JP2013179352A - 熱処理装置の運転方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体Wを反応容器2内に搬入し、熱処理を行う熱処理装置1のクリーニング方法において、被処理体Wにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する熱処理が行われたことによりゲルマニウムによって汚染された反応容器内Wに、被処理体Wが搬入されていない状態で酸化ガスと、水素ガスとを反応容器2内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器2内に存在するゲルマニウムを除去する工程を含む。
【選択図】図2
Description
前記反応容器内に被処理体を搬入して処理ガスを供給すると共に当該反応容器内を前記加熱手段により加熱して、被処理体にゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、
次いで反応容器内に被処理体が搬入されていない状態でハロゲンを含むクリーニングガスを当該反応容器内に供給して、前記工程にて前記反応容器内に成膜された薄膜を除去する工程と、
その後、酸素ガス、オゾンガス及び窒素と酸素との化合物ガスから選択される酸化ガスと、水素ガスとを前記反応容器内に供給すると共に当該反応容器内を加熱してこれらガスを活性化し、この活性化されたガスにより反応容器内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、を含むことを特徴とする。
(a)前記ゲルマニウムを含む膜はシリコンゲルマニウム膜であること。
まず、基板であるウエハWを所定枚数ウエハボート25に棚状に載置して、図示しないボートエレベータを上昇させることにより、ウエハWを反応容器2内に搬入する。
こうして、所定時間成膜を行ったら、処理ガスの供給並びに真空排気を停止し、反応容器2内を例えばN2ガスなどの不活性ガスで置換した後、反応容器2内からウエハボート25を搬出する。
以上に説明した観点から、縦型熱処理装置1での膜種切り替え時に、反応容器2内に残存しているGeを効果的に除去するためには、図2、図3に示した順番にF2ガスによるクリーニング、Geのパージ、ポリシリコン膜のプリコートを実行することが好ましいといえる。
A.実験条件
(比較例1)
SiGe成膜後の基板をフッ硝酸液中に数分間浸漬するウェット洗浄を行った。
(比較例2)
石英板表面に1μmの膜厚のポリシリコン膜を成膜するコーティングを行った。
(比較例3)
反応容器2内にF2ガスを供給し、ウエハボート25上に載置した石英基板に対するクリーニングを約1時間実施した。
(実施例1)
(比較例3)のF2ガスクリーニングを行った後の石英基板を再度反応容器2内に載置し、H2ガスとN2Oガスとを供給してGeのパージを5時間実施した。
各実施例、比較例におけるGeの計測結果を図4に示す。図4の横軸に示したTの符号はウエハボート25の上段側に保持された基板の計測結果を示し、Bの符号はウエハボート25の下段側での結果を示している。
1 縦型熱処理装置
2 反応容器
25 ウエハボート
3 加熱炉
31 ヒーター
4 排気口
51 第1のインジェクター
52 第2のインジェクター
53 第3のインジェクター
54 クリーニングガスインジェクター
611〜613
処理ガス供給管
62 モノシラン供給部
63 モノゲルマン供給部
71 クリーニングガス供給管
710 ガス混合部
72 水素供給部
73 酸化ガス供給部
74 クリーニングガス供給部
8 制御部
Claims (3)
- 被処理体を、加熱手段が設けられた反応容器内に搬入して熱処理を行う熱処理装置のクリーニング方法において、
被処理体にゲルマニウムを含む薄膜を成膜する熱処理が行われたことによりゲルマニウムによって汚染された反応容器内に、被処理体が搬入されていない状態で酸素ガス、オゾンガス及び窒素と酸素との化合物ガスから選択される酸化ガスと、水素ガスとを前記反応容器内に供給すると共に当該反応容器内を加熱してこれらガスを活性化し、この活性化されたガスにより反応容器内に存在するゲルマニウムを除去する工程を含むことを特徴とする熱処理装置のクリーニング方法。 - 前記ゲルマニウムを除去する工程を実施する前に、ハロゲンを含むクリーニングガスを前記反応容器内に供給して、前記反応容器内に成膜された薄膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置のクリーニング方法。
- 前記熱処理装置は、被処理体を保持具に保持させて前記反応容器内に搬入して熱処理を行うものであり、前記加熱手段は当該反応容器の周囲に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置のクリーニング方法。
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