CN108695149B - 蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗Ge的技术。以对包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行了激励的状态向具有锗部分的被处理基板供给该蚀刻气体来蚀刻锗部分。作为锗部分，能够列举锗膜。所述被处理基板具有锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分选择性地蚀刻锗部分。作为含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。

Description

蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质
技术领域
本发明涉及锗(Ge)的蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。
背景技术
最近，半导体集成电路装置要求动作的高速化。动作的高速化主要受到晶体管等半导体设备的细微化、布线的低电阻化、层间绝缘膜的低介电常数化等的影响。但是，基于这些技术的动作的高速化正在接近极限。因此，为了实现动作的进一步高速化，正在关注一种载流子迁移率更高的作为半导体材料的硅锗(以下，也记载为SiGe)、锗(以下，也记载为Ge)，来替代以往使用的作为半导体材料的硅(以下，也记载为Si)。
在将Ge、SiGe应用于半导体设备时，期望一种高选择性地蚀刻这些材料的技术。在专利文献1中记载了一种利用F2气体或者F2气体和NH3气体来相对于Si选择性地蚀刻SiGe的技术。
专利文献1：日本特开2016-143781号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，专利文献1中记载的只是SiGe的蚀刻，而并非蚀刻Ge的技术。以往，在Ge的干法蚀刻中利用一种卤素气体、高温的热氧化处理，但相对于其它材料的选择性并不充分。
因而，本发明的课题在于提供一种能够通过干法工艺来相对于其它材料选择性地蚀刻锗(Ge)的技术。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明提供一种蚀刻方法，其特征在于，将包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体在被激励了的状态下供给到具有锗部分的被处理基板，来对所述锗部分进行蚀刻。
在所述蚀刻方法中，作为所述锗部分，能够使用锗膜。
所述被处理基板具有所述锗部分和含硅部分，能够相对于所述含硅部分来选择性地蚀刻所述锗部分。作为所述含硅部分，能够列举硅、硅锗、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。
在所述蚀刻时，优选将压力设为6.7Pa～133Pa的范围。另外，在所述蚀刻时，优选将所述被处理基板的温度设为200℃～400℃的范围。
在所述蚀刻方法中，优选所述蚀刻气体在被进行了等离子体化的状态下进行供给。
另外，本发明提供一种蚀刻装置，对具有锗的被处理基板进行蚀刻，该蚀刻装置的特征在于，具备：处理容器，其收容所述被处理基板；气体供给部，其对所述处理容器内供给规定的气体；激励机构，其对所述规定的气体进行激励；加热机构，其对所述处理容器内进行加热；排气机构，其对所述处理容器内进行排气来将所述处理容器设为减压状态；以及控制部，其对所述气体供给部、所述激励机构、所述加热机构以及所述排气机构进行控制，其中，所述控制部利用所述排气机构将所述处理容器内控制为规定的减压状态，利用所述加热机构将所述处理容器内控制为规定温度，从所述气体供给部供给蚀刻气体，利用所述激励机构对所述蚀刻气体进行激励，利用被激励了的状态下的蚀刻气体在所述处理容器内对所述被处理基板的锗进行蚀刻。
在所述蚀刻装置中，所述激励机构优选是等离子体生成机构。
本发明提供一种存储介质，存储有在计算机上进行动作且用于控制蚀刻装置的程序，其特征在于，所述程序在被执行时，使计算机控制所述蚀刻装置，来进行上述蚀刻方法。
发明的效果
根据本发明，能够通过干法工艺相对于其它材料来选择性地蚀刻锗(Ge)。另外，根据本发明，能够利用没有使用氟(F)、氯(Cl)等卤素系气体的简单的气体系来蚀刻锗(Ge)。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的被处理基板的概要截面图。
图2是表示能够用于实施本发明的一个实施方式所涉及的蚀刻方法的蚀刻装置的一例的纵截面图。
图3是图2所示的蚀刻装置的水平截面图。
图4是表示实验例1中的蚀刻处理前(Initial)的无图形样品的截面的SEM照片。
图5是表示实验例1中的利用NH3气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的无图形样品的截面的SEM照片。
图6是表示实验例1中的利用H2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的无图形样品的截面的SEM照片。
图7是表示实验例1中的利用O2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的无图形样品的截面的SEM照片。
图8是表示实验例1中的利用N2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的无图形样品的截面的SEM照片。
图9是表示实验例2中的蚀刻处理前(Initial)的样品的截面的SEM照片。
图10是表示实验例2中的利用H2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的样品的截面的SEM照片。
附图标记说明
1：处理容器；5：晶舟；15：蚀刻气体供给机构；30：等离子体生成机构；33：等离子体电极；35：高频电源；41：排气装置；42：加热机构；100：蚀刻装置；200：半导体基体；201：绝缘膜；202：无定形硅膜；203：锗膜；W：半导体晶圆(被处理基板)。
具体实施方式
以下，参照所附附图对本发明的实施方式进行说明。
<蚀刻方法的概要>
本发明人反复研究了能够对被处理基板上存在的锗(Ge)部分进行蚀刻的方法。其结果，能够利用将包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体(以下，也简单地记载为蚀刻气体)在被激励了的状态下供给到被处理基板这个极其简单的方法来蚀刻Ge部分，而且发现了相对于其它材料会具有高选择性。
在此，Ge部分典型来说是Ge膜。利用Ge原料气体并通过CVD法形成Ge膜。作为Ge原料气体，能够利用能够适用于CVD法的所有含Ge化合物，且没有特别地限定，但作为典型的例子，例如能够列举单锗烷(GeH4)、二锗烷(Ge2H6)等锗烷系化合物。作为不可避免的杂质，通过CVD法形成的Ge膜包含氢(H)等。
蚀刻气体包含H2气体或NH3气体。蚀刻气体既可以仅为H2气体或NH3气体，也可以除H2气体或NH3气体以外包含非活性气体、例如Ar气体等稀有气体。
没有特别地限定蚀刻气体的激励方法，但优选利用等离子体进行激励。等离子体可以是在处理容器外利用适当的方法进行等离子体化后导入处理容器的远程等离子体，也可以在处理容器内生成等离子体。
蚀刻锗部分时的被处理基板的温度优选为200℃～400℃的范围，处理压力优选为0.05Torr～1.0Torr(6.7Pa～133Pa)的范围。
这样，通过将包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体在被激励(等离子体化)了的状态下进行供给，能够有效地蚀刻Ge部分，而且相对于其它材料会具有高选择性。特别是相对于含硅物质会具有高选择性。作为这种含硅物质，能够列举硅(Si)、SiGe。例如，在Ge膜与SiGe膜或Si膜并存的情况下，能够几乎不蚀刻SiGe膜或Si膜而仅蚀刻Ge膜。在此，利用Ge原料气体和Si原料气体并通过CVD法来形成SiGe膜，利用Si原料气体并通过CVD法来形成Si膜。作为Si原料气体，能够利用能够适用于CVD法的所有含Si化合物，并未特别地限定，但作为典型的化合物，例如能够列举甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)等硅烷化合物。作为SiGe膜，能够也相对于90at％左右的富Ge的SiGe膜来高选择性地蚀刻Ge。另外，作为含硅物质，能够也相对于氮化硅膜(SiN膜)、氧化硅膜(SiO2膜)之类的绝缘膜来高选择性地蚀刻Ge。
图1是表示具有Ge部分的被处理基板的一例的截面图。本例的被处理基板在半导体基体200上形成包含SiO2膜或SiN膜等的绝缘膜201，在该绝缘膜201上隔着无定形Si膜202形成有包含Ge的Ge膜203。由于在绝缘膜201上没有形成Ge膜，因此形成作为Si晶种的无定形Si膜202。
绝缘膜201、无定形Si膜202、Ge膜203均能够通过CVD进行成膜。
将包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体在被激励(等离子体化)了的状态下供给到这样的被处理基板来进行蚀刻，由此能够几乎不蚀刻无定形Si膜202和绝缘膜201而高选择性地蚀刻Ge膜203。
<处理装置的一例>
图2是表示能够用于实施本发明的一个实施方式所涉及的蚀刻方法的蚀刻装置的一例的纵截面图，图3是图2所示的蚀刻装置的水平截面图。
本例的蚀刻装置100具有下端开口的有顶的圆筒体状的处理容器1。该处理容器1的整体例如由石英形成，在该处理容器1内的上端部附近设置有石英制的顶板2来封闭其下侧的区域。另外，形成为圆筒体状的金属制的岐管3经由O环等的密封构件4连结于该处理容器1的下端开口部。
岐管3对处理容器1的下端进行支承，石英制的晶舟5从该岐管3的下方插入处理容器1内，该晶舟5以多层的方式载置有多片例如50片～100片半导体晶圆(硅晶圆)W来作为被处理基板。该晶舟5具有三根杆6(参照图3)，利用形成于杆6的槽(未图示)来支承多片晶圆W。
该晶舟5隔着石英制的保温筒7被载置于台8上，该台8被支承在旋转轴10上，该旋转轴10贯通用于将岐管3的下端开口部打开和关闭的金属(不锈钢)制的盖部9。
而且，在该旋转轴10的贯通部设置有磁性流体密封件11，一边气密地对旋转轴10进行密封一边对旋转轴10进行可旋转地支承。另外，在盖部9的周边部与岐管3的下端部之间插入设置有用于保持处理容器1内的密封性的密封构件12。
旋转轴10例如被安装在臂13的前端，该臂13被升降机等升降机构(未图示)支承，从而使晶舟5和盖部9等一体地升降来相对于处理容器1内插入和脱离。此外，也可以将台8固定地设置于盖部9侧，以晶舟5不旋转的方式进行晶圆W的处理。
另外，蚀刻装置100具有：蚀刻气体供给机构15，其向处理容器1内供给包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体；以及非活性气体供给机构17，其向处理容器1内供给非活性气体、例如N2气体、Ar气体来作为吹扫气体等。
蚀刻气体供给机构15具有蚀刻气体供给源21、用于从蚀刻气体供给源21引导蚀刻气体的气体配管22以及用于向处理容器1内引导蚀刻气体的气体分散喷嘴23。
气体分散喷嘴23由石英构成，在岐管3的侧壁向内侧贯通并朝向上方弯曲后垂直地延伸。在这些气体分散喷嘴23的垂直部分，遍及与晶舟5的晶圆支承范围对应的上下方向的整个长度以规定的间隔分别形成有多个气体喷出孔23a。能够从各气体喷出孔23a沿水平方向朝向处理容器1大致均匀地喷出蚀刻气体。在图3中，气体分散喷嘴23仅为一个，但也可以设置多个。
非活性气体供给机构17具有非活性气体供给源27、用于从非活性气体供给源27引导非活性气体的气体配管28以及气体喷嘴29，其中，气体喷嘴29连接于该气体配管28，由以贯通岐管3的侧壁的方式被设置的短石英管构成。
在气体配管22、28中分别设置有开闭阀22a、28a以及流量控制器22b、28b(例如，质量流量控制器等)。
在处理容器1的侧壁的一部分形成有等离子体生成机构30。等离子体生成机构30用于在对包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行激励即等离子体化之后将该蚀刻气体供给到处理容器1内。
等离子体生成机构30具备气密地焊接于处理容器1的外壁的等离子体划分壁32。等离子体划分壁32例如由石英形成。等离子体划分壁32呈截面凹状，用于覆盖形成于处理容器1的侧壁的开口31。开口31沿上下方向细长地形成，使得能够沿上下方向覆盖被支承于晶舟5的所有半导体晶圆W。在由等离子体划分壁32限定的内侧空间、即等离子体生成空间的内部配置有上述用于喷出蚀刻气体的分散喷嘴23。
另外，等离子体生成机构30还具有：细长的一对等离子体电极33，该一对等离子体电极33以沿上下方向彼此相向的方式配置在等离子体划分壁32的两侧壁的外面；以及高频电源35，其经由供电线34分别连接于一对等离子体电极33，用于向一对等离子体电极33供给高频电力。高频电源35对一对等离子体电极33施加例如13.56MHz的高频电压。由此，在由等离子体划分壁32限定的等离子体生成空间内形成高频电场。从分散喷嘴23喷出的蚀刻气体在被施加了高频电场的等离子体生成空间内被进行等离子体化，被进行了等离子体化后的该蚀刻气体经由开口31被供给到处理容器1的内部。
在等离子体划分壁32的外侧以覆盖该等离子体划分壁32的方式安装有绝缘保护罩36。在绝缘保护罩36的内侧部分设置有制冷剂通路(未图示)，通过在该绝缘保护罩36内流通被冷却后的NH3气体等制冷剂来将等离子体电极33冷却。
在与开口31相向的处理容器1的侧壁部分设置有用于对处理容器1内进行真空排气的排气口37。该排气口37是与晶舟5对应地沿上下方向细长地形成的。在处理容器1的与排气口37对应的部分安装有排气口盖构件38，该排气口盖构件38以覆盖排气口37的方式形成为截面U字形。该排气口盖构件38沿处理容器1的侧壁向上方延伸。在排气口盖构件38的下部连接有用于经由排气口37对处理容器1进行排气的排气管39。排气管39上连接有排气装置41，该排气装置41包括用于控制处理容器1内的压力的压力控制阀40和真空泵等，由排气装置41经由排气管39对处理容器1内进行排气。另外，以包围该处理容器1的外周的方式设置有对该处理容器1及其内部的晶圆W进行加热的筒体状的加热机构42。
蚀刻装置100具有控制部50。控制部50进行蚀刻装置100的各构成部的控制、例如通过阀22a、28a的开闭来控制各气体的供给和停止、利用流量控制器22b、28b进行气体流量的控制、利用排气装置41进行排气控制、利用高频电源35进行高频电力的导通和截止控制以及利用加热机构42进行晶圆W的温度的控制等。控制部50具有主控制部、输入装置、输出装置、显示装置以及存储装置，其中，主控制部具有CPU(计算机)来进行上述控制。在存储装置中设置有存储介质，该存储介质保存有用于控制由蚀刻装置100执行的处理的程序、即处理制程，主控制部调用存储介质中存储的规定的处理制程，基于该处理制程进行控制以使得利用蚀刻装置100进行规定的处理。
<蚀刻装置100的蚀刻方法>
接着，对由蚀刻装置100实施的蚀刻方法进行说明。
首先，将处理容器1内的温度设为200℃～400℃，将搭载有50片～100片晶圆W的晶舟5搬入处理容器1内，向处理容器1内流通非活性气体，利用排气装置41对处理容器1内进行排气，并且将处理容器1内的压力调节为0.05Torr～1Torr(6.7Pa～133Pa)。
接着，对处理容器1内进行排气，并且利用等离子体生成机构30对来自蚀刻气体供给源21的包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体进行等离子体化。然后，将进行了等离子体化的该蚀刻气体供给到处理容器1内来使该蚀刻气体作用于在晶圆W上形成的锗膜。此时的条件优选为高频(RF)功率：100W～1000W、时间：1min～100min。另外，在蚀刻气体为NH3气体的情况下，蚀刻气体的流量优选为1000sccm～10000sccm，在蚀刻气体为H2气体的情况下，蚀刻气体的流量优选为500sccm～5000sccm。
进行规定时间蚀刻，在锗膜被蚀刻了规定量之后关闭阀22a来结束蚀刻，之后，利用排气装置41经由排气管39对处理容器1内进行排气，并且利用非活性气体进行处理容器1内的吹扫。然后，在使处理容器1内恢复为常压之后，使晶舟5下降来从晶舟5搬出晶圆W。
<实验例1>
接着，对实验例1进行说明。
图4是表示实验例1中的蚀刻处理前(Initial)的无图形样品的截面的SEM照片。在实验例1中，准备如图4所示那样的、在Si基体上按相同顺序形成有热氧化SiO2膜、Ge膜或SiGe膜或Si膜的无图形样品(以下，记载为样品)，利用图2和图3的蚀刻装置对这些样品进行了蚀刻处理。
在实验例1中，准备了通过CVD法形成Ge的含有率(at％)不同的5种膜来作为在热氧化SiO2膜上形成的膜的多个样品A～E。具体地说，是图4的(a)所示的具有Ge含有浓度为100％的锗膜的样品A、图4的(b)所示的具有Ge含有浓度为88％的硅锗膜的样品B、图4的(c)所示的具有Ge含有浓度为75％的硅锗膜的样品C、图4的(d)所示的具有Ge含有浓度为67％的硅锗膜的样品D、图4的(e)所示的具有Si含有浓度为100％的硅膜的样品E这五种样品。
此外，在上述样品A～E中可能含有“不可避免的杂质”。“不可避免的杂质”是指在制造工序中不可避免地混入的杂质，在本例的情况下主要是氢(H)。
接着，对蚀刻条件进行说明。在实验例1中，关于上述五种样品A～E，将NH3气体、H2气体、O2气体、N2气体这四种气体设为蚀刻气体并进行了蚀刻处理。
作为蚀刻条件，如以下那样。
温度：300℃
压力：0.2Torr(26.6Pa)
气体流量：5slm(只有H2气体为2slm)
RF功率：500W
处理时间：30min
作为留意点，关于蚀刻处理时的气体流量，NH3气体、O2气体、N2气体分别为5slm(5000sccm)，但只有H2气体为2slm(2000sccm)。
[利用NH3气体等离子体进行的蚀刻]
图5是表示实验例1中的利用NH3气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的样品A～E的截面的SEM照片。具体地说，图5的(a)是表示样品A的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图5的(b)是表示样品B的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图5的(c)是表示样品C的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图5的(d)是表示样品D的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图5的(e)是表示样品E的蚀刻处理后的截面的SEM照片。
根据图5的(a)所示的SEM照片获知，在将NH3气体设为蚀刻气体并进行了蚀刻处理的情况下，Ge膜被完全蚀刻而被去除。由于Ge膜的膜厚为100nm以上，因此当考虑蚀刻处理时间(30min)时获知该Ge膜至少具有3.3nm/min的蚀刻率。另外，获知热氧化SiO2膜未被蚀刻而残留。并且，根据图5的(b)～(e)所示的SEM照片获知SiGe膜和Si膜未被蚀刻而残留。
基于以上内容获知，在将NH3气体设为蚀刻气体来进行蚀刻处理的情况下，只有Ge膜被蚀刻，热氧化SiO2膜、SiGe膜以及Si膜没有被蚀刻。基于此获知，相对于SiGe膜、Si膜以及SiO2膜，Ge膜以极高的选择比被选择性地蚀刻。特别是获知以下内容：对于Ge为88at％的富Ge的SiGe膜而言，也能够获得高的蚀刻选择性。
[利用H2气体等离子体进行的蚀刻]
图6是表示实验例1中的利用H2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的样品A～E的截面的SEM照片。具体地说，图6的(a)是表示样品A的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图6的(b)是表示样品B的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图6的(c)是表示样品C的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图6的(d)是表示样品D的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图6的(e)是表示样品E的蚀刻处理后的截面的SEM照片。
根据图6的(a)所示的SEM照片获知，在将H2气体设为蚀刻气体并进行了蚀刻处理的情况下，Ge膜被完全蚀刻而被去除。由于Ge膜的膜厚为100nm以上，因此当考虑蚀刻处理时间(30min)时获知该Ge膜至少具有3.3nm/min的蚀刻率。另外，获知热氧化Si O2膜未被蚀刻而残留。另外，根据图6的(b)所示的SEM照片获知，虽然Ge浓度为88％的SiGe膜的表面被局部地蚀刻，但几乎以未被蚀刻的状态残留。并且，根据图6的(c)～图6的(e)所示的SEM照片获知，其它Ge浓度的SiGe膜和Si膜未被蚀刻而残留。
基于以上内容获知，在将H2气体设为蚀刻气体来进行蚀刻处理的情况下，主要蚀刻Ge膜，关于样品B，获知虽然SiGe膜被蚀刻少许，但其蚀刻率非常低，几乎没有被蚀刻，另外，获知样品C、D的SiGe膜和Si膜未被蚀刻。基于此获知，相对于SiGe膜、Si膜以及Si O2膜，Ge膜被选择性地蚀刻。特别是获知以下内容：对于Ge为88at％的富Ge的SiGe膜而言，也能够获得高的蚀刻选择性。
[利用O2气体等离子体进行的蚀刻]
图7是表示实验例1中的利用O2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的样品A～E的截面的SEM照片。具体地说，图7的(a)是表示样品A的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图7的(b)是表示样品B的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图7的(c)是表示样品C的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图7的(d)是表示样品D的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图7的(e)是表示样品E的蚀刻处理后的截面的SEM照片。
根据图7的(a)～图7的(e)所示的SEM照片获知，在将O2气体设为蚀刻气体并进行了蚀刻处理的情况下，锗膜、硅锗膜以及硅膜均未被蚀刻而残留。
基于以上内容获知，在将O2气体设为蚀刻气体进行蚀刻处理的情况下，锗膜、硅锗膜以及硅膜均未被蚀刻。
[由N2气体等离子体得到的蚀刻结果]
图8是表示实验例1中的利用N2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的样品A～E的截面的SEM照片。具体地说，图8的(a)是表示样品A的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图8的(b)是表示样品B的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图8的(c)是表示样品C的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图8的(d)是表示样品D的蚀刻处理后的截面的SEM照片，图8的(e)是表示样品E的蚀刻处理后的截面的SEM照片。
根据图8的(a)～图8的(e)所示的SEM照片获知，在将N2气体设为蚀刻气体并进行了蚀刻处理的情况下，锗膜、硅锗膜以及硅膜均未被蚀刻而残留。
基于以上内容获知，在将N2气体设为蚀刻气体来进行蚀刻处理的情况下，锗膜、硅锗膜以及硅膜均未被蚀刻。
<实验例2>
接着。对实验例2进行说明。
图9是表示实验例2中的蚀刻处理前(Initial)的样品的截面的SEM照片。在实验例2中，准备了如图9所示那样的在Si基体上按相同顺序形成有以大致相同间隔分离且具有多个凹部(沟槽)的SiN膜和Ge膜的样品，并利用图2和图3的蚀刻装置对该样品进行了蚀刻处理。
此外，如图9所示，在实验例2的样品的情况下，将Ge膜形成为没有完全填充SiN膜的凹部(沟槽)的程度。但是，在像这样制作的Ge膜中可能含有“不可避免的杂质”。“不可避免的杂质”是指在制造工序中不可避免地混入的微量的杂质，在本例的情况下主要是氢(H)。
接着，对蚀刻条件进行说明。在实验例2中，将H2气体设为蚀刻气体对如上述那样制作的样品进行了蚀刻处理。
作为蚀刻条件，如以下那样。
温度：300℃
压力：0.2Torr(26.6Pa)
气体流量：2slm(2000sccm)
RF功率：500W
处理时间：20min
图10是表示实验例2中的利用H2气体进行的蚀刻处理后(Post Treatment)的样品的截面的SEM照片。根据图10所示的SEM照片获知，在将H2气体设为蚀刻气体并进行了蚀刻处理的情况下，从沟槽上部向下部沿垂直方向蚀刻SiN膜上的锗膜。另外，获知氮化硅膜未被蚀刻而残留。
基于以上内容获知锗膜的蚀刻具有各向异性。另外，获知相对于氮化硅膜来选择性地蚀刻了锗膜。
<其它应用>
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，能够在不脱离其宗旨的范围内进行各种变形。
例如，在上述实施方式中，示出了利用立式的批量式装置实施了本发明的方法的例子，但并不限于此，也能够利用卧式的批量式装置(沿横向排列多片纵置的晶圆来统一处理所排列的该多片晶圆的类型的装置)、片式装置(一片一片地处理横置的晶圆的类型)等其它种类的蚀刻装置来实施本发明的方法。
另外，在上述实施方式中，示出了通过对一对等离子体电极施加高频电力来生成等离子体的例子，但生成等离子体的方法并不限于此，也可以通过其它电感耦合、微波等方式来生成等离子体。
并且，示出了将半导体晶圆用作被处理基板的情况，但并不限于此，也能够应用于平板显示器用的玻璃基板、陶瓷基板等其它基板，这是不言而喻的。

Claims (8)

1.一种蚀刻方法，其特征在于，
将包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体在被激励了的状态下供给到被处理基板，所述被处理基板具有包括含硅材料的绝缘膜以及在所述绝缘膜上形成的不含硅的锗膜；以及
相对于所述绝缘膜选择性地刻蚀所述锗膜。
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述绝缘膜是硅膜、硅锗膜、氮化硅膜以及氧化硅膜中的任一个。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，
在所述蚀刻时，将压力设为6.7Pa～133Pa的范围。
4.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，
在所述蚀刻时，将所述被处理基板的温度设为200℃～400℃的范围。
5.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于，
所述蚀刻气体在被进行了等离子体化的状态下进行供给。
6.一种蚀刻装置，对被处理基板进行蚀刻，其特征在于，具备：
处理容器，其收容所述被处理基板，所述被处理基板具有包括含硅材料的绝缘膜以及在所述绝缘膜上形成的不含硅的锗膜；
气体供给部，其对所述处理容器内供给规定的气体；
激励机构，其对所述规定的气体进行激励；
加热机构，其对所述处理容器内进行加热；
排气机构，其对所述处理容器内进行排气来将所述处理容器设为减压状态；以及
控制部，其对所述气体供给部、所述激励机构、所述加热机构以及所述排气机构进行控制，
其中，所述控制部利用所述排气机构将所述处理容器内控制为规定的减压状态，利用所述加热机构将所述处理容器内控制为规定温度，
从所述气体供给部供给包含H2气体或NH3气体的蚀刻气体，利用所述激励机构对所述蚀刻气体进行激励，
将被激励了的状态下的蚀刻气体供给到所述处理容器内的所述被处理基板，以相对于所述绝缘膜选择性地蚀刻所述锗膜。
7.根据权利要求6所述的蚀刻装置，其特征在于，
所述激励机构是等离子体生成机构。
8.一种存储介质，存储有在计算机上进行动作且用于控制蚀刻装置的程序，其特征在于，
所述程序在被执行时，使计算机控制所述蚀刻装置，来进行根据权利要求1至5中的任一项所述的蚀刻方法。
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