JPS6218032A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6218032A JPS6218032A JP15750685A JP15750685A JPS6218032A JP S6218032 A JPS6218032 A JP S6218032A JP 15750685 A JP15750685 A JP 15750685A JP 15750685 A JP15750685 A JP 15750685A JP S6218032 A JPS6218032 A JP S6218032A
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- JP
- Japan
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- magazine
- substrates
- etching
- substrate
- lock
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板上のアルミニウムを含む導電体層のパターニングの
ためのエツチングまたは該エツチングに続くレジスト除
去をドライ処理によって行うに際して、 該処理後に続く該基板°のマガジンへの収納を水分の除
去された雰囲気内で行うことにより、パターニングされ
た該導電体層におけるアフタコロ−ジョンの発生を抑制
するものである。
ためのエツチングまたは該エツチングに続くレジスト除
去をドライ処理によって行うに際して、 該処理後に続く該基板°のマガジンへの収納を水分の除
去された雰囲気内で行うことにより、パターニングされ
た該導電体層におけるアフタコロ−ジョンの発生を抑制
するものである。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、基板上
のアルミニウムを含む導電体層のパターニングのための
エツチングまたは該エツチングに続くレジストｈ去をド
ライ処理によって行う際の、該処理後に続く該基板のマ
ガジイへの収納方法の改良に関す。
のアルミニウムを含む導電体層のパターニングのための
エツチングまたは該エツチングに続くレジストｈ去をド
ライ処理によって行う際の、該処理後に続く該基板のマ
ガジイへの収納方法の改良に関す。
半導体装置において基板に形成された素子の配線には、
アルミニウムを含む導電体層をパターニングして形成し
た配線を多用している。
アルミニウムを含む導電体層をパターニングして形成し
た配線を多用している。
そのパターニングには、パターンの微細化もあってドラ
イ処理が採用されるようになってきたが、その処理に使
用される作用ガスの影響による配線の信頼性低下を極力
抑えることが重要である。
イ処理が採用されるようになってきたが、その処理に使
用される作用ガスの影響による配線の信頼性低下を極力
抑えることが重要である。
第３図はアルミニウムを含む導電体層のドライエツチン
グ後に続く基板のマガジンへの収納を従来方法で実施す
る装置例の要部構成図である。
グ後に続く基板のマガジンへの収納を従来方法で実施す
る装置例の要部構成図である。
同図において、Ｗは基板（ウェーハ）、矢印ａは基板Ｗ
の移動を示す。
の移動を示す。
エツチング前の基板Ｗは、表向のアルミニウムを含み配
線を形成する導電体層上に該配線に対応してパターニン
グされたレジスト層が形成されている。
線を形成する導電体層上に該配線に対応してパターニン
グされたレジスト層が形成されている。
この基板Ｗは、減圧状態（例えば０．Ｉ Ｔｏｒｒ程度
）のエツチング処理室１に送り込まれ、上記レジスト層
をマスクにして塩素系作用ガスにより上記導電体層がエ
ツチングされるが、本装置は、エツチングされた基板Ｗ
を減圧（例えばｌ Ｔｏｒｒ程度）したロードロック２
内に搬送アーム３により移送シ、ロードロック２を大気
圧にリークした後搬送アーム３により大気中にある搬送
コンベア４上に載置し、搬送コンベヤ４により大気中に
あるマガジンＭに収納する。
）のエツチング処理室１に送り込まれ、上記レジスト層
をマスクにして塩素系作用ガスにより上記導電体層がエ
ツチングされるが、本装置は、エツチングされた基板Ｗ
を減圧（例えばｌ Ｔｏｒｒ程度）したロードロック２
内に搬送アーム３により移送シ、ロードロック２を大気
圧にリークした後搬送アーム３により大気中にある搬送
コンベア４上に載置し、搬送コンベヤ４により大気中に
あるマガジンＭに収納する。
この操作は、所謂枚葉処理として、新しい基板Ｗが順次
送り込まれて継続的に行われる。
送り込まれて継続的に行われる。
マガジンＭは、複数枚（例えば２５枚）の基板を収納出
来るもので、基板Ｗの収納毎に迫り上げ機構５により逐
次迫り上げられて、基板Ｗを所定の枚数まで連続的に収
納する。
来るもので、基板Ｗの収納毎に迫り上げ機構５により逐
次迫り上げられて、基板Ｗを所定の枚数まで連続的に収
納する。
第４図は第３図図示エツチングに続きレジスト除去をド
ライ処理で行いその後に続く基板のマガジンへの収納を
従来方法で実施する装置例の要部構成図である。
ライ処理で行いその後に続く基板のマガジンへの収納を
従来方法で実施する装置例の要部構成図である。
同図において、６は前記レジスト層をドライ処理で除去
（所謂灰化）する灰化処理室である。
（所謂灰化）する灰化処理室である。
灰化処理室６は、第３図に示すエツチング処理室１とロ
ードロック２との間に介在してエツチング処理室１から
基板Ｗが移送され、エツチング処理室１で導電体層をエ
ツチングする際のマスクとなったレジスト層を減圧状態
（例えばｌ Ｔｏｒｒ程度）の酸素ラジカルにより灰化
除去する。
ードロック２との間に介在してエツチング処理室１から
基板Ｗが移送され、エツチング処理室１で導電体層をエ
ツチングする際のマスクとなったレジスト層を減圧状態
（例えばｌ Ｔｏｒｒ程度）の酸素ラジカルにより灰化
除去する。
灰化処理室６にある基１ｗをマガジンＭに収納するまで
の操作は、第３図に示すエツチング処理室からの収納と
同様である。
の操作は、第３図に示すエツチング処理室からの収納と
同様である。
上記エツチングは、エツチングされる導電体層にアルミ
ニウムを含むこと、作用ガスが塩素系ガスであることか
ら、エツチング後の導電体層側面に塩素（ＣＩ）が吸着
されており、第３図に示す如くエツチング後であれ、第
４図に示す如くレジスト除去後であれ、基板Ｗが大気中
に曝されると、上記塩素は大気中の水分と結合して塩酸
（ＩＩｃＩ）になり、第５図に示すように、上記導電体
層で形成された配線７に亀裂状の腐食（アフタコロ−ジ
ョンと称する）８を発生させる。
ニウムを含むこと、作用ガスが塩素系ガスであることか
ら、エツチング後の導電体層側面に塩素（ＣＩ）が吸着
されており、第３図に示す如くエツチング後であれ、第
４図に示す如くレジスト除去後であれ、基板Ｗが大気中
に曝されると、上記塩素は大気中の水分と結合して塩酸
（ＩＩｃＩ）になり、第５図に示すように、上記導電体
層で形成された配線７に亀裂状の腐食（アフタコロ−ジ
ョンと称する）８を発生させる。
このアフタコロ−ジョン８は、その成長速度が甚だしく
は４μｍ／時程度になることがあって、配線７を横断す
ると配線７を断線させ、横断せずとも配線７の信頼性を
低下させるものである。
は４μｍ／時程度になることがあって、配線７を横断す
ると配線７を断線させ、横断せずとも配線７の信頼性を
低下させるものである。
このためアフタコロ−ジョン８の発生を極力抑えること
が望ましく、その方法として、例えば上記エツチングの
後、硝酸（Ｉ（ＮＯ） ）に浸漬して配線７の露出表面
に酸化膜を°形成する方法があるが、エツチングしてか
ら上記浸漬までの時間を極力短くする必要がある。
が望ましく、その方法として、例えば上記エツチングの
後、硝酸（Ｉ（ＮＯ） ）に浸漬して配線７の露出表面
に酸化膜を°形成する方法があるが、エツチングしてか
ら上記浸漬までの時間を極力短くする必要がある。
然るに上記枚葉処理においては、マガジンＭに所定枚数
の基板Ｗが収納されるまでの間に相当の時間を要しその
間基板Ｗが大気中に曝されるため、マガジンＭ毎に上記
浸漬を行ったのではアフタコロ−ジョン８発生に対して
十分な抑制効果が得られなくなり、また、エツチングの
終わった基板Ｗを次々に浸漬したのでは、枚葉処理の省
力効果が失われる問題がある。
の基板Ｗが収納されるまでの間に相当の時間を要しその
間基板Ｗが大気中に曝されるため、マガジンＭ毎に上記
浸漬を行ったのではアフタコロ−ジョン８発生に対して
十分な抑制効果が得られなくなり、また、エツチングの
終わった基板Ｗを次々に浸漬したのでは、枚葉処理の省
力効果が失われる問題がある。
上記問題点は、基板上のアルミニウムを含む導電体層の
パターニングのためのエツチングまたは該エツチングに
続くレジスト除去をドライ処理によって行うに際して、
該処理後に続く該基板のマガジンへの収納を水分の除去
された雰囲気内で行う本発明の製造方法によって解決さ
れる。
パターニングのためのエツチングまたは該エツチングに
続くレジスト除去をドライ処理によって行うに際して、
該処理後に続く該基板のマガジンへの収納を水分の除去
された雰囲気内で行う本発明の製造方法によって解決さ
れる。
第５図図示アフタコロ−ジョン８の発生は、先に説明し
たように、電極７側面に吸着された塩素が水分と結合し
て塩酸になることに起因している。
たように、電極７側面に吸着された塩素が水分と結合し
て塩酸になることに起因している。
従って、基Ｍｊ、Ｗが水分の除去された雰囲気中にある
間はアフタコロ−ジョン８の発生が抑えられる。この水
分の除去された雰囲気は、従来例のロードロック２内の
減圧状態と同様の雰囲気でも良く、ドライ窒素（Ｎ２）
の雰囲気でも良い。
間はアフタコロ−ジョン８の発生が抑えられる。この水
分の除去された雰囲気は、従来例のロードロック２内の
減圧状態と同様の雰囲気でも良く、ドライ窒素（Ｎ２）
の雰囲気でも良い。
即ち上記方法によれば、従来例の如き枚葉処理において
マガジンＭに所定枚数の基板Ｗが収納されるまでの間に
相当の時間を要しても、該収納が終わるまで基板Ｗを放
置して支障がない。
マガジンＭに所定枚数の基板Ｗが収納されるまでの間に
相当の時間を要しても、該収納が終わるまで基板Ｗを放
置して支障がない。
かくして前記硝酸浸漬をマガジンＭ毎に行うことが可能
になり、アフタコロ−ジョン８の発生を抑えなから枚葉
処理の省力効果を上げることが出来る。
になり、アフタコロ−ジョン８の発生を抑えなから枚葉
処理の省力効果を上げることが出来る。
第１図は本発明の方法を実施する装置の実施例また第２
図は同じく他の実施例の要部構成図である。
図は同じく他の実施例の要部構成図である。
第１図に示す装置は、第３図図示装置に搬送コンベヤ４
．迫り上げ機構５．マガジン間１部分を収めるロードロ
ック９をロードロック２に繋げて設けたものである。
．迫り上げ機構５．マガジン間１部分を収めるロードロ
ック９をロードロック２に繋げて設けたものである。
ロードロック９は、減圧（例えばＩ Ｔｏｒｒ程度）ま
たはトライ窒素雰囲気にして、マガジンＭが基板Ｗを収
納する操作を行い、所定枚数の収納が終わったところで
大気に解放する。
たはトライ窒素雰囲気にして、マガジンＭが基板Ｗを収
納する操作を行い、所定枚数の収納が終わったところで
大気に解放する。
アフタコロ−ジョン８ （第５図図示）発生抑制の硝酸
浸漬は、上記解放直後にマガジンＭ毎に行えば良い。
浸漬は、上記解放直後にマガジンＭ毎に行えば良い。
か（すれば、アフクコロージョン８発生の抑制に関して
エツチングの終わった基板Ｗを次々に硝酸浸漬したのと
同等の効果が得られる。
エツチングの終わった基板Ｗを次々に硝酸浸漬したのと
同等の効果が得られる。
第２図に示す装置は、第３図図示装置のロードロック２
を拡大してロードロック１０となし、その中に搬送コン
ベヤ４．迫り上げ機構５．マガジンＭ９部分をも収めた
ものである。
を拡大してロードロック１０となし、その中に搬送コン
ベヤ４．迫り上げ機構５．マガジンＭ９部分をも収めた
ものである。
ロードロック１０は、ロードロック２と同様に減圧（例
えばＩ Ｔｏｒｒ程度）してエツチング処理室ｌからの
基板Ｗを受は入れ、且つマガジンＭが基板Ｗを収納する
操作を行い、所定枚数の収納が終わったところで大気に
解放する。
えばＩ Ｔｏｒｒ程度）してエツチング処理室ｌからの
基板Ｗを受は入れ、且つマガジンＭが基板Ｗを収納する
操作を行い、所定枚数の収納が終わったところで大気に
解放する。
アフタコロ−ジョン８ （第５図図示）発生抑制の硝酸
浸漬は、上記解放直後にマガジンＭ毎に行えば良い。
浸漬は、上記解放直後にマガジンＭ毎に行えば良い。
かくすれば第１図図示の場合と同様に、アフタ］ ０−
Ｘ；ヨン８発生の抑制に関してエツチングの終わった
基板Ｗを次々に硝酸浸漬したのと同等の効果が得られる
。
Ｘ；ヨン８発生の抑制に関してエツチングの終わった
基板Ｗを次々に硝酸浸漬したのと同等の効果が得られる
。
なお上記実施例では、エツチングした基板Ｗをマガジン
Ｍに収納する場合を述べたが、第４図に示す如くエツチ
ングに続くレジスト灰化を介在させても同様に効果が得
られることは、容易に類推出来る。
Ｍに収納する場合を述べたが、第４図に示す如くエツチ
ングに続くレジスト灰化を介在させても同様に効果が得
られることは、容易に類推出来る。
以上説明したように本発明の構成によれば、基板上のア
ルミニウムを含°む導電体層のパターニングのためのエ
ツチングまたは該エツチングに続くレジスト除去をドラ
イ処理の枚葉処理によって行う際に、基板をマガジン内
に放置してもアフタコロ−ジョンの発生を抑制すること
が出来て、該枚葉処理による省力化を効果的にさせる効
果がある。
ルミニウムを含°む導電体層のパターニングのためのエ
ツチングまたは該エツチングに続くレジスト除去をドラ
イ処理の枚葉処理によって行う際に、基板をマガジン内
に放置してもアフタコロ−ジョンの発生を抑制すること
が出来て、該枚葉処理による省力化を効果的にさせる効
果がある。
第１図は本発明の方法を実施する装置の実施例の要部構
成図、 第２図は同じく他の実施例の鰐部構成図、第３図は従来
方法を実施する装置例の要部構成図、 第４図は従来方法を実施する他の装置例の要部構成図、 第５図はアフタコロ−ジョンを示す平面図、である。 図において、 ■はエツチング処理室、 ２．９、ｌＯはロードロック、 ３は搬送アーム、 ４は搬送コンベヤ、 ５は迫り上げ機構、 ６は灰化処理室、 ７は配線、 ８はアフタコロ−ジョン、 Ｗは基板、 Ｍはマガジン、 ａはＷの移送を示す矢印、 である。 ％ １ 図
成図、 第２図は同じく他の実施例の鰐部構成図、第３図は従来
方法を実施する装置例の要部構成図、 第４図は従来方法を実施する他の装置例の要部構成図、 第５図はアフタコロ−ジョンを示す平面図、である。 図において、 ■はエツチング処理室、 ２．９、ｌＯはロードロック、 ３は搬送アーム、 ４は搬送コンベヤ、 ５は迫り上げ機構、 ６は灰化処理室、 ７は配線、 ８はアフタコロ−ジョン、 Ｗは基板、 Ｍはマガジン、 ａはＷの移送を示す矢印、 である。 ％ １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上のアルミニウムを含む導電体層のパターニン
グのためのエッチングまたは該エッチングに続くレジス
ト除去をドライ処理によって行うに際して、該処理後に
続く該基板のマガジンへの収納を水分の除去された雰囲
気内で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２）上記水分の除去された雰囲気は、上記処理を行う処
理室に繋がるロードロックによって形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15750685A JPS6218032A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15750685A JPS6218032A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6218032A true JPS6218032A (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15651169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15750685A Pending JPS6218032A (ja) | 1985-07-17 | 1985-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6218032A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455827A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Chlorine Eng Corp Ltd | Device for removal of resist film |
| JPS6454730A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Nec Corp | Dry etching device |
| JPS6454731A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Nec Corp | Production device for semiconductor |
| US5445484A (en) * | 1990-11-26 | 1995-08-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59186326A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1985
- 1985-07-17 JP JP15750685A patent/JPS6218032A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59186326A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6454730A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Nec Corp | Dry etching device |
| JPS6454731A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Nec Corp | Production device for semiconductor |
| JPS6455827A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Chlorine Eng Corp Ltd | Device for removal of resist film |
| US5445484A (en) * | 1990-11-26 | 1995-08-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing system |
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