JP6340251B2 - ＳｉＣＮ膜の成膜方法 - Google Patents

ＳｉＣＮ膜の成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6340251B2
JP6340251B2 JP2014112439A JP2014112439A JP6340251B2 JP 6340251 B2 JP6340251 B2 JP 6340251B2 JP 2014112439 A JP2014112439 A JP 2014112439A JP 2014112439 A JP2014112439 A JP 2014112439A JP 6340251 B2 JP6340251 B2 JP 6340251B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
triazole
sicn film
sicn
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014112439A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015228391A (ja
Inventor
清水　亮
亮 清水
孝広 宮原
孝広 宮原
白井　昌志
昌志 白井
慎一郎 貞池
慎一郎 貞池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Ube Corp
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Ube Industries Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2014112439A priority Critical patent/JP6340251B2/ja
Priority to KR1020150068861A priority patent/KR101888727B1/ko
Priority to TW104116736A priority patent/TWI617692B/zh
Priority to US14/725,147 priority patent/US9390907B2/en
Priority to CN201510290742.7A priority patent/CN105316649B/zh
Publication of JP2015228391A publication Critical patent/JP2015228391A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6340251B2 publication Critical patent/JP6340251B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/36—Carbonitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

この発明は、ＳｉＣＮ膜の成膜方法に関する。
半導体集積回路装置の絶縁膜として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、およびシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）がよく知られている。ＳｉＮ膜は、ＳｉＯ２膜よりも比誘電率が高い、およびＳｉＯ２膜やシリコン（Ｓｉ）に対してエッチング選択比がとれる等の利点がある。このため、ＳｉＮ膜は、ＳｉＯ２膜よりも高い誘電率を必要とする部分に使用されたり、ＳｉＯ２膜やＳｉに対するエッチングストッパ層や、ＳｉＯ２膜やＳｉを加工する際のハードマスク層に使用されたりしている。
半導体集積回路装置の製造に使用される成膜装置には、ウエハを１枚ずつ処理する枚葉式成膜装置と、一度にウエハを複数枚処理するバッチ式成膜装置に大別される。バッチ式成膜装置には、より多くのウエハを一度に処理することが可能な縦型バッチ式成膜装置がある。縦型バッチ式成膜装置を用いてＳｉＮ膜を成膜する際の成膜温度は、およそ６３０℃〜７６０℃である。
ところで、半導体集積回路装置の微細化は、なお進展している。半導体集積回路装置の微細化のために、半導体集積回路装置の製造工程においては、プロセスの低温化が望まれている。
低温にてＳｉＮ膜を成膜するためには、窒化ガスに含まれる窒化剤、例えば、アンモニア（ＮＨ３）を、プラズマを用いてアンモニアラジカルなどの活性な窒化種とする。このように活性な窒化種を用いることで、低温下においても、ウエハ上のＳｉ膜の窒化を促進させることができる。しかし、プラズマ化させた窒化剤を用いてＳｉ膜を窒化すると、成膜されたＳｉＮ膜の薬液耐性が劣化する、という事情がある。特に、希フッ酸溶液（以下希ＨＦ溶液という）にエッチングされやすくなる。そこで、特許文献１においては、ＳｉＮ膜に炭素（Ｃ）を添加してシリコン炭窒化膜（以下ＳｉＣＮ膜という）とし、ＳｉＮ膜に比較して薬液耐性を向上させる、という手法をとっている。
特許文献１においては、プラズマを用いて生成した活性な窒化種を用いてＳｉＣ膜を窒化し、ＳｉＣＮ膜を成膜する。このため、成膜温度を６３０℃未満の温度帯に下げても、実使用に供しうる充分な成膜レートを得ることができる。しかし、ウエハの被処理面上に段差を伴った微細構造、例えば、トレンチが存在すると、トレンチ底部の側壁への成膜が難しくなる、という事情がある。これはトレンチの側壁に活性な窒化種、例えば、アンモニアラジカル等が触れると失活してしまい、トレンチの底部まで活性なアンモニアラジカルが、充分に届きにくくなることが一因である。
そこで、特許文献２においては、プラズマを用いずにＳｉＣ膜を窒化する。これにより、特許文献１に比較して、トレンチ底部への成膜が行いやすくなる、という利点を得ることができる。
特開２００６−２８７１９４号公報 特開２０１２−２３３９９号公報
しかし、特許文献２においては、プラズマを用いずにＳｉＣ膜を窒化するので、成膜温度を低くする、例えば、成膜温度を６３０℃未満の温度帯に下げると、プラズマを用いた場合に比較して成膜レートが急激に低下する、という事情がある。
この発明は、成膜温度を下げても良好な成膜レートを維持しつつ、ＳｉＣＮ膜を成膜することが可能なＳｉＣＮ膜の成膜方法を提供する。
この発明の一態様に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法は、被処理体の被処理面上にＳｉＣＮ膜を成膜するＳｉＣＮ膜の成膜方法であって、前記被処理体が収容された処理室内にＳｉ原料を含むＳｉ原料ガスを供給する工程と、前記Ｓｉ原料ガスを供給する工程の後、前記処理室内に窒化剤を含むガスを供給する工程とを備え、前記窒化剤として、下記一般式(１)で示される窒素と炭素との化合物を用い、２００℃以上５５０℃以下の範囲の成膜温度で、前記化合物が開裂・分解して得られた分解物から炭素が膜中に取り込まれたＳｉＣＮ膜を成膜する。
Figure 0006340251
 ただし、前記一般式(１)においてＲ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は置換基を有しても良い炭素原子数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。
この発明によれば、成膜温度を下げても良好な成膜レートを維持しつつ、ＳｉＣＮ膜を成膜することが可能なＳｉＣＮ膜の成膜方法を提供できる。
この発明の第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法の一例を示す流れ図 図１に示すシーケンス中の被処理体の状態を示す断面図 図１に示すシーケンス中の被処理体の状態を示す断面図 図１に示すシーケンス中の被処理体の状態を示す断面図 図１に示すシーケンス中の被処理体の状態を示す断面図 図１に示すシーケンス中の被処理体の状態を示す断面図 図１に示すシーケンス中の被処理体の状態を示す断面図 ＳｉＣＮ膜の原子組成を示す図 ＳｉＮ膜およびＳｉＣＮ膜のエッチングレートを示す図 ＳｉＮ膜およびＳｉＣＮ膜の成膜温度と成膜レートとの関係を示す図 １，２，３−トリアゾール系化合物の開裂箇所を示す図 第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置の第１例を概略的に示す縦断面図 第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置の第２例を概略的に示す水平断面図
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
（第１の実施形態）
＜成膜方法＞
図１はこの発明の第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法の一例を示す流れ図、図２Ａ〜図２Ｆは図１に示すシーケンス中の被処理体の状態を示す断面図である。
まず、図２Ａに示すように、被処理体を用意する。本例では、被処理体としてシリコンウエハ（以下ウエハという）１を用いた。ウエハ１上にはＳｉＯ２膜２が形成されている。本例ではＳｉＯ２膜２の表面を被処理面とする。ＳｉＣＮ膜は、被処理面であるＳｉＯ２膜２上に成膜される。なお、ウエハ１の被処理面はＳｉＯ２膜２に限らず、ＳｉＣＮ膜を成膜することが可能な膜であればよい。もちろん、ウエハ１の表面自体を被処理面としてもよい。次いで、図２Ａに示すウエハ１を成膜装置の処理室に収容する。
次に、図１のステップ１及び図２Ｂに示すように、処理室内において、ＳｉＯ２膜２上にＳｉ原料ガスを供給し、ＳｉＯ２膜２上にＳｉ膜３−１を形成する。Ｓｉ原料ガスとしては、本例ではヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）を用いた。もちろん、Ｓｉ原料ガスはＨＣＤに限られるものではない。
ステップ１における処理条件の一例は以下のとおりである。
ＨＣＤ 流 量： １００ｓｃｃｍ
成 膜 時 間： ０．５ｍｉｎ（１サイクル当たり）
成 膜 温 度： ５５０℃
成 膜 圧 力： １３３．３２Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
次に、図１のステップ２に示すように、成膜装置の処理室内を排気したのち、処理室内に不活性ガス、例えば、Ｎ２ガスを供給し、処理室内をパージする。
次に、図１のステップ３および図２Ｃに示すように、Ｓｉ膜３−１上に、炭素含有窒化剤を含むガスを供給し、Ｓｉ膜３−１を窒化するとともに炭素（Ｃ）を添加する。これによりＳｉ膜３−１はＳｉＣＮ膜４−１となる。炭素含有窒化剤としては、本例では、下記一般式(１)で示される炭素と窒素との化合物を用いる。
Figure 0006340251
一般式(１)に示される化合物は１，２，３−トリアゾール系化合物であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は置換基を有しても良い炭素原子数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。
炭素原子数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、具体的には
メチル基
エチル基
ｎ−プロピル基
イソプロピル基
ｎ−ブチル基
イソブチル基
ｔ−ブチル基
ｎ−ペンチル基
イソペンチル基
ｔ−ペンチル基
ｎ−ヘキシル基
イソヘキシル基
ｔ−ヘキシル基
ｎ−ヘプチル基
イソヘプチル基
ｔ−ヘプチル基
ｎ−オクチル基
イソオクチル基
ｔ−オクチル基
である。好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基である。さらに好ましくはメチル基である。
前記置換基としては、炭素原子数１〜４のアルキル基で置換されている直鎖状又は分岐状のモノアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基であってもよい。具体的には
モノメチルアミノ基
ジメチルアミノ基
モノエチルアミノ基
ジエチルアミノ基
モノプロピルアミノ基
モノイソプロピルアミノ基
エチルメチルアミノ基
である。好ましくはモノメチルアミノ基、ジメチルアミノ基である。さらに好ましくはジメチルアミノ基である。
さらに、前記置換基としては、炭素原子数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基であってもよい。具体的には
メトキシ基
エトキシ基
プロポキシ基
ブトキシ基
ペントキシ基
ヘキシルオキシ基
ヘプチルオキシ基
オクチルオキシ基
である。好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基である。さらに好ましくは、メトキシ基である。
なお、一般式(１)で示される具体的な化合物の例としては、
１Ｈ−１，２，３−トリアゾール
１−メチル−１，２，３−トリアゾール
１，４−ジメチル−１，２，３−トリアゾール
１，４，５−トリメチル−１，２，３−トリアゾール
１−エチル−１，２，３−トリアゾール
１，４−ジエチル−１，２，３−トリアゾール
１，４，５−トリエチル−１，２，３−トリアゾール
である。なお、これらの化合物は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
本例では、炭素含有窒化剤として、１Ｈ−１，２，３−トリアゾールを用いた。ステップ３における処理条件の一例は以下のとおりである。
トリアゾール流量： １００ｓｃｃｍ
処 理 時 間 ： ０．５ｍｉｎ（１サイクル当たり）
処 理 温 度 ： ５５０℃
処 理 圧 力 ： １３３．３２Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）
次に、図１のステップ４に示すように、成膜装置の処理室内を排気したのち、処理室内に不活性ガス、例えば、Ｎ２ガスを供給し、処理室内をパージする。
次に、図１のステップ５に示すように、処理回数が設定回数か否かを判断する。設定回数に達したならば（Ｙｅｓ）、ＳｉＣＮ膜の成膜を終了する。
設定回数に達していないならば（Ｎｏ）、ステップ１〜４を繰り返し、図２Ｄに示すように、第２層目Ｓｉ膜３−２をＳｉＣＮ膜４−１上に成膜し、図２Ｅに示すように、第２層目Ｓｉ膜３−２を窒化するとともに、Ｃを添加して第２層目ＳｉＣＮ膜４−２とする。
このように、ステップ１〜４を設定された回数繰り返すことで、図２Ｆに示すように、設計された膜厚ｔを持つＳｉＣＮ膜４が形成される。
＜ＳｉＣＮ膜の原子組成＞
図３はＳｉＣＮ膜の原子組成を示す図である。図３には、第１の実施形態に係る成膜方法にて成膜したＳｉＣＮ膜の原子組成の他、参考例として成膜温度６３０℃、Ｓｉ原料ガスにジクロロシラン（ＤＣＳ）、窒化剤にＮＨ３、炭化剤にエチレン（Ｃ２Ｈ４）を用い、熱ＡＬＤ法にて成膜したＳｉＣＮ膜の原子組成を示す。
図３に示すように、参考例に係るＳｉＣＮ膜の原子組成は、Ｎ＝４１．９ａｔ％、Ｓｉ＝４７．６ａｔ％、Ｃ＝１０．５ａｔ％である。参考例によれば、Ｃは添加されているが、Ｃの量は、ＳｉやＮよりも少ない。参考例によれば、ＳｉやＮがリッチなＳｉＣＮ膜となる。
これに対して、第１の実施形態に係る成膜方法にて成膜したＳｉＣＮ膜の原子組成は、Ｎ＝３０．５ａｔ％、Ｓｉ＝３０．６ａｔ％、Ｃ＝３８．４ａｔ％であり、ＳｉやＮよりもＣの量が多いＣリッチなＳｉＣＮ膜が成膜されている。なお、第１の実施形態に係る成膜方法にて成膜したＳｉＣＮ膜からは、０．５ａｔ％の微量の塩素（Ｃｌ）が検出されている。このＣｌは、Ｓｉ原料ガスであるＨＣＤに由来するものである。
このように第１の実施形態に係る成膜方法にて成膜したＳｉＣＮ膜によれば、参考例に比較して、ＳｉやＮよりもＣの量が多いＣリッチなＳｉＣＮ膜を成膜することが可能である。もちろん、Ｃの添加量は、１Ｈ−１，２，３−トリアゾールの流量を調節することで、調節できる。つまり、第１の実施形態に係る成膜方法によれば、参考例に比較して、Ｃの添加量をより広範囲に制御することが可能である、という利点を得ることができる。例えば、Ｃの添加量はＳｉＣＮ膜の薬液耐性を左右する。Ｃの添加量をより広範囲に制御可能である、ということは、参考例に比較して、さらに薬液耐性に富むＳｉＣＮ膜を成膜可能である、ということである。
＜ＳｉＣＮ膜の薬液耐性＞
図４はＳｉＮ膜およびＳｉＣＮ膜のエッチングレートを示す図である。図４には、エッチャントに０．５％ＤＨＦを用い、熱ＳｉＯ２膜のエッチングレートを１．０（１００％）の基準値としたときの、ＳｉＮ膜およびＳｉＣＮ膜のエッチングレートの割合が示されている。
まず、ＳｉＮ膜のエッチングレートから説明する。
成膜温度５００℃、Ｓｉ原料ガスにＤＣＳ、窒化剤にＮＨ３を用いたプラズマＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜の０．５％ＤＨＦに対するエッチングレートは、基準値に比較して０．４７（４７％）であり、熱ＳｉＯ２膜のエッチングレートのおよそ半分である。しかし、成膜温度を４５０℃に下げると、０．５％ＤＨＦに対するエッチングレートは、基準値に比較して１．２１（１２１％）となり、熱ＳｉＯ２膜よりもエッチングレートが早くなってしまう。このように、プラズマＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜は、薬液耐性、特に０．５％ＤＨＦに対する耐性が良好である、とはいえない。
また、成膜温度６３０℃、Ｓｉ原料ガスにＤＣＳ、窒化剤にＮＨ３を用いた熱ＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜によれば、０．５％ＤＨＦに対するエッチングレートが基準値に比較して０．１９（１９％）となり、熱ＳｉＯ２膜のエッチングレートのおよそ１／５まで改善することができる。図４に示す熱ＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜の成膜温度は６３０℃であり、同じく図４に示すプラズマＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜の成膜温度４５０℃〜５００℃よりも高い。このため、同一の成膜温度では比較したものではなく、一般論とはなるが、ＳｉＮ膜の薬液耐性を高めるには成膜温度は高い方がよく、また、プラズマＡＬＤ法よりは熱ＡＬＤ法が有利である、と考えてもよい。確実なところは、図４には、４５０℃〜５００℃の低温プラズマＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜よりは、６３０℃の高温熱ＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜の方が、０．５％ＤＨＦに対する耐性が向上していることである。
さらに、成膜温度６３０℃、Ｓｉ原料ガスにＤＣＳ、窒化剤にＮＨ３を用いた熱ＡＬＤ法にて成膜し、かつ、Ｃを添加したＳｉＣＮ膜によれば、０．５％ＤＨＦに対するエッチングレートが基準値に比較して０．０３（３％）となる。つまり、熱ＡＬＤ法にて成膜したＳｉＣＮ膜は、熱ＡＬＤ法にて成膜したＳｉＮ膜よりも、さらに薬液耐性が高い。
そして、第１の実施形態に係る成膜方法にて成膜したＳｉＣＮ膜によれば、０．５％ＤＨＦに対するエッチングレートが０．０３（３％）をさらに下回る測定限界以下となり、０．５％ＤＨＦに対してほとんどエッチングされることがない、という結果が得られた。しかも、第１の実施形態に係る成膜方法にて成膜したＳｉＣＮ膜の成膜温度は、６３０℃よりも低い５５０℃である。
このように、第１の実施形態に係る成膜方法によれば、薬液耐性が、Ｓｉ原料ガスにＤＣＳ、窒化剤にＮＨ３を用いて熱ＡＬＤ法にて成膜したＳｉＣＮ膜よりも、さらに高いＳｉＣＮ膜を得ることができる。
＜ＳｉＣＮ膜の成膜レート＞
図５はＳｉＮ膜およびＳｉＣＮ膜の成膜温度と成膜レートとの関係を示す図である。
図５に示すように、Ｓｉ原料ガスにＤＣＳ、窒化剤にＮＨ３を用いたプラズマＡＬＤ法は、成膜温度が低温であっても、成膜レートに０．０２ｎｍ／ｍｉｎ以上を確保することができ、低温成膜に有利である。
また、Ｓｉ原料ガスにＤＣＳを用い、窒化剤にＮＨ３を用いた熱ＡＬＤ法は、成膜温度が６００℃であれば、０．０６〜０．０７ｎｍ／ｍｉｎの実用的な成膜レートを確保することができる。しかし、成膜温度を５５０℃に下げると、約０．０１ｎｍ／ｍｉｎまで成膜レートが低下してしまう。Ｓｉ原料ガスにＤＣＳを用い、窒化剤にＮＨ３を用いた熱ＡＬＤ法は、成膜温度が５００℃を下回ると、ＳｉＮ膜はほとんど成膜できない。ただし、Ｓｉ原料ガスをＤＣＳに代えてＨＣＤを用いると、低温成膜時における成膜レートの低下については改善することができる。
そして、第１の実施形態に係る成膜方法にて成膜したＳｉＣＮ膜によれば、成膜温度が５５０℃のとき、０．０７〜０．０８ｎｍ／ｍｉｎの成膜レートを確保することができる。さらに、成膜温度を４５０℃に下げた場合でも０．０５〜０．０６ｎｍ／ｍｉｎの成膜レートを確保することができる。特に２００℃以上５５０℃以下の温度帯における成膜レートは、プラズマＡＬＤ法とほぼ同等の良好なレートを得ることができる。
このように、第１の実施形態に係る成膜方法によれば、低温成膜、例えば、２００℃以上５５０℃以下の温度帯において、プラズマを用いなくても、プラズマを用いた場合と同等の成膜レートを確保することができる。この理由の一つとして、以下のような理由を挙げることができる。
図６に示すように、１，２，３−トリアゾール系化合物は、五員環内に“Ｎ＝Ｎ−Ｎ”結合を含んでいる。この結合のうち“Ｎ＝Ｎ”の部分は、窒素（Ｎ２、Ｎ≡Ｎ）になろうとして分解する性質がある。このため、１，２，３−トリアゾール系化合物は、通常の開環開裂と異なり、多数の箇所で開裂・分解を起こす特性がある。つまり、“Ｎ≡Ｎ”を生じるために、化合物内に電子的不飽和状態が起きる。このように１，２，３−トリアゾール系化合物が開裂・分解することで得られた分解物は活性である。このため、成膜温度が低温、例えば、２００℃以上５５０℃以下の温度帯においても、Ｓｉ膜を窒化すること、さらにはＣを添加することが可能となる。
したがって、第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法によれば、成膜温度を下げても良好な成膜レートを維持しつつ、ＳｉＣＮ膜を成膜することが可能となる、という利点を得ることができる。
さらに、第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法から得られる他の利点として、Ｓｉ膜、あるいはＳｉＮ膜を炭化する工程が不要となること、を挙げることができる。これは、１，２，３−トリアゾール系化合物がＮ原子とＣ原子とを含有しており、窒化とＣの添加を、１種類の化合物によって同じ工程で同時にできるためである。これは、スループットの向上に有利な利点である。
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置の例に関する。
＜成膜装置：第１例＞
図７は第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置の第１例を概略的に示す縦断面図である。
図７に示すように、成膜装置１００は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理室１０１を有している。処理室１０１の全体は、例えば、石英により形成されている。処理室１０１内の天井には、石英製の天井板１０２が設けられている。処理室１０１の下端開口部には、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド１０３がＯリング等のシール部材１０４を介して連結されている。
マニホールド１０３は処理室１０１の下端を支持している。マニホールド１０３の下方からは、被処理体として複数枚、例えば、５０〜１００枚の半導体基板、本例では、ウエハ１を多段に載置可能な石英製のウエハボート１０５が処理室１０１内に挿入可能となっている。これにより、処理室１０１内にウエハ１が収容される。ウエハボート１０５は複数本の支柱１０６を有し、支柱１０６に形成された溝により複数枚のウエハ１が支持されるようになっている。
ウエハボート１０５は、石英製の保温筒１０７を介してテーブル１０８上に載置されている。テーブル１０８は、マニホールド１０３の下端開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部１０９を貫通する回転軸１１０上に支持される。回転軸１１０の貫通部には、例えば、磁性流体シール１１１が設けられ、回転軸１１０を気密にシールしつつ回転可能に支持している。蓋部１０９の周辺部とマニホールド１０３の下端部との間には、例えば、Ｏリングよりなるシール部材１１２が介設されている。これにより処理室１０１内のシール性が保持されている。回転軸１１０は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構（図示せず）に支持されたアーム１１３の先端に取り付けられている。これにより、ウエハボート１０５および蓋部１０９等は、一体的に昇降されて処理室１０１内に対して挿脱される。
成膜装置１００は、処理室１０１内に、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構１１４、及び処理室１０１内に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構１１５を有している。本例の処理ガス供給機構１１４は、Ｓｉ原料ガス供給源１１７ａ、および１，２，３−トリアゾール系化合物ガス供給源１１７ｂを含んでいる。不活性ガス供給機構１１５は、不活性ガス供給源１２０を含んでいる。
Ｓｉ原料ガスの一例はＨＣＤ、１，２，３−トリアゾール系化合物ガスの一例は１Ｈ−１，２，３−トリアゾールである。不活性ガスの一例はＮ２ガスである。
Ｓｉ原料ガス供給源１１７ａは、流量制御器１２１ａ及び開閉弁１２２ａを介して、分散ノズル１２３ａに接続されている。同様に、１，２，３−トリアゾール系化合物ガス供給源１１７ｂは、流量制御器１２１ｂ及び開閉弁１２２ｂを介して、分散ノズル１２３ｂに接続されている。
分散ノズル１２３ａ、１２３ｂは石英管よりなり、マニホールド１０３の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル１２３ａ、１２３ｂの垂直部分には、複数のガス吐出孔１２４が所定の間隔を隔てて形成されている。これにより、各ガスは、ガス吐出孔１２４から水平方向に処理室１０１内に向けて略均一に吐出される。
不活性ガス供給源１２０は、流量制御器１２１ｃ及び開閉弁１２２ｃを介して、ノズル１２８に接続されている。ノズル１２８は、マニホールド１０３の側壁を貫通し、その先端から不活性ガスを、水平方向に処理室１０１内に向けて吐出させる。
処理室１０１内の、分散ノズル１２３ａ、１２３ｂと反対側の部分には、処理室１０１内を排気するための排気口１２９が設けられている。排気口１２９は処理室１０１の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理室１０１の排気口１２９に対応する部分には、排気口１２９を覆うように断面がコの字状に成形された排気口カバー部材１３０が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材１３０は、処理室１０１の側壁に沿って上方に延びており、処理室１０１の上方にガス出口１３１を規定している。ガス出口１３１には、真空ポンプ等を含む排気機構１３２が接続される。排気機構１３２は、処理室１０１内を排気することで処理に使用した処理ガスの排気、及び処理室１０１内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。
処理室１０１の外周には筒体状の加熱装置１３３が設けられている。加熱装置１３３は、処理室１０１内に供給されたガスを活性化するとともに、処理室１０１内に収容された被処理体、本例ではウエハ１を加熱する。
成膜装置１００の各部の制御は、例えばマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるコントローラ１５０により行われる。コントローラ１５０には、オペレータが成膜装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うタッチパネルや、成膜装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース１５１が接続されている。
コントローラ１５０には記憶部１５２が接続されている。記憶部１５２は、成膜装置１００で実行される各種処理をコントローラ１５０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部１５２の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース１５１からの指示等にて記憶部１５２から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１５０が実行することで、成膜装置１００は、コントローラ１５０の制御のもと、所望の処理が実施される。本例では、コントローラ１５０の制御のもと、上記第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法にしたがった処理が順次実施される。
上記第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法は、図７に示すような成膜装置１００を用いることによって実施することができる。
＜成膜装置：第２例＞
図８は第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法を実施することが可能な成膜装置の第２例を概略的に示す水平断面図である。
成膜装置としては図７に示したような縦型バッチ式に限られるものではない。例えば、図８に示すような水平型バッチ式であってもよい。図８には水平型バッチ式の成膜装置２００の処理室の水平断面が概略的に示されている。なお、図８においては、処理ガス供給機構、不活性ガス供給機構、排気装置、加熱装置、およびコントローラ等の図示は省略している。
図８に示すように、成膜装置２００は、ターンテーブル２０１上に、例えば、５枚のウエハ１を載置し、５枚のウエハ１に対して成膜処理を行う。ターンテーブル２０１は、ウエハ１を載置した状態で、例えば、時計回りに回転される。成膜装置２００の処理室２０２は４つの処理ステージに別れており、ターンテーブル２０１が回転することによって、ウエハ１は、４つの処理ステージを順番に廻る。
最初の処理ステージＰＳ１は、図１に示したステップ１を行うステージである。即ち、処理ステージＰＳ１においては、ウエハ１の被処理面上へのＳｉ原料ガスの供給が行われる。処理ステージＰＳ１の上方には、Ｓｉ原料ガスを供給するガス供給管２０３が配置されている。ガス供給管２０３は、ターンテーブル２０１に載置されて廻ってきたウエハ１の被処理面上に向かって、Ｓｉ原料ガスを供給する。処理ステージＰＳ１の下流側には排気口２０４が設けられている。
また、処理ステージＰＳ１は、ウエハ１を処理室２０２内に搬入、搬出する搬入搬出ステージでもある。ウエハ１は、処理室２０２内にウエハ搬入搬出口２０５を介して搬入搬出される。搬入搬出口２０５はゲートバルブ２０６によって開閉される。処理ステージＰＳ１の次のステージは、処理ステージＰＳ２である。
処理ステージＰＳ２は、図１に示したステップ２を行うステージである。処理ステージＰＳ２は狭隘な空間となっており、ウエハ１は、狭隘な空間の中をターンテーブル２０１に載置された状態でくぐり抜ける。狭隘な空間の内部には、ガス供給管２０７から不活性ガスが供給される。処理ステージＰＳ２の次は、処理ステージＰＳ３である。
処理ステージＰＳ３は、図１に示したステップ３を行うステージである。処理ステージＰＳ３の上方には、ガス供給管２０８が配置されている。ガス供給管２０８は、ターンテーブル２０１に載置されて廻ってきたウエハ１の被処理面上に向かって、１，２，３−トリゾール系化合物ガスを供給する。本処理ステージＰＳ３の下流側には排気口２０９が設けられている。処理ステージＰＳ３の次は、処理ステージＰＳ４である。
処理ステージＰＳ４は、図１に示したステップ４を行うステージである。処理ステージＰＳ４は、処理ステージＰＳ２と同様に、狭隘な空間となっており、ウエハ１は、狭隘な空間の中をターンテーブル２０１に載置された状態でくぐり抜ける。狭隘な空間の内部には、ガス供給管２１０から、不活性ガスが供給される。処理ステージＰＳ４の次は、最初のステージである処理ステージＰＳ１に戻る。
このように成膜装置２００においては、ウエハ１が一周廻ると、図１に示したステップ１〜ステップ４が完了する。ウエハ１はターンテーブル２０１に載置された状態で、設定回数まで回転させることで、ウエハ１の被処理面上にはＳｉＣＮ膜が成膜される。
この発明の第１の実施形態に係るＳｉＣＮ膜の成膜方法は、図８に示すような成膜装置２００を用いることによっても、実施することができる。
以上、この発明をいくつかの実施形態によって説明したが、この発明は、上記実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々に変形して実施することが可能である。
例えば、上記実施形態においては、処理条件を具体的に例示したが、処理条件は、上記具体的な例示に限られるものではない。例えば、ガスの流量等は、処理室の容積に応じて適宜調整される。
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
１…ウエハ、２…ＳｉＯ２膜、３−１、３−２…Ｓｉ膜、４、４−１、４−２…ＳｉＣＮ膜。

Claims (5)

  1. 被処理体の被処理面上にＳｉＣＮ膜を成膜するＳｉＣＮ膜の成膜方法であって、
    前記被処理体が収容された処理室内にＳｉ原料を含むＳｉ原料ガスを供給する工程と、
    前記Ｓｉ原料ガスを供給する工程の後、前記処理室内に窒化剤を含むガスを供給する工程とを備え、
    前記窒化剤として、下記一般式(１)で示される窒素と炭素との化合物を用い、２００℃以上５５０℃以下の範囲の成膜温度で、前記化合物が開裂・分解して得られた分解物から炭素が膜中に取り込まれたＳｉＣＮ膜を成膜することを特徴とするＳｉＣＮ膜の成膜方法。
    Figure 0006340251
     ただし、前記一般式(１)においてＲ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子又は置換基を有しても良い炭素原子数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基である。
  2. Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の置換基が、炭素原子数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基で置換されているモノアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基であることを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣＮ膜の成膜方法。
  3. Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の置換基が、炭素原子数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基であることを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣＮ膜の成膜方法。
  4. 一般式(１)で示される化合物が、
    １Ｈ−１，２，３−トリアゾール
    １−メチル−１，２，３−トリアゾール
    １，４−ジメチル−１，２，３−トリアゾール
    １，４，５−トリメチル−１，２，３−トリアゾール
    １−エチル−１，２，３−トリアゾール
    １，４−ジエチル−１，２，３−トリアゾール、又は
    １，４，５−トリエチル−１，２，３−トリアゾール
    であることを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣＮ膜の成膜方法。
  5. 前記処理室内に窒化剤を含むガスを供給する工程は、プラズマを用いないで実施することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のＳｉＣＮ膜の成膜方法。
JP2014112439A 2014-05-30 2014-05-30 ＳｉＣＮ膜の成膜方法 Active JP6340251B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014112439A JP6340251B2 (ja) 2014-05-30 2014-05-30 ＳｉＣＮ膜の成膜方法
KR1020150068861A KR101888727B1 (ko) 2014-05-30 2015-05-18 ＳｉＣＮ막의 성막 방법
TW104116736A TWI617692B (zh) 2014-05-30 2015-05-26 SiCN膜之成膜方法
US14/725,147 US9390907B2 (en) 2014-05-30 2015-05-29 Film forming method of SiCN film
CN201510290742.7A CN105316649B (zh) 2014-05-30 2015-05-29 SiCN膜的成膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014112439A JP6340251B2 (ja) 2014-05-30 2014-05-30 ＳｉＣＮ膜の成膜方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018046579A Division JP2018101810A (ja) 2018-03-14 2018-03-14 ＳｉＣＮ膜の成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015228391A JP2015228391A (ja) 2015-12-17
JP6340251B2 true JP6340251B2 (ja) 2018-06-06

Family

ID=54702615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014112439A Active JP6340251B2 (ja) 2014-05-30 2014-05-30 ＳｉＣＮ膜の成膜方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9390907B2 (ja)
JP (1) JP6340251B2 (ja)
KR (1) KR101888727B1 (ja)
CN (1) CN105316649B (ja)
TW (1) TWI617692B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6479560B2 (ja) * 2015-05-01 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6635839B2 (ja) * 2016-03-23 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 窒化膜の形成方法
US20210225634A1 (en) * 2020-01-17 2021-07-22 Asm Ip Holding B.V. FORMATION OF SiCN THIN FILMS
KR102438504B1 (ko) 2021-11-24 2022-08-31 주식회사 아이에스티이 SiCN 박막 형성 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3470424B2 (ja) * 1994-12-05 2003-11-25 昭和電工株式会社 気相成長方法
JP3760478B2 (ja) * 1995-05-18 2006-03-29 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法
US7582575B2 (en) * 1998-02-05 2009-09-01 Asm Japan K.K. Method for forming insulation film
US7446217B2 (en) * 2002-11-14 2008-11-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films
JP4258518B2 (ja) 2005-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
CN100554506C (zh) 2005-03-09 2009-10-28 东京毅力科创株式会社 半导体处理用的成膜方法及装置
JP4434149B2 (ja) 2006-01-16 2010-03-17 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4924437B2 (ja) 2007-02-16 2012-04-25 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5064296B2 (ja) * 2008-05-21 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 シリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置
TW201030469A (en) * 2008-12-25 2010-08-16 Jsr Corp Negative-tone radiation-sensitive composition, cured pattern forming method, and cured pattern
JP5699980B2 (ja) 2011-06-16 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US9243324B2 (en) * 2012-07-30 2016-01-26 Air Products And Chemicals, Inc. Methods of forming non-oxygen containing silicon-based films

Also Published As

Publication number Publication date
CN105316649B (zh) 2018-12-07
JP2015228391A (ja) 2015-12-17
US20150348778A1 (en) 2015-12-03
KR20150142590A (ko) 2015-12-22
CN105316649A (zh) 2016-02-10
TW201602386A (zh) 2016-01-16
TWI617692B (zh) 2018-03-11
US9390907B2 (en) 2016-07-12
KR101888727B1 (ko) 2018-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5689398B2 (ja) 窒化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置
JP6267080B2 (ja) シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP6246558B2 (ja) シリコン酸炭窒化物膜、シリコン酸炭化物膜、シリコン酸窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP5524132B2 (ja) 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、及び、薄膜形成装置
JP5925802B2 (ja) ２段階での均一なドライエッチング
US9613823B2 (en) Etching method and storage medium
TW201720541A (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP6494226B2 (ja) エッチング方法
US20140251203A1 (en) Selective epitaxial growth method and film forming apparatus
JP2015193878A (ja) ＴｉＳｉＮ膜の成膜方法および成膜装置
JP6340251B2 (ja) ＳｉＣＮ膜の成膜方法
KR101612536B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
KR101802580B1 (ko) 에칭 방법 및 기억 매체
JP6391355B2 (ja) タングステン膜の成膜方法
JP2016164932A (ja) シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP2019153711A (ja) 成膜方法および成膜装置
JP2018101810A (ja) ＳｉＣＮ膜の成膜方法
JP6452787B2 (ja) シリコン酸炭窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP6345136B2 (ja) 炭素含有シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置
JP6211941B2 (ja) 成膜方法および成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161104

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171004

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180314

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20180314

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20180403

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180514

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6340251

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250