JPH0492429A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0492429A JPH0492429A JP20897790A JP20897790A JPH0492429A JP H0492429 A JPH0492429 A JP H0492429A JP 20897790 A JP20897790 A JP 20897790A JP 20897790 A JP20897790 A JP 20897790A JP H0492429 A JPH0492429 A JP H0492429A
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アルミニウム合金を含む配線をドライエツチ
ングした後の配線腐食防止技術に関するものである。
ングした後の配線腐食防止技術に関するものである。
本発明は、塩素系ガスを使用したアルミニウム及びアル
ミニウム合金配線のドライエツチングした後、還元ガス
雰囲気で塩素を置換して、ある−定温度により置換され
た塩素を揮発して塩素による腐食を防止する。
ミニウム合金配線のドライエツチングした後、還元ガス
雰囲気で塩素を置換して、ある−定温度により置換され
た塩素を揮発して塩素による腐食を防止する。
従来の腐食防止製造方法は、アルミニウム合金及びアル
ミニウムの配線のドライエツチング後、レジスト５０５
のエツチングを行い、その後アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金配線５０４の上にデポ膜２０８を形成して、
大気に取り出しによる空気中の水分吸湿と残留塩素との
反応によるアルミニウド及びアルミニウム合金の腐食を
防止している。
ミニウムの配線のドライエツチング後、レジスト５０５
のエツチングを行い、その後アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金配線５０４の上にデポ膜２０８を形成して、
大気に取り出しによる空気中の水分吸湿と残留塩素との
反応によるアルミニウド及びアルミニウム合金の腐食を
防止している。
しかし、上記のデポ膜２０８はエツチング時に形成され
る側壁保護膜２０６除去する為の現像液をはじいてしま
い、現像工程の前にデポ膜２０８を剥離しなければなら
ない。また、デボ膜２０８剥離後ただちに現像を行なわ
ないと腐食が発生する。
る側壁保護膜２０６除去する為の現像液をはじいてしま
い、現像工程の前にデポ膜２０８を剥離しなければなら
ない。また、デボ膜２０８剥離後ただちに現像を行なわ
ないと腐食が発生する。
そこで、本発明は、デポ膜の形成なしによる腐食防止を
行なう。
行なう。
［課題を解決するための手段〕
本発明の腐食防１Ｆ製造方法は、
残留塩素をある一定温度で還元ガスにより置換して、同
時に、置換された残留塩素を揮発させる。
時に、置換された残留塩素を揮発させる。
本発明について、実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
まず第１図（ａ）図はアルミニウム合金の配線のエツチ
ング後の状態を示し、配線側面に残留塩素、エツチング
時について側壁保護膜がある。
ング後の状態を示し、配線側面に残留塩素、エツチング
時について側壁保護膜がある。
つづいて、メタノール（ＣＨ３０Ｈ）と酸素（０２）ガ
スを流し、温度を２５０℃にして、マイクロ波及び、磁
場をかけることによりプラズマを発生させ、塩素とメタ
ノールを置換反応させ揮発させ、同時に、レジストも除
去する。塩素とレジスト除去後のアルミニウム合金の配
線断面図を第１図（ｂ）に示す。また、第２図にプラズ
マを発生させた状態のものを示す。
スを流し、温度を２５０℃にして、マイクロ波及び、磁
場をかけることによりプラズマを発生させ、塩素とメタ
ノールを置換反応させ揮発させ、同時に、レジストも除
去する。塩素とレジスト除去後のアルミニウム合金の配
線断面図を第１図（ｂ）に示す。また、第２図にプラズ
マを発生させた状態のものを示す。
第３図に、アルミニム合金の配線の工・ソチング後のウ
ェハーを、メタノール溶液中に浸すものを示す。これは
メタノール溶液に浸すことによって塩素とメタノールを
反応させ置換して、その後、温度２５０℃で乾燥させ、
レジスト剥離につけ、腐食防止とレジスト剥離を行うも
のである。
ェハーを、メタノール溶液中に浸すものを示す。これは
メタノール溶液に浸すことによって塩素とメタノールを
反応させ置換して、その後、温度２５０℃で乾燥させ、
レジスト剥離につけ、腐食防止とレジスト剥離を行うも
のである。
第４図に、アルミニウム合金の配線の工・ソチング後の
ウェハーを、温度２５０℃のところでメタノールガスを
流して塩素とメタノールを置換反応させ、同時に揮発さ
れるものを示す。
ウェハーを、温度２５０℃のところでメタノールガスを
流して塩素とメタノールを置換反応させ、同時に揮発さ
れるものを示す。
本発明は、アルミニウム及びアルミニウム合金配線のエ
ツチング後、デポ膜なして、腐食の原因となる残留塩素
を置換反応させて高温で揮発させることによって腐食防
止ができ、また、腐食防止のデポ膜の形成する工程と除
去する工程が削除できる。
ツチング後、デポ膜なして、腐食の原因となる残留塩素
を置換反応させて高温で揮発させることによって腐食防
止ができ、また、腐食防止のデポ膜の形成する工程と除
去する工程が削除できる。
第１−図（ａ）は、本発明のアルミニウム合金エツチン
グ後の断面図で、第１図（ｂ）はレジストと残留塩素除
去後の断面図。 第２図は、本発明の実施例のプラズマ発生によるメタノ
ールと塩素の置換反応装置を示す図。 第３図はメタノール溶液中に、アルミニウム合金エツチ
ング後のウェハーを浸し置換反応させる図。 第４図はアルミニウム合金エツチング後にメタノールガ
スを流して置換反応させる図。 第５図は従来例を示す図。 １０１ ・ １０２ ・ １０３ ・ １０４ ・ １０５・ １０６・ １０７・ ２０１ ・ ２０２ ・ ・ポリシリコン ・酸化シリコン ・酸化シリコン ・アルミニウム合金 ・レジスト ・側壁保護膜 ・残留塩素 ・マイクロ波 ・磁気コイル ２０３ ・ ・ ２０４ ・ ・ ３０コ・・ ３０２ ・ ・ ４０１ ・ ・ ４０２ ・ ・ ５０１ ・ ・ ５０２ ・ ・ ５０３ ・ ・ ５０４ ・ ・ ５０５ ・ ・ ５０６ ・ ・ ５０７ ・ ・ ５０８ ・ ・ ・ウェハ ・メタノールガス ・メタノール ・ウニ／Ｘ− ・メタノールガス Φウェハー ・ポリシリコン ・酸化シリコン ・酸化シリコン ・アルミニウム合金 ・レジスト ・側壁保護膜 ・残留塩素 ・デポ膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）目 ア 聞 医
グ後の断面図で、第１図（ｂ）はレジストと残留塩素除
去後の断面図。 第２図は、本発明の実施例のプラズマ発生によるメタノ
ールと塩素の置換反応装置を示す図。 第３図はメタノール溶液中に、アルミニウム合金エツチ
ング後のウェハーを浸し置換反応させる図。 第４図はアルミニウム合金エツチング後にメタノールガ
スを流して置換反応させる図。 第５図は従来例を示す図。 １０１ ・ １０２ ・ １０３ ・ １０４ ・ １０５・ １０６・ １０７・ ２０１ ・ ２０２ ・ ・ポリシリコン ・酸化シリコン ・酸化シリコン ・アルミニウム合金 ・レジスト ・側壁保護膜 ・残留塩素 ・マイクロ波 ・磁気コイル ２０３ ・ ・ ２０４ ・ ・ ３０コ・・ ３０２ ・ ・ ４０１ ・ ・ ４０２ ・ ・ ５０１ ・ ・ ５０２ ・ ・ ５０３ ・ ・ ５０４ ・ ・ ５０５ ・ ・ ５０６ ・ ・ ５０７ ・ ・ ５０８ ・ ・ ・ウェハ ・メタノールガス ・メタノール ・ウニ／Ｘ− ・メタノールガス Φウェハー ・ポリシリコン ・酸化シリコン ・酸化シリコン ・アルミニウム合金 ・レジスト ・側壁保護膜 ・残留塩素 ・デポ膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）目 ア 聞 医
Claims (1)
- ウェハー上に形成されたアルミニウム及びアルミニウ
ム合金の単層または多層より成る配線層をドライエッチ
ングした後、置換反応をおこして、一定温度に保持する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20897790A JPH0492429A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20897790A JPH0492429A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492429A true JPH0492429A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16565294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20897790A Pending JPH0492429A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492429A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5320707A (en) * | 1989-02-27 | 1994-06-14 | Hitachi, Ltd. | Dry etching method |
| WO2013174045A1 (zh) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 取代膜层上氯原子的方法 |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP20897790A patent/JPH0492429A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5320707A (en) * | 1989-02-27 | 1994-06-14 | Hitachi, Ltd. | Dry etching method |
| WO2013174045A1 (zh) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 取代膜层上氯原子的方法 |
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