JPH1083965A - 熱処理方法及びその装置 - Google Patents
熱処理方法及びその装置Info
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- JPH1083965A JPH1083965A JP33036596A JP33036596A JPH1083965A JP H1083965 A JPH1083965 A JP H1083965A JP 33036596 A JP33036596 A JP 33036596A JP 33036596 A JP33036596 A JP 33036596A JP H1083965 A JPH1083965 A JP H1083965A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚について面内均一性の高い熱処理を行な
うこと。また被処理基板（ウエハＷ）の裏面側にも薄膜
を形成すること。 【解決手段】 載置台３に、昇降可能な第１の昇降ピン
４と第２の昇降ピン５とを設け、第１の昇降ピン４は搬
送ア−ム７１とのウエハＷの受け渡しを行なう第１の位
置まで突出し、第２の昇降ピン５はウエハＷの熱処理を
行なう、載置台３から僅かに浮上した第２の位置まで突
出するように構成する。先ず第１の位置で搬送ア−ム７
１から第１の昇降ピン４にウエハＷを受け渡し、次いで
第１の昇降ピン４を下降させてウエハＷを載置台３上に
載置して所定温度まで抵抗発熱体３１により加熱する。
続いて第２の昇降ピン５によりウエハＷを第２の位置ま
で押し上げ、この位置でポリシリコン膜の成膜処理を行
う。成膜ガスはウエハＷの裏面側に回り込み、裏面側に
もポリシリコン膜が形成される。
うこと。また被処理基板（ウエハＷ）の裏面側にも薄膜
を形成すること。 【解決手段】 載置台３に、昇降可能な第１の昇降ピン
４と第２の昇降ピン５とを設け、第１の昇降ピン４は搬
送ア−ム７１とのウエハＷの受け渡しを行なう第１の位
置まで突出し、第２の昇降ピン５はウエハＷの熱処理を
行なう、載置台３から僅かに浮上した第２の位置まで突
出するように構成する。先ず第１の位置で搬送ア−ム７
１から第１の昇降ピン４にウエハＷを受け渡し、次いで
第１の昇降ピン４を下降させてウエハＷを載置台３上に
載置して所定温度まで抵抗発熱体３１により加熱する。
続いて第２の昇降ピン５によりウエハＷを第２の位置ま
で押し上げ、この位置でポリシリコン膜の成膜処理を行
う。成膜ガスはウエハＷの裏面側に回り込み、裏面側に
もポリシリコン膜が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理方法及びそ
の装置に関する。
の装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）
の製造プロセス中にＣＶＤ処理や酸化処理等の熱処理が
あり、この処理に用いられる従来の枚葉式ＣＶＤ装置は
例えば図９に示すように構成されている。この装置は、
処理室１１内に、抵抗発熱線１２を例えば図１０に示す
ようなパタ−ンで配線してなるセラミックヒ−タにより
構成された載置台１３と、これに対向するようにガス供
給部１４とを配置し、ゲ−トバルブ１５を介して図示し
ない搬送ア−ムにより搬入したウエハＷを、予め載置台
１３から突出させておいた図示しないプッシュピンに受
け渡し、このプッシュピンを降下させることにより、ウ
エハＷを載置台１３上に載置するように構成されてい
る。
の製造プロセス中にＣＶＤ処理や酸化処理等の熱処理が
あり、この処理に用いられる従来の枚葉式ＣＶＤ装置は
例えば図９に示すように構成されている。この装置は、
処理室１１内に、抵抗発熱線１２を例えば図１０に示す
ようなパタ−ンで配線してなるセラミックヒ−タにより
構成された載置台１３と、これに対向するようにガス供
給部１４とを配置し、ゲ−トバルブ１５を介して図示し
ない搬送ア−ムにより搬入したウエハＷを、予め載置台
１３から突出させておいた図示しないプッシュピンに受
け渡し、このプッシュピンを降下させることにより、ウ
エハＷを載置台１３上に載置するように構成されてい
る。
【０００３】このような装置では、ウエハＷを載置台１
３上に載置した状態でセラミックヒ−タからの熱伝導に
より所定温度に加熱し、処理室１１内を排気管１６によ
り真空排気して所定の圧力に維持しながら、処理ガスを
ガス供給部１４から供給してＣＶＤ処理を行ない、ウエ
ハＷの表面に所定の薄膜を形成していた。
３上に載置した状態でセラミックヒ−タからの熱伝導に
より所定温度に加熱し、処理室１１内を排気管１６によ
り真空排気して所定の圧力に維持しながら、処理ガスを
ガス供給部１４から供給してＣＶＤ処理を行ない、ウエ
ハＷの表面に所定の薄膜を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら上述
の装置では、載置台１３はセラミックヒ−タにより構成
され、抵抗発熱線１２の配線パタ−ンに応じた温度分布
がセラミック体により緩和されるとはいっても載置面上
には多少の温度分布が生じる。そしてウエハＷは載置台
１３上に載置されて載置面と面接触していることから載
置面上の温度分布パタ−ンがウエハＷに転写されてしま
い、このためウエハ面内の温度のばらつきが大きくな
る。この結果膜厚の面内均一性が悪下してしまい、今後
パタ−ンの微細化に伴って膜厚についてもより一層の面
内均一性が要求されることから、歩留まりの低下を招く
おそれがある。
の装置では、載置台１３はセラミックヒ−タにより構成
され、抵抗発熱線１２の配線パタ−ンに応じた温度分布
がセラミック体により緩和されるとはいっても載置面上
には多少の温度分布が生じる。そしてウエハＷは載置台
１３上に載置されて載置面と面接触していることから載
置面上の温度分布パタ−ンがウエハＷに転写されてしま
い、このためウエハ面内の温度のばらつきが大きくな
る。この結果膜厚の面内均一性が悪下してしまい、今後
パタ−ンの微細化に伴って膜厚についてもより一層の面
内均一性が要求されることから、歩留まりの低下を招く
おそれがある。
【０００５】またウエハＷを載置台１３に載置した状態
でＣＶＤ処理を行なうと、ウエハＷの外周縁部と載置面
との接触部分にも薄膜が形成されてしまうため、ＣＶＤ
処理後ウエハＷを載置台１３からプッシュピンにて押し
上げる際、ウエハＷと載置台１３とに亘って連続して形
成された薄膜が剥がれて、パ−ティクルの原因になると
いう問題もあった。
でＣＶＤ処理を行なうと、ウエハＷの外周縁部と載置面
との接触部分にも薄膜が形成されてしまうため、ＣＶＤ
処理後ウエハＷを載置台１３からプッシュピンにて押し
上げる際、ウエハＷと載置台１３とに亘って連続して形
成された薄膜が剥がれて、パ−ティクルの原因になると
いう問題もあった。
【０００６】一方載置面の温度分布のウエハへの影響を
緩和すると共に、パ−ティクルの発生を抑えるために、
プッシュピンによりウエハＷを搬送ア−ムから受け取っ
た後、そのままウエハＷを載置面から浮上させて載置台
１３からの輻射熱により処理温度まで加熱して、ＣＶＤ
処理を行なうことも考えられるが、このようにするとウ
エハＷが搬送ア−ムによる受け渡しに必要な間隔だけ載
置面から浮いているので、ヒ−タの消費電力が大きくな
る上、昇温スピ−ドが遅くなり、処理効率が悪くなって
しまう。
緩和すると共に、パ−ティクルの発生を抑えるために、
プッシュピンによりウエハＷを搬送ア−ムから受け取っ
た後、そのままウエハＷを載置面から浮上させて載置台
１３からの輻射熱により処理温度まで加熱して、ＣＶＤ
処理を行なうことも考えられるが、このようにするとウ
エハＷが搬送ア−ムによる受け渡しに必要な間隔だけ載
置面から浮いているので、ヒ−タの消費電力が大きくな
る上、昇温スピ−ドが遅くなり、処理効率が悪くなって
しまう。
【０００７】またポリシリコン膜の上に他の膜を付ける
場合、一般的に成膜前にフッ酸（ＨＦ）溶液により洗浄
を行えば、自然酸化膜の除去を行なうことができるなど
の利点があるが、枚葉処理装置によりＳｉＯ2 膜の上に
ポリシリコン膜を形成した場合にはＨＦ洗浄が困難であ
った。即ちウエハＷの裏面側においては、載置台とウエ
ハＷとの隙間から入り込んだ成膜ガスにより成膜される
ことになるが、前記隙間から入り込める成膜ガスの量は
非常に少ないため、ウエハＷの裏面側全体にポリシリコ
ン膜が形成されにくく、また形成されたとしてもウエハ
Ｗの裏面側の中央部でのポリシリコン膜の膜厚は極めて
薄いものとなる。
場合、一般的に成膜前にフッ酸（ＨＦ）溶液により洗浄
を行えば、自然酸化膜の除去を行なうことができるなど
の利点があるが、枚葉処理装置によりＳｉＯ2 膜の上に
ポリシリコン膜を形成した場合にはＨＦ洗浄が困難であ
った。即ちウエハＷの裏面側においては、載置台とウエ
ハＷとの隙間から入り込んだ成膜ガスにより成膜される
ことになるが、前記隙間から入り込める成膜ガスの量は
非常に少ないため、ウエハＷの裏面側全体にポリシリコ
ン膜が形成されにくく、また形成されたとしてもウエハ
Ｗの裏面側の中央部でのポリシリコン膜の膜厚は極めて
薄いものとなる。
【０００８】このため裏面側のポリシリコン膜がフッ酸
により破れてしまいＳｉＯ2 膜に接してしまう。ＳｉＯ
2 膜はフッ酸溶液に耐えられないため、ＳｉＯ2 膜が破
れて、その破れた隙間からフッ酸溶液が入り込む。そし
てフッ酸がＳｉＯ2 膜とＳｉとの間に沿って表面側まで
回り込み、これによりＳｉＯ2 膜がＳｉから引き剥がさ
れ、この結果ＳｉＯ2 膜がポリシリコン膜と共に裏面側
から表面側に亘って剥がれてしまうことがある。
により破れてしまいＳｉＯ2 膜に接してしまう。ＳｉＯ
2 膜はフッ酸溶液に耐えられないため、ＳｉＯ2 膜が破
れて、その破れた隙間からフッ酸溶液が入り込む。そし
てフッ酸がＳｉＯ2 膜とＳｉとの間に沿って表面側まで
回り込み、これによりＳｉＯ2 膜がＳｉから引き剥がさ
れ、この結果ＳｉＯ2 膜がポリシリコン膜と共に裏面側
から表面側に亘って剥がれてしまうことがある。
【０００９】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、膜厚の面内均一性を向上させ
ることのできる熱処理方法及びその装置を提供すること
にある。また本発明の他の目的は、被処理基板の裏面側
にも薄膜を形成することができる熱処理方法及び装置を
提供することにある。
ものであり、その目的は、膜厚の面内均一性を向上させ
ることのできる熱処理方法及びその装置を提供すること
にある。また本発明の他の目的は、被処理基板の裏面側
にも薄膜を形成することができる熱処理方法及び装置を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基板を
処理室内に搬入して抵抗発熱体を備えた載置台の上に載
置する工程と、次いで前記被処理基板を前記抵抗発熱体
により加熱する工程と、その後前記被処理基板を前記載
置台から僅かに浮上させて載置台からの輻射熱により加
熱しながら、処理ガスを処理室内に供給して当該被処理
基板に対して熱処理を行なう工程とを備えたことを特徴
とする。
処理室内に搬入して抵抗発熱体を備えた載置台の上に載
置する工程と、次いで前記被処理基板を前記抵抗発熱体
により加熱する工程と、その後前記被処理基板を前記載
置台から僅かに浮上させて載置台からの輻射熱により加
熱しながら、処理ガスを処理室内に供給して当該被処理
基板に対して熱処理を行なう工程とを備えたことを特徴
とする。
【００１１】また本発明は、被処理基板を処理室内に搬
入して抵抗発熱体を備えた載置台の上にまたは加熱体の
上に載置する工程と、次いで前記被処理基板を前記抵抗
発熱体により加熱する工程と、その後前記被処理基板を
前記載置台から僅かに浮上させて載置台からの輻射熱に
より加熱しながら、成膜ガスを処理室内に供給して当該
被処理基板の表面及び裏面に例えばポリシリコンからな
る薄膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
入して抵抗発熱体を備えた載置台の上にまたは加熱体の
上に載置する工程と、次いで前記被処理基板を前記抵抗
発熱体により加熱する工程と、その後前記被処理基板を
前記載置台から僅かに浮上させて載置台からの輻射熱に
より加熱しながら、成膜ガスを処理室内に供給して当該
被処理基板の表面及び裏面に例えばポリシリコンからな
る薄膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】このような熱処理は、処理室内に設けら
れ、抵抗発熱体を備えた載置台と、この載置台の載置面
から埋没した位置に待機し、被処理基板の裏面を保持し
て当該被処理基板を載置台上と載置台から浮上させた位
置との間で昇降させる昇降部と、被処理基板を保持して
処理室と外部との間を搬送し、前記昇降部との間で被処
理基板の受け渡しを行う搬送手段とを備え、被処理基板
を前記抵抗発熱体により加熱しながら、処理ガスにより
処理する熱処理装置において実施される。
れ、抵抗発熱体を備えた載置台と、この載置台の載置面
から埋没した位置に待機し、被処理基板の裏面を保持し
て当該被処理基板を載置台上と載置台から浮上させた位
置との間で昇降させる昇降部と、被処理基板を保持して
処理室と外部との間を搬送し、前記昇降部との間で被処
理基板の受け渡しを行う搬送手段とを備え、被処理基板
を前記抵抗発熱体により加熱しながら、処理ガスにより
処理する熱処理装置において実施される。
【００１３】前記昇降部は、前記搬送手段との間で被処
理基板の受け渡しを行う第１の位置及び、この第１の位
置と前記載置台の載置面との間の第２の位置にて停止で
きるように構成され、前記搬送手段から受け取った被処
理基板を、載置台上に載置して前記抵抗発熱体により加
熱し、次いで第２の位置に停止し、被処理基板を載置台
から浮上させて載置台からの輻射熱により加熱しながら
熱処理が行なわれる。ここで昇降部を例えば複数の昇降
ピンにより構成し、昇降ピンのうちの少なくとも１つに
温度測定端子を設けた場合には、被処理基板を載置台か
ら浮上させて熱処理を行なう場合であっても、被処理基
板の温度を制御することができる。
理基板の受け渡しを行う第１の位置及び、この第１の位
置と前記載置台の載置面との間の第２の位置にて停止で
きるように構成され、前記搬送手段から受け取った被処
理基板を、載置台上に載置して前記抵抗発熱体により加
熱し、次いで第２の位置に停止し、被処理基板を載置台
から浮上させて載置台からの輻射熱により加熱しながら
熱処理が行なわれる。ここで昇降部を例えば複数の昇降
ピンにより構成し、昇降ピンのうちの少なくとも１つに
温度測定端子を設けた場合には、被処理基板を載置台か
ら浮上させて熱処理を行なう場合であっても、被処理基
板の温度を制御することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態について
説明する。図１は本発明の熱処理方法を実施する熱処理
装置の一形態を示す断面図である。図中２は気密構造の
処理室であり、この処理室２の一側壁面には後述するロ
−ドロック室との間を気密にシ−ルするゲ−トバルブ２
１、２２が設けられると共に、処理室の底面には真空ポ
ンプ２４が介設された排気管２３が接続されている。
説明する。図１は本発明の熱処理方法を実施する熱処理
装置の一形態を示す断面図である。図中２は気密構造の
処理室であり、この処理室２の一側壁面には後述するロ
−ドロック室との間を気密にシ−ルするゲ−トバルブ２
１、２２が設けられると共に、処理室の底面には真空ポ
ンプ２４が介設された排気管２３が接続されている。
【００１５】処理室２内の底面中央部には、例えば円柱
状の載置台３が設けられており、この載置台３は、セラ
ミック体の中に加熱部例えば抵抗発熱体３１が内蔵され
たセラミックヒ−タとして構成されている。またこの載
置台３には、例えば夫々３本の昇降ピンからなる第１の
昇降ピン４（４１、４２、４３）と第２の昇降ピン５
（５１、５２、５３）の２組の昇降ピンが、例えば図２
に示すように、載置台３の載置面を周方向に６等分する
位置に、１つ置きに同じ組のピンが配置されるように設
けられている。
状の載置台３が設けられており、この載置台３は、セラ
ミック体の中に加熱部例えば抵抗発熱体３１が内蔵され
たセラミックヒ−タとして構成されている。またこの載
置台３には、例えば夫々３本の昇降ピンからなる第１の
昇降ピン４（４１、４２、４３）と第２の昇降ピン５
（５１、５２、５３）の２組の昇降ピンが、例えば図２
に示すように、載置台３の載置面を周方向に６等分する
位置に、１つ置きに同じ組のピンが配置されるように設
けられている。
【００１６】これら第１の昇降ピン４と第２の昇降ピン
５とは昇降部をなすものであり、夫々制御部Ｃの制御信
号に基づいて、昇降機構例えばエアシリンダ４ａ、５ａ
により独立に昇降するように構成される。即ち各組をな
す３本の昇降ピン４１、４２、４３（５１、５２、５
３）は同時にかつこれらの組の間では異なるタイミング
で昇降する。そしてこれら第１及び第２の昇降ピン４、
５は、通常は載置台３の載置面から埋没した位置に待機
しているが、昇降ピンが上昇したときには、載置面から
突出してウエハＷの裏面を保持するように構成されてい
る。
５とは昇降部をなすものであり、夫々制御部Ｃの制御信
号に基づいて、昇降機構例えばエアシリンダ４ａ、５ａ
により独立に昇降するように構成される。即ち各組をな
す３本の昇降ピン４１、４２、４３（５１、５２、５
３）は同時にかつこれらの組の間では異なるタイミング
で昇降する。そしてこれら第１及び第２の昇降ピン４、
５は、通常は載置台３の載置面から埋没した位置に待機
しているが、昇降ピンが上昇したときには、載置面から
突出してウエハＷの裏面を保持するように構成されてい
る。
【００１７】また第１の昇降ピン４と第２の昇降ピン５
とは、突出したときの先端部の位置が異なるように構成
されており、第１の昇降ピン４は、後述する搬送ア−ム
との間でウエハＷの受け渡しを行う位置である第１の位
置まで突出し、第２の昇降ピン５はウエハＷの熱処理を
行う位置である第２の位置まで突出するように構成され
ている。ここで第２の位置は第１の位置と載置面との間
に位置しており、例えば第１の位置は載置面から４〜５
ｍｍ浮上した位置であり、第２の位置は載置面から１〜
２ｍｍ浮上した位置である。
とは、突出したときの先端部の位置が異なるように構成
されており、第１の昇降ピン４は、後述する搬送ア−ム
との間でウエハＷの受け渡しを行う位置である第１の位
置まで突出し、第２の昇降ピン５はウエハＷの熱処理を
行う位置である第２の位置まで突出するように構成され
ている。ここで第２の位置は第１の位置と載置面との間
に位置しており、例えば第１の位置は載置面から４〜５
ｍｍ浮上した位置であり、第２の位置は載置面から１〜
２ｍｍ浮上した位置である。
【００１８】処理室２の上部には、載置台３と対向する
ようにガス供給部６が設けられている。このガス供給部
６は、多数のガス噴射孔６１が形成されたガス拡散部６
０を備えており、例えばガス供給管６２、６３から夫々
送られる処理ガスをガス噴射孔６１から別々に処理室２
内に供給するように構成されている。また処理室２の一
側壁面には、ゲ−トバルブ２１を介してロ−ドロック室
７が接続されており、この内部にはウエハＷの搬送手段
をなす搬送ア−ム７１が設けられている。図中７２はロ
−ドロック室７と大気中との間に介在するゲ−トバルブ
である。なお図１では便宜上省略したが、ゲ−トバルブ
２２側にも同様にロ−ドロック室が設けられている。
ようにガス供給部６が設けられている。このガス供給部
６は、多数のガス噴射孔６１が形成されたガス拡散部６
０を備えており、例えばガス供給管６２、６３から夫々
送られる処理ガスをガス噴射孔６１から別々に処理室２
内に供給するように構成されている。また処理室２の一
側壁面には、ゲ−トバルブ２１を介してロ−ドロック室
７が接続されており、この内部にはウエハＷの搬送手段
をなす搬送ア−ム７１が設けられている。図中７２はロ
−ドロック室７と大気中との間に介在するゲ−トバルブ
である。なお図１では便宜上省略したが、ゲ−トバルブ
２２側にも同様にロ−ドロック室が設けられている。
【００１９】次に上述の実施の形態の作用について、例
えばＳｉＯ2 膜を形成したウエハに対して、例えばモノ
シランガス（ＳｉＨ4 ）及びフォスフィンガス（Ｐ
Ｈ3 ）を処理ガス（成膜ガス）として用いて、リンがド
−プされたポリシリコン膜を成膜する場合を例にして述
べる。先ず図３（ａ）に示すように、搬送ア−ム７１に
よりロ−ドロック室７から処理室２内へウエハＷを搬入
した後、第１の昇降ピン４をエアシリンダ４ａにより載
置台３から突出させて、前記第１の位置にて第１の昇降
ピン４にウエハＷを受け渡す。
えばＳｉＯ2 膜を形成したウエハに対して、例えばモノ
シランガス（ＳｉＨ4 ）及びフォスフィンガス（Ｐ
Ｈ3 ）を処理ガス（成膜ガス）として用いて、リンがド
−プされたポリシリコン膜を成膜する場合を例にして述
べる。先ず図３（ａ）に示すように、搬送ア−ム７１に
よりロ−ドロック室７から処理室２内へウエハＷを搬入
した後、第１の昇降ピン４をエアシリンダ４ａにより載
置台３から突出させて、前記第１の位置にて第１の昇降
ピン４にウエハＷを受け渡す。
【００２０】次いで図３（ｂ）に示すように、第１の昇
降ピン４を下降させて、ウエハＷを載置台３上に載置す
る（図３（ｃ）参照）。こうしてウエハＷは載置台３上
の載置面に面接触し、載置台３（セラミックヒ−タ）か
らの熱伝導により例えば６４０℃程度に加熱される。こ
の後図３（ｄ）に示すように第２の昇降ピン５をエアシ
リンダ５ａにより載置台３から突出させて、ウエハＷを
載置面から前記第２の位置まで浮上させ、この第２の位
置で熱処理（成膜処理）を行う。
降ピン４を下降させて、ウエハＷを載置台３上に載置す
る（図３（ｃ）参照）。こうしてウエハＷは載置台３上
の載置面に面接触し、載置台３（セラミックヒ−タ）か
らの熱伝導により例えば６４０℃程度に加熱される。こ
の後図３（ｄ）に示すように第２の昇降ピン５をエアシ
リンダ５ａにより載置台３から突出させて、ウエハＷを
載置面から前記第２の位置まで浮上させ、この第２の位
置で熱処理（成膜処理）を行う。
【００２１】即ち真空ポンプ２４により処理室２内を真
空排気して例えば１０Ｔｏｒｒの圧力に維持しながらガ
ス供給管６２、６３よりガス供給部６を介して、夫々Ｓ
ｉＨ4 ガス及びＰＨ3 ガスを例えば流量２００ｃｃ／分
及び１０ｃｃ／分で処理室２内に導入すると共に、載置
台３からの輻射熱によりウエハＷを処理温度この例では
６４０℃に加熱しながら、ウエハＷ表面にリンがド−プ
されたポリシリコン膜を形成する。
空排気して例えば１０Ｔｏｒｒの圧力に維持しながらガ
ス供給管６２、６３よりガス供給部６を介して、夫々Ｓ
ｉＨ4 ガス及びＰＨ3 ガスを例えば流量２００ｃｃ／分
及び１０ｃｃ／分で処理室２内に導入すると共に、載置
台３からの輻射熱によりウエハＷを処理温度この例では
６４０℃に加熱しながら、ウエハＷ表面にリンがド−プ
されたポリシリコン膜を形成する。
【００２２】続いて図３（ｅ）に示すように、第１の昇
降ピン４を上昇させてウエハＷを第２の昇降ピン５から
第１の昇降ピン４へ受け渡し、ウエハＷを前記第１の位
置まで押し上げると共に第２の昇降ピン５を降下させ、
第１の位置でウエハＷを搬出側の搬送ア−ム７３に受け
渡す。そしてこの搬送ア−ム７３によりウエハＷを処理
室２から図示しない搬出側のロ−ドロック室に搬出す
る。
降ピン４を上昇させてウエハＷを第２の昇降ピン５から
第１の昇降ピン４へ受け渡し、ウエハＷを前記第１の位
置まで押し上げると共に第２の昇降ピン５を降下させ、
第１の位置でウエハＷを搬出側の搬送ア−ム７３に受け
渡す。そしてこの搬送ア−ム７３によりウエハＷを処理
室２から図示しない搬出側のロ−ドロック室に搬出す
る。
【００２３】このような実施の形態によれば、ウエハＷ
を処理室２内に搬入した後処理温度まで加熱する工程
は、ウエハＷを載置台３に載置して、つまり面接触して
行なうので、ウエハＷは載置台３からの熱伝導により加
熱され、従ってウエハＷは処理温度まで早いスピ−ドで
昇温する。仮に既述したようにウエハＷを載置台３に接
触させないで加熱すると昇温スピ−ドが遅くなり、例え
ばウエハＷを６４０℃程度に加熱する場合には、ウエハ
Ｗを載置台３上で加熱する方が、第２の位置で加熱する
場合に比べて約３０秒速くなる。
を処理室２内に搬入した後処理温度まで加熱する工程
は、ウエハＷを載置台３に載置して、つまり面接触して
行なうので、ウエハＷは載置台３からの熱伝導により加
熱され、従ってウエハＷは処理温度まで早いスピ−ドで
昇温する。仮に既述したようにウエハＷを載置台３に接
触させないで加熱すると昇温スピ−ドが遅くなり、例え
ばウエハＷを６４０℃程度に加熱する場合には、ウエハ
Ｗを載置台３上で加熱する方が、第２の位置で加熱する
場合に比べて約３０秒速くなる。
【００２４】そしてウエハＷの熱処理は、第１の昇降ピ
ン４と搬送ア−ム７１との間のウエハＷの受け渡しの位
置よりも低い、載置台３より僅かに浮上した位置にて載
置台３とは接触させないで行うので、熱処理時はウエハ
Ｗは載置台３からの輻射熱のみで加熱される。従ってウ
エハＷ側では、抵抗発熱体３１の形状に対応して載置台
３の載置面に形成される温度分布パタ−ンがなまされる
ため、載置台３に接触させて熱処理を行なった場合に比
べて、前記温度分布の影響が緩和されるので、ウエハの
面内温度均一性が高くなって、これにより膜厚について
高い面内均一性が得られ、歩留まりが向上する。
ン４と搬送ア−ム７１との間のウエハＷの受け渡しの位
置よりも低い、載置台３より僅かに浮上した位置にて載
置台３とは接触させないで行うので、熱処理時はウエハ
Ｗは載置台３からの輻射熱のみで加熱される。従ってウ
エハＷ側では、抵抗発熱体３１の形状に対応して載置台
３の載置面に形成される温度分布パタ−ンがなまされる
ため、載置台３に接触させて熱処理を行なった場合に比
べて、前記温度分布の影響が緩和されるので、ウエハの
面内温度均一性が高くなって、これにより膜厚について
高い面内均一性が得られ、歩留まりが向上する。
【００２５】さらにウエハＷを載置台３から浮上させて
熱処理を行なうと、ウエハＷの外周縁部と載置部３上面
とに亘って連続した薄膜が形成されることがほとんど起
らないため、ウエハＷを載置台３から第１の昇降ピン４
にて押し上げる際に、上述の連続した薄膜が剥がれるこ
とにより発生するパ−ティクルを極めて少なくすること
ができる。
熱処理を行なうと、ウエハＷの外周縁部と載置部３上面
とに亘って連続した薄膜が形成されることがほとんど起
らないため、ウエハＷを載置台３から第１の昇降ピン４
にて押し上げる際に、上述の連続した薄膜が剥がれるこ
とにより発生するパ−ティクルを極めて少なくすること
ができる。
【００２６】さらにまたウエハＷを載置台３から浮上さ
せて熱処理を行なうと、処理ガスがウエハＷの外周縁部
から裏面側に回り込み、ウエハＷの表面側、外周縁部の
みならず裏面側にもポリシリコンが成膜され、ウエハＷ
の裏面側では周縁部よりは膜厚が薄いながら中央部にも
ある程度の厚さのポリシリコン膜が形成される。この様
子を図４に示すと、熱処理によりウエハＷのＳｉＯ2 膜
の上にポリシリコン膜が形成され、ウエハＷの表面全体
がポリシリコン膜で覆われた状態となる。
せて熱処理を行なうと、処理ガスがウエハＷの外周縁部
から裏面側に回り込み、ウエハＷの表面側、外周縁部の
みならず裏面側にもポリシリコンが成膜され、ウエハＷ
の裏面側では周縁部よりは膜厚が薄いながら中央部にも
ある程度の厚さのポリシリコン膜が形成される。この様
子を図４に示すと、熱処理によりウエハＷのＳｉＯ2 膜
の上にポリシリコン膜が形成され、ウエハＷの表面全体
がポリシリコン膜で覆われた状態となる。
【００２７】このようにウエハＷの裏面側に所定の厚さ
でポリシリコン膜が形成されると、ゲッタリング効果を
得ることができる。また次工程でフッ酸溶液による洗浄
処理を行なう場合にも、ポリシリコン膜はある程度の厚
さであればフッ酸溶液に耐えられるため、ウエハＷの裏
面側のポリシリコン膜がフッ酸溶液より侵されて破れて
しまうことはなく、ポリシリコン膜で保護された状態で
フッ酸溶液により自然酸化膜を除去することができる。
でポリシリコン膜が形成されると、ゲッタリング効果を
得ることができる。また次工程でフッ酸溶液による洗浄
処理を行なう場合にも、ポリシリコン膜はある程度の厚
さであればフッ酸溶液に耐えられるため、ウエハＷの裏
面側のポリシリコン膜がフッ酸溶液より侵されて破れて
しまうことはなく、ポリシリコン膜で保護された状態で
フッ酸溶液により自然酸化膜を除去することができる。
【００２８】ここで図５は上述の洗浄処理が実施される
洗浄装置の一例を示す図であり、ウエハＷは保持具９４
に搭載されて、例えば０．５％フッ酸溶液（ＨＦ）で満
たされた洗浄槽９１内に所定時間浸漬され、その後純水
でリンスされる。なお図５中９２は越流部、Ｐはポン
プ、９３は整流板である。
洗浄装置の一例を示す図であり、ウエハＷは保持具９４
に搭載されて、例えば０．５％フッ酸溶液（ＨＦ）で満
たされた洗浄槽９１内に所定時間浸漬され、その後純水
でリンスされる。なお図５中９２は越流部、Ｐはポン
プ、９３は整流板である。
【００２９】上述の熱処理装置において、熱処理を行う
位置はウエハＷを載置台３の載置面から１〜２ｍｍ浮上
させた位置であることが望ましい。あまり載置台３に近
くなるとウエハＷの外周縁部から載置台３の載置面に亘
って薄膜が形成され、逆に載置台３から遠くなると熱処
理時の昇温スピ−ドが遅くなり、また載置台３のヒ−タ
の消費電力を大きくしなければならなくなるからであ
る。
位置はウエハＷを載置台３の載置面から１〜２ｍｍ浮上
させた位置であることが望ましい。あまり載置台３に近
くなるとウエハＷの外周縁部から載置台３の載置面に亘
って薄膜が形成され、逆に載置台３から遠くなると熱処
理時の昇温スピ−ドが遅くなり、また載置台３のヒ−タ
の消費電力を大きくしなければならなくなるからであ
る。
【００３０】以上において、本実施の形態では、第１の
昇降ピン４と第２の昇降ピン５との２組の昇降ピンによ
り、ウエハＷが載置台３上の載置面と、前記第１の位置
及び第２の位置をとり得るようにしたが、例えば３本か
らなる１組の昇降ピンをボ−ルネジ機構からなる昇降機
構により昇降させ、前記第１の位置と第２の位置とで夫
々停止させるように構成して昇降部としてもよい。
昇降ピン４と第２の昇降ピン５との２組の昇降ピンによ
り、ウエハＷが載置台３上の載置面と、前記第１の位置
及び第２の位置をとり得るようにしたが、例えば３本か
らなる１組の昇降ピンをボ−ルネジ機構からなる昇降機
構により昇降させ、前記第１の位置と第２の位置とで夫
々停止させるように構成して昇降部としてもよい。
【００３１】次に図６に本発明の他の実施の形態の要部
を示す。この実施の形態では昇降部は、昇降機構８２に
より昇降され、その一部に搬送ア−ム７１が進入するた
めの切欠が形成された載置台３よりも一回り大きい昇降
リング８に、その内方側に伸び出すように例えば４本の
保持ア−ム８１を設けて構成されている。そして載置台
３上面には、前記保持ア−ム８１に対応する位置に溝部
３２が形成されており、昇降リング８が降下したときに
は、保持ア−ム８１が載置台３の溝部３２に埋没するよ
うに構成されている。
を示す。この実施の形態では昇降部は、昇降機構８２に
より昇降され、その一部に搬送ア−ム７１が進入するた
めの切欠が形成された載置台３よりも一回り大きい昇降
リング８に、その内方側に伸び出すように例えば４本の
保持ア−ム８１を設けて構成されている。そして載置台
３上面には、前記保持ア−ム８１に対応する位置に溝部
３２が形成されており、昇降リング８が降下したときに
は、保持ア−ム８１が載置台３の溝部３２に埋没するよ
うに構成されている。
【００３２】このような実施の形態では、通常は保持ア
−ム８１が載置台３の溝部３２に埋没するように昇降リ
ング８を配置しておき、搬送ア−ム７１からウエハＷを
受け取る際には昇降リング８を前記第１の位置まで上昇
させて、保持ア−ム８１にてウエハＷを保持する。そし
て昇降リング８１を降下させてウエハＷを載置台３上の
載置面に載置して、所定温度まで加熱した後、再び昇降
リング８を前記第２の位置まで上昇させてウエハＷの熱
処理を行う。また本実施の形態においては、昇降リング
８に切欠を形成せず、載置台３の上面から図示しない昇
降ピンを突出させる構成として、一旦搬送ア−ム７１か
ら昇降ピンにウエハＷを受け渡した後に、ここから保持
ア−ム８１にウエハＷを受け渡すようにしてもよい。
−ム８１が載置台３の溝部３２に埋没するように昇降リ
ング８を配置しておき、搬送ア−ム７１からウエハＷを
受け取る際には昇降リング８を前記第１の位置まで上昇
させて、保持ア−ム８１にてウエハＷを保持する。そし
て昇降リング８１を降下させてウエハＷを載置台３上の
載置面に載置して、所定温度まで加熱した後、再び昇降
リング８を前記第２の位置まで上昇させてウエハＷの熱
処理を行う。また本実施の形態においては、昇降リング
８に切欠を形成せず、載置台３の上面から図示しない昇
降ピンを突出させる構成として、一旦搬送ア−ム７１か
ら昇降ピンにウエハＷを受け渡した後に、ここから保持
ア−ム８１にウエハＷを受け渡すようにしてもよい。
【００３３】ここで実際に、成膜処理を載置台からウエ
ハＷを浮上させて行った場合とウエハＷを載置台に載置
して行った場合とについて、ウエハＷの裏面側のポリシ
リコン膜の膜厚を比較した。成膜処理は、処理室内を１
０００Ｐａの圧力に維持しながら、ＳｉＨ4 ，ＰＨ3 ，
Ｎ2 ，ＢＮ2 ガスを例えば夫々４００，３２，５６８，
５００ｃｃ／分の流量で導入すると共に、ウエハＷを例
えば６４０℃に加熱して、ウエハＷ表面にリンがド−プ
された厚さ１１１０オングストロームのポリシリコン膜
を形成する処理とした。
ハＷを浮上させて行った場合とウエハＷを載置台に載置
して行った場合とについて、ウエハＷの裏面側のポリシ
リコン膜の膜厚を比較した。成膜処理は、処理室内を１
０００Ｐａの圧力に維持しながら、ＳｉＨ4 ，ＰＨ3 ，
Ｎ2 ，ＢＮ2 ガスを例えば夫々４００，３２，５６８，
５００ｃｃ／分の流量で導入すると共に、ウエハＷを例
えば６４０℃に加熱して、ウエハＷ表面にリンがド−プ
された厚さ１１１０オングストロームのポリシリコン膜
を形成する処理とした。
【００３４】上述の成膜処理後、図７に示すように、ウ
エハＷの裏面側の周縁部側の位置Ａと中央部の位置Ｂと
についてポリシリコン膜の膜厚を測定したところ、浮上
させて行った場合には（図７（ａ）参照）、位置Ａでは
７８０オングストロ−ム、位置Ｂでは１７０オングスト
ロ−ムであり、載置して行った場合（図７（ｂ）参照）
には、位置Ａでは７００オングストロ−ム、位置Ｂでは
６８オングストロ−ムであった。また浮上して成膜処理
を行ったウエハＷに対して０．５％フッ酸溶液で洗浄処
理を行ったところ、ポリシリコン膜が剥がれることなく
処理を行うことができた。
エハＷの裏面側の周縁部側の位置Ａと中央部の位置Ｂと
についてポリシリコン膜の膜厚を測定したところ、浮上
させて行った場合には（図７（ａ）参照）、位置Ａでは
７８０オングストロ−ム、位置Ｂでは１７０オングスト
ロ−ムであり、載置して行った場合（図７（ｂ）参照）
には、位置Ａでは７００オングストロ−ム、位置Ｂでは
６８オングストロ−ムであった。また浮上して成膜処理
を行ったウエハＷに対して０．５％フッ酸溶液で洗浄処
理を行ったところ、ポリシリコン膜が剥がれることなく
処理を行うことができた。
【００３５】続いて図８に本発明のさらに他の実施の形
態の要部を示す。この実施の形態では、第２の昇降ピン
５（５１、５２、５３）の少なくとも１つに温度測定端
子５４が設けられている。温度測定端子５４としては例
えば熱電対が用いられ、この温度測定端子５４は例えば
第２の昇降ピン５の先端部に内蔵されている。
態の要部を示す。この実施の形態では、第２の昇降ピン
５（５１、５２、５３）の少なくとも１つに温度測定端
子５４が設けられている。温度測定端子５４としては例
えば熱電対が用いられ、この温度測定端子５４は例えば
第２の昇降ピン５の先端部に内蔵されている。
【００３６】このような実施の形態では、ウエハＷを載
置台３の載置面から浮上させて熱処理を行う際にもウエ
ハＷの温度を制御することができる。つまり熱処理を行
う際にはウエハＷは第２の昇降ピン５により第２の位置
で支持されているが、この際この第２の昇降ピン５の先
端部はウエハＷの裏面側に接触しているので、ウエハＷ
の温度が第２の昇降ピン５に内蔵された温度測定端子５
４により測定され、この値に基づいてウエハＷの温度を
制御することができる。
置台３の載置面から浮上させて熱処理を行う際にもウエ
ハＷの温度を制御することができる。つまり熱処理を行
う際にはウエハＷは第２の昇降ピン５により第２の位置
で支持されているが、この際この第２の昇降ピン５の先
端部はウエハＷの裏面側に接触しているので、ウエハＷ
の温度が第２の昇降ピン５に内蔵された温度測定端子５
４により測定され、この値に基づいてウエハＷの温度を
制御することができる。
【００３７】またウエハＷを載置台３の載置面に面接触
させて所定温度に加熱する際にも、第２の昇降ピン５を
載置台３の載置面から埋没した位置において、ウエハＷ
の裏面側にその先端部が接触するように配置しておくこ
とにより、ウエハＷの温度を測定することができるの
で、この値に基づいてウエハＷの温度を制御することが
できる。
させて所定温度に加熱する際にも、第２の昇降ピン５を
載置台３の載置面から埋没した位置において、ウエハＷ
の裏面側にその先端部が接触するように配置しておくこ
とにより、ウエハＷの温度を測定することができるの
で、この値に基づいてウエハＷの温度を制御することが
できる。
【００３８】以上において本実施の形態では温度測定端
子５４を複数の昇降ピンに設けるようにしてもよい。ま
た本実施の形態を上述の昇降リング８に適用し、保持ア
−ム８１に温度測定端子５４を設けるようにしてもよ
い。そして前記温度測定端子５４としては、光ファイバ
の先端部に温度に応じて発光強度が変化する蛍光物質を
塗布した構成のものでもよく、この場合光ファイバから
送られてきた光により蛍光物質が発光するが、その発光
強度が温度に応じて変化するため、発光した光を光ファ
イバの基端側で受光して強度を検出することができる。
子５４を複数の昇降ピンに設けるようにしてもよい。ま
た本実施の形態を上述の昇降リング８に適用し、保持ア
−ム８１に温度測定端子５４を設けるようにしてもよ
い。そして前記温度測定端子５４としては、光ファイバ
の先端部に温度に応じて発光強度が変化する蛍光物質を
塗布した構成のものでもよく、この場合光ファイバから
送られてきた光により蛍光物質が発光するが、その発光
強度が温度に応じて変化するため、発光した光を光ファ
イバの基端側で受光して強度を検出することができる。
【００３９】なお本発明は、ウエハの裏面に成膜するに
あたっては、抵抗発熱体自体を加熱体として直接この上
にウエハを載せてもよいし、他の発熱体の上に直接また
は載置板を介してウエハを載せてもよい。載置板を用い
た場合には発熱体と載置板とで加熱体が構成される。ま
たウエハＷを載置台３上に載置して処理温度まで昇温さ
せる場合に限らず、処理温度に至る前に第２の位置に浮
上させて、この第２の位置で処理温度まで加熱する場合
も含むものである。
あたっては、抵抗発熱体自体を加熱体として直接この上
にウエハを載せてもよいし、他の発熱体の上に直接また
は載置板を介してウエハを載せてもよい。載置板を用い
た場合には発熱体と載置板とで加熱体が構成される。ま
たウエハＷを載置台３上に載置して処理温度まで昇温さ
せる場合に限らず、処理温度に至る前に第２の位置に浮
上させて、この第２の位置で処理温度まで加熱する場合
も含むものである。
【００４０】以上において本発明では、上述の成膜プロ
セスに限らず例えばジクロルシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）
とアンモニア（ＮＨ3 ）とを用いてシリコンナイトライ
ド膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を生成するプロセスにも適用でき
る。また本発明における熱処理には上述のＣＶＤ処理の
他、酸化処理やエッチング（裏面エッチングは除かれ
る）、アッシング等も含まれ、窒素ガスや水素ガスを流
しながらアニ−ルを行う場合も含まれる。なお本発明を
酸化処理に適用した場合には、酸化処理はウエハの表面
温度に律速するので、ウエハの面内温度均一性を高める
ことにより、酸化膜の面内均一性を向上させることがで
きるという利点が得られる。
セスに限らず例えばジクロルシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）
とアンモニア（ＮＨ3 ）とを用いてシリコンナイトライ
ド膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を生成するプロセスにも適用でき
る。また本発明における熱処理には上述のＣＶＤ処理の
他、酸化処理やエッチング（裏面エッチングは除かれ
る）、アッシング等も含まれ、窒素ガスや水素ガスを流
しながらアニ−ルを行う場合も含まれる。なお本発明を
酸化処理に適用した場合には、酸化処理はウエハの表面
温度に律速するので、ウエハの面内温度均一性を高める
ことにより、酸化膜の面内均一性を向上させることがで
きるという利点が得られる。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、被処理基板に対する載
置台側の温度分布の影響を緩和して、膜厚について面内
均一性の高い熱処理を行なうことができる。また例えば
ポリシリコン等の成膜処理を行う場合に、被処理基板の
裏面側にも薄膜を形成することができる。さらに昇降部
に温度測定端子を設けることにより、例えば被処理基板
を載置台から浮上させて熱処理を行なう場合にも、被処
理基板の温度を制御することができる。
置台側の温度分布の影響を緩和して、膜厚について面内
均一性の高い熱処理を行なうことができる。また例えば
ポリシリコン等の成膜処理を行う場合に、被処理基板の
裏面側にも薄膜を形成することができる。さらに昇降部
に温度測定端子を設けることにより、例えば被処理基板
を載置台から浮上させて熱処理を行なう場合にも、被処
理基板の温度を制御することができる。
【図１】本発明方法を実施する熱処理装置の一形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の実施の形態における要部を示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明方法の作用を説明するための説明図であ
る。
る。
【図４】本発明方法によりポリシリコン膜を成膜した場
合のウエハＷを示す断面図である。
合のウエハＷを示す断面図である。
【図５】洗浄装置の一形態を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態の要部を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】ウエハＷの裏面側のポリシリコン膜の膜厚を示
す説明図である。
す説明図である。
【図８】本発明のさらに他の実施の形態の要部を示す断
面図である。
面図である。
【図９】従来の熱処理装置を示す断面図である。
【図１０】載置台に設けられた抵抗発熱線の配線パタ−
ンを示す平面図である。
ンを示す平面図である。
２ 処理室 ３ 載置台 ３１ 抵抗発熱体 ３２ 溝部 ４ 第１の昇降ピン ４ａ、５ａ エアシリンダ ５ 第２の昇降ピン ５４ 温度測定端子 ６ ガス供給部 ７ ロ−ドロック室 ７１ 搬送ア−ム ８ 昇降リング ８１ 保持ア−ム ９１ 洗浄槽
Claims (6)
- 【請求項１】 被処理基板を処理室内に搬入して抵抗発
熱体を備えた載置台の上に載置する工程と、 次いで前記被処理基板を前記抵抗発熱体により加熱する
工程と、 その後前記被処理基板を前記載置台から僅かに浮上させ
て載置台からの輻射熱により加熱しながら、処理ガスを
処理室内に供給して当該被処理基板に対して熱処理を行
なう工程と、 を備えたことを特徴とする熱処理方法。 - 【請求項２】 被処理基板を処理室内に搬入して抵抗発
熱体を備えた載置台の上にまたは加熱体の上に載置する
工程と、 次いで前記被処理基板を前記抵抗発熱体により加熱する
工程と、 その後前記被処理基板を前記載置台から僅かに浮上させ
て載置台からの輻射熱により加熱しながら、成膜ガスを
処理室内に供給して当該被処理基板の表面及び裏面に薄
膜を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする熱処理方法。 - 【請求項３】 薄膜はポリシリコンであることを特徴と
する請求項２記載の熱処理方法。 - 【請求項４】 処理室内に設けられ、抵抗発熱体を備え
た載置台と、この載置台の載置面から埋没した位置に待
機し、被処理基板の裏面を保持して当該被処理基板を載
置台上と載置台から浮上させた位置との間で昇降させる
昇降部と、被処理基板を保持して処理室と外部との間を
搬送し、前記昇降部との間で被処理基板の受け渡しを行
う搬送手段とを備え、被処理基板を前記抵抗発熱体によ
り加熱しながら、処理ガスにより処理する熱処理装置に
おいて、 前記昇降部は、前記搬送手段との間で被処理基板の受け
渡しを行う第１の位置及び、この第１の位置と前記載置
台の載置面との間の第２の位置にて停止できるように構
成され、前記搬送手段から受け取った被処理基板を、載
置台上に載置して前記抵抗発熱体により加熱し、次いで
第２の位置に停止し、被処理基板を載置台から浮上させ
て載置台からの輻射熱により加熱しながら熱処理を行う
ことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項５】 前記昇降部に、前記被処理基板の温度を
測定するための温度測定端子を設けたことを特徴とする
請求項４記載の熱処理装置。 - 【請求項６】 前記昇降部は複数の昇降ピンであり、こ
れら昇降ピンのうちの少なくとも１つに前記被処理基板
の温度を測定するための温度測定端子を設けたことを特
徴とする請求項４記載の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33036596A JP3604522B2 (ja) | 1995-11-28 | 1996-11-26 | 熱処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-334076 | 1995-11-28 | ||
| JP33407695 | 1995-11-28 | ||
| JP8-209018 | 1996-07-19 | ||
| JP20901896 | 1996-07-19 | ||
| JP33036596A JP3604522B2 (ja) | 1995-11-28 | 1996-11-26 | 熱処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083965A true JPH1083965A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3604522B2 JP3604522B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=27328952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33036596A Expired - Fee Related JP3604522B2 (ja) | 1995-11-28 | 1996-11-26 | 熱処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3604522B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2004179355A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空装置及び加熱処理装置 |
| US6773158B2 (en) | 2000-02-29 | 2004-08-10 | Tokyo Electron Limited | Resonant circuit for measuring temperature profile of a semiconductor substrate |
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| KR100964619B1 (ko) | 2003-10-06 | 2010-06-22 | 삼성전자주식회사 | 리프트 핀, 이를 포함하는 리프팅 장치 |
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| CN114672789A (zh) * | 2020-12-25 | 2022-06-28 | 中国科学院微电子研究所 | 一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法 |
-
1996
- 1996-11-26 JP JP33036596A patent/JP3604522B2/ja not_active Expired - Fee Related
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