제3 정합기(530)와 제4 정합기(540)에 전력을 인가함으로써, 제3 플라즈마 전극(503)과 제4 플라즈마 전극(504)에 원하는 전압을 인가할 수 있다. 이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 플라즈마 처리부(610, 620)를 포함함으로써, 복수의 반응 공간에 배치되어 있는 플라즈마 전극에 각기 서로 다른 전원을 연결하지 않으면서도, 원하는 시간에 원하는 크기의 플라즈마 전압을 인가할 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2를 참고하면, 각 반응 공간들(170, 180, 190, 200)에는 기체 배관(171, 181, 191, 201)을 이용하여 원하는 기체가 직접 반응 공간들(170, 180, 190, 200)로 유입될 수 있다. 각 기체 배관(171, 181, 191, 201)은 원통 형태의 튜브이거나, 기체를 운반할 수 있도록 구성된 임의의 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 기체 배관은 스테인레스 스틸로 만들어진 기체 튜브일 수 있다.
기체 배관(171, 181, 191, 201)은 각기 제1 내지 제4 유입구(172, 182, 192, 202)에 배치될 수 있다. 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치(100)는 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182), 그리고 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202)는 교차부(intersecting point)에서 각기 하나의 외부 배관(410, 420)에 연결되어 있고, 이러한 교차부들은 스위치(310, 320)를 포함할 수 있고, 이러한 스위치(310, 320)를 통해서, 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182) 중 어느 하나를 외부 배관(410)에 연결하고, 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202) 중 어느 하나를 외부 배관(420)에 연결할 수 있다.
그러면, 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 분배기 및 그 동작에 대하여 설명한다.
먼저, 도 3 그리고 도 4a 및 도 4b를 참고로 본 발명의 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부 및 그 동작에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이고, 도 4a 및 도 4b는 본 발명의 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(610, 620)는 플라즈마 분배부(600a)를 포함한다. 도 3을 참고하면, 플라즈마 분배부(600a)는 제1 및 제2 분배기(641a, 641b), 각 분배기(641a, 641b)에 연결되어 있는 센서(642a, 642b), 센서(642a, 642b)와 연결되어 각 분배기(641a, 641b)를 제어하기 위한 구동 회로(644a)를 포함한다.
분배기(641a, 641b)는 입력되는 플라즈마 전원, 예를 들어 RF 전원을 동일한 크기로 분배하도록 구성된 전원 분배 회로를 각기 포함하여, 입력되는 플라즈마 전원을 동일한 크기로 분배하여 출력한다. 각 분배기(641a, 641b)에 연결되어 있는 센서(642a, 642b)는 분배기(641a, 641b)로부터 출력되는 전원의 크기를 감지하여, 입력된 플라즈마 전원이 원하는 크기로 분배되는 지 여부를 판단한다. 구동 회로(644a)는 센서(642a, 642b)에 연결되어 있어, 분배기(641a, 641b)로부터 출력되는 플라즈마 전력의 크기와 외부 신호(distributor signal interface)에 따라 각 분배기(641a, 641b)를 제어함으로써, 입력된 플라즈마 전원을 원하는 크기로 분배하도록 한다.
그러면, 도 3에 도시한 플라즈마 분배부(600a)를 포함하는 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작의 예에 대하여 도 4a 및 도 4b를 참고로 설명한다.
본 실시예에 따른 플라즈마 분배부(600a)는 도 2에 도시한 다중 웨이퍼 증착 장치의 제1 플라즈마 처리부(610) 또는 제2 플라즈마 처리부(620)의 한 예일 수 있어서, 제1 분배기(641a) 및 제2 분배기(641b)는 복수의 반응 공간에 연결되어 있는 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504) 중 일부와 각기 연결되어 있을 수 있다. 예를 들어, 제1 분배기(641a)는 제1 반응 공간(170)에 배치되어 있는 제1 플라즈마 전극(501)에 연결되고, 제2 분배기(641b)는 제2 반응 공간(180)에 배치되어 있는 제2 플라즈마 전극(502)에 연결될 수 있고, 또는 제1 분배기(641a)는 제3 반응 공간(190)에 배치되어 있는 제3 플라즈마 전극(503)과 연결될 수 있고, 제2 분배기(641b)는 제4 반응 공간(200)에 배치되어 있는 제4 플라즈마 전극(504)에 연결될 수 있다. 도 4a 및 도 4b에서, 제1 플라즈마 처리부(610)과 제2 플라즈마 처리부(620)에 입력되는 전원의 온/오프(ON/OFF)를 RFG1와 RFG2로 나타내고, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504)에 인가되는 전압의 온/오프(ON/OFF)를 각기 RC1, RC2, RC3, RC4로 나타내고, 제1 및 제2 플라즈마 전극(501, 502)이 삽입되어 있는 반응 공간(170, 180)에 반응 기체를 공급하는 주기와, 제3 및 제4 플라즈마 전극(503, 504)이 삽입되어 있는 반응 공간(190, 200)에 반응 기체를 공급하는 주기를 Gas 1과 Gas 2로 나타낸다.
도 4a를 참고하면, RFG1과 RFG2에 도시한 바와 같이, 제1 분배기(641a)와 제2 분배기(641b)를 포함하는 제1 플라즈마 처리부(610)와 제2 플라즈마 처리부(620)에는 전력이 교대로 인가될 수 있고, RC1과 RC2에 도시한 바와 같이 제1 플라즈마 처리부(610)에 전력이 인가되는 시간 주기 동안 제1 분배기(641a)와 제2 분배기(641b)에 의해 인가된 전력이 분배되어 제1 플라즈마 처리부(610)에 연결되어 있는 제1 플라즈마 전극(501)과 제2 플라즈마 전극(502)에 전압이 인가되고, RC3과 RC4에 도시한 바와 같이 제1 플라즈마 처리부(610)에 전력이 인가되는 시간 주기 동안 인가된 전력이 제1 분배기(641a)와 제2 분배기(641b)에 의해 분배되어 제3 플라즈마 전극(503)과 제4 플라즈마 전극(504)에 전압이 인가된다.
또한 Gas 1과 Gas 2에 도시한 바와 같이, 제1 플라즈마 전극(501)과 제2 플라즈마 전극(502)에 전압이 인가될 때, 제1 플라즈마 전극(501)과 제2 플라즈마 전극(502)이 삽입되어 있는 제1 및 제2 반응 공간(170, 180)의 기체 유입구(172, 182)에 반응 기체를 공급하여, 제1 및 제2 반응 공간(170, 180)에 플라즈마를 생성하고, 나머지 제3 및 제4 반응 공간(190, 200)에는 반응 기체를 공급하지 않는다. 그 후, 제1 및 제2 반응 공간(170, 180)의 플라즈마 발생 공정이 끝나면, 제3 플라즈마 전극(503)과 제4 플라즈마 전극(504)에 전압이 인가되고, 제3 플라즈마 전극(503)과 제4 플라즈마 전극(504)에 전압이 인가되는 동안, 제3 및 제4 반응 공간(190, 200)의 기체 유입구(192, 202)에 반응 기체를 공급하여, 제3 및 제4 반응 공간(190, 200)에 플라즈마를 생성하고, 나머지 제1 및 제2 반응 공간(170, 180)의 기체 유입구(172, 182)에는 반응 기체를 공급하지 않는다. 이러한 시간 주기가 반복된다.
도 4b를 참고하면, RFG1과 RFG2에 도시한 바와 같이, 제1 플라즈마 처리부(610)와 제2 플라즈마 처리부(620)에는 동시에 전력이 인가될 수 있고, RC1 내지 RC4에 도시한 바와 같이 제1 플라즈마 처리부(610)와 제2 플라즈마 처리부(620)에 전력이 인가되는 시간 동안, 제1 분배기(641a)와 제2 분배기(641b)에 의해 인가된 전력이 분배되어 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504)에 전압이 인가된다.
또한, Gas 1과 Gas 2에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504)에 전압이 인가될 때, 제1 내지 제4 반응 공간(170, 180, 190, 200)의 기체 유입구(172, 182, 192, 202)를 통해 반응 기체가 공급되어, 제1 내지 제4 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 플라즈마를 발생하고, 플라즈마 발생 주기가 끝나면, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(501, 502, 503, 504)에 전압이 차단되고, 제1 내지 제4 반응 공간(170, 180, 190, 200)의 기체 유입구(172, 182, 192, 202)에 반응 기체를 공급하지 않는다. 이러한 시간 주기를 반복하게 된다.
이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(600a)는 복수의 반응 공간에 연결되어 있는 복수의 분배기(641a, 641b)를 포함함으로써, 원하는 시간 주기 동안, 원하는 반응 공간에 플라즈마 전압이 인가되도록 제어할 수 있다.
다음으로, 도 5, 도 6, 그리고 도 7a 및 도 7b를 참고하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부 및 그 동작에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이고, 도 6은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이고, 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
먼저, 도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 앞에서 도 1 및 도 2를 참고로 설명한 다중 웨이퍼 증착 장치와 유사하다. 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 복수의 반응 공간(170, 180, 190, 200)을 포함하고, 각 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 삽입되어 있는 제1 내지 제4 플라즈마 전극(511, 512, 513, 514)을 포함한다. 제1 내지 제4 플라즈마 전극(511, 512, 513, 514)에는 각기 제1 내지 제4 정합기(521, 522, 523, 524)가 연결되어 있으며, 제1 정합기(521)와 제2 정합기(522), 그리고 제3 정합기(523)와 제4 정합기(524)는 각기 쌍을 지어 제1 플라즈마 처리부(611)와 제2 플라즈마 처리부(621)에 연결되어 있다. 또한, 제1 플라즈마 처리부(611)와 제2 플라즈마 처리부(621)는 각기 제1 전원(711)과 제2 전원(721)에 연결되어 있다. 앞선 실시예와 마찬가지로, 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치에서, 제1 전원(711)에 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부(611)는 제1 전원(711)으로부터 전력을 인가 받아, 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제1 정합기(521)와 제2 정합기(522)에 전력을 인가함으로써, 제1 플라즈마 전극(511)과 제2 플라즈마 전극(512)에 원하는 전압을 인가한다. 또한, 제2 전원(721)에 연결되어 있는 제2 플라즈마 처리부(621)는 제2 전원(721)으로부터 전력을 인가 받아, 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제3 정합기(523)와 제4 정합기(524)에 전력을 인가함으로써, 제3 플라즈마 전극(513)과 제4 플라즈마 전극(514)에 원하는 전압을 인가할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 제1 유입구(172)와 제4 유입구(202), 그리고 제2 유입구(182)와 제3 유입구(192)는 교차부에서 각기 하나의 외부 배관(430, 440)에 연결되어 있고, 이러한 교차부들은 스위치(330, 340)를 포함할 수 있고, 이러한 스위치(330, 340)를 통해서, 제1 유입구(172)와 제4 유입구(202) 중 어느 하나를 외부 배관(430)에 연결하고, 제2 유입구(182)와 제3 유입구(192) 중 어느 하나를 외부 배관(420)에 연결할 수 있다.
본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(611, 621)는 각기 플라즈마 스플리터(600b)를 포함한다. 도 6을 참고하면, 플라즈마 스플리터(600b)는 하나의 전력 인가부(a)와 두 개의 전력 출력부(b, b')를 연결하여 스위칭하는 스위치(645a)와 스플리터(600b)의 동작을 제어하는 구동 회로(644a)를 포함 한다. 구동 회로(644a)는 각 전력 출력부(b)에 연결되어 각 전력 출력부(b, b')로 출력되는 플라즈마 전력을 감지함으로써, 스위치(645a)의 동작을 감지하여 정확히 스위칭되는 지 여부 등을 확인하고 외부 신호(splitter signal interface)에 따라 스플리터(600b)의 동작을 제어하여, 입력된 플라즈마 전원을 원하는 크기로 원하는 출력부(b, b')로 출력하도록 동작한다.
도 6에 도시한 플라즈마 스플리터(600b)의 동작에 대해 예를 들어 설명하면, 외부 신호에 따라 구동 회로(644a)가 스위치(645a)를 제어하여 스위치를 오프(ON) 상태로 두면 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 하나의 출력부(b)에 연결되어, 이 출력부(b)에 플라즈마 전력이 인가되고, 외부 신호에 따라 구동 회로(644a)가 스위치(645a)를 제어하여 스위치를 오프(OFF) 상태로 두면 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 나머지 하나의 출력부(b')에 연결되어, 이 출력부(b')에 플라즈마 전력이 인가된다. 이처럼, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부 플라즈마 처리부(611, 621)는 플라즈마 스플리터(600b)를 포함함으로써, 외부 신호에 따라 원하는 출력부(b, b')에 플라즈마 전력이 인가할 수 있다.
그러면, 도 6에 도시한 플라즈마 스플리터(600b)를 포함하는 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작의 예에 대하여 도 7a 및 도 7b를 참고로 설명한다.
본 실시예에 따른 플라즈마 스플리터(600b)는 도 5에 도시한 다중 웨이퍼 증착 장치의 제1 플라즈마 처리부(611) 또는 제2 플라즈마 처리부(621)의 한 예일 수 있어서, 각 출력부(b, b')는 복수의 반응 공간에 연결되어 있는 제1 내지 제4 플라 즈마 전극(511, 512, 513, 514)과 연결된 정합기(521, 522, 523, 524) 중 일부와 각기 연결되어 있을 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 스플리터(600b)가 제1 플라즈마 처리부(611)인 경우, 각 출력부(b, b')는 제1 반응 공간(170)에 배치되어 있는 제1 플라즈마 전극(511)과 제2 반응 공간(180)에 배치되어 있는 제2 플라즈마 전극(512)에 각기 연결될 수 있고, 또는 플라즈마 스플리터(600b)가 제2 플라즈마 처리부(621)인 경우 각 출력부(b, b')는 제3 반응 공간(190)에 배치되어 있는 제3 플라즈마 전극(513)과 제4 반응 공간(200)에 배치되어 있는 제4 플라즈마 전극(514)에 각기 연결될 수 있다.
도 7a 및 도 7b에서, 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)의 온/오프 동작은 플라즈마 스플리터(600b)가 제1 플라즈마 처리부(611)인 경우 SP#1로 나타내고, 플라즈마 스플리터(600b)가 제2 플라즈마 처리부(621)인 경우 SP#2로 나타낸다. 또한, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(511, 512, 513, 514)에 인가되는 전압의 온/오프 동작을 각기 RC1, RC2, RC3, RC4로 나타낸다. 도 7b에서, 제1 플라즈마 처리부(611)에 연결된 플라즈마 전원(711)과 제2 플라즈마 처리부(621)에 연결된 플라즈마 전원(721)의 온/오프 동작은 각기 RFG1과 RFG2로 나타낸다.
도 7a를 참고하면, SP#1과 SP#2에 도시한 바와 같이, 제1 플라즈마 처리부(611)와 제2 플라즈마 처리부(621)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 온(ON) 상태인 경우, 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 하나의 출력부(b)에 연결되어, 출력부(b)에 연결되어 있는 제1 정합기(521)와 제3 정합기(523)를 통해 제1 플라즈마 전극(511)과 제3 플라즈마 전극(513)에 전압이 인가된다. 또한, 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 오프(OFF) 상태인 경우, 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 나머지 출력부(b')에 연결되어, 출력부(b')에 연결되어 있는 제2 정합기(522)와 제4 정합기(524)를 통해 제2 플라즈마 전극(512)과 제4 플라즈마 전극(514)에 전압이 인가된다.
도 7b를 참고하면, 제1 플라즈마 처리부(611)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(711)이 온 상태이고, 제1 플라즈마 처리부(611)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 온 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(721)이 오프 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 오프 상태이면, 제1 플라즈마 처리부(611) 내의 플라즈마 스플리터(600b)의 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 하나의 출력부(b)에 연결되어, 출력부(b)에 연결되어 있는 제1 정합기(521)를 통해 제1 플라즈마 전극(511)에 전압이 인가된다.
또한, 제1 플라즈마 처리부(611)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(711)이 온 상태이고, 제1 플라즈마 처리부(611)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 오프 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(721)이 오프 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 오프 상태이면, 제1 플라즈마 처리부(611) 내의 플라즈마 스플리터(600b)의 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 나머지 출력부(b')에 연결되어, 출력부(b')에 연결되어 있는 제2 정합기(522)를 통해 제2 플라즈마 전극(512)에 전압이 인가된다.
또한, 제1 플라즈마 처리부(611)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(711)이 오프 상태이고, 제1 플라즈마 처리부(611)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 오프 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(721)이 온 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 온 상태이면, 제2 플라즈마 처리부(621) 내의 플라즈마 스플리터(600b)의 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 하나의 출력부(b)에 연결되어, 출력부(b)에 연결되어 있는 제3 정합기(523)를 통해 제3 플라즈마 전극(513)에 전압이 인가된다.
또한, 제1 플라즈마 처리부(611)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(711)이 오프 상태이고, 제1 플라즈마 처리부(611)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 오프 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(721)이 온 상태이고, 제2 플라즈마 처리부(621)의 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)가 오프 상태이면, 제2 플라즈마 처리부(621) 내의 플라즈마 스플리터(600b)의 전력 인가부(a)는 두 전력 출력부(b, b') 중 나머지 출력부(b')에 연결되어, 출력부(b')에 연결되어 있는 제4 정합기(524)를 통해 제2 플라즈마 전극(524)에 전압이 인가된다.
이처럼, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(611, 621)는 플라즈마 스플리터(600b)에 연결되어 있는 플라즈마 전원(711, 721)의 온/오프 동작과, 플라즈마 스플리터(600b)의 스위치(645a)의 온/오프 동작을 제어함으로써, 원하는 시간 주기 동안 원하는 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 순차적으로 플라즈마 전압을 인가할 수 있다.
다음으로, 도 8, 도 9 및 도 10을 참고하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부 및 그 동작에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이고, 도 9는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이고, 도 10은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
먼저, 도 8을 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 복수의 반응 공간(170, 180, 190, 200)을 포함하고, 각 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 삽입되어 있는 제1 내지 제4 플라즈마 전극(531, 532, 533, 534)을 포함한다. 제1 내지 제4 플라즈마 전극(531, 532, 533, 534)에는 각기 제1 내지 제4 정합기(541, 542, 543, 544)가 연결되어 있으며, 제1 내지 제4 정합기(541, 542, 543, 544)는 모두 플라즈마 처리부(650)에 연결되어 있다. 또한, 플라즈마 처리부(650)는 플라즈마 전원(750)에 연결되어 있다. 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치에서, 플라즈마 전원(750)에 연결되어 있는 플라즈마 처리부(650)는 플라즈마 전원(750)으로부터 전력을 인가 받아, 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제1 내지 제4 정합기(541, 542, 543, 544)에 전력을 인가함으로써, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(531, 532, 533, 534)에 원하는 전압을 인가한다.
또한, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182), 그리고 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202)는 교차부에서 각기 하나의 외부 배관(450, 460)에 연결되어 있고, 이러한 교차부들은 스위치(350, 360)를 포함할 수 있고, 이러한 스위치(350, 360)를 통해서, 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182) 중 어느 하나를 외부 배관(450)에 연결하고, 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202) 중 어느 하나를 외부 배관(460)에 연결할 수 있다.
도 9를 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(650)는 하나의 전력 인가부(a)와 두 개의 전력 출력부(b, b')를 연결하여 스위칭하는 스위치(645b)를 포함하는 스플리터와 스플리터의 동작을 제어하는 스플리터 구동 회로(644b)를 포함하는 플라즈마 스플리터와 또한, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(650)는 전력 출력부(b)에 연결되어 있는 제1 및 제2 분배기(651a, 651b)와 제1 분배기 구동 회로(646a), 전력 출력부(b')에 연결되어 있는 제3 및 제4 분배기(652a, 652b)와 제2 분배기 구동 회로(646b)를 포함하는 플라즈마 분배부를 포함한다.
본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(650)는 제1 및 제2 분배기(651a, 651b)에 연결되어 있는 제1 및 제2 센서(661a, 661b)와 제3 및 제4 분배기(652a, 652b)에 연결되어 있는 제3 및 제4 센서(662a, 662b)를 포함하고, 스플리터 구동 회로(644b), 제1 분배기 구동 회로(646a) 및 제2 분배기 구동 회로(646b)를 구동하는 제어 보드(655)를 포함한다.
본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(650)의 스플리터 구동 회로(644b)는 각 전력 출력부(b, b')에 연결되어 각 전력 출력부(b, b')로 출력되는 플라즈마 전력을 감지함으로써, 스위치(645b)의 동작을 감지하여 정확히 스위칭되는 지 여부 등을 확인하고 외부 신호에 따라 스위치(645b)의 동작을 제어하여, 입력된 플라즈마 전원을 원하는 크기로 원하는 출력부(b, b')로 출력하도록 동작한다.
또한, 제1 분배기 구동 회로(646a) 및 제2 분배기 구동 회로(646b)는 제1 및 제2 분배기(651a, 651b)에 연결되어 있는 제1 및 제2 센서(661a, 661b)와 제3 및 제4 분배기(652a, 652b)에 연결되어 있는 제3 및 제4 센서(662a, 662b)를 이용하여, 각 분배기(651a, 651b, 652a, 652b)로부터 출력되는 전원의 크기를 감지하여, 입력된 플라즈마 전원이 원하는 크기로 분배되는 지 여부를 판단하고, 각 분배기(651a, 651b, 652a, 652b)로부터 출력되는 전력의 크기와 외부 신호에 따라 각 분배기(651a, 651b, 652a, 652b)를 제어함으로써, 입력된 플라즈마 전원을 원하는 크기로 분배하도록 한다.
각 분배기(651a, 651b, 652a, 652b)는 도 8에 도시한 제1 내지 제4 플라즈마 전극(531, 532, 533, 534)에 각기 연결되어 있는 제1 내지 제4 정합기(541, 542, 543, 544)에 연결되어 있다. 따라서, 플라즈마 처리부(650)의 플라즈마 스플리터와 플라즈마 분배부의 동작에 따라 플라즈마 전원(750)으로부터 인가되는 전력을 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제1 내지 제4 정합기(541, 542, 543, 544)에 인가함으로써, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(531, 532, 533, 534)에 원하는 전압을 인가한다.
그러면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(650)의 동작에 대하여 도 9 및 도 10을 참고하여 설명한다. 도 10에서 플라즈마 스플리터 의 온/오프는 SP로 나타내고, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(531, 532, 533, 534)에 인가되는 전압의 온/오프(ON/OFF)를 각기 RC1, RC2, RC3, RC4로 나타낸다.
도 10을 참고하면, 플라즈마 스플리터의 스위치(645b)가 온 상태이면, 플라즈마 전원(750)에 연결되어 있는 전력 인가부(a)는 두 개의 전력 출력부(b, b') 중 출력부(b)에 연결되고, 출력부(b)로 출력된 전력은 전력 출력부(b)에 연결되어 있는 제1 및 제2 분배기(651a, 651b)에 의해 분배되어 제1 및 제2 플라즈마 전극(531, 532)에 플라즈마 전압이 인가된다. 또한, 플라즈마 스플리터의 스위치(645b)가 오프 상태이면, 플라즈마 전원(750)에 연결되어 있는 전력 인가부(a)는 두 개의 전력 출력부(b, b') 중 출력부(b')에 연결되고, 출력부(b')로 출력된 전력은 전력 출력부(b')에 연결되어 있는 제3 및 제4 분배기(652a, 652b)에 의해 분배되어 제3 및 제4 플라즈마 전극(533, 534)에 플라즈마 전압이 인가된다.
이처럼, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(650)는 플라즈마 스플리터와 플라즈마 분배부를 포함함으로써, 이 동작을 제어하여 원하는 시간 주기 동안 원하는 반응 공간에 플라즈마 전압을 인가할 수 있다.
그러면, 도 11 내지 도 13을 참고하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부 및 그 동작에 대하여 설명한다. 도 11은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이고, 도 12는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이고, 도 13은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
먼저, 도 11을 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 복수의 반응 공간(170, 180, 190, 200)을 포함하고, 각 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 삽입되어 있는 제1 내지 제4 플라즈마 전극(551, 552, 553, 554)을 포함한다. 제1 내지 제4 플라즈마 전극(551, 552, 553, 554)에는 각기 제1 내지 제4 정합기(561, 562, 563, 564)가 연결되어 있으며, 제1 내지 제4 정합기(561, 562, 563, 564)는 모두 플라즈마 처리부(651)에 연결되어 있다. 또한, 플라즈마 처리부(651)는 플라즈마 전원(751)에 연결되어 있다. 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치에서, 플라즈마 전원(751)에 연결되어 있는 플라즈마 처리부(651)는 플라즈마 전원(751)으로부터 전력을 인가 받아, 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제1 내지 제4 정합기(561, 562, 563, 564)에 전력을 인가함으로써, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(551, 552, 553, 554)에 원하는 전압을 인가한다.
또한, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182), 그리고 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202)는 교차부에서 각기 하나의 외부 배관(470, 480)에 연결되어 있고, 이러한 교차부들은 스위치(370, 380)를 포함할 수 있고, 이러한 스위치(370, 380)를 통해서, 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182) 중 어느 하나를 외부 배관(470)에 연결하고, 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202) 중 어느 하나를 외부 배관(480)에 연결할 수 있다.
도 12를 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(651)는 하나의 전력 인가부(a)와 제1 및 제2 전력 출력부(b, b')를 연결하여 스위칭하는 제1 스위치(645c), 제1 전력 출력부(b)와 두 개의 제3 출력부(e, e')를 연결하여 스위칭하는 제2 스위치(645d), 그리고 제2 전력 출력부(b')와 두 개의 제4 출력부(f, f')를 연결하여 스위칭하는 제3 스위치(645e) 그리고, 제3 출력부(e, e')와 제4 출력부(f, f')에 연결되어 출력되는 전압의 크기와 외부 신호에 의해, 제1 내지 제3 스위치(645c, 645d, 645e)를 제어하는 스플리터 구동 회로(644c)를 포함한다. 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(651)의 스플리터 구동 회로(644c)는 제3 출력부(e, e')와 제4 출력부(f, f')에 연결되어 각 제3 출력부(e, e')와 제4 출력부(f, f')로 출력되는 플라즈마 전력을 감지함으로써, 제1 내지 제3 스위치(645c, 645d, 645e)의 동작을 감지하여 정확히 스위칭되는 지 여부 등을 확인하고 외부 신호에 따라 제1 내지 제3 스위치(645c, 645d, 645e)의 동작을 제어하여, 입력된 플라즈마 전원을 원하는 크기로 원하는 제3 출력부(e, e')와 제4 출력부(f, f')로 출력하도록 동작한다.
제3 출력부(e, e')와 제4 출력부(f, f')는 도 11에 도시한 제1 내지 제4 플라즈마 전극(551, 552, 553, 554)에 연결되어 있는 제1 내지 제4 정합기(561, 562, 563, 564)에 각기 연결되어 있다. 따라서, 플라즈마 처리부(651)의 플라즈마 스플리터의 제1 내지 제3 스위치(645c, 645d, 645e)의 동작에 따라 플라즈마 전원(751)으로부터 인가되는 전력을 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제1 내지 제4 정합기(561, 562, 563, 564)에 인가함으로써, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(551, 552, 553, 554)에 원하는 전압을 인가한다.
그러면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(651)의 동작에 대하여 도 12 및 도 13을 참고하여 설명한다. 도 13에서 플라즈마 스플리 터의 제1 내지 제3 스위치(645c, 645d, 645e)의 온/오프는 각기 SP1, SP2, 그리고 SP3로 나타내고, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(551, 552, 553, 554)에 인가되는 전압의 온/오프(ON/OFF)를 각기 RC1, RC2, RC3, RC4로 나타낸다.
도 12 및 도 13을 참고하면, 플라즈마 스플리터의 제1 스위치(645c) 및 제2 스위치(645d)가 온 상태이고, 제3 스위치(645e)가 오프 상태이면, 전력 인가부(c)는 제1 전력 출력부(d)를 통해 제2 전력 출력부(e, e') 중 전력 출력부(e)에 연결되어 제1 플라즈마 전극(551)에 플라즈마 전압이 인가된다.
또한, 플라즈마 스플리터의 제1 스위치(645c)가 온 상태이고, 제2 스위치(645d) 및 제3 스위치(645e)가 오프 상태이면, 전력 인가부(c)는 제1 전력 출력부(d)를 통해 제2 전력 출력부(e, e') 중 전력 출력부(e')에 연결되어 제2 플라즈마 전극(552)에 플라즈마 전압이 인가된다.
또한, 플라즈마 스플리터의 제1 스위치(645c) 및 제2 스위치(645d)가 오프 상태이고, 제3 스위치(645e)가 온 상태이면, 전력 인가부(c)는 제2 전력 출력부(d')를 통해 제2 전력 출력부(f, f') 중 전력 출력부(f)에 연결되어 제3 플라즈마 전극(553)에 플라즈마 전압이 인가된다.
또한, 플라즈마 스플리터의 제1 스위치(645c) 내지 제3 스위치(645e)가 오프 상태이면, 전력 인가부(c)는 제2 전력 출력부(d')를 통해 제2 전력 출력부(f, f') 중 전력 출력부(f')에 연결되어 제4 플라즈마 전극(554)에 플라즈마 전압이 인가된다.
이처럼, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(651)는 플라즈마 스플리터의 제1 내지 제3 스위치(645c, 645d, 645e)의 온/오프 동작을 제어함으로써, 원하는 시간 주기 동안 원하는 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 순차적으로 플라즈마 전압을 인가할 수 있다.
그러면, 도 14 내지 도 16을 참고하여, 본 발명의 제5 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부 및 그 동작에 대하여 설명한다. 도 14는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이고, 도 15는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이고, 도 16은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
먼저, 도 14를 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 복수의 반응 공간(170, 180, 190, 200)을 포함하고, 각 반응 공간(170, 180, 190, 200)에 삽입되어 있는 제1 내지 제4 플라즈마 전극(571, 572, 573, 574)을 포함한다. 제1 및 제2 플라즈마 전극(571, 572)은 공통된 제1 정합기(581)에 연결되어 있고, 제3 및 제4 플라즈마 전극(573, 574)은 공통된 제2 정합기(582)에 연결되어 있다.
제1 및 제2 정합기(581, 582)는 각기 제1 및 제2 연결부(900a, 900b)를 통해 플라즈마 처리부(652)에 연결되어 있다. 또한, 플라즈마 처리부(652)는 플라즈마 전원(751)에 연결되어 있다. 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치에서, 플라즈마 전원(751)에 연결되어 있는 플라즈마 처리부(652)는 플라즈마 전원(751)으로부터 전력을 인가 받아, 원하는 시간 동안 원하는 크기로 제1 및 제2 연결부(900a, 900b)를 통해, 제1 및 제2 정합기(581, 582)에 전력을 인가함으로써, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(551, 552, 553, 554)에 원하는 전압을 인가한다.
또한, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182), 그리고 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202)는 교차부에서 각기 하나의 외부 배관(471, 481)에 연결되어 있고, 이러한 교차부들은 스위치(371, 381)를 포함할 수 있고, 이러한 스위치(371, 381)를 통해서, 제1 유입구(172)와 제2 유입구(182) 중 어느 하나를 외부 배관(471)에 연결하고, 제3 유입구(192)와 제4 유입구(202) 중 어느 하나를 외부 배관(481)에 연결할 수 있다.
도 15를 참고하면, 플라즈마 처리부(652)는 플라즈마 스플리터를 포함한다. 구체적으로, 플라즈마 처리부(652)는 플라즈마 전원(751)에 연결되어 있는 전력 인가부(g)와 두 개의 전력 출력부(h, h')를 연결하여 스위칭하는 스위치(645f)와 스위치(645f)의 동작을 제어하는 구동 회로(644d)를 포함한다. 구동 회로(644d)는 각 전력 출력부(h, h')에 연결되어 각 전력 출력부(h, h')로 출력되는 플라즈마 전력을 감지함으로써, 스위치(645f)의 동작을 감지하여 정확히 스위칭되는 지 여부 등을 확인하고 외부 신호(splitter signal interface)에 따라 플라즈마 처리부(652)의 동작을 제어하여, 입력된 플라즈마 전원을 원하는 출력부(h, h')로 출력하도록 동작한다.
도 15에 도시한 플라즈마 처리부(652)의 동작에 대해 예를 들어 설명하면, 외부 신호에 따라 구동 회로(644d)가 스위치(645f)를 제어하여 스위치를 오프(ON) 상태로 두면 전력 인가부(g)는 두 전력 출력부(h, h') 중 하나의 출력부(h)에 연결되어, 이 출력부(h)에 플라즈마 전력이 인가되고, 이 전력은 출력부(h)에 연결되어 있는 제1 연결부(900a)에 전달된다. 또한, 외부 신호에 따라 구동 회로(644d)가 스위치(645f)를 제어하여 스위치를 오프(OFF) 상태로 두면 전력 인가부(g)는 두 전력 출력부(h, h') 중 나머지 하나의 출력부(h')에 연결되어, 이 출력부(h')에 플라즈마 전력이 인가되고, 이 전력은 출력부(h')에 연결되어 있는 제2 연결부(900b)에 전달된다. 이처럼, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부 플라즈마 처리부(652)는 플라즈마 스플리터를 포함함으로써, 외부 신호에 따라 원하는 출력부(h, h')에 플라즈마 전력을 인가할 수 있다.
그러면, 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(651)의 동작에 대하여 도 16을 참고로 설명한다. 도 16에서 플라즈마 스플리터의 온/오프는 SP로 나타내고, 제1 내지 제4 플라즈마 전극(571, 572, 573, 574)에 인가되는 전압의 온/오프(ON/OFF)를 각기 RC1, RC2, RC3, RC4로 나타낸다.
도 16을 참고하면, 플라즈마 처리부(651)의 스위치(645f)가 온 상태이면, 플라즈마 전원(751)에 연결되어 있는 전력 인가부(g)는 두 개의 전력 출력부(h, h') 중 출력부(h)에 연결되고, 출력부(h)로 출력된 전력은 제1 연결부(900a)를 통해 제1 정합기(581)에 전달되어, 제1 및 제2 플라즈마 전극(571, 572)에 플라즈마 전압이 인가된다. 또한, 플라즈마 스플리터의 스위치(645f)가 오프 상태이면, 플라즈마 전원(751)에 연결되어 있는 전력 인가부(g)는 두 개의 전력 출력부(h, h') 중 출력부(h')에 연결되고, 출력부(h')로 출력된 전력은 제2 연결부(900b)를 통해 제2 정합기(582)에 전달되어, 제3 및 제4 플라즈마 전극(533, 534)에 플라즈마 전압이 인가된다.
이처럼, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부(651)는 플라즈마 스플리터를 포함함으로써, 이 동작을 제어하여 원하는 시간 주기 동안 복수의 반응 공간에 플라즈마 전압을 인가할 수 있다.
다음으로, 도 17을 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치에 대하여 설명한다. 도 17은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 개념도이다.
도 17을 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 복수의 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)과, 각 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)에 각기 연결되어 있는 정합기(MN1 내지 MNn)를 포함하고, 각 정합기(MN1 내지 MNn)는 모두 하나의 플라즈마 스플리터(600c)에 연결되어 있고, 플라즈마 스플리터(600c)는 플라즈마 전원(700a)에 연결되어 있다. 도시하지는 않았지만, 플라즈마 스플리터(600c)는 복수 개의 스위치와 구동 회로를 포함할 수 있고, 각 스위치의 온/오프 동작을 제어함으로써, 각 플라즈마 전극(C1 내지 Cn) 중 원하는 플라즈마 전극을 플라즈마 전원(700a)의 입력부 연결함으로써, 원하는 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)에 플라즈마 전압을 인가하여 원하는 반응 공간에 플라즈마를 발생할 수 있다.
다음으로, 도 18을 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치에 대하여 설명한다. 도 18은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 개념도이다.
도 18을 참고하면, 본 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치는 복수의 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)과, 각 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)에 각기 연결되어 있는 각 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)에 연결되어 있는 플라즈마 분배부(800a)를 포함한다. 플라즈마 분배부(800a)는 정합기(500b)에 연결되어 있고, 정합기(500b)는 플라즈마 전원(700b)에 연결되어 있다.
도시하지는 않았지만, 플라즈마 분배부(800a)는 복수 개의 분배기를 포함하여, 플라즈마 전원(700b)의 입력부로부터 입력된 플라즈마 전력을 각 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)에 동일하게 분배함으로써, 플라즈마 전극(C1 내지 Cn)에 균일한 플라즈마 전압을 인가하여 복수 개의 반응 공간에 균일한 플라즈마를 발생할 수 있다.
앞에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 플라즈마 처리부는 본 발명의 기본 개념 내에서 여러 변형 및 개량 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 1, 도 2, 도 5, 도 8, 도 11 및 도 14에서는 네 개의 반응 공간들(170, 180, 190, 200)을 도시하지만, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는 임의의 수의 반응 공간들을 포함할 수 있고, 플라즈마 스플리터와 플라즈마 분배기 또한 반응 공간들의 수와 이용되는 플라즈마 전원의 수 등을 고려하여 결정될 수 있다.
또한, 앞에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는 제어 시스템 또는 제어기(도시하지 않음)를 포함할 수 있다. 제어 시스템(제어기)은 반응 공간에 입력되는 기체의 종류 및 입력 주기, 각 반응 공간 내의 압력, 펌프, 기판 온도, 그리고 인시투 및/또는 원격 플라즈마 발생 등과 같은 다양한 웨이퍼 공정 단계와 함께, 플라즈마 스플리터와 플라즈마 분배기의 동작을 제어하는 제어 회로를 제어한다. 제어 시스템(제어기)은 서로 통신 가능한 하나 이상의 컴퓨터들과 본 발명 의 실시예에 따른 증착 방법을 구현하도록 증착 장치를 처리하는 다양한 처리 유닛들을 포함할 수 있다.
앞에서 설명한 실시예들 중 일부에서, 임의의 구성 요소는 구현가능한 것으로 대체될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시한 본 발명의 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
도 5는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이다.
도 6은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이다.
도 7a 및 도 7b는 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이다.
도 9는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이다.
도 10은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
도 11은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도 이다.
도 12는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이다.
도 13은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
도 14는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 배치도이다.
도 15는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 플라즈마 처리부의 개념도이다.
도 16은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
도 17은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 개념도이다.
도 18은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 다중 웨이퍼 증착 장치의 개념도이다.

Claims (30)

  1. 제1 플라즈마 전극을 포함하고 제1 기체 공급관에 연결되어 있는 제1 반응 공간, 제2 플라즈마 전극을 포함하고 제2 기체 공급관에 연결되어 있는 제2 반응 공간, 제3 플라즈마 전극을 포함하고 제3 기체 공급관에 연결되어 있는 제3 반응 공간, 제4 플라즈마 전극을 포함하고 제4 기체 공급관에 연결되어 있는 제4 반응 공간, 상기 제1 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제1 정합기, 상기 제2 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제2 정합기, 상기 제3 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제3 정합기, 상기 제4 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제4 정합기, 상기 제1 정합기 및 상기 제2 정합기에 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부, 상기 제3 정합기 및 상기 제4 정합기에 연결되어 있는 제2 플라즈마 처리부, 상기 제1 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제1 플라즈마 전원, 그리고 상기 제2 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제2 플라즈마 전원을 포함하고, 내부에 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 상기 제4 반응 공간이 순차적으로 배치되는 증착 장치를 이용하는 증착 방법에 있어서,
    제1 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제2 플라즈마 전극에 상기 제1 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계, 그리고
    제2 기간 동안, 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극에 상기 제2 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제2 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기간과 상기 제2 기간은 교대로 이루어지는 증착 방법.
  2. 제1 플라즈마 전극을 포함하고 제1 기체 공급관에 연결되어 있는 제1 반응 공간, 제2 플라즈마 전극을 포함하고 제2 기체 공급관에 연결되어 있는 제2 반응 공간, 제3 플라즈마 전극을 포함하고 제3 기체 공급관에 연결되어 있는 제3 반응 공간, 제4 플라즈마 전극을 포함하고 제4 기체 공급관에 연결되어 있는 제4 반응 공간, 상기 제1 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제1 정합기, 상기 제2 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제2 정합기, 상기 제3 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제3 정합기, 상기 제4 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제4 정합기, 상기 제1 정합기 및 상기 제2 정합기에 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부, 상기 제3 정합기 및 상기 제4 정합기에 연결되어 있는 제2 플라즈마 처리부, 상기 제1 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제1 플라즈마 전원, 그리고 상기 제2 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제2 플라즈마 전원을 포함하고, 내부에 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 상기 제4 반응 공간이 순차적으로 배치되는 증착 장치를 이용하는 증착 방법에 있어서,
    제1 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제2 플라즈마 전극, 상기 제3 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에 상기 제1 플라즈마 전원과 상기 제2 플라즈마 전원을 공급하는 단계, 그리고
    제2 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제 2플라즈마 전극, 상기 제 3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극에 어떤 전원도 공급하지 않는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기간과 상기 제2 기간은 교대로 이루어지는 증착 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 제1 반응 공간과 상기 제2 반응 공간은 제1 방향으로 서로 마주보는 위치에 배치되어 있고,
    상기 제3 반응 공간과 상기 제4 반응 공간은 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 서로 마주보는 위치에 배치되어 있고,
    상기 제1 반응 공간과 상기 제3 반응 공간은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 대각선을 이루는 방향으로 서로 마주보는 증착 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에서,
    상기 제1 플라즈마 처리부는 제1 분배기와 제2 분배기를 포함하고,
    상기 제2 플라즈마 처리부는 제3 분배기와 제4 분배기를 포함하고,
    상기 제1 분배기를 통해 상기 전원을 상기 제1 플라즈마 전극에 공급하고, 상기 제2 분배기를 통해 상기 전원을 상기 제2 플라즈마 전극에 공급하고, 상기 제3 분배기를 통해 상기 전원을 상기 제3 플라즈마 전극에 공급하고, 상기 제4 분배기를 통해 상기 전원을 상기 제4 플라즈마 전극에 공급하는 증착 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 플라즈마 처리부는 상기 제1 분배기 및 상기 제2 분배기와 상기 제1 플라즈마 전극 및 상기 제2 플라즈마 전극 사이에 각각 연결되어 있는 제1 센서들을 더 포함하고,
    상기 제2 플라즈마 처리부는 상기 제 3 분배기 및 상기 제4 분배기와 상기 제3 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극 사이에 각각 연결되어 있는 제2 센서들을 더 포함하고,
    상기 제1 센서들 및 상기 제2 센서들을 통해 상기 제1 분배기 및 상기 제2 분배기로부터 출력되는 상기 제1 플라즈마 전원과 상기 제3 분배기 및 상기 제4 분배기로부터 출력되는 상기 제2 플라즈마 전원의 크기를 감지하는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 분배기 및 상기 제2 분배기로부터 출력되는 상기 감지된 상기 전원의 크기와 외부 신호에 따라 상기 제1 분배기 및 상기 제2 분배기를 구동하는 단계; 그리고
    상기 제3 분배기 및 상기 제4 분배기로부터 출력되는 상기 감지된 상기 전원의 크기와 외부 신호에 따라 상기 제3 분배기 및 상기 제4 분배기를 구동하는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
  7. 제1 플라즈마 전극을 포함하고 제1 기체 공급관에 연결되어 있는 제1 반응 공간, 제2 플라즈마 전극을 포함하고 제2 기체 공급관에 연결되어 있는 제2 반응 공간, 제3 플라즈마 전극을 포함하고 제3 기체 공급관에 연결되어 있는 제3 반응 공간, 제4 플라즈마 전극을 포함하고 제4 기체 공급관에 연결되어 있는 제4 반응 공간, 상기 제1 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제1 정합기, 상기 제2 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제2 정합기, 상기 제3 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제3 정합기, 상기 제4 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제4 정합기, 상기 제1 정합기 및 상기 제2 정합기에 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부, 상기 제3 정합기 및 상기 제4 정합기에 연결되어 있는 제2 플라즈마 처리부, 상기 제1 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제1 플라즈마 전원, 그리고 상기 제2 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제2 플라즈마 전원을 포함하고, 내부에 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 상기 제4 반응 공간이 순차적으로 배치되는 증착 장치를 이용하는 증착 방법에 있어서,
    제1 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제2 플라즈마 전극 중 어느 하나에 상기 제1 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극 중 어느 하나에 상기 제2 플라즈마 전원을 공급하는 단계, 그리고
    제2 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제2 플라즈마 전극 중 나머지 하나에 상기 제1 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극 중 나머지 어느 하나에 상기 제2 플라즈마 전원을 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기간과 상기 제2 기간은 교대로 이루어지는 증착 방법.
  8. 제1 플라즈마 전극을 포함하고 제1 기체 공급관에 연결되어 있는 제1 반응 공간, 제2 플라즈마 전극을 포함하고 제2 기체 공급관에 연결되어 있는 제2 반응 공간, 제3 플라즈마 전극을 포함하고 제3 기체 공급관에 연결되어 있는 제3 반응 공간, 그리고 제4 플라즈마 전극을 포함하고 제4 기체 공급관에 연결되어 있는 제4 반응 공간, 상기 제1 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제1 정합기, 상기 제2 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제2 정합기, 상기 제3 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제3 정합기, 상기 제4 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제4 정합기, 상기 제1 정합기 및 상기 제2 정합기에 연결되어 있는 제1 플라즈마 처리부, 상기 제3 정합기 및 상기 제4 정합기에 연결되어 있는 제2 플라즈마 처리부, 상기 제1 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제1 플라즈마 전원, 그리고 상기 제2 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 제2 플라즈마 전원을 포함하고, 내부에 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 상기 제4 반응 공간이 순차적으로 배치되는 증착 장치를 이용하는 증착 방법에 있어서,
    제1 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극에 상기 제1 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제2 플라즈마 전극, 상기 제3 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에는 전원을 공급하지 않는 단계;
    제2 기간 동안, 상기 제2 플라즈마 전극에 상기 제1 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제3 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에는 전원을 공급하지 않는 단계;
    제3 기간 동안, 상기 제3 플라즈마 전극에 상기 제2 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제2 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에는 전원을 공급하지 않는 단계; 그리고
    제4 기간 동안, 상기 제4 플라즈마 전극에 상기 제2 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제2 플라즈마 전극 및 상기 제3 플라즈마 전극에는 전원을 공급하지 않는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기간, 상기 제2 기간, 상기 제3 기간 및 상기 제4 기간은 순차적으로 이루어지는 증착 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에서,
    상기 제1 플라즈마 처리부는 제1 스플리터 스위치를 포함하고,
    상기 제2 플라즈마 처리부는 제2 스플리터 스위치를 포함하며,
    상기 제1스플리터 스위치는 제1 전력 출력부, 제2 전력 출력부, 제1 전력 출력부와 제2 전력 출력부를 연결하는 스위치 및 상기 제1 스플리터 스위치를 제어하는 제1 구동회로를 포함하고,
    상기 제2 스플리터 스위치는 제3 전력 출력부, 제4 전력 출력부, 제3 전력 출력부와 제4 전력 출력부를 연결하는 스위치 및 상기 제2 스플리터 스위치를 제어하는 제2 구동회로를 포함하고,
    상기 제1 전력 출력부와 상기 제2 전력 출력부는 상기 제1 정합기 및 제2 정합기와 각각 연결되고, 상기 제3 전력 출력부와 상기 제4 전력 출력부는 상기 제3 정합기 및 제4 정합기와 각각 연결되고,
    상기 제1 전력 출력부, 상기 제2 전력 출력부를 통해, 상기 제1 정합기 및 상기 제2 정합기에 상기 제1 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제3 전력 출력부와 상기 제4 전력 출력부를 통해, 상기 제3 정합기 및 상기 제4 정합기에 상기 제2 플라즈마 전원을 공급하는 증착 방법.
  10. 제1 플라즈마 전극을 포함하고 제1 기체 공급관에 연결되어 있는 제1 반응 공간, 제2 플라즈마 전극을 포함하고 제2 기체 공급관에 연결되어 있는 제2 반응 공간, 제3 플라즈마 전극을 포함하고 제3 기체 공급관에 연결되어 있는 제3 반응 공간, 제4 플라즈마 전극을 포함하고 제4 기체 공급관에 연결되어 있는 제4 반응 공간, 상기 제1 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제1 정합기, 상기 제2 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제2 정합기, 상기 제3 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제3 정합기, 상기 제4 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제4 정합기, 상기 제1 정합기, 상기 제2 정합기, 상기 제3 정합기 및 상기 제4 정합기에 연결되어 있는 플라즈마 처리부, 그리고 상기 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 플라즈마 전원을 포함하고, 내부에 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 상기 제4 반응 공간이 순차적으로 배치되는 증착 장치를 이용하는 증착 방법에 있어서,
    제1 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제2 플라즈마 전극에 전원을 공급하고, 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계, 그리고
    제2 기간 동안, 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극에 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제2 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계,
    상기 제1 기간 및 상기 제2 기간은 교대로 반복해서 이루어지는 증착 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 반응 공간과 상기 제2 반응 공간은 제1 방향으로 서로 마주보는 위치에 배치되어 있고,
    상기 제3 반응 공간과 상기 제4 반응 공간은 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 서로 마주보는 위치에 배치되어 있고,
    상기 제1 반응 공간과 상기 제3 반응 공간은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 대각선을 이루는 방향으로 서로 마주보는 증착 방법.
  12. 제10항에서
    상기 플라즈마 처리부는
    전력 인가부와 제1 전력 출력부 및 제2 전력 출력부에 연결되어 있는 스위치를 포함하는 스플리터,
    상기 스플리터의 동작을 제어하는 스플리터 구동 회로,
    상기 제1 전력 출력부에 연결되어 있는 제1 분배기 및 제2 분배기와 제1 분배기 구동 회로, 상기 제2 전력 출력부에 연결되어 있는 제3 분배기 및 제4 분배기와 제2 분배기 구동 회로를 포함하고,
    상기 제1 전력 출력부 및 상기 제2 전력 출력부로 출력되는 상기 플라즈마 전원을 감지하는 단계, 그리고
    상기 플라즈마 전원을 원하는 크기로 상기 제1 전력 출력부 및 상기 제2 전력 출력부로 출력하는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 플라즈마 처리부는 상기 제1 분배기 및 상기 제2 분배기에 연결되어 있는 제1 센서 및 제2 센서와 상기 제3 분배기 및 상기 제4 분배기에 연결되어 있는 제3 센서 및 제4 센서, 그리고
    상기 스플리터 구동 회로, 상기 제1 분배기 구동 회로 및 상기 제2 분배기 구동 회로를 구동하는 제어 보드를 포함하고,
    상기 제1 분배기 구동 회로 및 상기 제2 분배기 구동 회로를 통해 상기 제1 분배기 및 상기 제2 분배기, 그리고 상기 제3 분배기 및 상기 제4 분배기로 공급되는 상기 플라즈마 전원의 크기를 감지하여, 상기 플라즈마 전원을 원하는 크기로 분배하여 공급하는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
  14. 제1 플라즈마 전극을 포함하고 제1 기체 공급관에 연결되어 있는 제1 반응 공간, 제2 플라즈마 전극을 포함하고 제2 기체 공급관에 연결되어 있는 제2 반응 공간, 제3 플라즈마 전극을 포함하고 제3 기체 공급관에 연결되어 있는 제3 반응 공간, 제4 플라즈마 전극을 포함하고 제4 기체 공급관에 연결되어 있는 제4 반응 공간, 상기 제1 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제1 정합기, 상기 제2 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제2 정합기, 상기 제3 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제3 정합기, 상기 제4 플라즈마 전극에 연결되어 있는 제4 정합기, 상기 제1 정합기, 상기 제2 정합기, 상기 제3 정합기 및 상기 제4 정합기에 연결되어 있는 플라즈마 처리부, 그리고 상기 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 플라즈마 전원을 포함하고, 내부에 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 상기 제4 반응 공간이 순차적으로 배치되는 순서대로 위치하는 증착 장치를 이용하는 증착 방법에 있어서,
    제1 기간 동안, 상기 제1 플라즈마 전극에 전원을 공급하고, 상기 제2 플라즈마 전극, 상기 제3 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계, 그리고
    제2 기간 동안, 상기 제2 플라즈마 전극에 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제3 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계,
    제3 기간 동안, 상기 제3 플라즈마 전극에 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제2 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계, 그리고
    제4 기간 동안, 상기 제4 플라즈마 전극에 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제2 플라즈마 전극 및 상기 제3 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기간, 상기 제2 기간, 상기 제3 기간 및 상기 제4 기간은 순차적으로 반복적으로 이루어지는 증착 방법.
  15. 제14항에서,
    상기 플라즈마 처리부는
    전력 인가부와 제1 전력 출력부 및 제2 전력 출력부를 연결하여 스위칭하는 제1 스위치,
    상기 제1 전력 출력부와 두 개의 제3 출력부를 연결하여 스위칭하는 제2 스위치,
    상기 제2 전력 출력부와 두 개의 제4 출력부를 연결하여 스위칭하는 제3 스위치, 그리고,
    상기 제3 출력부와 상기 제4 출력부에 연결되어 출력되는 전압의 크기와 외부 신호에 의해, 상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치를 제어하는 스플리터 구동 회로를 포함하고,
    상기 스플리터 구동 회로를 통해, 상기 제3 출력부와 상기 제4 출력부로 출력되는 상기 플라즈마 전원을 감지하는 단계, 그리고
    상기 상기 제1 스위치, 상기 제2 스위치 및 상기 제3 스위치를 제어하여, 상기 플라즈마 전원을 원하는 크기로 원하는 상기 제3 출력부와 상기 제4 출력부로 출력하는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
  16. 제1 플라즈마 전극을 포함하고 제1 기체 공급관에 연결되어 있는 제1 반응 공간, 제2 플라즈마 전극을 포함하고 제2 기체 공급관에 연결되어 있는 제2 반응 공간, 제3 플라즈마 전극을 포함하고 제3 기체 공급관에 연결되어 있는 제3 반응 공간, 제4 플라즈마 전극을 포함하고 제4 기체 공급관에 연결되어 있는 제4 반응 공간, 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제 2플라즈마 전극에 연결되어 있는 제1 정합기, 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제 4플라즈마 전극에 연결되어 있는 제2 정합기, 상기 제1 정합기와 상기 제2 정합기에 연결되어 있는 플라즈마 처리부, 그리고 상기 플라즈마 처리부에 연결되어 있는 플라즈마 전원을 포함하고, 내부에 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 상기 제4 반응 공간은 순차적으로 배치되는 순서대로 위치하는 증착 장치를 이용하는 증착 방법에 있어서,
    제1 기간 동안, 상기 플라즈마 전극과 상기 제1 정합기를 통해 상기 제1 플라즈마 전극과 상기 제2 플라즈마 전극에 상기 플라즈마 전원을 공급하고, 상기 제3 플라즈마 전극 및 상기 제4 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계, 그리고
    제2 기간 동안, 상기 플라즈마 전극과 상기 제2 정합기를 통해 상기 제3 플라즈마 전극과 상기 제4 플라즈마 전극에 전원을 공급하고, 상기 제1 플라즈마 전극 및 상기 제2 플라즈마 전극에는 어떤 전원도 공급하지 않는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기간 및 상기 제2 기간은 교대로 반복적으로 이루어지는 증착 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 플라즈마 처리부는 상기 플라즈마 전원에 연결되어 있는 전력 인가부와 제1 전력 출력부 및 제2 전력 출력부를 연결하여 스위칭하는 스위치와 상기 스위치의 동작을 제어하는 구동 회로를 포함하고,
    상기 제1 전력 출력부는 상기 제1 정합기에 연결되고, 상기 제2 전력 출력부는 상기 제2 정합기에 연결되고,
    상기 구동 회로는 상기 제1 전력 출력부 및 상기 제2 전력 출력부로 출력되는 전력을 감지하고, 상기 플라즈마 처리부의 동작을 제어하여, 상기 플라즈마 전원을 상기 제1 전력 출력부와 상기 제2 전력 출력부 중 어느 하나로 출력하는 증착 방법.
  18. 제1항, 제2항, 제7항, 제8항 중 어느 한 항에서,
    상기 플라즈마 처리부는 플라즈마 스플리터를 포함하고,
    상기 플라즈마 스플리터는 복수 개의 스위치와 상기 복수 개의 스위치를 제어하는 구동 회로를 포함하고,
    상기 플라즈마 스플리터를 통해, 상기 제1 플라즈마 전원 및 상기 제2 플라즈마 전원 중 어느 하나를 상기 제1 반응 공간, 상기 제2 반응 공간, 상기 제3 반응 공간, 그리고 상기 제4 반응 공간 중 적어도 하나에 공급하는 증착 방법.
  19. 제1항, 제2항, 제7항, 제8항 중 어느 한 항에서,
    상기 플라즈마 처리부는 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제2 플라즈마 전극, 상기 제3 플라즈마 전극, 그리고 상기 제4 플라즈마 전극에 연결되어 있는 플라즈마 분배부를 포함하고,
    상기 플라즈마 분배부는 복수의 분배기를 포함하고,
    상기 플라즈마 분배부를 통해 상기 제1 플라즈마 전원 및 상기 제2 플라즈마 전원 중 어느 하나를 상기 제1 플라즈마 전극, 상기 제2 플라즈마 전극, 상기 제3 플라즈마 전극, 그리고 상기 제4 플라즈마 전극에 균일하게 공급하는 증착 방법.
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