JPH0422123A - シリコン酸化膜のエッチング方法 - Google Patents
シリコン酸化膜のエッチング方法Info
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- JPH0422123A JPH0422123A JP12749290A JP12749290A JPH0422123A JP H0422123 A JPH0422123 A JP H0422123A JP 12749290 A JP12749290 A JP 12749290A JP 12749290 A JP12749290 A JP 12749290A JP H0422123 A JPH0422123 A JP H0422123A
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- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 35
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、シリコン酸ｆヒ膜のエツチング方法に関す
る。ことに、半導体装置の製造に用いられる。
る。ことに、半導体装置の製造に用いられる。
（り）従来の技術
従来、シリコン基板上の酸化膜をエツチングするのに、
フッ化水素（ＨＦ）水溶液による湿式エツチングか広く
用いられていｆ二。しかし、水先の際、エツチングによ
って露出し１ニシリコン面に自然酸化膜か成長するとい
う問題か生した。この問題を解決するため、フッ化水素
蒸気よる工、ｌヂングか検討される様に戸っている。
フッ化水素（ＨＦ）水溶液による湿式エツチングか広く
用いられていｆ二。しかし、水先の際、エツチングによ
って露出し１ニシリコン面に自然酸化膜か成長するとい
う問題か生した。この問題を解決するため、フッ化水素
蒸気よる工、ｌヂングか検討される様に戸っている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
上述のシリコン酸化膜のエッチ／り方法は、酸化シリコ
ン膜をエツチングして露出しに基板のシリコン面にＣＶ
Ｄ法によって素子形成用薄膜を積層すると、薄膜の展板
に対する密着性低下や素子の電気特性低下か起こるとい
う問題かあっｆ烏この発明は上記間麗を解決るｒ二めに
なされた乙のであって、シリコン酸化膜をエツチングし
てＵ出した基板のシリコン面に密着性よく、信頼性の高
い素子を形成しうるシリコン酸化膜のエツチング方法を
提供しようとするものである。
ン膜をエツチングして露出しに基板のシリコン面にＣＶ
Ｄ法によって素子形成用薄膜を積層すると、薄膜の展板
に対する密着性低下や素子の電気特性低下か起こるとい
う問題かあっｆ烏この発明は上記間麗を解決るｒ二めに
なされた乙のであって、シリコン酸化膜をエツチングし
てＵ出した基板のシリコン面に密着性よく、信頼性の高
い素子を形成しうるシリコン酸化膜のエツチング方法を
提供しようとするものである。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明によれば、表面にシリコン酸化嘆か形成されｆ
ニノリフン基板をフッ化水素蒸気で処理することによっ
て該シリコン酸化膜をエツチングして基板のシリコン面
を露出さけ、この後に上記シリコン基板を水素又は窒素
ガスプラズマを用いて処理することによって上記基板の
シリコン面に残存するフッ素原子を除去することを特徴
とするシリコン酸化膜のエツチング方法か提供される。
ニノリフン基板をフッ化水素蒸気で処理することによっ
て該シリコン酸化膜をエツチングして基板のシリコン面
を露出さけ、この後に上記シリコン基板を水素又は窒素
ガスプラズマを用いて処理することによって上記基板の
シリコン面に残存するフッ素原子を除去することを特徴
とするシリコン酸化膜のエツチング方法か提供される。
この発明においては、表面にシリコン酸化膜が形成され
たシリコン基板をフッ化水素蒸気で処理することによっ
て該シリコン酸化膜をエツチングして基板のシリコン面
を露出させる。上記エツチングは、シリコン基板上の所
定位置のシリコン酸化膜を除去して基数のシリコン面を
露出させるためのらのであって、通常必要に応じてホト
レジスト膜等のマスクパターンを形成してフッ化水素蒸
気で処理することによって所定位置のシリコン酸化膜を
除去して基板のシリコン面を露出させることができる。
たシリコン基板をフッ化水素蒸気で処理することによっ
て該シリコン酸化膜をエツチングして基板のシリコン面
を露出させる。上記エツチングは、シリコン基板上の所
定位置のシリコン酸化膜を除去して基数のシリコン面を
露出させるためのらのであって、通常必要に応じてホト
レジスト膜等のマスクパターンを形成してフッ化水素蒸
気で処理することによって所定位置のシリコン酸化膜を
除去して基板のシリコン面を露出させることができる。
このエツチング条件は、通常フッ化水素蒸気圧力５０ｆ
）−７６ＤＴｏｒｒ、処理、ＡｌＦＦ ２０−２５℃、
処理時間５〜６０秒として行うことができる。
）−７６ＤＴｏｒｒ、処理、ＡｌＦＦ ２０−２５℃、
処理時間５〜６０秒として行うことができる。
この発明においては、この後に上記シリコン基板を水素
又は窒素ガスプラズマを用いて処理することによって上
記基板のシリコン面に残存するフッ素原子を除去する。
又は窒素ガスプラズマを用いて処理することによって上
記基板のシリコン面に残存するフッ素原子を除去する。
上記プラズマ処理は、上記基板のシリコン面に結合して
残存するフッ素原子を除去するためのものであって、こ
の基板を水素又は窒素ガスプラズマで処理することによ
ってプラズマ雰囲気中に含まれる水素ラジカル又は窒素
ラジカルをシリコン基板に結合しているフッ素原子と反
応させ、フッ素を基板のシリコン面から脱離してフッ素
水素又は三フフ化窒素に変換することかできる。上記プ
ラズマ処理装置は、例えば円筒型プラズマ装置、枚葉型
自動プラズマ装置等を用いることかでき、この中でも枚
葉型自動プラズマ装置は品質のばらつきか小さいので好
ましい。
残存するフッ素原子を除去するためのものであって、こ
の基板を水素又は窒素ガスプラズマで処理することによ
ってプラズマ雰囲気中に含まれる水素ラジカル又は窒素
ラジカルをシリコン基板に結合しているフッ素原子と反
応させ、フッ素を基板のシリコン面から脱離してフッ素
水素又は三フフ化窒素に変換することかできる。上記プ
ラズマ処理装置は、例えば円筒型プラズマ装置、枚葉型
自動プラズマ装置等を用いることかでき、この中でも枚
葉型自動プラズマ装置は品質のばらつきか小さいので好
ましい。
上記プラズマ処理条件は、例えば枚葉型自動プラズマ装
置を用いた場合、通常高周波出力１００〜１０００Ｗ、
真空度（水素ガス又は窒素ガスの圧力）５０−２０［１
ｚｚＴｏｒｒ、ステージＡＫ２Ｄ−３０°Ｃ１処理時間
１０〜６０秒とすることができる。この中でも、高周波
出力３００−５００Ｗ、真空度１００−２００ｍ、ｘＴ
ｏｒｒ、ステーノ温度２０〜２５°Ｃ１処理時間２０〜
４０秒とするのか好ましい。
置を用いた場合、通常高周波出力１００〜１０００Ｗ、
真空度（水素ガス又は窒素ガスの圧力）５０−２０［１
ｚｚＴｏｒｒ、ステージＡＫ２Ｄ−３０°Ｃ１処理時間
１０〜６０秒とすることができる。この中でも、高周波
出力３００−５００Ｗ、真空度１００−２００ｍ、ｘＴ
ｏｒｒ、ステーノ温度２０〜２５°Ｃ１処理時間２０〜
４０秒とするのか好ましい。
シリコン基板のプラズマ処理によって発生する上記フッ
化水素又は三フッ化窒素は、真空中で揮発させて除去す
ることができる。
化水素又は三フッ化窒素は、真空中で揮発させて除去す
ることができる。
（ホ）作用
水素又は窒素ガスプラズマか、シリコン酸化膜のエツチ
ングによって露出しｆこ基板のシリコン面に結合して残
存するフッ素原子をフン化水素又は三フッ化窒素に変換
して除去する。
ングによって露出しｆこ基板のシリコン面に結合して残
存するフッ素原子をフン化水素又は三フッ化窒素に変換
して除去する。
（へ）実施例
この発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図に示すように、表面に膜厚０゜１μｍのシリコン
酸化膜か形成されたシリコン基板を搬送系からロードロ
ック室へ移送する。
酸化膜か形成されたシリコン基板を搬送系からロードロ
ック室へ移送する。
次に、エッチチャツバ−内を真空にした後フッ化水素蒸
気を圧力５［１ｆｌＴｏｒｒになるように注入したエッ
チチャツバ−内へ上記シリコン基板を移送し、このシリ
コン基板を２３℃で６０秒間処理してシリコン基板表面
のシリコン酸化膜をエツチングする。
気を圧力５［１ｆｌＴｏｒｒになるように注入したエッ
チチャツバ−内へ上記シリコン基板を移送し、このシリ
コン基板を２３℃で６０秒間処理してシリコン基板表面
のシリコン酸化膜をエツチングする。
次に、この基板をロードロック室へ搬送する。
次に、この基板を高周波出方５００Ｗ、真空度（水素ガ
スの圧力）２０峻工Ｔｏｒｒ、ステージ１変２５℃のプ
ラズマ処理チャツバ−へ搬送し、４０秒間プラズマ処理
を行う。
スの圧力）２０峻工Ｔｏｒｒ、ステージ１変２５℃のプ
ラズマ処理チャツバ−へ搬送し、４０秒間プラズマ処理
を行う。
この後、この基板をロード。ツク室へ移送し、更に搬送
系や移送する。得られたシリコン基板のシリコン酸化膜
エノチノグ部にｎ°ポリノ１，１コノ膜を形成し、素子
を形成しｒ二ところ、この素子はシリコン基板に対する
乙着性に憂こ、信頼性が高いことか確認されｆ二。
系や移送する。得られたシリコン基板のシリコン酸化膜
エノチノグ部にｎ°ポリノ１，１コノ膜を形成し、素子
を形成しｒ二ところ、この素子はシリコン基板に対する
乙着性に憂こ、信頼性が高いことか確認されｆ二。
（ト）発明の効果
この発明によれば、シリコン酸化膜をエツチングして露
出した基板のシリコン面にエツチング残存物のフッ素原
子かなく、この上に密着性よく信頼性の高い素子を形成
しうるシリコン酸化膜のエツチング方法をｍ供すること
ができる。
出した基板のシリコン面にエツチング残存物のフッ素原
子かなく、この上に密着性よく信頼性の高い素子を形成
しうるシリコン酸化膜のエツチング方法をｍ供すること
ができる。
〈１７２丁４ミ白、 求龜Ｉ：緯く〉
第１図は、
この発明の実施例で行ったンリコン
酸化膜エノチンクの工程説明図である。
Claims (1)
- １ 表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を
フッ化水素蒸気で処理することによって該シリコン酸化
膜をエッチングして基板のシリコン面を露出させ、この
後に上記シリコン基板を水素又は窒素ガスプラズマを用
いて処理することによって上記基板のシリコン面に残存
するフッ素原子を除去することを特徴とするシリコン酸
化膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12749290A JPH0422123A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12749290A JPH0422123A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0422123A true JPH0422123A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14961300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12749290A Pending JPH0422123A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | シリコン酸化膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0422123A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348619A (en) * | 1992-09-03 | 1994-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Metal selective polymer removal |
| WO2006049976A2 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-11 | University Of Iowa Research Foundation | Patterned silicon surfaces |
| JP2007181875A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Amada Co Ltd | 曲げ加工装置 |
| GB2487716A (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-08 | Memsstar Ltd | Vapour Etch of Silicon Dioxide with Improved Selectivity in MEMS structures |
| US20220388837A1 (en) * | 2019-11-14 | 2022-12-08 | Memsstar Limited | Method of manufacturing a microstructure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59166675A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | Fujitsu Ltd | エツチング装置 |
| JPS60110123A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体エッチング方法 |
-
1990
- 1990-05-17 JP JP12749290A patent/JPH0422123A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59166675A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | Fujitsu Ltd | エツチング装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| USRE36006E (en) * | 1992-09-03 | 1998-12-22 | Fsi International, Inc. | Metal selective polymer removal |
| WO2006049976A2 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-11 | University Of Iowa Research Foundation | Patterned silicon surfaces |
| WO2006049976A3 (en) * | 2004-10-28 | 2006-08-03 | Univ Iowa Res Found | Patterned silicon surfaces |
| JP2007181875A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Amada Co Ltd | 曲げ加工装置 |
| GB2487716A (en) * | 2011-01-24 | 2012-08-08 | Memsstar Ltd | Vapour Etch of Silicon Dioxide with Improved Selectivity in MEMS structures |
| GB2487716B (en) * | 2011-01-24 | 2015-06-03 | Memsstar Ltd | Vapour Etch of Silicon Dioxide with Improved Selectivity |
| US10354884B2 (en) | 2011-01-24 | 2019-07-16 | Memsstar Limited | Vapour etch of silicon dioxide with improved selectivity |
| US20220388837A1 (en) * | 2019-11-14 | 2022-12-08 | Memsstar Limited | Method of manufacturing a microstructure |
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