JP3297958B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造プロセスにおいて行われるシラン系ガスを用いた薄膜
形成方法に関し、特に、Ｓｉ基板の選択酸化のマスクと
して、あるいは、容量絶縁膜として用いられるＳｉＮ系
薄膜の形成方法に関する。
造プロセスにおいて行われるシラン系ガスを用いた薄膜
形成方法に関し、特に、Ｓｉ基板の選択酸化のマスクと
して、あるいは、容量絶縁膜として用いられるＳｉＮ系
薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化及び動作の高速化
に伴い、該半導体装置を構成する各材料膜の均一性や膜
質を従来にも増して向上させることが必要となってい
る。特に、絶縁膜に関しては、ゲート酸化膜や容量絶縁
膜の薄膜化に伴う耐圧や信頼性の確保、コンタクト抵抗
の低減等が必要となり、界面の清浄度や膜質の改善が求
められている。この解決には、基板表面や膜界面での自
然酸化膜の存在や成膜中の雰囲気からのＨやＯＨの取り
込みを防止することが重要になる。
に伴い、該半導体装置を構成する各材料膜の均一性や膜
質を従来にも増して向上させることが必要となってい
る。特に、絶縁膜に関しては、ゲート酸化膜や容量絶縁
膜の薄膜化に伴う耐圧や信頼性の確保、コンタクト抵抗
の低減等が必要となり、界面の清浄度や膜質の改善が求
められている。この解決には、基板表面や膜界面での自
然酸化膜の存在や成膜中の雰囲気からのＨやＯＨの取り
込みを防止することが重要になる。
【０００３】例えば、減圧ＣＶＤ（Low Pressure Chemi
cal Vapor Deposition ；以下ＬＰＣＶＤと記す。）装
置を用いて成膜したＳｉＮ系薄膜は基板表面依存性が非
常に大きく、清浄な表面を有するＳｉ基板上には表面平
滑性に優れたＳｉＮ系薄膜が成膜できるが、自然酸化膜
が形成されたＳｉ基板上には平滑なＳｉＮ系薄膜を成膜
することができない。また、自然酸化膜が形成されたＳ
ｉ基板上では、ＳｉＮ系薄膜の成長が始まるまでに時間
がかかり、結果として膜質のバラツキが生ずる。また、
段差被覆性（ステップカバレッジ）も劣化する。さら
に、ＳｉＮ系薄膜成膜中に自然酸化膜や気相中から拡散
するＯ原子が取り込まれると、このＳｉＮ系薄膜を容量
絶縁膜として用いた場合、誘電率が低下してしまうとい
う問題も生じる。
cal Vapor Deposition ；以下ＬＰＣＶＤと記す。）装
置を用いて成膜したＳｉＮ系薄膜は基板表面依存性が非
常に大きく、清浄な表面を有するＳｉ基板上には表面平
滑性に優れたＳｉＮ系薄膜が成膜できるが、自然酸化膜
が形成されたＳｉ基板上には平滑なＳｉＮ系薄膜を成膜
することができない。また、自然酸化膜が形成されたＳ
ｉ基板上では、ＳｉＮ系薄膜の成長が始まるまでに時間
がかかり、結果として膜質のバラツキが生ずる。また、
段差被覆性（ステップカバレッジ）も劣化する。さら
に、ＳｉＮ系薄膜成膜中に自然酸化膜や気相中から拡散
するＯ原子が取り込まれると、このＳｉＮ系薄膜を容量
絶縁膜として用いた場合、誘電率が低下してしまうとい
う問題も生じる。
【０００４】特に、バッチ式ＬＰＣＶＤ装置を用いた場
合、基板の搬出入時に反応炉内へ巻き込む大気の量が多
いため、Ｓｉ基板上に自然酸化膜が形成されやすく、ま
た、成膜中に気相からＯ原子を取り込みやすい。このた
め、上述の問題がより深刻なものとなる。
合、基板の搬出入時に反応炉内へ巻き込む大気の量が多
いため、Ｓｉ基板上に自然酸化膜が形成されやすく、ま
た、成膜中に気相からＯ原子を取り込みやすい。このた
め、上述の問題がより深刻なものとなる。
【０００５】そこで、基板表面の自然酸化膜の成長を防
止し、且つ、成膜中の不純物の取り込みを抑制する方法
として、ロードロック室を有するＣＶＤ装置を用いるこ
とが提案されている。ＣＶＤ装置の反応炉に接続される
ロードロック室を不活性ガスで置換することにより、基
板の搬出入時、反応炉への大気の混入を抑制できる。さ
らに、ロードロック室を真空排気すれば、水分等の残留
不純物を低減させることもできる。
止し、且つ、成膜中の不純物の取り込みを抑制する方法
として、ロードロック室を有するＣＶＤ装置を用いるこ
とが提案されている。ＣＶＤ装置の反応炉に接続される
ロードロック室を不活性ガスで置換することにより、基
板の搬出入時、反応炉への大気の混入を抑制できる。さ
らに、ロードロック室を真空排気すれば、水分等の残留
不純物を低減させることもできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ロードロッ
ク室を設け大気の巻き込みを抑制したことにより、成膜
初期過程の制御がかえって困難となる場合が生ずること
がわかった。例えば、ロードロック室を有するＣＶＤ装
置によってＳｉＮ系薄膜の成膜を行うと、大気中にて基
板を搬送する場合には起こらなかったＳｉＮ系薄膜の異
常成長といった問題が生じる。この異常成長とは、Ｓｉ
Ｎ系薄膜中に化学量論的な組成よりもＳｉ原子を多く含
有するＳｉＮ系化合物がＳｉ基板上に半球状に形成され
るもので、直径２００ｍｍのＳｉ基板では約１万箇所も
斑点状に形成されてしまう。
ク室を設け大気の巻き込みを抑制したことにより、成膜
初期過程の制御がかえって困難となる場合が生ずること
がわかった。例えば、ロードロック室を有するＣＶＤ装
置によってＳｉＮ系薄膜の成膜を行うと、大気中にて基
板を搬送する場合には起こらなかったＳｉＮ系薄膜の異
常成長といった問題が生じる。この異常成長とは、Ｓｉ
Ｎ系薄膜中に化学量論的な組成よりもＳｉ原子を多く含
有するＳｉＮ系化合物がＳｉ基板上に半球状に形成され
るもので、直径２００ｍｍのＳｉ基板では約１万箇所も
斑点状に形成されてしまう。
【０００７】この異常成長は、Ｓｉ基板上に形成された
自然酸化膜が原因であると考えられる。通常、ロードロ
ック室を有するＣＶＤ装置を用いても、Ｓｉ基板が大気
との接触を完全に防止された状態にて表面清浄工程から
反応炉内へ搬送されない限り、該Ｓｉ基板表面には極く
薄い不安定な自然酸化膜が必然的に形成されてしまう。
基板表面依存性の強いＳｉＮ系薄膜は自然酸化膜上では
成長しにくく、しかも原料ガスをＳｉＨ２Ｃｌ２／ＮＨ
３系ガスとした場合にバッチ式ＬＰＣＶＤ装置で用いら
れる７５０℃前後の温度領域では上記ガス成分同士の反
応速度が比較的遅い。このため成膜を開始すると、上記
ガス成分同士の気相成長反応よりも、Ｓｉ基板上におい
て自然酸化膜が薄く比較的活性の高い部分で起こるＳｉ
原子の核形成反応の方が優勢となり、この核を中心とし
て、化学量論的な組成よりもＳｉ原子の含有量が多いＳ
ｉＮ系化合物が急激に成長する。即ち、異常成長を起こ
す。
自然酸化膜が原因であると考えられる。通常、ロードロ
ック室を有するＣＶＤ装置を用いても、Ｓｉ基板が大気
との接触を完全に防止された状態にて表面清浄工程から
反応炉内へ搬送されない限り、該Ｓｉ基板表面には極く
薄い不安定な自然酸化膜が必然的に形成されてしまう。
基板表面依存性の強いＳｉＮ系薄膜は自然酸化膜上では
成長しにくく、しかも原料ガスをＳｉＨ２Ｃｌ２／ＮＨ
３系ガスとした場合にバッチ式ＬＰＣＶＤ装置で用いら
れる７５０℃前後の温度領域では上記ガス成分同士の反
応速度が比較的遅い。このため成膜を開始すると、上記
ガス成分同士の気相成長反応よりも、Ｓｉ基板上におい
て自然酸化膜が薄く比較的活性の高い部分で起こるＳｉ
原子の核形成反応の方が優勢となり、この核を中心とし
て、化学量論的な組成よりもＳｉ原子の含有量が多いＳ
ｉＮ系化合物が急激に成長する。即ち、異常成長を起こ
す。
【０００８】このような異常成長が起こると、最終的な
ＳｉＮ系薄膜のモホロジーが劣化し、その上に成膜され
る膜のモホロジーやカバレッジを次々と劣化させたり、
また、絶縁耐圧を低下させる原因にもなる。
ＳｉＮ系薄膜のモホロジーが劣化し、その上に成膜され
る膜のモホロジーやカバレッジを次々と劣化させたり、
また、絶縁耐圧を低下させる原因にもなる。
【０００９】なお、以上のような異常成長は、ＳｉＮ系
薄膜の形成時のみに問題となるものではなく、ロードロ
ック室を設けることにより反応炉内に大気の巻き込みを
抑制したＣＶＤ装置にて、シラン系ガスを用いて成膜さ
れる薄膜、即ち、ポリシリコン薄膜、ＳｉＯ系薄膜、Ｓ
ｉＯＮ系薄膜の形成時にも同様に問題となる。
薄膜の形成時のみに問題となるものではなく、ロードロ
ック室を設けることにより反応炉内に大気の巻き込みを
抑制したＣＶＤ装置にて、シラン系ガスを用いて成膜さ
れる薄膜、即ち、ポリシリコン薄膜、ＳｉＯ系薄膜、Ｓ
ｉＯＮ系薄膜の形成時にも同様に問題となる。
【００１０】そこで、本発明はかかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、ロードロック室を有するＣＶ
Ｄ装置内でシラン系ガスを用いた所望の成膜を行うに際
し、異常成長を防止することが可能な薄膜形成方法を提
供することを目的とする。
て提案されたものであり、ロードロック室を有するＣＶ
Ｄ装置内でシラン系ガスを用いた所望の成膜を行うに際
し、異常成長を防止することが可能な薄膜形成方法を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、自然酸化膜
が形成されたＳｉ基板上では、基板表面依存性の小さい
下地膜を予め成膜してから所望の薄膜の成膜を行うこと
が有効であるあることを見い出し、本発明を完成するに
至った。
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、自然酸化膜
が形成されたＳｉ基板上では、基板表面依存性の小さい
下地膜を予め成膜してから所望の薄膜の成膜を行うこと
が有効であるあることを見い出し、本発明を完成するに
至った。
【００１２】即ち、本発明に係る薄膜形成方法は、反応
炉の前段にロードロック室が接続されてなるＣＶＤ装置
にシラン系ガスを導入し、該反応炉内に保持された基板
上にＳｉＮ系薄膜を成膜するに際し、この成膜の初期に
基板表面依存性の小さい下地膜として、ＳｉＯＮ系薄膜
を反応炉の内部構成部材の表面に予め成膜されたＳｉＯ
系薄膜よりＯ原子を供給しながら成膜するものである。
炉の前段にロードロック室が接続されてなるＣＶＤ装置
にシラン系ガスを導入し、該反応炉内に保持された基板
上にＳｉＮ系薄膜を成膜するに際し、この成膜の初期に
基板表面依存性の小さい下地膜として、ＳｉＯＮ系薄膜
を反応炉の内部構成部材の表面に予め成膜されたＳｉＯ
系薄膜よりＯ原子を供給しながら成膜するものである。
【００１３】これにより、成膜初期にはＳｉＮ系薄膜内
にＯ原子が取り込まれて、ＳｉＯＮ系薄膜が下地膜とし
て成膜される。なお、内部構成部材に予め形成しておく
ＳｉＯ系薄膜は、Ｏ２，Ｈ２Ｏ，酸化窒素より選ばれる
少なくとも１種の酸素系化合物を用いてＳｉＮ系薄膜を
酸化することにより成膜すればよい。
にＯ原子が取り込まれて、ＳｉＯＮ系薄膜が下地膜とし
て成膜される。なお、内部構成部材に予め形成しておく
ＳｉＯ系薄膜は、Ｏ２，Ｈ２Ｏ，酸化窒素より選ばれる
少なくとも１種の酸素系化合物を用いてＳｉＮ系薄膜を
酸化することにより成膜すればよい。
【００１４】また、本発明は、ＳｉＮ系薄膜を成膜する
に際し、この成膜の初期に基板表面依存性の小さい下地
膜としてＳｉ薄膜を成膜するようにしてもよい。
に際し、この成膜の初期に基板表面依存性の小さい下地
膜としてＳｉ薄膜を成膜するようにしてもよい。
【００１５】
【作用】本発明のように、薄く不安定な自然酸化膜が形
成されたＳｉ基板上に基板表面依存性の高い薄膜を成膜
する際には、予め、基板表面依存性の小さく、気相成長
反応の反応速度が比較的大きな膜を下地膜として成膜し
ておくことにより、異常成長の発生を抑制できる。
成されたＳｉ基板上に基板表面依存性の高い薄膜を成膜
する際には、予め、基板表面依存性の小さく、気相成長
反応の反応速度が比較的大きな膜を下地膜として成膜し
ておくことにより、異常成長の発生を抑制できる。
【００１６】自然酸化膜が薄く比較的活性が高い部分に
起こるＳｉ原子の核形成反応の反応速度よりも、下地膜
の気相成長反応の反応速度の方が速ければ、異常成長が
発生する前に下地膜が形成される。また、この下地膜が
Ｓｉ基板の表面性に依存せずに表面平滑性よく、均一な
膜厚にて成膜できるため、この上に成膜される所望の薄
膜も優れたモホロジーをもって成膜することができる。
起こるＳｉ原子の核形成反応の反応速度よりも、下地膜
の気相成長反応の反応速度の方が速ければ、異常成長が
発生する前に下地膜が形成される。また、この下地膜が
Ｓｉ基板の表面性に依存せずに表面平滑性よく、均一な
膜厚にて成膜できるため、この上に成膜される所望の薄
膜も優れたモホロジーをもって成膜することができる。
【００１７】例えば、自然酸化膜が形成されたＳｉ基板
上に所望の薄膜としてＳｉＮ系薄膜を成膜する場合、下
地膜としてＳｉＯＮ系薄膜、Ｓｉ薄膜を成膜しておくこ
とにより、優れたモホロジーを達成することができる。
上に所望の薄膜としてＳｉＮ系薄膜を成膜する場合、下
地膜としてＳｉＯＮ系薄膜、Ｓｉ薄膜を成膜しておくこ
とにより、優れたモホロジーを達成することができる。
【００１８】なお、本発明を適用して成膜されたＳｉＮ
系薄膜は、異常成長が抑制され、膜質及びモホロジーに
優れたものとなるため、さらにこのＳｉＮ系薄膜上に形
成される膜のモホロジーを向上させることもできる。ま
た、このＳｉＮ系薄膜の絶縁耐性等の特性も向上させる
ことができる。
系薄膜は、異常成長が抑制され、膜質及びモホロジーに
優れたものとなるため、さらにこのＳｉＮ系薄膜上に形
成される膜のモホロジーを向上させることもできる。ま
た、このＳｉＮ系薄膜の絶縁耐性等の特性も向上させる
ことができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明に係る薄膜形成方法を具体的な
実施例を用いて説明する。ここでは、いわゆるＬＯＣＯ
Ｓ法による素子分離領域の形成時に選択酸化のマスクと
してＳｉＮ系薄膜を成膜した例、または、容量絶縁膜と
してＳｉＮ系薄膜を成膜した例について説明する。
実施例を用いて説明する。ここでは、いわゆるＬＯＣＯ
Ｓ法による素子分離領域の形成時に選択酸化のマスクと
してＳｉＮ系薄膜を成膜した例、または、容量絶縁膜と
してＳｉＮ系薄膜を成膜した例について説明する。
【００２０】先ず、具体的な成膜プロセス例に入る前
に、ＳｉＮ系薄膜の形成に際して用いたバッチ式ＬＰＣ
ＶＤ装置の構成について説明する。
に、ＳｉＮ系薄膜の形成に際して用いたバッチ式ＬＰＣ
ＶＤ装置の構成について説明する。
【００２１】ここで用いられたＣＶＤ装置は、図１に示
されるように、反応炉１と、その前段に接続されるロー
ドロック室２とからなる縦型のＣＶＤ装置である。上記
反応炉１には、該反応炉１内にシラン系ガス等を供給す
るためのガス供給管５が設けられると共に、図示しない
真空ポンプと接続された排気口７が設けられている。ま
た、反応炉１の周囲にはヒータ６が配され、該反応炉１
内の温度を制御可能としている。一方、ロードロック室
２にも図示しない真空ポンプと接続された排気口８が設
けられ、ロードロック室２内を真空排気できるようにな
されている。
されるように、反応炉１と、その前段に接続されるロー
ドロック室２とからなる縦型のＣＶＤ装置である。上記
反応炉１には、該反応炉１内にシラン系ガス等を供給す
るためのガス供給管５が設けられると共に、図示しない
真空ポンプと接続された排気口７が設けられている。ま
た、反応炉１の周囲にはヒータ６が配され、該反応炉１
内の温度を制御可能としている。一方、ロードロック室
２にも図示しない真空ポンプと接続された排気口８が設
けられ、ロードロック室２内を真空排気できるようにな
されている。
【００２２】また、１００枚程度のウェハ３を収容可能
なウェハボート４は、ガイドレール９に沿って図中矢印
ａにて示される方向に移動可能とする搬送機構に装填さ
れており、ウェハ３をロードロック室２内から反応炉１
内へ、またはその逆に搬送可能としている。
なウェハボート４は、ガイドレール９に沿って図中矢印
ａにて示される方向に移動可能とする搬送機構に装填さ
れており、ウェハ３をロードロック室２内から反応炉１
内へ、またはその逆に搬送可能としている。
【００２３】このようなＣＶＤ装置にて成膜を行うに際
しては、前工程から搬送されてきたウェハをロードロッ
ク室２内のウェハボート４に収容した後、排気口８より
ロードロック室２内の真空排気を行う。一方、ヒータ６
によって反応炉１内を所望の温度に加熱しておくと共
に、排気口７より排気を行い、所望の圧力にまで反応炉
１内を減圧する。そして、搬送機構によりウェハボート
４を移動させることにより、ウェハ３をロードロック室
２から反応炉１へ搬送した後、ガス供給管５から原料ガ
スを導入して、ウェハ３上にＳｉＮ系薄膜を成膜する。
しては、前工程から搬送されてきたウェハをロードロッ
ク室２内のウェハボート４に収容した後、排気口８より
ロードロック室２内の真空排気を行う。一方、ヒータ６
によって反応炉１内を所望の温度に加熱しておくと共
に、排気口７より排気を行い、所望の圧力にまで反応炉
１内を減圧する。そして、搬送機構によりウェハボート
４を移動させることにより、ウェハ３をロードロック室
２から反応炉１へ搬送した後、ガス供給管５から原料ガ
スを導入して、ウェハ３上にＳｉＮ系薄膜を成膜する。
【００２４】実施例１ 本実施例では、下地膜としてＳｉＯＮ系薄膜を成膜する
ために、反応炉１の内部構成部材表面に予めＳｉＯ系薄
膜を成膜しておき、ＳｉＮ系薄膜の成膜初期にＳｉＯ系
薄膜からＯ原子を供給した。
ために、反応炉１の内部構成部材表面に予めＳｉＯ系薄
膜を成膜しておき、ＳｉＮ系薄膜の成膜初期にＳｉＯ系
薄膜からＯ原子を供給した。
【００２５】具体的には、先ず、ダミーウェハを収容し
たウェハボート４を反応炉１内に載置した状態にて、反
応炉１の内部構成部材の表面に対してＳｉＮ系薄膜をプ
リコートしてから、このＳｉＮ系薄膜を酸化した。これ
は、反応炉１の内壁やウェハボート４等の内部構成部材
は石英よりなることから、一旦ＳｉＮ系薄膜をプリコー
トし、このＳｉＮ系薄膜を酸化することにより、ＳｉＯ
系薄膜を形成することを意図したものである。なお、上
記酸化は、下記の酸化条件によって行った。
たウェハボート４を反応炉１内に載置した状態にて、反
応炉１の内部構成部材の表面に対してＳｉＮ系薄膜をプ
リコートしてから、このＳｉＮ系薄膜を酸化した。これ
は、反応炉１の内壁やウェハボート４等の内部構成部材
は石英よりなることから、一旦ＳｉＮ系薄膜をプリコー
トし、このＳｉＮ系薄膜を酸化することにより、ＳｉＯ
系薄膜を形成することを意図したものである。なお、上
記酸化は、下記の酸化条件によって行った。
【００２６】酸化条件 導入ガス ： Ｏ２ ５０ｓｃｃｍ Ｎ２ ２００ｓｃｃｍ ガス圧 ： ５０Ｐａ 温度 ： ８００℃ 処理時間 ： １０分以上 なお、上記導入ガスを構成するＮ２ガスは、Ｏ２ガスを
希釈する目的にて供給されたものである。
希釈する目的にて供給されたものである。
【００２７】この後、ウェハボート４を反応炉１内から
ロードロック室２へ搬出し、反応炉１内をＮ２ガスによ
ってパージして気相中のＯ２ガスを十分に排出した。一
方、ウェハボート４にはダミーウェハに替えてＳｉＮ系
薄膜を成膜すべきウェハ３を収容し、ロードロック室２
内を真空排気した。そして、所望の圧力にまで減圧され
た反応炉１内に上記ウェハ３を収容したウェハボート４
を搬送し、続いて下記に示すＣＶＤ条件（Ａ）によりＳ
ｉＮ系薄膜を成膜した。
ロードロック室２へ搬出し、反応炉１内をＮ２ガスによ
ってパージして気相中のＯ２ガスを十分に排出した。一
方、ウェハボート４にはダミーウェハに替えてＳｉＮ系
薄膜を成膜すべきウェハ３を収容し、ロードロック室２
内を真空排気した。そして、所望の圧力にまで減圧され
た反応炉１内に上記ウェハ３を収容したウェハボート４
を搬送し、続いて下記に示すＣＶＤ条件（Ａ）によりＳ
ｉＮ系薄膜を成膜した。
【００２８】ＣＶＤ条件（Ａ） 導入ガス ： ＳｉＨ２Ｃｌ２ ９０ｓｃｃｍ ＮＨ３ ６００ｓｃｃｍ Ｎ２ １０００ｓｃｃｍ ガス圧 ： ５０Ｐａ 温度 ： ７６０℃ 成膜時間 ： １５分 成膜を開始すると、反応炉１の内部構成部材に成膜され
ていたＳｉＯ系薄膜がＮＨ３ガスによって窒化されてＨ
２Ｏが生成し、ＳｉＮ系薄膜にＯ原子が取り込まれ、結
果としてＳｉＯＮ系薄膜が下地膜として成膜された。そ
して、ＳｉＯ系薄膜からのＯ原子の供給が停止すれば、
連続してＳｉＮ系薄膜が成膜される。
ていたＳｉＯ系薄膜がＮＨ３ガスによって窒化されてＨ
２Ｏが生成し、ＳｉＮ系薄膜にＯ原子が取り込まれ、結
果としてＳｉＯＮ系薄膜が下地膜として成膜された。そ
して、ＳｉＯ系薄膜からのＯ原子の供給が停止すれば、
連続してＳｉＮ系薄膜が成膜される。
【００２９】なお、このようにウェハ３に対してＳｉＮ
系薄膜の成膜処理が行われれば、必然的に反応炉１の内
部構成部材にも新たにＳｉＮ系薄膜が成膜されるため、
次のバッチ処理からは反応炉１の内部構成部材にＳｉＮ
系薄膜をプリコートしておく必要はない。したがって、
上記ウェハ３に対するＳｉＮ系薄膜の成膜処理が終了直
後、あるいは、次のバッチ処理の直前に、上記酸化条件
にて反応炉１の内部構成部材に形成されているＳｉＮ系
薄膜を酸化するのみでよい。
系薄膜の成膜処理が行われれば、必然的に反応炉１の内
部構成部材にも新たにＳｉＮ系薄膜が成膜されるため、
次のバッチ処理からは反応炉１の内部構成部材にＳｉＮ
系薄膜をプリコートしておく必要はない。したがって、
上記ウェハ３に対するＳｉＮ系薄膜の成膜処理が終了直
後、あるいは、次のバッチ処理の直前に、上記酸化条件
にて反応炉１の内部構成部材に形成されているＳｉＮ系
薄膜を酸化するのみでよい。
【００３０】以上のようにして、ＳｉＯＮ系薄膜とＳｉ
Ｎ系薄膜が合わせて６０ｎｍなる膜厚にて成膜された。
なお、このＳｉＮ系薄膜には異常成長が観察されず、Ｌ
ＯＣＯＳ法による素子分離領域の形成時に用いられるマ
スクとして優れた膜質を有するものとして形成できた。
Ｎ系薄膜が合わせて６０ｎｍなる膜厚にて成膜された。
なお、このＳｉＮ系薄膜には異常成長が観察されず、Ｌ
ＯＣＯＳ法による素子分離領域の形成時に用いられるマ
スクとして優れた膜質を有するものとして形成できた。
【００３１】実施例２ 本実施例では、下地膜としてＳｉ薄膜を成膜してから、
ＳｉＮ系薄膜を成膜した。
ＳｉＮ系薄膜を成膜した。
【００３２】具体的には、下地膜を下記に示すＣＶＤ条
件（Ｂ）により成膜した。
件（Ｂ）により成膜した。
【００３３】ＣＶＤ条件（Ｂ） 導入ガス ： ＳｉＨ２Ｃｌ２ ３０ｓｃｃｍ Ｎ２ １０００ｓｃｃｍ ガス圧 ： ５０Ｐａ 温度 ： ７６０℃ 成膜時間 ： １分 これによって、基板表面依存性の小さいＳｉ薄膜よりな
る下地膜が０．５〜１．０ｎｍなる膜厚にて成膜された
上に、ＳｉＮ系薄膜が６０ｎｍ成膜された。なお、この
ＳｉＮ系薄膜には異常成長が観察されず、ＬＯＣＯＳ法
による素子分離領域の形成時に用いられるマスクとして
優れた膜質を有するものであった。
る下地膜が０．５〜１．０ｎｍなる膜厚にて成膜された
上に、ＳｉＮ系薄膜が６０ｎｍ成膜された。なお、この
ＳｉＮ系薄膜には異常成長が観察されず、ＬＯＣＯＳ法
による素子分離領域の形成時に用いられるマスクとして
優れた膜質を有するものであった。
【００３４】本実施例では、このＳｉＮ系薄膜の成膜に
続いて、ＣＶＤ装置の反応炉内に保持された基板上にＳ
ｉＮ系薄膜が成膜される。
続いて、ＣＶＤ装置の反応炉内に保持された基板上にＳ
ｉＮ系薄膜が成膜される。
【００３５】本発明において用いられるＣＶＤ装置の構
成は、ロードロック室が設けられて大気の巻き込みを防
止できる構成とされれば、横型の反応炉であってもよ
い。また、ロードロック室は真空排気されず、Ｎ２等の
不活性ガスで置換される構成とされてもよい。
成は、ロードロック室が設けられて大気の巻き込みを防
止できる構成とされれば、横型の反応炉であってもよ
い。また、ロードロック室は真空排気されず、Ｎ２等の
不活性ガスで置換される構成とされてもよい。
【００３６】さらに、下地膜を成膜するためのＣＶＤ条
件も上述したものに限られず、適宜変更可能である。ま
た、反応炉の内部構成部材に成膜されているＳｉＮ系薄
膜を酸化するために用いるガスもＮ２ＯガスやＨ２Ｏガ
スが使用可能である。
件も上述したものに限られず、適宜変更可能である。ま
た、反応炉の内部構成部材に成膜されているＳｉＮ系薄
膜を酸化するために用いるガスもＮ２ＯガスやＨ２Ｏガ
スが使用可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明を
適用すると、ロードロック室を有するＣＶＤ装置を用
い、シラン系ガスを使用してＳｉ基板上に薄膜を成膜す
るに際して、異常成長が抑制でき、膜質を向上させるこ
とができる。特に、本発明を適用して形成されたＳｉＮ
系薄膜は、膜質及びモホロジーに優れたものとなるた
め、ＬＯＣＯＳ法による素子分離領域の形成用のマスク
として形成すれば優れた特性を示し、また、容量絶縁膜
として形成すれば絶縁耐性に優れたものとなる。
適用すると、ロードロック室を有するＣＶＤ装置を用
い、シラン系ガスを使用してＳｉ基板上に薄膜を成膜す
るに際して、異常成長が抑制でき、膜質を向上させるこ
とができる。特に、本発明を適用して形成されたＳｉＮ
系薄膜は、膜質及びモホロジーに優れたものとなるた
め、ＬＯＣＯＳ法による素子分離領域の形成用のマスク
として形成すれば優れた特性を示し、また、容量絶縁膜
として形成すれば絶縁耐性に優れたものとなる。
【００３８】したがって、半導体装置の製造プロセスに
おいて、本発明を適用して形成された薄膜を用いると、
製造されたデバイスの信頼性を向上させることができる
おいて、本発明を適用して形成された薄膜を用いると、
製造されたデバイスの信頼性を向上させることができる
【図１】本発明に係る薄膜形成方法に用いられるバッチ
式ＬＰＣＶＤ装置の構成を示す模式図である。 １ 反応炉、 ２ ロードロック室、 ３ ウェハ、
４ ウェハボード、５ ガス供給管、 ６ ヒータ、
７，８ 排気口、 ９ ガイドレール
式ＬＰＣＶＤ装置の構成を示す模式図である。 １ 反応炉、 ２ ロードロック室、 ３ ウェハ、
４ ウェハボード、５ ガス供給管、 ６ ヒータ、
７，８ 排気口、 ９ ガイドレール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/52 H01L 21/318
Claims (3)
- 【請求項１】 反応炉の前段にロードロック室が接続さ
れてなるＣＶＤ装置にシラン系ガスを導入し、該反応炉
内に保持された基板上にＳｉＮ系薄膜を成膜するに際
し、 前記成膜の初期に基板表面依存性の小さい下地膜とし
て、ＳｉＯＮ系薄膜を前記反応炉の内部構成部材の表面
に予め成膜されたＳｉＯ系薄膜よりＯ原子を供給しなが
ら成膜することを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 前記ＳｉＯ系薄膜は、Ｏ２，Ｈ２Ｏ，酸
化窒素より選ばれる少なくとも１種の酸素系化合物を用
いてＳｉＮ系薄膜を酸化することにより成膜することを
特徴とする請求項１記載の薄膜形成方法。 - 【請求項３】 反応炉の前段にロードロック室が接続さ
れてなるＣＶＤ装置にシラン系ガスを導入し、該反応炉
内に保持された基板上にＳｉＮ系薄膜を成膜するに際
し、 前記成膜の初期に基板表面依存性の小さい下地膜として
Ｓｉ薄膜を成膜することを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03453394A JP3297958B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03453394A JP3297958B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245268A JPH07245268A (ja) | 1995-09-19 |
| JP3297958B2 true JP3297958B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=12416922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03453394A Expired - Fee Related JP3297958B2 (ja) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297958B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100389482C (zh) * | 2002-11-11 | 2008-05-21 | 株式会社日立国际电气 | 基板处理装置 |
| WO2004086475A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP4541864B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム |
| JP5253838B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2013-07-31 | 三井化学東セロ株式会社 | 薄膜製造方法 |
| JP6345104B2 (ja) | 2014-12-24 | 2018-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
-
1994
- 1994-03-04 JP JP03453394A patent/JP3297958B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH07245268A (ja) | 1995-09-19 |
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