JPH04337633A - 半導体装置の製造におけるエッチング方法 - Google Patents
半導体装置の製造におけるエッチング方法Info
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- JPH04337633A JPH04337633A JP11039891A JP11039891A JPH04337633A JP H04337633 A JPH04337633 A JP H04337633A JP 11039891 A JP11039891 A JP 11039891A JP 11039891 A JP11039891 A JP 11039891A JP H04337633 A JPH04337633 A JP H04337633A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造に
おけるエッチング方法、特にアルミニウム合金上のシリ
コン酸化膜をドライエッチングする際に発生する無機反
応生成物を除去する方法に関するものである。
おけるエッチング方法、特にアルミニウム合金上のシリ
コン酸化膜をドライエッチングする際に発生する無機反
応生成物を除去する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造において、シリ
コン酸化膜をドライエッチングするエッチャントとして
、炭素及びフッ素を含むガスプラズマが用いられる。 エッチング反応生成物はフッ化シリコン及び二酸化炭素
であり、これはドライエッチングを行うような低圧下で
は、ガスとして容易にシリコン酸化膜上から脱離する。
コン酸化膜をドライエッチングするエッチャントとして
、炭素及びフッ素を含むガスプラズマが用いられる。 エッチング反応生成物はフッ化シリコン及び二酸化炭素
であり、これはドライエッチングを行うような低圧下で
は、ガスとして容易にシリコン酸化膜上から脱離する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のド
ライエッチング方法では、アルミニウム合金上のシリコ
ン酸化膜をエッチングする際、エッチャントとアルミニ
ウム合金との反応により生成する無機物が、酸化膜及び
フォトレジストの側壁や底面に付着し、Ｏ２ によるア
ッシングを行っても除去されにくかった。これを有機ア
ミン系のアルカリ溶液を用いて無機物を溶解し除去する
方法も考えられるが、工程増加につながり、またアルミ
ニウム合金をも溶解してしまうという問題点があった。
ライエッチング方法では、アルミニウム合金上のシリコ
ン酸化膜をエッチングする際、エッチャントとアルミニ
ウム合金との反応により生成する無機物が、酸化膜及び
フォトレジストの側壁や底面に付着し、Ｏ２ によるア
ッシングを行っても除去されにくかった。これを有機ア
ミン系のアルカリ溶液を用いて無機物を溶解し除去する
方法も考えられるが、工程増加につながり、またアルミ
ニウム合金をも溶解してしまうという問題点があった。
【０００４】この発明は以上述べた炭素とフッ素を含む
ガスプラズマを用いたアルミニウム合金上のシリコン酸
化物のドライエッチングに際し、発生する無機反応生成
物を除去するため、前記ドライエッチングに引き続き不
活性ガスプラズマで反応生成物をエッチング、更にレジ
ストを除去することにより、残渣除去工程を省略し、信
頼性の優れた半導体装置を提供することを目的とする。
ガスプラズマを用いたアルミニウム合金上のシリコン酸
化物のドライエッチングに際し、発生する無機反応生成
物を除去するため、前記ドライエッチングに引き続き不
活性ガスプラズマで反応生成物をエッチング、更にレジ
ストを除去することにより、残渣除去工程を省略し、信
頼性の優れた半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は前述の目的の
ために、アルミニウム合金上のシリコン酸化膜をドライ
エッチングする際に発生する無機反応生成物を除去する
方法において、シリコン酸化膜エッチングを行ったあと
、それに引続いて前記エッチングを行うガス系に不活性
ガスを導入し、シリコン酸化膜上に前記ガスプラズマを
照射するようにしたものである。
ために、アルミニウム合金上のシリコン酸化膜をドライ
エッチングする際に発生する無機反応生成物を除去する
方法において、シリコン酸化膜エッチングを行ったあと
、それに引続いて前記エッチングを行うガス系に不活性
ガスを導入し、シリコン酸化膜上に前記ガスプラズマを
照射するようにしたものである。
【０００６】
【作用】前述のように本発明では、アルミニウム合金上
の酸化膜をフォトレジストをマスクにしてドライエッチ
ングした後、再付着する無機反応生成物を、引続き不活
性ガスプラズマを用いることによりエッチングするため
、以後マスクのフォトレジストを除去した時の残渣を除
去する工程、例えばアルカリ溶液洗浄が不要となり、工
程の単純化が可能となる。
の酸化膜をフォトレジストをマスクにしてドライエッチ
ングした後、再付着する無機反応生成物を、引続き不活
性ガスプラズマを用いることによりエッチングするため
、以後マスクのフォトレジストを除去した時の残渣を除
去する工程、例えばアルカリ溶液洗浄が不要となり、工
程の単純化が可能となる。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の実施例の工程図である。図
（ａ）は、被エッチング膜の構成図であって、アルミニ
ウム合金１０３上のシリコン酸化膜１０４を、フォトレ
ジスト１０５をマスクとしてＣＦ４ ＋ＣＨＦ３ のガ
ス系で異方的にドライエッチングした後の構成である。 エッチング速度はシリコン酸化膜上である分布を示すた
め、膜の各所で全てエッチングが完了する迄オーバーエ
ッチングすることになる。すると図（ｂ）のように、既
にアルミニウム合金１０３が露出した部分では表面のア
ルミニウムまたはその自然酸化膜もエッチングされ、ア
ルミニウム、カーボン、フッ素、酸素を含む不揮発性の
反応生成物２０６がシリコン酸化膜側壁に再付着する。
（ａ）は、被エッチング膜の構成図であって、アルミニ
ウム合金１０３上のシリコン酸化膜１０４を、フォトレ
ジスト１０５をマスクとしてＣＦ４ ＋ＣＨＦ３ のガ
ス系で異方的にドライエッチングした後の構成である。 エッチング速度はシリコン酸化膜上である分布を示すた
め、膜の各所で全てエッチングが完了する迄オーバーエ
ッチングすることになる。すると図（ｂ）のように、既
にアルミニウム合金１０３が露出した部分では表面のア
ルミニウムまたはその自然酸化膜もエッチングされ、ア
ルミニウム、カーボン、フッ素、酸素を含む不揮発性の
反応生成物２０６がシリコン酸化膜側壁に再付着する。
【０００８】これを除くために図（ｃ）のように、前記
シリコン酸化膜１０４のエッチングを行った後に、引続
き同一エッチング室、または、真空径路を通して搬送さ
れた異なるエッチング室において、不活性ガス例えばＡ
ｒ（アルゴン）やＮ２ （窒素）ガスを２００ｃｃ導入
し、１．０ｔｏｒｒの圧力で、ＲＦ５００Ｗを２分間印
加する。この工程の後図（ｄ）のように、同一エッチン
グ室または、大気にさらさない状態で搬送されたエッチ
ング室において、Ｏ２ガス１０００ｃｃ、１．５ｔｏｒ
ｒの圧力でμ波５００Ｗ１分間印加し、レジストを除去
する。
シリコン酸化膜１０４のエッチングを行った後に、引続
き同一エッチング室、または、真空径路を通して搬送さ
れた異なるエッチング室において、不活性ガス例えばＡ
ｒ（アルゴン）やＮ２ （窒素）ガスを２００ｃｃ導入
し、１．０ｔｏｒｒの圧力で、ＲＦ５００Ｗを２分間印
加する。この工程の後図（ｄ）のように、同一エッチン
グ室または、大気にさらさない状態で搬送されたエッチ
ング室において、Ｏ２ガス１０００ｃｃ、１．５ｔｏｒ
ｒの圧力でμ波５００Ｗ１分間印加し、レジストを除去
する。
【０００９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、アルミ
ニウム合金上の酸化膜をフォトレジストをマスクにして
ドライエッチングした後、再付着する無機反応生成物を
、引続き不活性ガスプラズマを用いることによりエッチ
ングするため、以後マスクのフォトレジストを除去した
時の残渣を除去する工程、例えばアルカリ溶液洗浄が不
要となり、工程の単純化が可能となる。
ニウム合金上の酸化膜をフォトレジストをマスクにして
ドライエッチングした後、再付着する無機反応生成物を
、引続き不活性ガスプラズマを用いることによりエッチ
ングするため、以後マスクのフォトレジストを除去した
時の残渣を除去する工程、例えばアルカリ溶液洗浄が不
要となり、工程の単純化が可能となる。
【図１】本発明の実施例の工程図
１０１ Ｓｉ基板
１０２ Ｓｉ酸化膜
１０３ アルミニウム合金
１０４ Ｓｉ酸化膜
１０５ フォトレジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の製造におけるエッチング
工程において、半導体基板上のシリコン化合物をエッチ
ングした後、該半導体基板を大気に触れさすことなく続
いて、不活性ガスを導入してそのガスプラズマを前記半
導体基板上に照射して、前記エッチングした際に前記半
導体基板上に付着した無機反応生成物を除去することを
特徴とする半導体装置の製造におけるエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039891A JPH04337633A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 半導体装置の製造におけるエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039891A JPH04337633A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 半導体装置の製造におけるエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337633A true JPH04337633A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14534798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11039891A Pending JPH04337633A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 半導体装置の製造におけるエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100317894B1 (ko) * | 1998-02-12 | 2001-12-22 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP4523094B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP11039891A patent/JPH04337633A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100317894B1 (ko) * | 1998-02-12 | 2001-12-22 | 가네꼬 히사시 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6339019B1 (en) | 1998-02-12 | 2002-01-15 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device having reduced connection failure between wiring layers |
| JP4523094B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
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