JP2010021378A - シリコン酸窒化膜の形成方法および形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハW上にシリコン酸化膜51を形成した後、シリコン酸化膜51に窒素を導入して、半導体ウエハW上にシリコン酸窒化膜52を形成する。次に、シリコン酸窒化膜52が形成された被処理体を少なくとも950℃の温度でアニールする。続いて、半導体ウエハWとシリコン酸窒化膜52との界面に酸素を侵入させ、両者の間にシリコン酸化膜53を形成する。
【選択図】図4
Description
被処理体上にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜に窒素を導入してシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成工程と、
前記シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を少なくとも950℃の温度でアニールするアニール工程と、
前記アニールされ、シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化工程と、
を備える、ことを特徴とする。
前記アニール工程では、例えば、前記シリコン酸窒化膜に導入された窒素が安定な状態となるように、当該シリコン酸窒化膜中の珪素原子と結合させる。
前記酸化工程では、例えば、前記被処理体と前記シリコン酸窒化膜との間にシリコン酸化膜を形成する。
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内にシリコン酸化膜を成膜する成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内にシリコン酸化膜を窒化する窒化用ガスを供給する窒化用ガス供給手段と、
前記反応室内にシリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化用ガスを供給する酸化用ガス供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記成膜用ガス供給手段を制御して前記反応室内に成膜用ガスを供給し、前記被処理体上にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記窒化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に窒化用ガスを供給し、前記シリコン酸化膜に窒素を導入することによりシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を少なくとも950℃の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、アニールするアニール手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記酸化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に酸化用ガスを供給し、前記アニールされ、シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化手段と、
を備える、ことを特徴とする。
コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内にシリコン酸化膜を成膜する成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段、
前記反応室内にシリコン酸化膜を窒化する窒化用ガスを供給する窒化用ガス供給手段、
前記反応室内にシリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化用ガスを供給する酸化用ガス供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記成膜用ガス供給手段を制御して前記反応室内に成膜用ガスを供給し、前記被処理体上にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記窒化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に窒化用ガスを供給し、前記シリコン酸化膜に窒素を導入することによりシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を少なくとも950℃の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、アニールするアニール手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記酸化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に酸化用ガスを供給し、前記アニールされ、シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内等の各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
51 シリコン酸化膜
52 シリコン酸窒化膜
53 シリコン酸化膜
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (7)
- 被処理体上にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、
前記シリコン酸化膜に窒素を導入してシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成工程と、
前記シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を少なくとも950℃の温度でアニールするアニール工程と、
前記アニールされ、シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化工程と、
を備える、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成方法。 - 前記アニール工程では、前記シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を950℃〜1200℃の温度でアニールする、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記アニール工程では、前記シリコン酸窒化膜に導入された窒素が安定な状態となるように、当該シリコン酸窒化膜中の珪素原子と結合させる、ことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記酸化工程では、前記被処理体と前記シリコン酸窒化膜との界面に酸素を侵入させ、前記シリコン酸窒化膜中の窒素をリフトアップさせる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記酸化工程では、前記被処理体と前記シリコン酸窒化膜との間にシリコン酸化膜を形成する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室と、
前記反応室内にシリコン酸化膜を成膜する成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段と、
前記反応室内にシリコン酸化膜を窒化する窒化用ガスを供給する窒化用ガス供給手段と、
前記反応室内にシリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化用ガスを供給する酸化用ガス供給手段と、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記成膜用ガス供給手段を制御して前記反応室内に成膜用ガスを供給し、前記被処理体上にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記窒化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に窒化用ガスを供給し、前記シリコン酸化膜に窒素を導入することによりシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を少なくとも950℃の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、アニールするアニール手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記酸化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に酸化用ガスを供給し、前記アニールされ、シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化手段と、
を備える、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成装置。 - コンピュータを、
被処理体を収容するとともに、所定の温度に設定可能な加熱部を有する反応室内にシリコン酸化膜を成膜する成膜用ガスを供給する成膜用ガス供給手段、
前記反応室内にシリコン酸化膜を窒化する窒化用ガスを供給する窒化用ガス供給手段、
前記反応室内にシリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化用ガスを供給する酸化用ガス供給手段、
前記反応室に接続された排気管を有し、前記反応室内のガスを前記排気管から排気して当該反応室内を所定の圧力に設定可能な排気手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記成膜用ガス供給手段を制御して前記反応室内に成膜用ガスを供給し、前記被処理体上にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記窒化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に窒化用ガスを供給し、前記シリコン酸化膜に窒素を導入することによりシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜形成手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を少なくとも950℃の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、アニールするアニール手段、
前記加熱部を制御して前記反応室内を所定の温度に設定するとともに、前記排気手段を制御して前記反応室内を所定の圧力に設定した状態で、前記酸化用ガス供給手段を制御して前記反応室内に酸化用ガスを供給し、前記アニールされ、シリコン酸窒化膜が形成された被処理体を酸化する酸化手段、
として機能させるためのプログラム。
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JP2008180868A JP2010021378A (ja) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | シリコン酸窒化膜の形成方法および形成装置 |
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Family Applications (1)
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JP2008180868A Pending JP2010021378A (ja) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | シリコン酸窒化膜の形成方法および形成装置 |
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2008
- 2008-07-11 JP JP2008180868A patent/JP2010021378A/ja active Pending
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