JPS60150633A - プラズマエツチング装置のロ−ドロツク室 - Google Patents
プラズマエツチング装置のロ−ドロツク室Info
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- JPS60150633A JPS60150633A JP580984A JP580984A JPS60150633A JP S60150633 A JPS60150633 A JP S60150633A JP 580984 A JP580984 A JP 580984A JP 580984 A JP580984 A JP 580984A JP S60150633 A JPS60150633 A JP S60150633A
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- etching
- chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造プロセスの１つであルエッチ
ングに使用されるプラズマエツチング装置を一般に構成
するエツチング部とエツチング前後の試料すなわち基板
をハンドリングする部（以下この部をロードロック室と
いう）のうちロードロック室の改良に関するものである
。
ングに使用されるプラズマエツチング装置を一般に構成
するエツチング部とエツチング前後の試料すなわち基板
をハンドリングする部（以下この部をロードロック室と
いう）のうちロードロック室の改良に関するものである
。
さらに詳しく説明すれば半導体装置の製造プロセスにお
いて、反応性ガスのプラズマを利用した基板のエツチン
グは汚染が少く、異方性エツチングが可能であるため微
細パターンの形成にはＭ要な工程である。しかしアルミ
ニウムと数チの銅とのＡｔ合金等の膜を塩素を含む反応
性ガス、たとえば０Ｃ１４，ＢＣｌ、、ＢＩＣ１４，Ｏ
１２などのプラズマでエツチングした場合、蒸気圧の低
いＯｕ ＣＺ ２等が形成され、それらが基板上のホト
レジストその他の表面に吸着する。そのためエツチング
後基板をそのまま取出して大気に触れさせると、空気中
の水分を吸収し、Ａ、を合金のパターンを腐食させ、そ
の結果基板上の配線を断線させるという破滅的な欠陥を
招くことになる。本発明はエツチング後大気中に取り出
しても腐食しないようにする後処理を前記ロードロック
室で行う手段に関するものである。
いて、反応性ガスのプラズマを利用した基板のエツチン
グは汚染が少く、異方性エツチングが可能であるため微
細パターンの形成にはＭ要な工程である。しかしアルミ
ニウムと数チの銅とのＡｔ合金等の膜を塩素を含む反応
性ガス、たとえば０Ｃ１４，ＢＣｌ、、ＢＩＣ１４，Ｏ
１２などのプラズマでエツチングした場合、蒸気圧の低
いＯｕ ＣＺ ２等が形成され、それらが基板上のホト
レジストその他の表面に吸着する。そのためエツチング
後基板をそのまま取出して大気に触れさせると、空気中
の水分を吸収し、Ａ、を合金のパターンを腐食させ、そ
の結果基板上の配線を断線させるという破滅的な欠陥を
招くことになる。本発明はエツチング後大気中に取り出
しても腐食しないようにする後処理を前記ロードロック
室で行う手段に関するものである。
次に従来の技術について説明′１−る。ＡＡ合金暎のエ
ツチング装置は一般にエツチング部と基板をハンドリン
グするロードロック室をもっている。
ツチング装置は一般にエツチング部と基板をハンドリン
グするロードロック室をもっている。
そして前記の基板腐食防止のためには、ロードロック室
を乾燥望素（Ｎ２）ガスで大気圧にした後、大気に触れ
ることなくＮ２雰囲気中を水洗室まで運び水洗するよう
に構成した装置が用いられていた。しかしこの方法は水
洗室の水蒸気がロードロック室に徐々に拡散し、装置そ
のものを腐食する原因となるという欠点があった。
を乾燥望素（Ｎ２）ガスで大気圧にした後、大気に触れ
ることなくＮ２雰囲気中を水洗室まで運び水洗するよう
に構成した装置が用いられていた。しかしこの方法は水
洗室の水蒸気がロードロック室に徐々に拡散し、装置そ
のものを腐食する原因となるという欠点があった。
本発明はこのような欠点を除くために行ったもので、以
下図面を用いて詳細に説明するが、その要点はエツチン
グ部より取出したエツチング済の基板をロードロック室
にて室夕ｉに設けた加熱ランプによる上面加熱を行うこ
とによって、吸着分子の蒸気圧を制め基板表面より除去
する方法である。
下図面を用いて詳細に説明するが、その要点はエツチン
グ部より取出したエツチング済の基板をロードロック室
にて室夕ｉに設けた加熱ランプによる上面加熱を行うこ
とによって、吸着分子の蒸気圧を制め基板表面より除去
する方法である。
この方法はロードロック室の真空を破らず高真空の下で
行えるため、一旦離脱した吸着分子が基板表面に再付着
することはなく、腐食の原因である吸着分子を速かに除
去できる。またこの方法では加熱源となるランプは外部
に置くので、ロードロック室内部が複雑になることが避
けられるという大きな利点がある。なぜなら加熱源かロ
ードロック室内にあれは少くとも熱に弱いベルトの保護
のための熱遮蔽が必要となるからである。
行えるため、一旦離脱した吸着分子が基板表面に再付着
することはなく、腐食の原因である吸着分子を速かに除
去できる。またこの方法では加熱源となるランプは外部
に置くので、ロードロック室内部が複雑になることが避
けられるという大きな利点がある。なぜなら加熱源かロ
ードロック室内にあれは少くとも熱に弱いベルトの保護
のための熱遮蔽が必要となるからである。
第１図は本発明によるロードロック室の構成例を示す上
面図、第２図は同じく側面図で、両図共析面図にて示し
である。これらの図において図中の記号は共通であって
、１はエツチング部（エツチングチャンバ）、２はロー
ドロック室、６はゲートバルブ、４は後記のように真空
にしたロードロック室に流される１（２ガス注入口、５
は未処理基板を一枚ずつ積上げ保管するカセツ）Ａ、１
０は処理済基板を保管するカセツ）Ｂ、６は基板搬入用
フォーク、７は基板搬出用フォーク、８は一時保管用の
バッファカセット、９は基板受台、１１は石英製ガラス
窓、１２は加熱用ラング、１３゜１４．１５はカセット
内の基板（ウェハ）を上下させてベルトにのせまたはベ
ルトから取出して積上げるメカニズムの制御器、１６は
基板受台９を上下させるメカニズムの制御器、１ノ、１
８はストッパ制御器で、基板を停止させろストッパを上
下させる。１９は排気口である。なお６．７および１３
〜１８はたとえば別な位置に設けた制御ボード力・ら送
られる開側１信号によってノーケンス制御される駆動用
モータを含むものもある。またイ、口、ハ、二で示した
ベルトの駆動部分は表示を省略しである。
面図、第２図は同じく側面図で、両図共析面図にて示し
である。これらの図において図中の記号は共通であって
、１はエツチング部（エツチングチャンバ）、２はロー
ドロック室、６はゲートバルブ、４は後記のように真空
にしたロードロック室に流される１（２ガス注入口、５
は未処理基板を一枚ずつ積上げ保管するカセツ）Ａ、１
０は処理済基板を保管するカセツ）Ｂ、６は基板搬入用
フォーク、７は基板搬出用フォーク、８は一時保管用の
バッファカセット、９は基板受台、１１は石英製ガラス
窓、１２は加熱用ラング、１３゜１４．１５はカセット
内の基板（ウェハ）を上下させてベルトにのせまたはベ
ルトから取出して積上げるメカニズムの制御器、１６は
基板受台９を上下させるメカニズムの制御器、１ノ、１
８はストッパ制御器で、基板を停止させろストッパを上
下させる。１９は排気口である。なお６．７および１３
〜１８はたとえば別な位置に設けた制御ボード力・ら送
られる開側１信号によってノーケンス制御される駆動用
モータを含むものもある。またイ、口、ハ、二で示した
ベルトの駆動部分は表示を省略しである。
第１図および第２図においてエツチングされた基板はエ
ツチングチャンバ１より基板取出用フォーク７によって
１枚ずつロードロック室２に取出され、ベルト＠によっ
てバッファカセット８に順に一旦装填される。バッファ
カセット８の次には基板受台９があり、ストッパ１７の
操作によってカセット８内の基板は１枚ずつ受台９土に
搬送される。受台９は上下移動可動であり、受台の真上
には放射熱を通過させる石英ガラス窓を介して加熱用ラ
ンプ１２がある。さらに受台９より加熱して吸着分子を
除去済の基板をカセツ）（Ｂ）１０に搬送し順に装填す
る搬送ベルトＯおよびカセット装填機構１５がある。ま
たロードロック室にはたとえばＮ２ガスのような不活性
ガスの吹出口４が設けられている。
ツチングチャンバ１より基板取出用フォーク７によって
１枚ずつロードロック室２に取出され、ベルト＠によっ
てバッファカセット８に順に一旦装填される。バッファ
カセット８の次には基板受台９があり、ストッパ１７の
操作によってカセット８内の基板は１枚ずつ受台９土に
搬送される。受台９は上下移動可動であり、受台の真上
には放射熱を通過させる石英ガラス窓を介して加熱用ラ
ンプ１２がある。さらに受台９より加熱して吸着分子を
除去済の基板をカセツ）（Ｂ）１０に搬送し順に装填す
る搬送ベルトＯおよびカセット装填機構１５がある。ま
たロードロック室にはたとえばＮ２ガスのような不活性
ガスの吹出口４が設けられている。
次に本装置の動作についてさらに詳しく説明する。たと
えは前記のように基板−ヒのＡｔ合金膜のエツチングは
ａｔを含む反応ガスのプラズマによって行うので、基板
の表面にはａｔを含む多くの成分が吸着している。第１
図および第２図においてエツチングの終った基板はエツ
チングチャンバから１枚ずつフォーク７によって取り出
され、バッファカセット８に一旦装填される。これと同
時に未処理の新しい基板はカセツ） （Ａ） ５よりエ
ツチング室へフォーク６によって送られる。これらの操
作が終ればエツチング部１とロードロック室２の間のゲ
ートバルブを閉じエツチングを開始する。
えは前記のように基板−ヒのＡｔ合金膜のエツチングは
ａｔを含む反応ガスのプラズマによって行うので、基板
の表面にはａｔを含む多くの成分が吸着している。第１
図および第２図においてエツチングの終った基板はエツ
チングチャンバから１枚ずつフォーク７によって取り出
され、バッファカセット８に一旦装填される。これと同
時に未処理の新しい基板はカセツ） （Ａ） ５よりエ
ツチング室へフォーク６によって送られる。これらの操
作が終ればエツチング部１とロードロック室２の間のゲ
ートバルブを閉じエツチングを開始する。
他方エツチングを終了したバッファカセット８内の基板
は１枚ずつカ七ツト装填と取出機構１４と搬送ヘルドＯ
によって基板受台９に運はれ停止される。（この搬送開
始や停止はストッパ制御器１７．４８のシーケンス制御
卸によって行われる。）受台９は次に加熱用ランプ１２
０近くまで上昇させられ、その上の基板は１２０℃〜１
５０℃に加熱される。この間注入［」４からＮ２ガスを
微Ｍ庄人し、ロードロック室２内を１０−１〜数ＴＯｒ
ｒに保ちながら、矢印のように抽気口１９に向って排気
する、このとき基板表面に吸着した分子は蒸発離脱しＮ
２ガスと共に排気される。加熱処理の終了した基板は受
台９をもとに復帰させた後カセット（Ｂ１１０に搬送格
納する。このようにバソファカセノ１−８にエツチング
部より取り出され一旦蓄積された基板は１枚ずつ取り出
され加熱処理されるが、加熱時間は１枚につき１〜２分
で、加熱温度は１２０〜２００℃が適当であった。また
上記の加熱処理の結果Ａｔ合金膜のエツチング後はパタ
ーンを形成したＡｔ合金膜が腐食されることは防止され
ることが確められた。
は１枚ずつカ七ツト装填と取出機構１４と搬送ヘルドＯ
によって基板受台９に運はれ停止される。（この搬送開
始や停止はストッパ制御器１７．４８のシーケンス制御
卸によって行われる。）受台９は次に加熱用ランプ１２
０近くまで上昇させられ、その上の基板は１２０℃〜１
５０℃に加熱される。この間注入［」４からＮ２ガスを
微Ｍ庄人し、ロードロック室２内を１０−１〜数ＴＯｒ
ｒに保ちながら、矢印のように抽気口１９に向って排気
する、このとき基板表面に吸着した分子は蒸発離脱しＮ
２ガスと共に排気される。加熱処理の終了した基板は受
台９をもとに復帰させた後カセット（Ｂ１１０に搬送格
納する。このようにバソファカセノ１−８にエツチング
部より取り出され一旦蓄積された基板は１枚ずつ取り出
され加熱処理されるが、加熱時間は１枚につき１〜２分
で、加熱温度は１２０〜２００℃が適当であった。また
上記の加熱処理の結果Ａｔ合金膜のエツチング後はパタ
ーンを形成したＡｔ合金膜が腐食されることは防止され
ることが確められた。
本発明の効果を改めて述べると、Ａ４−Ｃｕなとのプラ
ズマエツチングにおいてエツチング終了後大気中て取り
出しても腐食を発生１−ることはなくなり、パターン付
けされた配線の断線事故は全く防止された。またこの方
法はＡＡ以外にチタン（Ｔ１）やチタン合金をＣｔを含
む反応性ガスによってエツチングする場合にも有効であ
る。
ズマエツチングにおいてエツチング終了後大気中て取り
出しても腐食を発生１−ることはなくなり、パターン付
けされた配線の断線事故は全く防止された。またこの方
法はＡＡ以外にチタン（Ｔ１）やチタン合金をＣｔを含
む反応性ガスによってエツチングする場合にも有効であ
る。
第１図および第２図は本発明によるロードロック室の構
成例を示す上面図およγｇ側面図をそれぞｈ断面図〆表
わしている。 １・・・エッチノブチャンバ、２・・・ロー ドロック
室、６・・・ゲートバルブ、４・・・ガス注入口、５，
１０・・・カセット、６，７・・・基板出入れ用フォー
ク、８・・・バッファカセット、？・・・基板受台、１
１・・・石英ガラス窓、１２・・・加熱ランプ、１５、
１４．１５．１６・・・制御器、＋７．１８川ストッパ
、１９・・・排気ｎ、 イ＋ロ、ノ１．二・・・ベルト
コンベア。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 犬塚 学 ！Ａ１名
成例を示す上面図およγｇ側面図をそれぞｈ断面図〆表
わしている。 １・・・エッチノブチャンバ、２・・・ロー ドロック
室、６・・・ゲートバルブ、４・・・ガス注入口、５，
１０・・・カセット、６，７・・・基板出入れ用フォー
ク、８・・・バッファカセット、？・・・基板受台、１
１・・・石英ガラス窓、１２・・・加熱ランプ、１５、
１４．１５．１６・・・制御器、＋７．１８川ストッパ
、１９・・・排気ｎ、 イ＋ロ、ノ１．二・・・ベルト
コンベア。 特許出願人 国際電気株式会社 代理人 犬塚 学 ！Ａ１名
Claims (1)
- エツチングチャンバとの間をゲートバルブにて開閉され
る大気を遮断したロードロック室に、室内に発生したガ
スを排出するための不活性カスを流通させるガスｔ＋人
、排出手段と、未処理基板を蓄積しておく第１のカセッ
ト（Ａ）より基板を取出しエツチングチャンバに送り込
む手段と、基板をエツチングチャンバより１枚ずつ取出
しバッフアカセントに一時収納する手段と、バッファカ
セットより１枚ずつ取出し受台に載置する・手段と、該
受台を上下に移動させる手段と、上昇された受台上の基
板をロードロック室に設けられた耐熱ガラスを通じて加
熱するロードロック室外部の加熱用ランプと、加熱処理
済の基板を第２のカセツ） （Ｂ）に移送し順に収納す
る手段とを具備したことを特徴トスるプラズマエツチン
グ装置のロードロック室。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP580984A JPS60150633A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | プラズマエツチング装置のロ−ドロツク室 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP580984A JPS60150633A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | プラズマエツチング装置のロ−ドロツク室 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150633A true JPS60150633A (ja) | 1985-08-08 |
Family
ID=11621407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP580984A Pending JPS60150633A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | プラズマエツチング装置のロ−ドロツク室 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150633A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243522A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH01294880A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH03225824A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Toshiba Corp | 半導体基板の枚葉式表面処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561026A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas plasma etching device |
| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
| JPS593927A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 薄膜のエツチング方法 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP580984A patent/JPS60150633A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5561026A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas plasma etching device |
| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
| JPS593927A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 薄膜のエツチング方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243522A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH01294880A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH03225824A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Toshiba Corp | 半導体基板の枚葉式表面処理方法 |
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