TWI469242B - 清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

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Description

清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
本發明係關於清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體。
作為半導體裝置之製造步驟的一步驟，有如在基板上進行形成薄膜之處理後的處理室內，供給清洗氣體，對處理室內進行清洗的步驟。專利文獻1中，揭示有一種清洗步驟，係具有下述步驟：於加熱為第1溫度之處理室內，單獨地供給氟氣、或單獨地供給由惰性氣體所稀釋之氟氣作為清洗氣體，將處理室內所堆積之薄膜去除的蝕刻步驟；與於加熱為第2溫度之處理室內，單獨地供給氟氣、或單獨地供給由惰性氣體所稀釋之氟氣作為清洗氣體，將於薄膜去除後殘留於處理室內之附著物去除的處置步驟。
(專利文獻1)日本專利特開2009-231794號公報
然而，在單獨地供給氟氣、或單獨地供給由惰性氣體所稀釋之氟氣作為清洗氣體，將處理室內所堆積之薄膜去除的蝕刻步驟中，尤其在未滿400℃的低溫條件下，有去除薄膜所需之時間變長的情形。又，視條件，有薄膜與石英(SiO2 )之蝕刻選擇比變低的情形，而有構成處理室之石英構件受到不 均勻之蝕刻損傷的情形。
本發明之目的在於提供一種在將處理室內所堆積之薄膜去除時，可縮短去除薄膜所需的時間，並可抑制構成處理室之石英構件所受到之不均勻蝕刻損傷的清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體。
本發明之一態樣係提供一種清洗方法，其係對在處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗者；其具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的步驟；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的步驟；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的步驟。
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具有下述步驟： 將基板搬入至處理室內的步驟；對上述處理室內供給處理氣體而進行於上述基板上形成薄膜之處理的步驟；由上述處理室內搬出處理完成之上述基板的步驟；與依上述處理室內無上述基板的狀態，於上述處理室內供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗的步驟；對上述處理室內進行清洗的步驟，係具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的步驟；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的步驟；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的步驟。
根據本發明之其他態樣，提供一種基板處理裝置，其具有：進行於基板上形成薄膜之處理的處理室；對上述處理室內供給處理氣體之處理氣體供給系統；對上述處理室內供給清洗氣體之清洗氣體供給系統； 將上述處理室內予以加熱的加熱器；與控制部，係依進行下述處理之方式，控制上述加熱器、上述處理氣體供給系統及上述清洗氣體供給系統：對在上述處理室內供給上述處理氣體而進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給上述清洗氣體而對上述處理室內進行清洗時，對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的處理；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的處理；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的處理。
根據本發明之再其他態樣，提供一種記錄媒體，其係記錄了下述程式之電腦可讀取者；該程式係使電腦執行對在基板處理裝置之處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗的手續；該手續具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系 氣體作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的手續；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的手續；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的手續。
根據本發明之清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體，可在去除處理室內所堆積之薄膜時，縮短去除薄膜所需要的時間，並可抑制構成處理室之石英構件所受到之不均勻之蝕刻損傷。
以下說明本發明之一實施形態。
(1)基板處理裝置之構成
首先，根據圖式說明本實施形態之基板處理裝置的構成。圖1為本實施形態所適合使用之基板處理裝置之處理爐202的概略構成圖，以縱剖面圖表示。
如圖1所示，處理爐202係具有作為加熱機構之加熱器206。加熱器206為圓筒形狀，藉由作為保持板之加熱器基 底251所支撐而垂直地安裝。
於加熱器206之內側，配設有構成與加熱器206呈同心圓狀之作為反應管的製程管203。製程管203係由作為內部反應管的內管204、與設於其外側之作為外部反應管的外管205所構成。內管204係由例如石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)等之耐熱性材料所構成，形成為上端及下端呈開口的圓筒形狀。於內管204之筒中空部，形成有進行在作為基板之晶圓200上形成薄膜之處理的處理室201。處理室201係構成為可使作為晶圓200藉由後述之板217依呈水平姿勢且在垂直方向上多段地整列之狀態進行收容。外管205係由例如石英或碳化矽等之耐熱性材料所構成，其內徑大於內管204外徑，形成為上端封閉且下端開口的圓筒形狀，設置成與內管204呈同心圓狀。
於外管205下方，與外管205呈同心圓狀地配設多岐管209。多岐管209係例如由不銹鋼等所構成，形成為上端及下端呈開口的圓筒形狀。多岐管209係卡合於內管204與外管205，設置成由該等所支撐。又，在多岐管209與外管205之間，設有作為密封構件的O型環220a。藉由使多岐管209被加熱器基底251所支撐，而使製程管203成為垂直安裝的狀態。藉由製程管203與多岐管209形成反應容器。
於多岐管209，使作為氣體導入部之噴嘴230a、230b依連通至處理室201之方式連接。於噴嘴203a、203b，分別 連接著將形成薄膜之處理氣體供給至處理室201內的處理氣體供給管232a、232b。在處理氣體供給管232a之與噴嘴230a間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241a，連接著作為第1處理氣體供給源之SiH2 Cl2 (DCS)氣體供給源271。於處理氣體供給管232a之較MFC241a之更上游側、更下游側，分別設有閥262a、261a。在處理氣體供給管232b之與噴嘴230b間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241b，連接著作為第2處理氣體供給源之NH3 氣體供給源272。於處理氣體供給管232b之較MFC241b之更上游側、更下游側，分別設有閥262b、261b。
主要藉由處理氣體供給管232a、232b、MFC241a、241b、閥262a、261a、262b、261b，構成處理氣體供給系統。又，亦可認為SiH2 Cl2 氣體供給源271及NH3 氣體供給源272被包括於處理氣體供給系統。
在處理氣體供給管232a、232b之較閥261a、261b更下游側，分別連接著惰性氣體供給管232c、232d。於惰性氣體供給管232c之與處理氣體供給管232a間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241c，連接著供給例如氮(N2 )氣體作為惰性氣體之作為惰性氣體供給源的N2 氣體供給源273。於惰性氣體供給管232c之較MFC241c之更上游側、更下游側，分別設有閥262c、 261c。在惰性氣體供給管232d之與處理氣體供給管232b間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241d，連接著上述N2 氣體供給源273。正確而言，惰性氣體供給管232d之上游側，係連接於惰性氣體供給管232c之較閥262c更上游側。亦即，惰性氣體供給管232d係設置成在較閥262c更上游側由惰性氣體供給管232c所分岐。惰性氣體供給管232d之較MFC241d更上游側、更下游側，分別設有閥262d、261d。
主要藉由惰性氣體供給管232c、232d、MFC241c、241d、閥262c、261c、262d、261d，構成惰性氣體供給系統。又，亦可認為N2 氣體供給源273被包括於惰性氣體供給系統。又，惰性氣體供給系統亦具有將處理氣體或清洗氣體稀釋的功能，惰性氣體供給系統亦構成處理氣體供給系統或清洗氣體供給系統的一部分。又，惰性氣體供給系統亦具有作為迫淨氣體供給系統的功能。
在處理氣體供給管232a、232b之較閥261a、261b更下游側，進而較與惰性氣體供給管232c、232d間之連接部更下游側，分別連接著將對處理室201內進行清洗之清洗氣體供給至處理室201內的清洗氣體供給管232e、232f、232g、232h。
於清洗氣體供給管232e之與處理氣體供給管232a間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之 MFC(質量流量控制器)241e，連接著供給例如氟(F2 )氣體作為氟系氣體之作為清洗氣體供給源的F2 氣體供給源274。於清洗氣體供給管232e之較MFC241e之更上游側、更下游側，分別設有閥262e、261e。在清洗氣體供給管232f之與處理氣體供給管232b間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241f，連接著上述F2 氣體供給源274。正確而言，清洗氣體供給管232f之上游側，係連接於清洗氣體供給管232e之較閥262e更上游側。亦即，清洗氣體供給管232f係設置成在較閥262e更上游側由清洗氣體供給管232e所分岐。清洗氣體供給管232f之較MFC241f更上游側、更下游側，分別設有閥262f、261f。
於清洗氣體供給管232g之與處理氣體供給管232a間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241g，連接著供給例如一氧化氮(NO)氣體作為氧化氮系氣體之作為清洗氣體供給源的NO氣體供給源275。於清洗氣體供給管232g之較MFC241g之更上游側、更下游側，分別設有閥262g、261g。在清洗氣體供給管232h之與處理氣體供給管232b間之連接側為相反側的上游側，經由作為氣體流量控制器之MFC(質量流量控制器)241h，連接著上述NO氣體供給源275。正確而言，清洗氣體供給管232h之上游側，係連接於清洗氣體供給管232g 之較閥262g更上游側。亦即，清洗氣體供給管232h係設置成在較閥262g更上游側由清洗氣體供給管232g所分岐。清洗氣體供給管232h之較MFC241h更上游側、更下游側，分別設有閥262h、261h。
主要藉由清洗氣體供給管232e、232f、232g、232h、MFC241e、241f、241g、241h、閥262e、261e、262f、261f、262g、261g、262h、261h，構成清洗氣體供給系統。又，亦可認為F2 氣體供給源274及NO氣體供給源275被包括於清洗氣體供給系統。
於MFC241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h、閥261a、261b、261c、261d、261e、261f、261g、261h、262a、262b、262c、262d、262e、262f、262g、262h，連接著後述之控制器280。控制器280係構成為在後述各步驟中，依使供給至處理室201內之氣體種類為所需氣體種類的方式，或依所供給之氣體流量成為所需流量的方式，進而依所供給之氣體濃度成為所需濃度的方式，藉所需時間控制MFC241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h、閥261a、261b、261c、261d、261e、261f、261g、261h、262a、262b、262c、262d、262e、262f、262g、262h。
於多岐管209設置將處理室201內之環境進行排氣的排氣管231。排氣管231係配置於由內管204與外管205之間隙所形成的筒狀空間250的下端部，並連通至筒狀空間250。 在排氣管231之與多岐管209之連接側為相反側的下游側，經由作為壓力檢測器之壓力感應器245、及可變電導閥、例如APC(Auto Pressure Controller)閥等之壓力調整裝置242，連接真空泵等之真空排氣裝置246。真空排氣裝置246係構成為可進行真空排氣而使處理室201內之壓力成為既定壓力(真空度)。於真空排氣裝置246、壓力調整裝置242及壓力感應器245，連接著後述之控制器280。控制器280係構成為依使處理室201內之壓力成為所需壓力的方式，根據由壓力感應器245所檢測之壓力數據而依既定時機控制壓力調整裝置242。主要藉由排氣管231、壓力感應器245及壓力調整裝置242，構成排氣系統。又，亦可認為真空排氣裝置246包括於排氣系統中。
於多岐管209下方，設有作為可使多岐管209之下端開口氣密性封閉之第1爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219係由多岐管209之垂直方向下側抵接於多岐管209下端。密封蓋219係例如由不銹鋼等金屬所構成，形成為圓盤狀。於密封蓋219上面設有與多岐管209下端抵接之作為密封構件的O型環220b。在密封蓋219之與處理室201呈相反的側，設置使板旋轉的旋轉機構254。旋轉機構254之旋轉軸255係貫通密封蓋219，連接至後述之板217，構成為藉由使板217旋轉而使晶圓200旋轉。密封蓋219係構成為藉由於內管203外部垂直設置之作為升降機構的板升降器115而於垂直 方向上進行升降，藉此可將板217對處理室201內外進行搬入搬出。亦即，板升降器115係構成為將板217、亦即晶圓200於處理室201內外進行搬送的搬送裝置(搬送機構)。於旋轉機構254及板升降器115，連接著後述之控制器280。控制器280係構成為依使旋轉機構254及板升降器115進行所需動作的方式依所需時機進行控制。又，於多岐管209下方，設有作為可使多岐管209之下端開口氣密性封閉之第2爐口蓋體的爐口快門219a。爐口快門219a係構成為藉由進行升降及轉動而抵接於由處理室201內將板217搬出後之多岐管209的下端，將搬出板217後之處理室201內氣密性封閉。於快門219a上面，設有與多岐管209下端抵接之作為密封構件的O型環220c。
作為基板支撐具的板217，係例如由石英或碳化矽等之耐熱性材料所構成，構成為使複數片晶圓200呈水平姿勢且依彼此中心齊合的狀態整列而予以多段地支撐。又，於板217下部，使例如由石英或碳化矽等之耐熱性材料所構成的呈圓板形狀之作為隔熱構件的隔熱板216依水平姿勢多段地複數片配置，構成為使來自加熱器206的熱不易傳達到多岐管209側。
於內管203內設置有作為溫度檢測器的溫度感應器263。於加熱器206與溫度感應器263，連接著後述之控制器280。控制器280係構成為依使處理室201內之溫度成為所需之溫 度分佈的方式，根據由溫度感應器263所檢測出之溫度資訊依所需時機控制對加熱器206的通電程度。
強制冷卻機構(急冷機構)400係設置成被覆製程管203及加熱器206。強制冷卻機構400具備有：設置成被覆製程管203及加熱器206的隔熱套410；連通於隔熱套410內部空間而設置之供給管線420；與經由隔熱套410之天花板部之排氣孔440，連通於隔熱套410之內部空間而設置的排氣管線430。於供給管線420，設有導入鼓風器450與快門460。 於排氣管線430，設有快門470與散熱器480與排氣鼓風器490。於強制冷卻機構400，連接著後述之控制器280。控制器280係構成為依所需時機控制強制冷卻機構400，使處理室201內強制冷卻。強制冷卻機構400係構成為在對處理室201內進行強制冷卻而使處理室201內之溫度下降時，開放快門460、470，藉排氣鼓風器490將隔熱套410內之高溫之環境氣體進行排氣，同時藉鼓風器450將空氣或N2 等之氣體狀之冷媒導入至隔熱套410內。此時，氣體狀之冷媒遍佈製程管203之外部表面整體，直接接觸至其外部表面整體。又，藉由使排氣鼓風器490作動而將隔熱套410內之環境氣體進行排氣時，即使未使導入鼓風器450作動，仍使外部空氣進入隔熱套內，此空氣成為氣體狀之冷媒而作用。藉此，亦可省略導入鼓風器450。
如圖2所示般，屬於控制部(控制手段)之控制器280係構 成為具備CPU(Central Processing Unit)280a、RAM(Random Access Memory)280b、記憶裝置280c、I/O埠280d的電腦。RAM280b、記憶裝置280c、I/O埠280d係經由內部匯流排280e，構成為可與CPU280a進行資料交換。於控制器280連接有例如構成為觸控面板等的輸出入裝置281。
記憶裝置280c係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。於記憶裝置280c內，可讀取性地儲存著控制基板處理裝置之動作的控制程式、或記載了後述基板處理之手續或條件等之製程內容、或記載了後述清洗處理之手續或條件等之清洗內容等。又，製程內容係組合成使控制器280實行後述基板處理步驟中之各手續，而可得到既定結果者，發揮作為程式的機能。又，清洗內容係組合成使控制器280實行後述清洗步驟中之各手續，而可得到既定結果者，發揮作為程式的機能。以下，有時將該製程內容或清洗內容或控制程式等整合簡稱為程式。又，本說明書中使用所謂程式之用語的情況，係指僅包括製程內容單體的情況、僅包括清洗內容單體的情況、僅包括控制程式單體的情況、或包括製程內容、清洗內容及控制程式中之任意組合的情況。又，RAM280b係構成為暫時性保存由CPU280a所讀取之程式或資料等的記憶體區域(工作區域)。
I/O埠280d係連接於上述之質量流量控制器241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h、閥261a、261b、261c、 261d、261e、261f、261g、261h、262a、262b、262c、262d、262e、262f、262g、262h、壓力感應器245、壓力調整裝置242、真空排氣裝置246、溫度感應器263、加熱器206、強制冷卻機構400、旋轉機構254、板升降器115等。
CPU280a係構成為由記憶裝置280c讀取控制程式而實行，並配合來自輸出入裝置281之操作指令之輸入等而由記憶裝置280c讀取製程內容或清洗內容。然後，CPU280a係構成為沿著所讀取之製程內容或清洗內容，控制由質量流量控制器241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h所進行之各種氣體的流量調整動作，閥261a、261b、261c、261d、261e、261f、261g、261h、262a、262b、262c、262d、262e、262f、262g、262h之開關動作，由壓力感應器245所進行之壓力監測，根據壓力調整裝置242之開關動作及壓力調整裝置242所進行之根據壓力感應器245的壓力調整動作，真空排氣裝置246之起動及停止，根據溫度感應器263之加熱器206的溫度調整動作，強制冷卻機構400所進行之處理室201內的強制冷卻，由旋轉機構254所進行之板217之旋轉及旋轉速度調節，板升降器115所進行之板217的升降動作等。
尚且，控制器280並不限於構成為專用電腦的情形，亦可構成為通用電腦。例如，準備儲存了上述程式之外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等之磁性碟、CD或DVD等之光 碟、MO等之光磁性碟、USB記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)282，使用此種外部記憶裝置282對通用電腦安裝程式等，藉此可構成本實施形態之控制器280。又，用於對電腦供給程式的手段，並不限定於經由外部記憶裝置282供給的情形。亦可例如使用網路或專用迴路等之通信手段，不經由外部記憶裝置282而供給程式。又，記憶裝置280c或外部記憶裝置282係構成電腦可讀取的記錄媒體。以下，有時將此等整合簡稱為記錄媒體。又，本說明書中，在使用所謂記錄媒體的用語時，係指僅包括記憶裝置280c單體的情形、僅包括外部記憶裝置282單體的情形、或包括其兩者的情形。
(2)薄膜形成方法
接著，作為使用上述構成之處理爐202的半導體裝置(device)之製造步驟的一步驟，針對藉由CVD法於處理室201內於晶圓200上形成薄膜的方法、將處理室201內進行清洗的方法進行說明。又，以下說明中，構成基板處理裝置之各部的動作係由控制器280所控制。
將複數片之晶圓200載入於板217(晶圓載入)時，如圖1所示般，保持著複數片之晶圓200的板217，被板升降器115所上舉而搬入至處理室201內(板搬入)。此狀態下，密封蓋219係成為經由O型環220b將多岐管209下端密封的狀態。
依處理室201內成為所需壓力(真空度)之方式藉真空排氣 裝置246進行真空排氣。此時，處理室201內之壓力係藉壓力感應器245所測定，根據其測定之壓力資訊，使壓力調整裝置242進行回饋控制(壓力調整)。又，真空排氣裝置246係在至少對晶圓200之處理結束為止的期間，維持經常作動的狀態。又，依使處理室201內成為所需溫度的方式，藉加熱器206進行加熱。此時，依處理室201內之溫度成為所需溫度分佈之方式，根據由溫度感應器263所檢測之溫度資訊對加熱器206之通電程度進行回饋控制(溫度調整)。又，由加熱器206所進行之處理室201內的加熱，係至少在對晶圓200之處理結束為止的期間內持續進行。接著，使由旋轉機構254所進行之板217及晶圓200的旋轉開始。又，由旋轉機構254所進行之板217及晶圓200的旋轉，係在至少對晶圓200之處理結束為止的期間內持續進行。
接著，依使處理室201內之溫度、壓力維持為所需之溫度、壓力的狀態，由作為第1處理氣體供給源之SiH2 Cl2 氣體供給源271、作為第2處理氣體供給源之NH3 氣體供給源272，將作為第1處理氣體之SiH2 Cl2 氣體、作為第2處理氣體之NH3 氣體分別供給至處理室201內。藉由打開閥262a、261a、262b、261b而由SiH2 Cl2 氣體供給源271、NH3 氣體供給源272供給至處理氣體供給管232a、232b內的SiH2 Cl2 氣體、NH3 氣體，係分別藉MFC241a、241b控制為所需流量後，通過處理氣體供給管232a、232b，由噴嘴 230a、230b被導入至處理室201內。
此時，亦可同時由作為惰性氣體供給源之N2 氣體供給源273對處理室201供給N2 氣體，而將處理氣體(SiH2 Cl2 氣體、NH3 氣體)稀釋。此情況，例如藉由打開閥262c、261c、262d、261d而由N2 氣體供給源273供給至惰性氣體供給管232c、232d內的N2 氣體，係分別藉MFC241c、241d控制為所需流量後，通過惰性氣體供給管232c、232d，經由處理氣體供給管232a、232b，由噴嘴230a、230b被導入至處理室201內。N2 氣體係於處理氣體供給管232a、232b內分別與SiH2 Cl2 氣體、NH3 氣體混合。藉由控制N2 氣體之供給流量，亦可控制處理氣體的濃度。
被導入至處理室201內之處理氣體，係於處理室201內上升，由內管204之上端開口流出至筒狀空間250，並流下筒狀空間250後，由排氣管231所排氣。處理氣體係在通過處理室201內時與晶圓200表面接觸。此時，藉熱CVD反應，於晶圓200表面上堆積薄膜、亦即氮化矽(Si3 N4 氣體)膜(deposition)。
經過預先設定之處理時間時，停止處理氣體的供給。亦即，藉由關閉閥262a、261a、262b、261b，使由SiH2 Cl2 氣體供給源271、NH3 氣體供給源272的SiH2 Cl2 氣體、NH3 氣體對處理室201內的供給停止。其後，打開閥262c、261c、262d、261d，由N2 氣體供給源273對處理室201內供給N2 氣體，由排氣管231進行排氣，藉此對處理室201內進行迫淨。然後，將處理室201內置換為N2 氣體，使處理室201內之壓力回復成常壓。
其後，藉板升降器115使密封蓋219下降而使多岐管209下端呈開口，同時將處理完成之晶圓200依被板217所保持的狀態，由多岐管209下端搬出至製程管203外部(板搬出)。其後，處理完成之晶圓200係由板217被取出(晶圓卸載)。
尚且，作為藉本實施形態之處理爐202處理晶圓200時的處理條件，係例示為例如於氮化矽膜之成膜時，處理溫度：650~800℃
處理壓力：10~500Pa
SiH2 Cl2 氣體供給流量：100~500sccm
NH3 氣體供給流量：500~5000sccm，藉由將各別之處理條件依各別之範圍內的值維持成一定，對晶圓200進行處理。
(3)清洗方法
重複上述薄膜形成步驟時，於製程管203之內壁等之處理室201內的構件表面，亦會累積氮化矽膜等之薄膜。亦即，含有該薄膜之堆積物將附著於其內壁等。在附著於其內壁等之堆積物(所累積之薄膜)的厚度到達堆積物發生剝離/落下前的既定厚度時，進行處理室201內的清洗。
清洗係藉由實施下述步驟而進行：對加熱至第1溫度之上述處理室201內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為清洗氣體，將處理室201內之構件表面所堆積(累積)之薄膜藉熱化學反應予以去除的步驟(第1步驟(薄膜之蝕刻步驟))；對加熱至較第1溫度高之第2溫度的上述處理室201內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為清洗氣體，將在薄膜去除後於處理室內201內之構件表面所殘留之附著物予以去除的步驟(第2步驟(處置步驟))。
以下，針對使用氟(F2 )氣體作為氟系氣體、使用一氧化氮(NO)氣體作為氧化氮系氣體、使用氮(N2 )氣體作為惰性氣體，對處理室201內進行清洗的方法，參照圖3進行說明。圖3係例示本實施形態之清洗程序及清洗條件的圖表。又，以下說明中，構成基板處理裝置之各部動作係藉控制器280進行控制。
[第1步驟(薄膜之蝕刻步驟)]
使空的板217、亦即未載入晶圓200的板217由板升降器115所上舉並搬入至處理室201內(板裝載)。於此狀態下，密封蓋219係成為經由O型環220b將多岐管209下端密封的狀態。
依處理室201內成為所需壓力(真空度)、亦即第1壓力之 方式藉真空排氣裝置246進行真空排氣。此時，處理室201內之壓力係藉壓力感應器245所測定，根據其測定之壓力資訊，使壓力調整裝置242進行回饋控制(壓力調整)。又，真空排氣裝置246係在至少處理室201內之清洗處理完成前的期間，亦即第1步驟及第2步驟完成前的期間，維持經常作動的狀態。又，依使處理室201內成為所需溫度、亦即第1溫度的方式，藉加熱器206進行加熱。此時，依處理室201內之溫度成為所需溫度分佈之方式，根據由溫度感應器263所檢測之溫度資訊對加熱器206之通電程度進行回饋控制(溫度調整)。又，由加熱器206所進行之處理室201內的加熱，係至少在至少處理室201內之清洗處理完成前的期間內持續進行。在處理室201內之壓力、溫度分別到達第1壓力、第1溫度後，在第1步驟完成前的期間，進行控制以維持該壓力、溫度。接著，藉旋轉機構254開始旋轉板217。又，由旋轉機構254所進行之板217的旋轉，係在至少處理室201內之清洗處理完成前的期間內持續進行。又，亦可不使板217旋轉。
接著，依使處理室201內之溫度、壓力分別維持為第1溫度、第1壓力的狀態，由作為清洗氣體供給源的F2 氣體供給源274及NO氣體供給源275，對處理室201內供給作為清洗氣體之F2 氣體與NO氣體。藉由打開閥262e、261e、262f、261f、262g、261g、262h、261h，由F2 氣體供給源 274及NO氣體供給源275供給至清洗氣體供給管232e、232f、232g、232h內的F2 氣體與NO氣體，係分別藉MFC241e、241f、241g、241h控制為所需流量後，通過清洗氣體供給管232e、232f、232g、232h，經由處理氣體供給管232a、232b，由噴嘴230a、230b被導入至處理室201內。
此時，亦可同時由作為惰性氣體供給源之N2 氣體供給源273對處理室201供給N2 氣體，而將屬於清洗氣體之F2 氣體與NO氣體稀釋。此情況，例如藉由打開閥262c、261c、262d、261d而由N2 氣體供給源273供給至惰性氣體供給管232c、232d內的N2 氣體，係分別藉MFC241c、241d控制為所需流量後，通過惰性氣體供給管232c、232d，經由處理氣體供給管232a、232b，由噴嘴230a、230b被導入至處理室201內。N2 氣體係於處理氣體供給管232a、232b內分別與F2 氣體與NO氣體混合。藉由控制N2 氣體之供給流量，亦可控制F2 氣體的濃度。
被導入至處理室201內之F2 氣體與NO氣體、或經稀釋之F2 氣體與NO氣體，係於處理室201內上升，由內管204之上端開口流出至筒狀空間250內，在流下到筒狀空間250內後，由排氣管231所排氣。F2 氣體與NO氣體、或經稀釋之F2 氣體與NO氣體係在通過處理室201內時與在製程管203內壁或板217表面所累積之含有氮化矽膜等之薄膜的堆積物接觸，此時藉熱化學反應將薄膜去除。亦即，藉由因 F2 氣體與NO氣體之熱分解所產生之活性種與堆積物間之蝕刻反應，將薄膜去除。
經過預先設定之薄膜蝕刻時間，結束第1步驟(薄膜蝕刻步驟)時，接著移行至第2步驟(處置步驟)。於處置步驟中，係於薄膜蝕刻步驟後，將殘留於處理室201內部之附著物去除，使處理室201內之石英構件表面平滑化。亦即，將在製程管203或板217等之石英構件表面所產生之石英裂痕、或因石英裂痕等所產生而附著於處理室201內之構件表面的微小石英粉(石英粉末)、或氮化矽之殘存膜等之附著物去除。
[第2步驟(處置步驟)]
依使未載入晶圓200的板217直接搬入(板裝載)至處理室201內的狀態，對處理室201內藉真空排氣裝置246進行真空排氣至所需壓力、亦即第2壓力。此時，處理室201內之壓力係藉壓力感應器245所測定，根據其測定之壓力資訊，使壓力調整裝置242進行回饋控制。又，依使處理室201內成為所需溫度、亦即第2溫度的方式，藉加熱器206進行加熱。此時，依處理室201內之溫度成為所需溫度分佈之方式，根據由溫度感應器263所檢測之溫度資訊對加熱器206之通電程度進行回饋控制。在處理室201內之壓力、溫度分別到達第2壓力、第2溫度後，在第2步驟完成前的期間，進行控制以維持該壓力、溫度。
尚且，第2壓力較佳係設為與第1壓力同等。亦即，在由第1步驟(薄膜蝕刻步驟)移行至第2步驟(處置步驟)時，較佳係不變更處理室201內之壓力，維持為與第1壓力同等的壓力。在將第2壓力設為與第1壓力同等的壓力時，不需將處理室201內之壓力變更為第2壓力的步驟。
另外，第2溫度係設為較第1溫度高的溫度。亦即，在由第1步驟(薄膜蝕刻步驟)移行至第2步驟(處置步驟)時，將處理室201內之溫度變更為較第1溫度高的溫度。
接著，依使處理室201內之溫度、壓力分別維持為第2溫度、第2壓力的狀態，由作為清洗氣體供給源的F2 氣體供給源274及NO氣體供給源275，對處理室201內供給作為清洗氣體之F2 氣體與NO氣體。藉由打開閥262e、261e、262f、261f、262g、261g、262h、261h，由F2 氣體供給源274及NO氣體供給源275供給至清洗氣體供給管232e、232f、232g、232h內的F2 氣體與NO氣體，係分別藉MFC241e、241f、241g、241h控制為所需流量後，通過清洗氣體供給管232e、232f、232g、232h，經由處理氣體供給管232a、232b，由噴嘴230a、230b被導入至處理室201內。
此時，亦可同時由作為惰性氣體供給源之N2 氣體供給源273對處理室201內供給N2 氣體，而將屬於清洗氣體之F2 氣體與NO氣體稀釋。此情況，例如藉由打開閥262c、261c、262d、261d而由N2 氣體供給源273供給至惰性氣體供給管 232c、232d內的N2 氣體，係分別藉MFC241c、241d控制為所需流量後，通過惰性氣體供給管232c、232d，經由處理氣體供給管232a、232b，由噴嘴230a、230b被導入至處理室201內。N2 氣體係於處理氣體供給管232a、232b內分別與F2 氣體與NO氣體混合。藉由控制N2 氣體之供給流量，亦可控制F2 氣體的濃度。
尚且，由第1步驟(薄膜蝕刻步驟)移行至第2步驟(處置步驟)時，亦可設為維持打開閥262e、261e、262f、261f、262g、261g、262h、261h或閥262c、261c、262d、261d的狀態，而維持對處理室201內之F2 氣體與NO氣體之供給、或經稀釋之F2 氣體與NO氣體之供給。
被導入至處理室201內之F2 氣體與NO氣體、或經稀釋之F2 氣體與NO氣體，係於處理室201內上升，由內管204之上端開口流出至筒狀空間250內，在流下筒狀空間250內後，由排氣管231所排氣。F2 氣體與NO氣體、或經稀釋之F2 氣體與NO氣體係在通過處理室201內時，與在處理室201內所附著之微小之石英粉或氮化矽之殘存膜等之附著物、或處理室201內之石英構件(製程管203或板217等)之表面等接觸。此時，藉熱化學反應將石英粉或氮化矽之殘存膜等之附著物去除，使處理室201內之石英構件表面被稍微蝕刻而予以平滑化。亦即，藉由因F2 氣體與NO氣體之熱分解所產生之活性種與附著物、進而石英構件表面間之蝕 刻反應，將附著物去除，使石英構件表面平滑化。
尚且，於第2步驟(處置步驟)中，並不侷限於供給F2 氣體與NO氣體、或經稀釋之F2 氣體與NO氣體作為清洗氣體的情況，亦可單獨供給F2 氣體、或單獨供給經稀釋之F2 氣體。於第2步驟中，由於設定於較第1溫度高的第2溫度，故即使在單獨供給F2 氣體、或供給經惰性氣體稀釋之F2 氣體作為清洗氣體，仍可充分提高石英構件的蝕刻速率。而且，與供給F2 氣體與NO氣體、或經惰性氣體稀釋之F2 氣體與NO氣體作為清洗氣體的情況相同地，可去除石英粉或氮化矽之殘存膜等附著物，可使石英構件之表面平滑化。
經過預先設定之處置時間，結束第2步驟(處置步驟)時，停止供給F2 氣體與NO氣體。亦即，藉由關閉閥262e、261e、262f、261f、262g、261g、262h、261h，使來自F2 氣體供給源274及NO氣體供給源275之F2 氣體與NO氣體對處理室201內的供給停止。其後，打開閥262c、261c、262d、261d，由N2 氣體供給源273對處理室201內供給N2 氣體，由排氣管231進行排氣，藉此使處理室201內進行迫淨。然後，將處理室201內置換為N2 氣體，使處理室201內之壓力回復為常壓。
上述第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中之薄膜蝕刻條件，較佳係設為使含有薄膜之堆積物的蝕刻速率大於石英構件之蝕刻速率。又，上述第2步驟(處置步驟)中之處理條件，較佳係 設為更加促進石英構件之蝕刻的條件、亦即使石英構件之蝕刻速率大於第1步驟中之石英構件之蝕刻速率。
例如，作為第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中之薄膜蝕刻條件，可例示：第1溫度：未滿400℃、較佳200℃~350℃
第1壓力：1330Pa(10Torr)~101300Pa(大氣壓)，較佳13300Pa(100Torr)以上且53320Pa(400Torr)
F2 氣體供給流量：0.5~5slm
NO氣體供給流量：0.5~5slm
N2 氣體供給流量：1~20slm
NO氣體/F2 氣體流量比：0.5~2；藉由將各別之蝕刻條件依各別之範圍內的值維持為一定，可進行含有薄膜之堆積物的蝕刻。
另外，例如作為第2步驟(處置步驟)中之處置條件，可例示：第2溫度：400℃以上、較佳400℃~500℃
第2壓力：1330Pa(10Torr)~26600Pa(200Torr)，較佳13300Pa(100Torr)以上且19950Pa(150Torr)
F2 氣體供給流量：0.5~5slm
NO氣體供給流量：0~5slm
N2 氣體供給流量：1~20slm
NO氣體/F2 氣體流量比：0~1、較佳0.05~1； 藉由將各別之處置條件依各別之範圍內的值維持為一定，可進行處置。又，在NO氣體供給流量為0slm的情況及NO氣體/F2 氣體流量比為0的情況，係指單獨供給F2 氣體、或單獨供給經稀釋之F2 氣體作為清洗氣體。
尚且，圖3係表示，作為處理條件之一例，將第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中之處理室201內溫度(第1溫度)設為300℃、F2 氣體流量設為2.0slm、NO氣體流量設為1.0slm、處理室201內之壓力設為26664Pa(200Torr)，將第2步驟(處置步驟)中之處理室201內溫度(第2溫度)設為400℃、F2 氣體流量設為2.0slm、NO氣體流量設為0.5slm、處理室201內之壓力設為13332Pa(100Torr)的樣子。
尚且，於上述第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中，欲使含有薄膜之堆積物之蝕刻速率大於石英構件之蝕刻速率，同時於上述第2步驟(處置步驟)中，欲更加促進石英構件之蝕刻速率時，較佳係將第2溫度設為較第1溫度高的溫度。此時，更佳係將第2壓力設為較第1壓力更低的壓力。又，在以第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中之NO氣體相對於F2 氣體之流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)作為第1流量，以第2步驟(處置步驟)中之NO氣體相對於F2 氣體之流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)作為第2流量比的情況，更佳係使第2流量比小於第1流量比。
第1流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)較佳係設為0.5以上 且2以下。若NO氣體/F2 氣體流量比小於0.5，則NO氣體對F2 氣體的添加效果變弱，含有薄膜之堆積物的蝕刻速率變低。若NO氣體/F2 氣體流量比超過2，則NO氣體對F2 氣體過剩添加，此情況下，含有薄膜之堆積物的蝕刻速率亦變低。因此，較佳係第1流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)設為0.5以上且2以下。
第2流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)可設為0以上且1以下，較佳0.05以上且1以下。若NO氣體/F2 氣體流量比超過1，則石英構件之蝕刻速率過高，而石英構件被不均勻地蝕刻。依NO氣體/F2 氣體流量比為0、亦即單獨之F2 氣體亦可對石英構件進行蝕刻。然而，藉由於F2 氣體中添加NO氣體，可提高石英構件的蝕刻速率，藉由將NO氣體/F2 氣體流量比設為至少0.05以上，即可得到該效果。因此，可將第2流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)設為0以上且1以下、較佳0.05以上且1以下。又，在第2流量比為0的情況，係指單獨供給F2 氣體、或單獨供給經稀釋之F2 氣體作為清洗氣體。
尚且，依使第2溫度高於第1溫度之狀態，將第2壓力控制為較第1壓力低、或將第2流量比控制為較第1流量比小，則於第2步驟(處置步驟)中，可抑制於石英構件之蝕刻發生偏差、石英構件被不均勻蝕刻的情形。亦即，即使在更加促進了石英構件之蝕刻的狀態下，仍可對石英構件均勻地 進行蝕刻。又，在將NO氣體/F2 氣體流量比由第1流量比變更為第2流量比時，如圖3所示之例般，較佳係依不使F2 氣體流量變化而維持一定流量的狀態，僅使NO氣體流量變化(減小)。又，與此相反地，亦可依對使NO氣體流量變化而維持一定流量的狀態，僅使F2 氣體流量變化(增大)。藉此，相較於將F2 氣體流量與NO氣體流量之雙方變更的情況，可簡化流量比變更(調整)動作。
在清洗步驟、亦即第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)結束時，再開始薄膜形成步驟。
(4)本實施形態之效果
根據本實施形態，可發揮以下所示之一個或複數個效果。
(a)根據本實施形態，於第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中，供給F2 氣體與NO氣體、或經惰性氣體所稀釋之F2 氣體與NO氣體作為清洗氣體。藉此，不單獨使用F2 氣體，藉由添加使用NO氣體，則即使在將處理室201內設為例如未滿400℃的溫度條件的情況，仍可充分提高氮化膜的蝕刻速率，使去除氮化矽膜所需的時間縮短，而可提高基板處理裝置的生產性。
(b)根據本實施形態，藉由將第1步驟(薄膜蝕刻步驟)之溫度條件設為第1溫度(未滿400℃、較佳200℃~350℃)，則可充分提高氮化矽膜與石英的蝕刻選擇比，可抑制構成處理室201之石英構件所受到之不均勻蝕刻損傷。在成為清洗對象之處理室201內，實際上有含有氮化矽膜之堆積物未均勻 附著的情形。例如，有堆積物之膜厚局部性較薄、或局部性較厚的情形。又，亦有處理室201內壁之表面溫度不均勻、或處理室201內之清洗氣體之壓力不均勻、或堆積物之蝕刻速率局部性相異的情形。於此情況，若欲將附著於處理室201內之堆積物全部藉蝕刻予以去除，則有由石英玻璃(SiO2 )等所構成之處理室201內壁之一部分表面長時間曝露於清洗氣體，受到損傷的情形。為了減少此種損傷，有效的是如上述般提高選擇比。
(c)根據本實施形態，將第2步驟(處置步驟)之溫度條件設定為較第1溫度高的第2溫度(400℃以上，較佳400℃~500℃)。藉此，可得到對石英構件的充分蝕刻速度。又，若為此溫度，則氮化矽膜之蝕刻亦充分進行。因此，可將第1步驟後殘留附著於處理室201內之微小之石英粉或氮化矽之殘存膜等之附著物去除，並藉由對處理室201內之石英構件表面稍微進行蝕刻而使其平滑化，可抑制處理室201內之實效性之表面積增大。藉此，可抑制處理室201內之異物發生，並可在清洗步驟、亦即第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)之實施即刻後的薄膜形成步驟中，抑制成膜速度降低的情形。又，在將處理室201內之溫度設為400℃~450℃的情況，石英之蝕刻速率雖與氮化矽膜之蝕刻速率同等或較其稍低，但仍可使石英之蝕刻充分進行。又，在將處理室201內設為450℃~500℃時，石英之蝕刻速率變 得較氮化矽膜之蝕刻速率大，可使製程管203或板217等之石英構件的表面平滑化更迅速地進行。
(d)根據本實施形態，將第2步驟(處置步驟)之溫度條件設定為較第1溫度高的第2溫度(400℃以上，較佳400℃~500℃)。藉此，即使在單獨供給F2 氣體或經惰性氣體稀釋之F2 氣體作為清洗氣體的情況，仍可充分提高石英構件的蝕刻速率。而且，與供給F2 氣體與NO氣體、或經惰性氣體稀釋之F2 氣體與NO氣體作為清洗氣體的情況相同，可去除石英粉或氮化矽之殘存膜等之附著物，可使石英構件之表面平滑化。
(e)根據本實施形態，於第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中，由於在使用作為清洗氣體的F2 氣體中添加了NO氣體，故不僅可於低溫區域下提高蝕刻速率，在未滿400℃的低溫條件下仍可進行蝕刻，故可抑制處理室201內或氣體流通路徑內中之金屬構件(低溫構件)、例如多岐管209、密封蓋219、旋轉軸255、排氣管231、壓力調整裝置242等之腐蝕。亦即，根據本實施形態，可於抑制金屬構件(低溫構件)之腐蝕之下，將金屬構件上所形成之堆積物依高蝕刻速率予以去除。
(f)根據本實施形態，由於將第1步驟(薄膜蝕刻步驟)及第2步驟(處置步驟)之溫度條件均設為500℃以下的溫度，故可減低處理室201內或氣體流通路徑內之金屬構件的腐蝕。
(g)根據本實施形態，依將第2步驟(處置步驟)中之第2溫 度設為較第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中之第1溫度高的狀態，將第2步驟(處置步驟)中之第2壓力控制為較第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中之第1壓力低，及/或將第2步驟(處置步驟)中之第2流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)設為較第1步驟(薄膜蝕刻步驟)中之第1流量比(NO氣體/F2 氣體流量比)小。藉此，於第2步驟(處置步驟)中，提高石英構件之蝕刻速率，藉此可抑制於石英構件之蝕刻發生偏差、石英構件被不均勻蝕刻的情形。亦即，可依更加促進石英構件之蝕刻的狀態，使石英構件被均勻蝕刻。又，所謂將第2壓力控制為較第1壓力低，及/或將第2流量比控制為較第1流量比小，係包括將第2壓力控制為較第1壓力低的情況、將第2流量比控制為較第1流量比小的情況，或將第2壓力控制為較第1壓力低及將第2流量比控制為較第1流量比小的情況。
(h)根據本實施形態，於第1步驟(薄膜蝕刻步驟)及第2步驟(處置步驟)中，由於未將HF氣體或H2 氣體等之含氫氣體供給至處理室201內作為清洗氣體，故可抑制處理室201內或氣體流通路徑內中之金屬構件因HF所造成的腐蝕，並可抑制處理室201中之金屬污染的發生。又，可抑制處理室201內之石英構件因HF所造成的腐蝕，並可抑制石英構件的破損。
<本發明之其他實施形態>
在考慮了實際之裝置運用的情況，尤其在每1次薄膜形成 步驟所形成之薄膜之膜厚較厚的情況，必須依較短周期實施乾式清洗步驟，而有基板處理裝置之動作率變低的情形。因此，本實施形態中，係組合上述實施形態之清洗步驟與LTP(Low Temperature Purge)步驟，以維持較高之裝置動作率。於此，所謂LTP步驟，係指使處理室201內之溫度下降對處理室201內之構件表面所堆積的薄膜賦予熱衝擊而強制性地使裂痕發生，且使附著力弱之附著物強制性地被剝離，對處理室201內進行氣體迫淨的步驟，亦稱為低溫迫淨。
本實施形態中，係在進行薄膜形成步驟時，每次或定期地進行下述步驟：藉由在薄膜形成步驟中、或薄膜形成步驟即刻後，依處理室201內有晶圓200的狀態、或依於處理室201內無晶圓200的狀態，使處理室201內之溫度下降，而對處理室201內之構件表面所累積的薄膜賦予熱衝擊而強制性地使裂痕發生，且使附著力弱之附著物強制性地剝離後，對處理室201內進行氣體迫淨的步驟(LTP步驟)。藉此，可使在處理室201內之構件表面所累積之薄膜發生剝離/落下為止的累積膜厚增厚，而可增長清洗周期。而且，在處理室201內之構件表面所累積之薄膜厚度到達薄膜發生剝離/落下前的既定厚度時，進行與上述實施形態相同的清洗步驟。藉此，可延長製程管203等之石英構件的壽命，不需要在經過長期後進行伴隨石英構件等之交換的維修。
LTP步驟中，較佳係在薄膜形成步驟中、或薄膜形成步驟 與下一次之薄膜形成步驟之間，將處理室201內部溫度由超過600℃之成膜溫度急遽降低(溫度變動)至裂痕發生之低溫200℃~400℃。在使處理室201內溫度急遽降低時，可一邊將處理室201外部之高溫之環境氣體進行排氣，一邊藉由於處理室201外部流通空氣或N2 等之氣體狀之冷媒而對處理室201內進行強制冷卻(急速急冷)。此時，一邊藉由上述強制冷卻機構(急冷機構)400，於製程管203外部表面之整體使氣體狀冷媒直接接觸而對處理室201內進行強制冷卻以使處理室201內溫度下降，一邊依對處理室201內進行氣體迫淨的方式，藉控制器280控制強制冷卻機構400與加熱器206與迫淨氣體供給系統與排氣系統。在對處理室201內進行強制冷卻而使處理室201內溫度下降時，係開放快門460、470，以排氣鼓風器490將隔熱套410內之高溫之環境氣體進行排氣，並藉導入鼓風器450將空氣或N2 等之冷媒導入至隔熱套410內。
尚且，LTP步驟亦可不使用強制冷卻機構400，而實施藉控制器280，一邊使處理室201內之溫度下降，一邊依對處理室201內進行氣體迫淨之方式，控制加熱器206與迫淨氣體供給系統與排氣系統。其中，使用強制冷卻機構400使處理室201內溫度急遽變動者，由於可將對處理室201內之構材表面所累積的薄膜賦予之熱衝擊增大，提高顆粒排出效果，故較佳。又，LTP步驟可在進行薄膜形成步驟之每次實 施，亦可周期性地定期實施。若考慮到整體之顆粒排出效果，LTP步驟較佳係在進行薄膜形成步驟之每次實施。
尚且，本實施形態中，亦可取代F2 氣體，使用ClF3 氣體或NF3 氣體等之鹵素系氣體(氟系氣體)作為氟系氣體。其中，在以LTP+乾式清洗規格進行成膜的情況，較佳係如上述實施形態般，使用F2 氣體作為氟系氣體，組合具有第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)的上述清洗步驟、LTP步驟。又，在使用ClF3 氣體或NF3 氣體等作為氟系氣體時，較佳係組合具有第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)之清洗步驟、LTP步驟。
假設在組合了使用F2 氣體或ClF3 氣體或NF3 氣體等之氟系氣體與氧化氮系氣體之薄膜蝕刻步驟、與LTP步驟的情況(於薄膜蝕刻步驟後不進行處置步驟的情況)，有下述缺點。
如圖4(a)所示，在薄膜之蝕刻步驟(Cleaning)後，於石英表面殘留石英粉等之異物。該異物係以不穩定狀態附著於石英表面。於薄膜形成步驟(SiN Deposition)時，於該異物等上堆積薄膜。若依此狀態進行LTP步驟，則在薄膜發生龜裂或剝離時，附著於石英表面之異物亦發生龜裂或剝離。又，異物對石英表面的附著狀態變得更加不穩定，而異物不停地發生。又，由於異物對石英表面的附著狀態變得更加不穩定，故在LTP後之形成薄膜時(SiN Deposition)，亦容易發 生異物。
相對於此，在組合了具有第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)之上述清洗步驟、與LTP步驟的情況，具有下述優點。
如圖4(b)所示，在薄膜之蝕刻步驟(Cleaning)後再進行了處置步驟(Treatment)後，可防止於石英表面殘留異物的情形。亦即，不存在以不穩定狀態附著於石英表面的異物。於薄膜形成步驟(SiN Deposition)時，無異物之狀態的石英表面上堆積薄膜(SiN Deposition)。若依此狀態進行LTP步驟，則即使在薄膜發生龜裂或剝離，由於於石英表面未附著異物，故不發生異物。又，在LTP後之形成薄膜時(SiN Deposition)，亦不發生異物。
由此等情況可知，在以LTP+乾式清洗規格進行成膜的情況，較佳係組合具有第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)之上述清洗步驟、與LTP步驟。
<本發明之另外其他實施形態>
上述實施形態中，說明了使用一氧化氮(NO)氣體作為氧化氮系氣體的情況，但本發明並不限定於此種形態。例如亦可使用氧化亞氮(N2 O)氣體或二氧化氮(NO2 )氣體等作為氧化氮系氣體。又，在使用N2 O氣體或NO2 氣體作為氧化氮系氣體時，較佳係構成為於清洗氣體供給管232g、232h設置預備加熱部，在供給至處理室201內前將N2 O氣體或NO2 氣體進行預備加熱等而予以分解，以生成NO氣體。
另外，上述實施形態中，係針對使用一次處理複數片基板之批次式基板處理裝置進行成膜的例子進行了說明，但本發明並不限定於此，亦可適合應用於使用一次處理1片或數片基板之片式基板處理裝置進行成膜的情形。
另外，上述各實施形態或各應用例等，亦可予以適當組合使用。
另外，本發明亦可例如變更既存之基板處理裝置之製程內容或清洗內容而實現。於變更製程內容或清洗內容時，可將本發明之製程內容或清洗內容經由電信回路或經由了該製程內容或清洗內容之記錄媒體而安裝於既定之基板處理裝置中，或操作既存之基板處理裝置的輸出入裝置，將其製程內容或清洗內容本身變更為本發明之製程內容或清洗內容。
以上雖具體說明了本發明實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變更。
(實施例)
在上述基板處理裝置之處理室內，重複於晶圓上形成Si3 N4 膜的處理後，進行上述第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)，藉此實施處理室內之清洗。此時之處理條件、蝕刻條件、處置條件，係分別設為與上述實施形態記載之處理條件、蝕刻條件、處置條件相同的處理條件。然後，藉光學顯微鏡觀察第2步驟(處置步驟)前後之處理室內的石 英構件表面。
將該光學顯微鏡照片示於圖5。圖5(a)係表示第1步驟(薄膜蝕刻步驟)實施後且第2步驟(處置步驟)實施前的石英構件表面的光學顯微鏡照片。圖5(b)係表示第2步驟(處置步驟)實施後之石英構件表面的光學顯微鏡照片。由圖5(a)、圖5(b)可知，在第1步驟(薄膜蝕刻步驟)後所產生之石英構件表面之石英裂痕、或石英粉或氮化矽之殘存膜等的附著物，藉由第2步驟(處置步驟)被去除，使石英構件表面平滑化。亦即，根據本實施例，可知藉由於第1步驟(薄膜蝕刻步驟)後實施第2步驟(處置步驟)，可抑制處理室內之實效性之表面積增大，而可抑制處理室內之異物發生，且在實施了清洗步驟、亦即第1步驟(薄膜蝕刻步驟)與第2步驟(處置步驟)後立即進行的薄膜形成步驟中，可抑制成膜速度降低的情形。
<本發明之較佳態樣>
以下附記本發明之較佳態樣。
(附記1)
根據本發明之一態樣，提供一種清洗方法，其係對在處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗者；其具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系 氣體作為清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的步驟；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的步驟；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的步驟。
(附記2)
如附記1之清洗方法，較佳係在上述藉熱化學反應去除包括薄膜之堆積物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比(氧化氮系氣體/氟系氣體流量比)作為第1流量比，在上述藉熱化學反應去除上述附著物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比(氧化氮系氣體/氟系氣體流量比)作為第2流量比，使上述第2流量比小於上述第1流量比。
(附記3)
如附記1或2之清洗方法，較佳係在上述藉熱化學反應去除包括薄膜之堆積物的步驟中，將上述處理室內之壓力作為第1壓力，在上述藉熱化學反應去除上述附著物的步驟中，將上述處理室內之壓力作為第2壓力，使上述第2壓力小於 上述第1壓力。
(附記4)
如附記1至3中任一項之清洗方法，較佳係在上述藉熱化學反應去除上述附著物的步驟中，對上述構件表面進行蝕刻予以平滑化。
(附記5)
如附記1至4中任一項之清洗方法，較佳係將上述第1溫度設為未滿400℃，將上述第2溫度設為400℃以上。
(附記6)
如附記1至5中任一項之清洗方法，較佳係將上述第1溫度設為200℃以上且350℃以下，將上述第2溫度設為400℃以上且500℃以下。
(附記7)
如附記1至6中任一項之清洗方法，較佳係上述構件含有石英構件。
(附記8)
如附記1至7中任一項之清洗方法，較佳係上述構件含有石英構件與金屬構件。
(附記9)
如附記1至8中任一項之清洗方法，較佳係上述構件含有構成上述處理室的構件，構成上述處理室之構件係含有石英構件。
(附記10)
如附記1至9中任一項之清洗方法，較佳係上述構件含有構成上述處理室的構件，構成上述處理室之構件係含有石英構件與金屬構件。
(附記11)
如附記1至10中任一項之清洗方法，較佳係於上述處理室內的上述構件之表面所殘留的上述附著物含有石英粉。
(附記12)
如附記1至11中任一項之清洗方法，較佳係在上述藉熱化學反應去除包括薄膜之堆積物的步驟中，設為使上述包括薄膜之堆積物較上述石英構件被蝕刻更多的條件，並在上述藉熱化學反應去除上述附著物的步驟中，設為使上述石英構件較上述包括薄膜之堆積物被蝕刻更多的條件。
(附記13)
如附記1至12中任一項之清洗方法，較佳係進一步具有：在進行了於上述基板上形成薄膜的處理後，將上述處理室內之溫度降低至較進行於上述基板上形成薄膜之處理時之溫度低的溫度，而對上述處理室內之上述構件之表面所堆積的上述包括薄膜之堆積物賦予熱衝擊以強制性地使裂痕發生，對上述處理室內進行氣體迫淨的步驟。
(附記14)
如附記1至13中任一項之清洗方法，較佳係上述氟系氣 體為F2 氣體、ClF3 氣體及NF3 氣體中之至少任一種氣體，上述氧化氮系氣體為NO氣體、N2 O氣體及NO2 氣體中之至少任一種氣體。
(附記15)
如附記1至14中任一項之清洗方法，較佳係上述氟系氣體為F2 氣體，上述氧化氮系氣體為NO氣體。
(附記16)
根據本發明之其他態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具有下述步驟：將基板搬入至處理室內的步驟；對上述處理室內供給處理氣體而進行於上述基板上形成薄膜之處理的步驟；由上述處理室內搬出處理完成之上述基板；與依上述處理室內無上述基板的狀態，於上述處理室內供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗的步驟；對上述處理室內進行清洗的步驟，係具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的步驟；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的步驟；與 對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的步驟。
(附記17)
根據本發明之其他態樣，提供一種基板處理裝置，其具有：進行於基板上形成薄膜之處理的處理室；對上述處理室內供給處理氣體之處理氣體供給系統；對上述處理室內供給清洗氣體之清洗氣體供給系統；將上述處理室內予以加熱的加熱器；與控制部，係依進行下述處理之方式，控制上述加熱器、上述處理氣體供給系統及上述清洗氣體供給系統：對在上述處理室內供給上述處理氣體而進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給上述清洗氣體而對上述處理室內進行清洗時，對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的處理；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的處理；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀 釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的處理。
(附記18)
根據本發明之其他態樣，提供一種程式，係使電腦執行對在基板處理裝置之處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗的手續者；該手續具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的手續；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的手續；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的手續。
(附記19)
根據本發明之其他態樣，提供一種記錄媒體，其係記錄了下述程式之電腦可讀取者；該程式係使電腦執行對在基板處 理裝置之處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗的手續；該手續具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的手續；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的手續；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的手續。
115‧‧‧板升降器
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理爐
203‧‧‧製程管
204‧‧‧內管
205‧‧‧外管
206‧‧‧加熱器
209‧‧‧多岐管
216‧‧‧隔熱板
217‧‧‧板
219‧‧‧密封蓋
219a‧‧‧爐口快門
220a、220b、220c‧‧‧O型環
230a、230b‧‧‧噴嘴
231‧‧‧排氣管
232a、232b‧‧‧處理氣體供給管
232c、232d‧‧‧惰性氣體供給管
232e、232f、232g、232h‧‧‧清洗氣體供給管
241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h‧‧‧質量流量控制器(MFC)
242‧‧‧壓力調整裝置
245‧‧‧壓力感應器
246‧‧‧真空排氣裝置
250‧‧‧筒狀空間
251‧‧‧加熱器基底
254‧‧‧旋轉機構
255‧‧‧旋轉軸
261a、261b、261c、261d、261e、261f、261g、261h、262a、262b、262c、262d、262e、262f、262g、262h‧‧‧閥
263‧‧‧溫度感應器
271‧‧‧SiH2 Cl2 (DCS)氣體供給源
272‧‧‧NH3 氣體供給源
273‧‧‧N2 氣體供給源
274‧‧‧F2 氣體供給源
275‧‧‧NO氣體供給源
280‧‧‧控制器
280a‧‧‧CPU
280b‧‧‧RAM
280c‧‧‧記憶裝置
280d‧‧‧I/O埠
280e‧‧‧內部匯流排
281‧‧‧輸出入裝置
282‧‧‧外部記憶裝置
400‧‧‧強制冷卻機構(急冷機構)
410‧‧‧隔熱套
420‧‧‧供給管線
430‧‧‧排氣管線
440‧‧‧排氣孔
450‧‧‧導入鼓風器
460、470‧‧‧快門
480‧‧‧散熱器
490‧‧‧排氣鼓風器
圖1為本發明一實施形態之基板處理裝置之處理爐的概略構成圖。
圖2為本發明一實施形態之基板處理裝置之控制器的概略構成圖。
圖3為表示本發明一實施形態之清洗步驟的程序及清洗條件的圖表。
圖4(a)為例示於薄膜蝕刻步驟後未進行處置步驟時之石 英表面變化樣子的概略圖；(b)為例示於薄膜蝕刻步驟後進行了處置步驟時之石英表面變化樣子的概略圖。
圖5(a)為例示於進行薄膜蝕刻步驟後，在進行處置步驟前之石英構件之表面的光學顯微鏡照片；(b)為例示於進行了處置步驟後之石英構件之表面的光學顯微鏡照片。
115‧‧‧板升降器
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理爐
203‧‧‧製程管
204‧‧‧內管
205‧‧‧外管
206‧‧‧加熱器
209‧‧‧多岐管
216‧‧‧隔熱板
217‧‧‧板
219‧‧‧密封蓋
219a‧‧‧爐口快門
220a、220b、220c‧‧‧O型環
230a、230b‧‧‧噴嘴
231‧‧‧排氣管
232a、232b‧‧‧處理氣體供給管
232c、232d‧‧‧惰性氣體供給管
232e、232f、232g、232h‧‧‧清洗氣體供給管
241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h‧‧‧質量流量控制器(MFC)
242‧‧‧壓力調整裝置
245‧‧‧壓力感應器
246‧‧‧真空排氣裝置
250‧‧‧筒狀空間
251‧‧‧加熱器基底
254‧‧‧旋轉機構
255‧‧‧旋轉軸
261a、261b、261c、261d、261e、261f、261g、261h、262a、262b、262c、262d、262e、262f、262g、262h‧‧‧閥
263‧‧‧溫度感應器
271‧‧‧SiH2 Cl2 (DCS)氣體供給源
272‧‧‧NH3 氣體供給源
273‧‧‧N2 氣體供給源
274‧‧‧F2 氣體供給源
275‧‧‧NO氣體供給源
280‧‧‧控制器
400‧‧‧強制冷卻機構(急冷機構)
410‧‧‧隔熱套
420‧‧‧供給管線
430‧‧‧排氣管線
440‧‧‧排氣孔
450‧‧‧導入鼓風器
460、470‧‧‧快門
480‧‧‧散熱器
490‧‧‧排氣鼓風器

Claims (17)

  1. 一種清洗方法，其係對在處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗者；其具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的步驟；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的步驟；及對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的步驟；而在上述去除包括薄膜之堆積物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第1流量比，在上述去除附著物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第2流量比，使上述第2流量比小於上述第1流量比。
  2. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，在上述去除包括薄膜之堆積物的步驟中，將上述處理室內之壓力作為第1壓力，在上述去除附著物的步驟中，將上述處理室內之壓 力作為第2壓力，使上述第2壓力小於上述第1壓力。
  3. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，在上述去除附著物的步驟中，對上述構件表面進行蝕刻予以平滑化。
  4. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，將上述第1溫度設為未滿400℃，將上述第2溫度設為400℃以上。
  5. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，將上述第1溫度設為200℃以上且350℃以下，將上述第2溫度設為400℃以上且500℃以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，上述構件含有石英構件。
  7. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，上述構件含有石英構件與金屬構件。
  8. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，上述構件含有構成上述處理室的構件，構成上述處理室之構件係含有石英構件。
  9. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，上述構件含有構成上述處理室的構件，構成上述處理室之構件係含有石英構件與金屬構件。
  10. 如申請專利範圍第6項之清洗方法，其中，於上述處理室內的上述構件之表面所殘留的上述附著物含有石英粉。
  11. 如申請專利範圍第6項之清洗方法，其中，在上述藉熱化學反應去除包括薄膜之堆積物的步驟中，設為使上述包 括薄膜之堆積物較上述石英構件被蝕刻更多的條件，並在上述藉熱化學反應去除附著物的步驟中，設為使上述石英構件較上述包括薄膜之堆積物被蝕刻更多的條件。
  12. 一種清洗方法，其係對在處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗者；其具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的步驟；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的步驟；及對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的步驟；並進一步具有：使進行了於上述基板上形成薄膜的處理後之上述處理室內之溫度，降低至較進行於上述基板上形成薄膜之處理時之溫度低的溫度，對上述處理室內之上述構件之表面所堆積的上述包括薄膜之堆積物賦予熱衝擊，強制性地使裂痕發生，並對上述處理室內進行氣體迫淨的步驟。
  13. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，上述氟系氣體為F2 氣體、ClF3 氣體及NF3 氣體中之至少任一種氣體，上述氧化氮系氣體為NO氣體、N2 O氣體及NO2 氣體中之至少任一種氣體。
  14. 如申請專利範圍第1項之清洗方法，其中，上述氟系氣體為F2 氣體，上述氧化氮系氣體為NO氣體。
  15. 一種半導體裝置之製造方法，其具有下述步驟：將基板搬入至處理室內的步驟；對上述處理室內供給處理氣體，進行於上述基板上形成薄膜之處理的步驟；由上述處理室內搬出處理完成之上述基板的步驟；及在上述處理室內無上述基板的狀態，於上述處理室內供給清洗氣體，而對上述處理室內進行清洗的步驟；對上述處理室內進行清洗的步驟係具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的步驟；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的步驟；及對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化 氮系氣體，作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的步驟；而在上述去除包括薄膜之堆積物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第1流量比，在上述去除附著物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第2流量比，使上述第2流量比小於上述第1流量比。
  16. 一種基板處理裝置，其具有：進行於基板上形成薄膜之處理的處理室；對上述處理室內供給處理氣體之處理氣體供給系統；對上述處理室內供給清洗氣體之清洗氣體供給系統；將上述處理室內予以加熱的加熱器；及控制部，係依進行下述處理之方式，控制上述加熱器、上述處理氣體供給系統及上述清洗氣體供給系統：對在上述處理室內供給上述處理氣體而進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給上述清洗氣體而對上述處理室內進行清洗，此時對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將上述處理室內所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的處理；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的處理；與對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供 給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物之去除後於上述處理室內所殘留之附著物藉熱化學反應予以去除的處理；而在上述去除包括薄膜之堆積物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第1流量比，在上述去除附著物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第2流量比，使上述第2流量比小於上述第1流量比。
  17. 一種記錄媒體，其係記錄了下述程式之電腦可讀取者；該程式係使電腦執行對在基板處理裝置之處理室內進行了於基板上形成薄膜之處理後之上述處理室內，供給清洗氣體而對上述處理室內進行清洗的手續；該手續具有：對加熱至第1溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將上述處理室內之構件表面所堆積之包括上述薄膜之堆積物藉熱化學反應予以去除的手續；將上述處理室內之溫度變更為較上述第1溫度高之第2溫度的手續；及對加熱至上述第2溫度之上述處理室內，供給氟系氣體與氧化氮系氣體、或供給由惰性氣體所稀釋之氟系氣體與氧化氮系氣體，作為上述清洗氣體，將在包括上述薄膜之堆積物之去除後於上述處理室內之上述構件表面所殘留之附著物 藉熱化學反應予以去除的手續；而在上述去除包括薄膜之堆積物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第1流量比，在上述去除附著物的步驟中，將氧化氮系氣體相對於氟系氣體的流量比作為第2流量比，使上述第2流量比小於上述第1流量比。
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