JPH0522379B2 - - Google Patents
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- JPH0522379B2 JPH0522379B2 JP58059232A JP5923283A JPH0522379B2 JP H0522379 B2 JPH0522379 B2 JP H0522379B2 JP 58059232 A JP58059232 A JP 58059232A JP 5923283 A JP5923283 A JP 5923283A JP H0522379 B2 JPH0522379 B2 JP H0522379B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に超微
細アルミニウム配線あるいは金属配線パターン形
成のためのドライエツチング後の金属の腐食防止
に好適なプラズマ処理装置に関するものである。
細アルミニウム配線あるいは金属配線パターン形
成のためのドライエツチング後の金属の腐食防止
に好適なプラズマ処理装置に関するものである。
従来のプラズマ処理装置について第１図より説
明する。
明する。
アルミニウム配線膜のドライエツチングの場合
反応ガスに四塩化炭素、四塩化ホウ素など塩素化
合物を用いる。そのためエツチング後のアルミニ
ウム表面あるいはレジスト表面に塩素化合物が吸
着する。このままの状態で大気中に出した場合、
塩素化合物は大気中の水分と反応して塩素イオン
になりアルミニウムを腐食する。そこで、吸着し
ている塩素化合物の除去が腐食防止につながる。
反応ガスに四塩化炭素、四塩化ホウ素など塩素化
合物を用いる。そのためエツチング後のアルミニ
ウム表面あるいはレジスト表面に塩素化合物が吸
着する。このままの状態で大気中に出した場合、
塩素化合物は大気中の水分と反応して塩素イオン
になりアルミニウムを腐食する。そこで、吸着し
ている塩素化合物の除去が腐食防止につながる。
ところで装置構成は第２図に示すようになつて
いる。
いる。
即ち取入口４から取り入れられた被処理物１
は、下部電極３上に載せられる。エツチング室６
は、排気口２に接続され、図示しない真空排気装
置によつて低圧まで排気され、ガス供給口８から
反応ガスである四塩化炭素が供給される。電極３
及び７に高周波電源５から高周波電圧が付加され
ることにより形成されたプラズマにより被処理物
１はエツチングされる。
は、下部電極３上に載せられる。エツチング室６
は、排気口２に接続され、図示しない真空排気装
置によつて低圧まで排気され、ガス供給口８から
反応ガスである四塩化炭素が供給される。電極３
及び７に高周波電源５から高周波電圧が付加され
ることにより形成されたプラズマにより被処理物
１はエツチングされる。
エツチングを終えた被処理物１は、プラズマ処
理室１０に開閉装置９を通して搬入される。プラ
ズマ処理室１０は、上記のごとく低圧下で酸素を
反応ガスにしてレジスト中に含まれた塩素化合物
を除去するために、プラズマ処理される。処理を
終えた被処理物１は取出口１１から取り出され
る。
理室１０に開閉装置９を通して搬入される。プラ
ズマ処理室１０は、上記のごとく低圧下で酸素を
反応ガスにしてレジスト中に含まれた塩素化合物
を除去するために、プラズマ処理される。処理を
終えた被処理物１は取出口１１から取り出され
る。
以上のごとき従来装置を用い、プラズマ処理室
１０内で施される腐食防止処理は十分でないとい
う問題点があつた。すなわち、被処理物の表面に
吸着した塩素化合物を完全にとり去ることができ
ず、腐食の原因となる。
１０内で施される腐食防止処理は十分でないとい
う問題点があつた。すなわち、被処理物の表面に
吸着した塩素化合物を完全にとり去ることができ
ず、腐食の原因となる。
これは、プラズマ処理中従来の装置では被処理
物１の温度が十分に上がらないためである。被処
理物１の温度上昇と残留塩素の関係は第１図６６
に示すように被処理物１の温度が200℃以上にす
るとエツチング処理前の塩素イオン濃度レベル６
５まで下げることが判つた。エツチング後の塩素
イオン濃度レベルは６４に示した。このように従
来のドライエツチング装置においては、被処理物
１が平行平板形の下部電極１２上に置かれている
ため、熱が下部電極１２を通して逃げてしまい、
被処理物１は120℃程度にしか到達できず十分に
残留塩素を除去できなかつた。
物１の温度が十分に上がらないためである。被処
理物１の温度上昇と残留塩素の関係は第１図６６
に示すように被処理物１の温度が200℃以上にす
るとエツチング処理前の塩素イオン濃度レベル６
５まで下げることが判つた。エツチング後の塩素
イオン濃度レベルは６４に示した。このように従
来のドライエツチング装置においては、被処理物
１が平行平板形の下部電極１２上に置かれている
ため、熱が下部電極１２を通して逃げてしまい、
被処理物１は120℃程度にしか到達できず十分に
残留塩素を除去できなかつた。
更に、従来の装置においては、エツチング室６
とプラズマ処理室１０とは、開閉装置９を介して
隣接しているために、エツチングを終えた被処理
物１を、開閉装置９を介してエツチング室６から
プラズマ処理室１０に搬入する際に、エツチング
室６内の残留ガスがプラズマ処理室１０に拡散し
てプラズマ処理室１０の内部を汚染し、また、プ
ラズマ処理室１０内の残留ガスがエツチング室６
に拡散してエツチング室６の内部を汚染してしま
い、いわゆるクロスコンタミネーシヨンより、処
理の不安定化を引き起こす原因の一つとなつてい
た。
とプラズマ処理室１０とは、開閉装置９を介して
隣接しているために、エツチングを終えた被処理
物１を、開閉装置９を介してエツチング室６から
プラズマ処理室１０に搬入する際に、エツチング
室６内の残留ガスがプラズマ処理室１０に拡散し
てプラズマ処理室１０の内部を汚染し、また、プ
ラズマ処理室１０内の残留ガスがエツチング室６
に拡散してエツチング室６の内部を汚染してしま
い、いわゆるクロスコンタミネーシヨンより、処
理の不安定化を引き起こす原因の一つとなつてい
た。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点をなく
し、超LSI製造時の超微細金属配線パターン形成
において、歩留及び信頼性向上につながる完全な
腐食防止処理を可能にしたプラズマ処理装置を提
供することにある。
し、超LSI製造時の超微細金属配線パターン形成
において、歩留及び信頼性向上につながる完全な
腐食防止処理を可能にしたプラズマ処理装置を提
供することにある。
本発明は、エツチング室とプラズマ処理室との
間に基板搬送室を設け、エツチング室とプラズマ
処理室とが同時に基板搬送室と真空的に接続しな
いようにすることで、エツチング室の残留ガスと
プラズマ処理室の残留ガスとによるクロスコンタ
ミネーシヨンを防止し、処理の安定化を図つたも
のである。更に、被処理物の保持手段を、被処理
物をプラズマ処理によるプラズマ灰化を行なうと
きにプラズマにより加熱された被処理物の熱が他
へ逃げにくい構造としたことにより、被処理物が
200℃以上の温度でプラズマ灰化処理されるよう
にして、エツチング処理時に被処理物に吸着した
エツチング処理ガスが除去されるようにしたこと
により、被処理物中のアルミ配線膜等の微細金属
配線パターンの腐食を防止できるようにしたもの
である。
間に基板搬送室を設け、エツチング室とプラズマ
処理室とが同時に基板搬送室と真空的に接続しな
いようにすることで、エツチング室の残留ガスと
プラズマ処理室の残留ガスとによるクロスコンタ
ミネーシヨンを防止し、処理の安定化を図つたも
のである。更に、被処理物の保持手段を、被処理
物をプラズマ処理によるプラズマ灰化を行なうと
きにプラズマにより加熱された被処理物の熱が他
へ逃げにくい構造としたことにより、被処理物が
200℃以上の温度でプラズマ灰化処理されるよう
にして、エツチング処理時に被処理物に吸着した
エツチング処理ガスが除去されるようにしたこと
により、被処理物中のアルミ配線膜等の微細金属
配線パターンの腐食を防止できるようにしたもの
である。
以下、本を図に示す実施例にもとづいて具体的
に説明する。
に説明する。
本発明実施例の装置構成を第３図、第４図、第
５図及び第６図により説明する。
５図及び第６図により説明する。
本実施例は、基本的には、ドライエツチング室
２８、プラズマ処理室４０及びこれら２つの処理
室を結合する中継室３０、から構成される。
２８、プラズマ処理室４０及びこれら２つの処理
室を結合する中継室３０、から構成される。
ドライエツチング室２８及びプラズマ処理室４
０は、図示しない反応ガス供給装置により、供給
口２５及び３７を通して反応ガスが供給される。
また、図示しない真空排気系により、排気口４９
及び４１を通して低圧まで排気される。
０は、図示しない反応ガス供給装置により、供給
口２５及び３７を通して反応ガスが供給される。
また、図示しない真空排気系により、排気口４９
及び４１を通して低圧まで排気される。
ドライエツチング室２８においては、平行平板
形の上部電極２４及び下部電極２３が設置されて
おり、各電極間には高周波電源４８より高周波電
圧が付加される。この時、下部電極２３は、絶縁
物４７によつて、チヤンバ２６から絶縁され、同
時にシールドケース５０によつて囲まれている。
形の上部電極２４及び下部電極２３が設置されて
おり、各電極間には高周波電源４８より高周波電
圧が付加される。この時、下部電極２３は、絶縁
物４７によつて、チヤンバ２６から絶縁され、同
時にシールドケース５０によつて囲まれている。
プラズマ処理室４０には、外部電極３６及び４
２が設置されており、各電極間には高周波電源３
９によつて高周波電圧が付加される。なお、チヤ
ンバ３８は石英製である。
２が設置されており、各電極間には高周波電源３
９によつて高周波電圧が付加される。なお、チヤ
ンバ３８は石英製である。
次に搬送機構群の説明を行う。
下部電極２３は、駆動系４６により回転し、位
置制御される。また、被処理物２７が置かれる位
置には、押し上げピン４５が貫通できる穴があけ
られている。押し上げピン４５は、駆動系４４を
駆動源とする装置によつて上下に動く。
置制御される。また、被処理物２７が置かれる位
置には、押し上げピン４５が貫通できる穴があけ
られている。押し上げピン４５は、駆動系４４を
駆動源とする装置によつて上下に動く。
中継室３０内には、搬送アーム３１が設置され
ており、押し上げピン４５により押し上げられた
被処理物２７を中継室３０に搬送できる。搬送ア
ーム３１は、ベルト４３を駆動することにより動
かす。このために、エツチング室２８と、中継室
３０の間には開閉装置（開閉手段）２９が設置さ
れている。さらに、ベルト搬送機構５１及び、可
能ベルト搬送機構５２により、積層装置（保持手
段）３２内に被処理物２７を搬入できるようにな
つている。
ており、押し上げピン４５により押し上げられた
被処理物２７を中継室３０に搬送できる。搬送ア
ーム３１は、ベルト４３を駆動することにより動
かす。このために、エツチング室２８と、中継室
３０の間には開閉装置（開閉手段）２９が設置さ
れている。さらに、ベルト搬送機構５１及び、可
能ベルト搬送機構５２により、積層装置（保持手
段）３２内に被処理物２７を搬入できるようにな
つている。
積載装置３２は、駆動系３３を駆動源とした駆
動装置によつて上下動され、プラズマ処理室４０
内に搬入される。この時、可動ベルト搬送機構５
２が、駆動系５５によつて第４図５２ａの位置か
ら５２ｂの位置に移動することによつて積載装置
３２はプラズマ処理室４０内に搬入可能になる。
動装置によつて上下動され、プラズマ処理室４０
内に搬入される。この時、可動ベルト搬送機構５
２が、駆動系５５によつて第４図５２ａの位置か
ら５２ｂの位置に移動することによつて積載装置
３２はプラズマ処理室４０内に搬入可能になる。
次に動作の説明を行う。
本実施例において、複数個の被処理物２７が、
取入口２２から取り入れられ下部電極２３上に並
べられた後、ドライエツチング室２８は低圧まで
排気される。反応ガスを供給しながら、電極２３
及び２４間に高周波電圧が付加される。例えば、
反応ガス四塩化炭素を用いた時、プラズマ状態に
なつた反応ガスにより、被処理物２７はドライエ
ツチングされる。
取入口２２から取り入れられ下部電極２３上に並
べられた後、ドライエツチング室２８は低圧まで
排気される。反応ガスを供給しながら、電極２３
及び２４間に高周波電圧が付加される。例えば、
反応ガス四塩化炭素を用いた時、プラズマ状態に
なつた反応ガスにより、被処理物２７はドライエ
ツチングされる。
エツチングされた被処理物２７は押し上げピン
４５により押し上げられ、搬送アーム３１により
一枚ずつ低圧まで排気されている中継室３０に搬
送される。そのたびごとに、下部電極２３が回転
して被処理物２７を押し上げピン４５上に搬送し
てくる。
４５により押し上げられ、搬送アーム３１により
一枚ずつ低圧まで排気されている中継室３０に搬
送される。そのたびごとに、下部電極２３が回転
して被処理物２７を押し上げピン４５上に搬送し
てくる。
中継室３０に搬送された被処理物２７は、ベル
ト搬送機構５１によつて可動ベルト搬送機構５２
上まで搬送される。第６図のごとき形状をした積
載装置３２は、ステツプ状に上下することにより
積載棚５３上に、上段から順次、被処理物２７を
積載する。この時、積載装置３２はフオトセンサ
５４により被処理物２７の積載を確認した上で上
昇する。
ト搬送機構５１によつて可動ベルト搬送機構５２
上まで搬送される。第６図のごとき形状をした積
載装置３２は、ステツプ状に上下することにより
積載棚５３上に、上段から順次、被処理物２７を
積載する。この時、積載装置３２はフオトセンサ
５４により被処理物２７の積載を確認した上で上
昇する。
積載を完了した時、開閉装置２９は閉じられ、
ドライエツチング室２８の雰囲気による中継室３
０内部の汚染を最小限にする。同時に、可動ベル
ト搬送機構５２は、第４図５２ｂのごとく移動
し、積載装置３２は、プラズマ処理室４０に３２
ｂのごとく搬入される。
ドライエツチング室２８の雰囲気による中継室３
０内部の汚染を最小限にする。同時に、可動ベル
ト搬送機構５２は、第４図５２ｂのごとく移動
し、積載装置３２は、プラズマ処理室４０に３２
ｂのごとく搬入される。
プラズマ処理室４０において供給された酸素ガ
スは、400W程度の高周波電力によりプラズマ状
態になり、被処理物２７表面のレジスト膜は灰化
されるとともにレジスト膜中の塩素化合物も除去
される。また、本実施例においては、被処理物２
７を積載した積載装置３２が第５図のごとくプラ
ズマ処理室４０中のプラズマの中に置かれるた
め、プラズマから熱を受けとりやすく、被処理物
２７が積載装置３２上に第６図のごとく積載され
ており接触面積が小さくなるため受けとつた熱を
逃がしにくい。そのため、被処理物２７は、プラ
ズマより加熱され200℃以上の温度になりかつ被
処理物２７の表面がプラズマにさらされることに
より被処理物２７表面の塩化物は気化しあるいは
分解し、取り除かれる この時、反応ガスによる中継室３０内部の汚染
を防ぐため中継室３０はシール３５によりプラズ
マ処理室４０から隔絶される。
スは、400W程度の高周波電力によりプラズマ状
態になり、被処理物２７表面のレジスト膜は灰化
されるとともにレジスト膜中の塩素化合物も除去
される。また、本実施例においては、被処理物２
７を積載した積載装置３２が第５図のごとくプラ
ズマ処理室４０中のプラズマの中に置かれるた
め、プラズマから熱を受けとりやすく、被処理物
２７が積載装置３２上に第６図のごとく積載され
ており接触面積が小さくなるため受けとつた熱を
逃がしにくい。そのため、被処理物２７は、プラ
ズマより加熱され200℃以上の温度になりかつ被
処理物２７の表面がプラズマにさらされることに
より被処理物２７表面の塩化物は気化しあるいは
分解し、取り除かれる この時、反応ガスによる中継室３０内部の汚染
を防ぐため中継室３０はシール３５によりプラズ
マ処理室４０から隔絶される。
腐食防止処理を終えた被処理物２７は、積載装
置３２を上昇し、可動ベルト搬送機構５２を第４
図５２ａの位置に移動することにより、積載装置
３２の下段から順次、開かれた開閉装置３４を通
して外部に搬出される。
置３２を上昇し、可動ベルト搬送機構５２を第４
図５２ａの位置に移動することにより、積載装置
３２の下段から順次、開かれた開閉装置３４を通
して外部に搬出される。
本実施例によれば、被処理物２７のアルミニウ
ムの腐食の原因になる塩化物をすみやかに取り除
き大気中に取り出しても腐食を発生させない完全
な腐食防止処理を施すという効果以外に、次のよ
うな効果がある。
ムの腐食の原因になる塩化物をすみやかに取り除
き大気中に取り出しても腐食を発生させない完全
な腐食防止処理を施すという効果以外に、次のよ
うな効果がある。
すなわち、ドライエツチング室２８とプラズマ
処理室４０の間に中継室３０を設け、それぞれの
結合は気体分子のコンダクタンスの小さい開閉装
置を用いて行つているために、それぞれの処理室
内部の反応ガスによる中継室内部の汚染を最小限
にするとともに、相互の反応ガスの各処理室内部
への拡散を最小限にし各処理を安定化する効果が
ある。
処理室４０の間に中継室３０を設け、それぞれの
結合は気体分子のコンダクタンスの小さい開閉装
置を用いて行つているために、それぞれの処理室
内部の反応ガスによる中継室内部の汚染を最小限
にするとともに、相互の反応ガスの各処理室内部
への拡散を最小限にし各処理を安定化する効果が
ある。
以上、アルミニウム配線膜のドライエツチング
の腐食防止処理について説明したが、アルミニウ
ムに限らず他の金属のドライエツチング後の腐食
防止処理にも適用できることは容易に推察でき
る。
の腐食防止処理について説明したが、アルミニウ
ムに限らず他の金属のドライエツチング後の腐食
防止処理にも適用できることは容易に推察でき
る。
また、本実施例では、プラズマ処理室４０にお
いて、複数の被処理物２７を積載装置３２に積載
して、それらを同時にプラズマ処理するいわゆる
バツチ処理方法について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、被処理物２７を１
枚ずつ処理するいわゆる枚葉処理方法であつても
同様な効果が得られることは明白である。
いて、複数の被処理物２７を積載装置３２に積載
して、それらを同時にプラズマ処理するいわゆる
バツチ処理方法について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、被処理物２７を１
枚ずつ処理するいわゆる枚葉処理方法であつても
同様な効果が得られることは明白である。
さらに、ドライエツチング室の構造も、平行平
板形のドライエツチング室にかぎらず、円筒形ド
ライエツチング室、イオンビームによるドライエ
ツチング室及びマイクに波放電によるドライエツ
チング室などにも適用可能であることは容易に推
察できる。
板形のドライエツチング室にかぎらず、円筒形ド
ライエツチング室、イオンビームによるドライエ
ツチング室及びマイクに波放電によるドライエツ
チング室などにも適用可能であることは容易に推
察できる。
以上説明したように本発明によれば、エツチン
グ室とプラズマ処理室との間に高真空の基板搬送
室を配置し、かつ、各室間を開閉装置で真空的に
分離することにより、エツチング室の残留ガスと
プラズマ処理室の残留ガスとにより互いの室内の
内壁を汚染する所謂クロスコンタミネーシヨンを
防止でき、プラズマによるエツチング又は灰化処
理を安定に行なうことができるという効果を得ら
れる。
グ室とプラズマ処理室との間に高真空の基板搬送
室を配置し、かつ、各室間を開閉装置で真空的に
分離することにより、エツチング室の残留ガスと
プラズマ処理室の残留ガスとにより互いの室内の
内壁を汚染する所謂クロスコンタミネーシヨンを
防止でき、プラズマによるエツチング又は灰化処
理を安定に行なうことができるという効果を得ら
れる。
更に、本発明によれば、ドライエツチングした
被処理物を、大気に曝すことなく真空内で連続し
てプラズマ処理によるプラズマ灰化を行なえるの
で、例えば塩化物など、ドライエツチング時に被
処理物表面に吸着されて金属配線膜の腐食の原因
となる物質を、大気中の水分と結合することなく
除去することができるので、本発明を半導体の配
線膜加工工程に応用することにより、半導体生産
の歩留まりを向上できるという効果も得られる。
被処理物を、大気に曝すことなく真空内で連続し
てプラズマ処理によるプラズマ灰化を行なえるの
で、例えば塩化物など、ドライエツチング時に被
処理物表面に吸着されて金属配線膜の腐食の原因
となる物質を、大気中の水分と結合することなく
除去することができるので、本発明を半導体の配
線膜加工工程に応用することにより、半導体生産
の歩留まりを向上できるという効果も得られる。
第１図は残留塩素量と温度の関係を示したグラ
フ、第２図は従来のドライエツチング装置の縦断
面図、第３図は本発明による第１の実施例の縦断
面図、第４図は第３図Ａ−Ａ断面図、第５図は第
４図のＢ−Ｂ断面図、第６図は第５図の積載装置
３２及び可動ベルト搬送機構５２をＣ方向から見
た図である。 ２８……ドライエツチング室、２９……開閉装
置、３６……中継室、３０……積載装置、３５…
…シール、４０……プラズマ処理室。
フ、第２図は従来のドライエツチング装置の縦断
面図、第３図は本発明による第１の実施例の縦断
面図、第４図は第３図Ａ−Ａ断面図、第５図は第
４図のＢ−Ｂ断面図、第６図は第５図の積載装置
３２及び可動ベルト搬送機構５２をＣ方向から見
た図である。 ２８……ドライエツチング室、２９……開閉装
置、３６……中継室、３０……積載装置、３５…
…シール、４０……プラズマ処理室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被処理物をドライエツチング処理するドライ
エツチング室と、 該ドライエツチング室と接続し、該ドライエツ
チング室とは第１の開閉手段によつて真空状態を
分離・接続され、該ドライエツチング室でドライ
エツチング処理された前記被処理物を中継する中
継室と、 前記被処理物を前記ドライエツチング室から前
記中継室へ搬送する第１の搬送手段と、 前記中継室と接続し、前記中継室とは第２の開
閉手段によつて真空状態を分離・接続され、前記
中継された被処理物をプラズマ灰化処理するプラ
ズマ処理室と、 前記被処理物を前記中継室から前記プラズマ処
理室へ搬送する第２の搬送手段と 該第２の搬送手段により搬送された前記被処理
物を前記プラズマ処理室内で保持する保持手段を
備え、 前記ドライエツチング室において、前記第１の
開閉手段により前記中継室と真空を分離した状態
でドライエツチング処理された前記被処理物を、
真空中で前記中継室を経由して前記プラズマ処理
室に搬送し、前記プラズマ処理室において、前記
第２の開閉手段により前記中継室と真空を分離し
た状態でプラズマ灰化処理することを特徴とする
プラズマ処理装置。 ２ 前記保持手段は前記被処理物を局部で接する
ようにして保持し、前記保持手段により保持され
た前記被処理物を、前記プラズマ処理室内におい
てプラズマ灰化処理することを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。 ３ 前記プラズマ処理室において、前記保持手段
で保持された前記被処理物の温度が200℃以上で
前記プラズマ灰化処理を行うことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059232A JPS59186326A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | プラズマ処理装置 |
| US06/597,749 US4487678A (en) | 1983-04-06 | 1984-04-06 | Dry-etching apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059232A JPS59186326A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | プラズマ処理装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280455A Division JP2701810B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | プラズマ処理方法及びその装置 |
| JP7280456A Division JP2701811B2 (ja) | 1995-10-27 | 1995-10-27 | プラズマ処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59186326A JPS59186326A (ja) | 1984-10-23 |
| JPH0522379B2 true JPH0522379B2 (ja) | 1993-03-29 |
Family
ID=13107426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059232A Granted JPS59186326A (ja) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4487678A (ja) |
| JP (1) | JPS59186326A (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4693777A (en) * | 1984-11-30 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing semiconductor devices |
| US4624728A (en) * | 1985-06-11 | 1986-11-25 | Tegal Corporation | Pin lift plasma processing |
| JPS6218032A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| DE3650057T2 (de) * | 1985-10-24 | 1995-02-16 | Texas Instruments Inc | System für Vakuumbehandlung. |
| JPS62281331A (ja) | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | エツチング方法 |
| US4902531A (en) * | 1986-10-30 | 1990-02-20 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Vacuum processing method and apparatus |
| JP2544129B2 (ja) * | 1987-03-23 | 1996-10-16 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US4861563A (en) * | 1987-05-14 | 1989-08-29 | Spectrum Cvd, Inc. | Vacuum load lock |
| US6077788A (en) * | 1989-02-27 | 2000-06-20 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| JP2528962B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法及び装置 |
| US5200017A (en) * | 1989-02-27 | 1993-04-06 | Hitachi, Ltd. | Sample processing method and apparatus |
| US5868854A (en) * | 1989-02-27 | 1999-02-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for processing samples |
| US6989228B2 (en) * | 1989-02-27 | 2006-01-24 | Hitachi, Ltd | Method and apparatus for processing samples |
| JPH0382121A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nec Corp | ドライエッチングの後処理方法 |
| JP2926798B2 (ja) * | 1989-11-20 | 1999-07-28 | 国際電気株式会社 | 連続処理エッチング方法及びその装置 |
| US5100502A (en) * | 1990-03-19 | 1992-03-31 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer transfer in processing systems |
| JPH03280535A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| US5462629A (en) * | 1992-08-28 | 1995-10-31 | Kawasaki Steel Corp. | Surface processing apparatus using neutral beam |
| JP3104840B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2000-10-30 | 株式会社日立製作所 | 試料の後処理方法 |
| JP2836529B2 (ja) * | 1995-04-27 | 1998-12-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5672239A (en) * | 1995-05-10 | 1997-09-30 | Tegal Corporation | Integrated semiconductor wafer processing system |
Citations (3)
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| JPS5713743A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and etching method |
| JPS5831532A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4331526A (en) * | 1979-09-24 | 1982-05-25 | Coulter Systems Corporation | Continuous sputtering apparatus and method |
| JPS5729577A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-17 | Anelva Corp | Automatic continuous sputtering apparatus |
| US4322277A (en) * | 1980-11-17 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Step mask for substrate sputtering |
| US4422916A (en) * | 1981-02-12 | 1983-12-27 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
-
1983
- 1983-04-06 JP JP58059232A patent/JPS59186326A/ja active Granted
-
1984
- 1984-04-06 US US06/597,749 patent/US4487678A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544794A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Ibm | Method of stabilizing aluminum conductor circuit |
| JPS5713743A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Toshiba Corp | Plasma etching apparatus and etching method |
| JPS5831532A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Nec Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59186326A (ja) | 1984-10-23 |
| US4487678A (en) | 1984-12-11 |
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