JPH05109673A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05109673A JPH05109673A JP27275891A JP27275891A JPH05109673A JP H05109673 A JPH05109673 A JP H05109673A JP 27275891 A JP27275891 A JP 27275891A JP 27275891 A JP27275891 A JP 27275891A JP H05109673 A JPH05109673 A JP H05109673A
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- resist
- ashing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＡＬ及びＡＬ合金の単層または多層より成る配
線層をドライエッチングした後、１００℃以下でレジス
トアッシングすることで、ドライエッチング中に形成さ
れる側壁保護膜の硬化を防止する。 【構成】ＡＬ合金エッチング後、９０℃で２０６のレジ
ストを酸素（Ｏ2）ガスとＣＨＦ3ガスをプラズマ化して
除去する。次に、酸素（Ｏ2）ガスとメタノール（ＣＨ3
ＯＨ）ガスにより２０７の残留塩素を除去する。以上よ
り、レジストアッシングの処理温度を９０℃にすること
により２０８の側壁保護膜の硬化を防止出来る。
線層をドライエッチングした後、１００℃以下でレジス
トアッシングすることで、ドライエッチング中に形成さ
れる側壁保護膜の硬化を防止する。 【構成】ＡＬ合金エッチング後、９０℃で２０６のレジ
ストを酸素（Ｏ2）ガスとＣＨＦ3ガスをプラズマ化して
除去する。次に、酸素（Ｏ2）ガスとメタノール（ＣＨ3
ＯＨ）ガスにより２０７の残留塩素を除去する。以上よ
り、レジストアッシングの処理温度を９０℃にすること
により２０８の側壁保護膜の硬化を防止出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し特にＡＬ及びＡＬ合金ドライエッチング後の腐食防
止に関するものである。
関し特にＡＬ及びＡＬ合金ドライエッチング後の腐食防
止に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の製造方法を示すものであ
り、４０１はＳｉ基板、４０２はＳｉＯ2膜、４０３は
ＴｉＮ、４０４はＡＬ合金、４０５はＴｉＮ、４０６は
レジスト、４０７は残留塩素、４０８は側壁保護膜であ
る。次に図５のプラズマエッチング装置とプラズマアッ
シング装置が一体となったものを用いて、ＡＬ合金エッ
チング後のレジストアッシングを例として、従来のレジ
ストアッシングを説明する。図５の５０１はウェハ−、
５０２はエッチングチャンバ−、５０３はコイル、５０
４はマイクロ波、５０５はエッチングステ−ジ、５０６
は高周波電源、５０７はマイクロ波、５０８はアッシン
グチャンバ−、５０９はアッシングステ−ジである。ま
ず、ウェハ−上にＳｉＯ2膜をＣＶＤにより全面にデポ
ジションして、次にスパッタリングによりＴｉＮ、ＡＬ
合金、ＴｉＮを順番にデポジションし、そして、フォト
リソ工程にてレジストを用いてパタ−ニングする。その
ウェハ−を５０５のエッチングステ−ジに設置して圧力
を１６ｍＴｏｒｒにして、ＣＬ2ガス９０（ＳＣＣＭ）
とＢＣＬ3ガス５０（ＳＣＣＭ）を５０２のエッチング
チャンバ−内に流し、圧力を１５（ｍＴｏｒｒ）にした
ところで、５０４のマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）と５
０３のコイルに電流を流し磁場を発生させプラズマを発
生させ、さらに、５０５のエッチングステ−ジに５０６
の高周波電源によりＲＦパワー（７０Ｗ）を印可してＴ
ｉＮ、ＡＬ合金をドライエッチングする。図４（ａ）に
ドライエッチング後のＡＬ合金配線断面図を示す。エッ
チング後ウェハ−を真空搬送して５０９のアッシングス
テ−ジに設置し、５０８のアッシングステ−ジを２５０
℃にして５０８のアッシングチャンバ−内に酸素
（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）とメタノ−ル（ＣＨ3Ｏ
Ｈ）ガス２０（ＳＣＣＭ）を導入し、圧力を６００（ｍ
Ｔｏｒｒ）にして、５０７のマイクロ波によりプラズマ
を発生させ残留塩素とメタノールを置換反応させ揮発さ
せ、同時にレジストをアッシングする。図４（ｂ）にア
ッシング後ののＡＬ合金配線断面図を示す。
り、４０１はＳｉ基板、４０２はＳｉＯ2膜、４０３は
ＴｉＮ、４０４はＡＬ合金、４０５はＴｉＮ、４０６は
レジスト、４０７は残留塩素、４０８は側壁保護膜であ
る。次に図５のプラズマエッチング装置とプラズマアッ
シング装置が一体となったものを用いて、ＡＬ合金エッ
チング後のレジストアッシングを例として、従来のレジ
ストアッシングを説明する。図５の５０１はウェハ−、
５０２はエッチングチャンバ−、５０３はコイル、５０
４はマイクロ波、５０５はエッチングステ−ジ、５０６
は高周波電源、５０７はマイクロ波、５０８はアッシン
グチャンバ−、５０９はアッシングステ−ジである。ま
ず、ウェハ−上にＳｉＯ2膜をＣＶＤにより全面にデポ
ジションして、次にスパッタリングによりＴｉＮ、ＡＬ
合金、ＴｉＮを順番にデポジションし、そして、フォト
リソ工程にてレジストを用いてパタ−ニングする。その
ウェハ−を５０５のエッチングステ−ジに設置して圧力
を１６ｍＴｏｒｒにして、ＣＬ2ガス９０（ＳＣＣＭ）
とＢＣＬ3ガス５０（ＳＣＣＭ）を５０２のエッチング
チャンバ−内に流し、圧力を１５（ｍＴｏｒｒ）にした
ところで、５０４のマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）と５
０３のコイルに電流を流し磁場を発生させプラズマを発
生させ、さらに、５０５のエッチングステ−ジに５０６
の高周波電源によりＲＦパワー（７０Ｗ）を印可してＴ
ｉＮ、ＡＬ合金をドライエッチングする。図４（ａ）に
ドライエッチング後のＡＬ合金配線断面図を示す。エッ
チング後ウェハ−を真空搬送して５０９のアッシングス
テ−ジに設置し、５０８のアッシングステ−ジを２５０
℃にして５０８のアッシングチャンバ−内に酸素
（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）とメタノ−ル（ＣＨ3Ｏ
Ｈ）ガス２０（ＳＣＣＭ）を導入し、圧力を６００（ｍ
Ｔｏｒｒ）にして、５０７のマイクロ波によりプラズマ
を発生させ残留塩素とメタノールを置換反応させ揮発さ
せ、同時にレジストをアッシングする。図４（ｂ）にア
ッシング後ののＡＬ合金配線断面図を示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術ではエッチング時に形成される４０８の側壁保護膜が
レジストアッシング時に５０９のアッシングステージ温
度を２５０℃にすることで硬化し、有機アルカリ系溶液
による４０８の側壁保護膜除去時に側壁保護膜が完全に
除去されないため、レジストアッシング時の温度を低下
させる必要がある。
術ではエッチング時に形成される４０８の側壁保護膜が
レジストアッシング時に５０９のアッシングステージ温
度を２５０℃にすることで硬化し、有機アルカリ系溶液
による４０８の側壁保護膜除去時に側壁保護膜が完全に
除去されないため、レジストアッシング時の温度を低下
させる必要がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造方法
は、ウェハー上に形成されたＡＬ及びＡＬ合金の単層ま
たは多層より成る配線層をドライエッチングした後、１
００℃以下でレジストをアッシングすることを特徴とす
る。
は、ウェハー上に形成されたＡＬ及びＡＬ合金の単層ま
たは多層より成る配線層をドライエッチングした後、１
００℃以下でレジストをアッシングすることを特徴とす
る。
【０００５】
【作用】ＡＬ及びＡＬ合金をドライエッチングした後、
１００℃以下の低温でレジストをアッシングすることに
より、エッチング中に形成される側壁保護膜の硬化を防
止しする。
１００℃以下の低温でレジストをアッシングすることに
より、エッチング中に形成される側壁保護膜の硬化を防
止しする。
【０００６】
【実施例】図１は第１の本発明の製造方法を示すもので
あり、１０１はＳｉ基板、１０２はＳｉＯ2膜、１０３
はＴｉＮ、１０４はＡＬ合金、１０５はＴｉＮ、１０６
はレジスト、１０７は残留塩素、１０８は側壁保護膜で
ある。次に、図５の装置を用いたＡＬ合金エッチング後
のレジストアッシングを例として、本発明の製造方法を
説明する。まず、５０２のエッチングチャンバーにてＡ
Ｌ合金エッチングを行う（ＡＬ合金エッチング条件は従
来の技術でのＡＬエッチング条件と同様）。図１（ａ）
はＡＬ合金エッチング後の配線断面図を示す。そして、
ＡＬ合金エッチング後のウェハーを５０２のエッチング
チャンバー内から真空搬送し５０９のアッシングステ−
ジに設置し温度を１００℃にしてメタノール（ＣＨ3Ｏ
Ｈ）ガス５０（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００
（ＳＣＣＭ）５０８のアッシングチャンバ−内に流し
て、５０７のマイクロ波によりプラズマを発生させ残留
塩素とメタノールを置換反応させ揮発させる。また、こ
こでレジストも若干除去される。図１（ｂ）に１０７の
残留塩素除去後のＡＬ合金配線断面図を示す。次に、完
全に除去されなかったレジストを酸素（Ｏ2）ガス２０
０（ＳＣＣＭ）とＣＨＦ3ガス１０（ＳＣＣＭ）を５０
８のアッシングチャンバ−に流して、５０７のマイクロ
波によりプラズマを発生させレジストを除去する。図１
（ｃ）にレジスト除去後のＡＬ合金配線断面図を示す。
次に、アッシング後のウェハーを９０℃の有機アルカリ
系溶液に１０分間浸漬させ１０８の側壁保護膜を完全に
除去する。ここで、レジストアッシング時の温度を１２
０℃以上にすると１０８の側壁保護膜が硬化し完全に除
去されなった。
あり、１０１はＳｉ基板、１０２はＳｉＯ2膜、１０３
はＴｉＮ、１０４はＡＬ合金、１０５はＴｉＮ、１０６
はレジスト、１０７は残留塩素、１０８は側壁保護膜で
ある。次に、図５の装置を用いたＡＬ合金エッチング後
のレジストアッシングを例として、本発明の製造方法を
説明する。まず、５０２のエッチングチャンバーにてＡ
Ｌ合金エッチングを行う（ＡＬ合金エッチング条件は従
来の技術でのＡＬエッチング条件と同様）。図１（ａ）
はＡＬ合金エッチング後の配線断面図を示す。そして、
ＡＬ合金エッチング後のウェハーを５０２のエッチング
チャンバー内から真空搬送し５０９のアッシングステ−
ジに設置し温度を１００℃にしてメタノール（ＣＨ3Ｏ
Ｈ）ガス５０（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００
（ＳＣＣＭ）５０８のアッシングチャンバ−内に流し
て、５０７のマイクロ波によりプラズマを発生させ残留
塩素とメタノールを置換反応させ揮発させる。また、こ
こでレジストも若干除去される。図１（ｂ）に１０７の
残留塩素除去後のＡＬ合金配線断面図を示す。次に、完
全に除去されなかったレジストを酸素（Ｏ2）ガス２０
０（ＳＣＣＭ）とＣＨＦ3ガス１０（ＳＣＣＭ）を５０
８のアッシングチャンバ−に流して、５０７のマイクロ
波によりプラズマを発生させレジストを除去する。図１
（ｃ）にレジスト除去後のＡＬ合金配線断面図を示す。
次に、アッシング後のウェハーを９０℃の有機アルカリ
系溶液に１０分間浸漬させ１０８の側壁保護膜を完全に
除去する。ここで、レジストアッシング時の温度を１２
０℃以上にすると１０８の側壁保護膜が硬化し完全に除
去されなった。
【０００７】図２は第２の本発明の製造方法を示すもの
であり、２０１はＳｉ基板、２０２はＳｉＯ2膜、２０
３はＴｉＮ、２０４はＡＬ合金、２０５はＴｉＮ、２０
６はレジスト、２０７は残留塩素、２０８は側壁保護膜
である。次に、図５の装置を用いてたＡＬ合金エッチン
グ後のレジストアッシングを例として、本発明の製造方
法を説明する。まず、５０２のエッチングチャンバーで
ＡＬ合金エッチングを行う（ＡＬ合金エッチング条件は
従来の技術でのＡＬエッチング条件と同様）。図２
（ａ）はＡＬ合金のエッチング後の配線断面図を示す。
そして、このＡＬ合金エッチング後のウェハーを５０２
のエッチングチャンバー内から真空搬送し５０９のアッ
シングステ−ジに設置し温度を９０℃にしてＣＨＦ3ガ
ス１０（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣ
Ｍ）を５０８のアッシングチャンバ−内に流して、圧力
を７００（ｍＴｏｒｒ）にして、５０７のマイクロ波に
よりプラズマを発生させ、レジストを除去する。図２
（ｂ）にレジスト除去後のＡＬ合金配線断面図を示す。
次に、メタノール（ＣＨ3ＯＨ）ガス４０（ＳＣＣＭ）
と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）を５０８のアッ
シングチャンバ−に流し、圧力を１２００（ｍＴｏｒ
ｒ）にして、５０７のマイクロ波によりプラズマを発生
させ、残留塩素とメタノールを置換反応させ揮発させ
る。図２（ｃ）に残留塩素除去後のＡＬ合金配線断面図
を示す。次に、アッシング後のウェハーを９０℃の有機
アルカリ系溶液に１０分間浸漬させ２０８の側壁保護膜
を完全に除去する。
であり、２０１はＳｉ基板、２０２はＳｉＯ2膜、２０
３はＴｉＮ、２０４はＡＬ合金、２０５はＴｉＮ、２０
６はレジスト、２０７は残留塩素、２０８は側壁保護膜
である。次に、図５の装置を用いてたＡＬ合金エッチン
グ後のレジストアッシングを例として、本発明の製造方
法を説明する。まず、５０２のエッチングチャンバーで
ＡＬ合金エッチングを行う（ＡＬ合金エッチング条件は
従来の技術でのＡＬエッチング条件と同様）。図２
（ａ）はＡＬ合金のエッチング後の配線断面図を示す。
そして、このＡＬ合金エッチング後のウェハーを５０２
のエッチングチャンバー内から真空搬送し５０９のアッ
シングステ−ジに設置し温度を９０℃にしてＣＨＦ3ガ
ス１０（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣ
Ｍ）を５０８のアッシングチャンバ−内に流して、圧力
を７００（ｍＴｏｒｒ）にして、５０７のマイクロ波に
よりプラズマを発生させ、レジストを除去する。図２
（ｂ）にレジスト除去後のＡＬ合金配線断面図を示す。
次に、メタノール（ＣＨ3ＯＨ）ガス４０（ＳＣＣＭ）
と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）を５０８のアッ
シングチャンバ−に流し、圧力を１２００（ｍＴｏｒ
ｒ）にして、５０７のマイクロ波によりプラズマを発生
させ、残留塩素とメタノールを置換反応させ揮発させ
る。図２（ｃ）に残留塩素除去後のＡＬ合金配線断面図
を示す。次に、アッシング後のウェハーを９０℃の有機
アルカリ系溶液に１０分間浸漬させ２０８の側壁保護膜
を完全に除去する。
【０００８】図３は第３の本発明の製造方法を示すもの
であり、３０１はＳｉ基板、３０２はＳｉＯ2膜、３０
３はＴｉＮ、３０４はＡＬ合金、３０５はＴｉＮ、３０
６はレジスト、３０７は残留塩素、３０８は側壁保護
膜、３０９はデポ膜である。次に、図５の装置を用いた
ＡＬ合金エッチング後のレジストアッシングを例とし
て、本発明の製造方法を説明する。まず、５０２のエッ
チングチャンバーでのＡＬ合金エッチングを行う（ＡＬ
合金エッチング条件は従来の技術でのＡＬエッチング条
件と同様）。図３（ａ）はＡＬ合金エッチング後の配線
断面図を示す。そして、ＡＬ合金エッチング後のウェハ
ーを５０２のエッチングチャンバー内から真空搬送し５
０９のアッシングステ−ジに設置し温度を５０℃にして
５０８のアッシングチャンバ−内にＣＨＦ3ガス１０
（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）を
流し、圧力を８００（ｍＴｏｒｒ）にして、５０７のマ
イクロ波によりプラズマを発生させ、レジストを除去す
る。図３（ｂ）にレジスト除去後のＡＬ合金の配線断面
図を示す。次に、メタノール（ＣＨ3ＯＨ）ガス３０
（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）を
５０８のアッシングチャンバ−内に流し、圧力を１２０
０（ｍＴｏｒｒ）にして、５０７のマイクロ波でプラズ
マを発生させ、残留塩素をメタノールにて置換反応させ
揮発させる。しかし、ここで残留塩素が完全に揮発され
ない。そこで、次にＣＨＦ3ガスを９０（ＳＣＣＭ）５
０８のアッシングチャンバ−内に流して、圧力を９００
（ｍＴｏｒｒ）にして、マイクロ波によりプラズマを発
生させ、ＡＬ合金配線上に３０９のデポ膜をデポジショ
ンし、揮発されきれなかった残留塩素と水分吸湿との反
応を防ぎ腐食を防止する。図３（ｄ）にポリマーをデポ
ジションした後のＡＬ合金配線断面図を示す。次に、ア
ッシング後のウェハーを７０℃の有機アルカリ系溶液に
１０分間浸漬させ３０８の側壁保護膜と３０９のデポ膜
を完全に除去する。
であり、３０１はＳｉ基板、３０２はＳｉＯ2膜、３０
３はＴｉＮ、３０４はＡＬ合金、３０５はＴｉＮ、３０
６はレジスト、３０７は残留塩素、３０８は側壁保護
膜、３０９はデポ膜である。次に、図５の装置を用いた
ＡＬ合金エッチング後のレジストアッシングを例とし
て、本発明の製造方法を説明する。まず、５０２のエッ
チングチャンバーでのＡＬ合金エッチングを行う（ＡＬ
合金エッチング条件は従来の技術でのＡＬエッチング条
件と同様）。図３（ａ）はＡＬ合金エッチング後の配線
断面図を示す。そして、ＡＬ合金エッチング後のウェハ
ーを５０２のエッチングチャンバー内から真空搬送し５
０９のアッシングステ−ジに設置し温度を５０℃にして
５０８のアッシングチャンバ−内にＣＨＦ3ガス１０
（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）を
流し、圧力を８００（ｍＴｏｒｒ）にして、５０７のマ
イクロ波によりプラズマを発生させ、レジストを除去す
る。図３（ｂ）にレジスト除去後のＡＬ合金の配線断面
図を示す。次に、メタノール（ＣＨ3ＯＨ）ガス３０
（ＳＣＣＭ）と酸素（Ｏ2）ガス２００（ＳＣＣＭ）を
５０８のアッシングチャンバ−内に流し、圧力を１２０
０（ｍＴｏｒｒ）にして、５０７のマイクロ波でプラズ
マを発生させ、残留塩素をメタノールにて置換反応させ
揮発させる。しかし、ここで残留塩素が完全に揮発され
ない。そこで、次にＣＨＦ3ガスを９０（ＳＣＣＭ）５
０８のアッシングチャンバ−内に流して、圧力を９００
（ｍＴｏｒｒ）にして、マイクロ波によりプラズマを発
生させ、ＡＬ合金配線上に３０９のデポ膜をデポジショ
ンし、揮発されきれなかった残留塩素と水分吸湿との反
応を防ぎ腐食を防止する。図３（ｄ）にポリマーをデポ
ジションした後のＡＬ合金配線断面図を示す。次に、ア
ッシング後のウェハーを７０℃の有機アルカリ系溶液に
１０分間浸漬させ３０８の側壁保護膜と３０９のデポ膜
を完全に除去する。
【０００９】
【発明の効果】本発明は、ＡＬ及びＡＬ合金配線のエッ
チング後、１００℃以下でレジストアッシングすること
により、有機アルカリ系溶液によって除去可能となっ
た。
チング後、１００℃以下でレジストアッシングすること
により、有機アルカリ系溶液によって除去可能となっ
た。
【図１】本発明の製造方法を示す図である。
【図２】本発明の製造方法を示す図である。
【図３】本発明の製造方法を示す図である。
【図４】従来の製造方法を示す図である。
【図５】プラズマエッチング装置及びプラズマアッシン
グ装置を示す図である。
グ装置を示す図である。
１０１，２０１，３０１ Ｓｉ基板 １０２，２０２，３０２ ＳｉＯ２膜 １０３，２０３，３０３ ＴｉＮ １０４，２０４，３０４ ＡＬ合金 １０５，２０５，３０５ ＴｉＮ １０６，２０６，３０６ レジスト １０７，２０７，３０７ 残留塩素 １０８，２０８，３０８ 側壁保護膜 ３０９ デポ膜 ５０１ ウェハー ５０２ エッチングチャンバー ５０３ コイル ５０４ マイクロ波 ５０５ エッチングステージ ５０６ 高周波電源 ５０７ マイクロ波 ５０８ アッシングチャンバー ５０９ アッシングステージ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハー上に形成されたＡＬ及びＡＬ合
金の単層または多層より成る配線層をドライエッチング
した後、１００℃以下で、レジストアッシングすること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27275891A JPH05109673A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27275891A JPH05109673A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109673A true JPH05109673A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17518343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27275891A Pending JPH05109673A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109673A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5741742A (en) * | 1993-09-10 | 1998-04-21 | Sony Corporation | Formation of aluminum-alloy pattern |
| KR100347648B1 (ko) * | 1997-11-26 | 2002-10-25 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 포토레지스트및에칭잔류물제거방법 |
| US6843258B2 (en) | 2000-12-19 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning |
| KR100859650B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-09-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 배선형성 방법 |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP27275891A patent/JPH05109673A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5741742A (en) * | 1993-09-10 | 1998-04-21 | Sony Corporation | Formation of aluminum-alloy pattern |
| KR100347648B1 (ko) * | 1997-11-26 | 2002-10-25 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 포토레지스트및에칭잔류물제거방법 |
| US6843258B2 (en) | 2000-12-19 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning |
| US6981508B2 (en) | 2000-12-19 | 2006-01-03 | Applied Materials, Inc. | On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning |
| KR100859650B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-09-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 장치의 배선형성 방법 |
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