JPH0410676A - パターン化酸化物超伝導膜形成法 - Google Patents
パターン化酸化物超伝導膜形成法Info
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- JPH0410676A JPH0410676A JP2113458A JP11345890A JPH0410676A JP H0410676 A JPH0410676 A JP H0410676A JP 2113458 A JP2113458 A JP 2113458A JP 11345890 A JP11345890 A JP 11345890A JP H0410676 A JPH0410676 A JP H0410676A
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
本発明は、基板上にパターン化された酸化物超伝導膜を
形成するパターン化酸化物超伝導膜形成法に関する。
形成するパターン化酸化物超伝導膜形成法に関する。
従来、第５図を伴って次に述べるパターン化酸化物超伝
導膜形成法が提案されている。 すなわち、予め用意された例えば１ｖｌｏｏ、 ５ｒＴ
１０３、／ｒＯなどでなる基板１上に、例えばＢ１５ｒ
ＣａＣｕＯ系でなる酸化物超伝導体材料層をスパッタリ
ング法によって例えば３μ厚に形成し、次で、その酸化
物超伝導体材料層に対し、比較的高い温度での熱処理を
施すことによって、その酸化物超伝導体材料層から、超
伝導性を有する酸化物超伝導膜２を形成する（第５図Ａ
）。 次に、その酸化物超伝導膜２上に、フォトリソグラフィ
法によって、有機レジスト材でなるマスク層３を形成す
る（第５図Ｂ）。 次に、酸化物超伝導膜２に対するマスク層３をマスクと
する、燐酸系、塩酸系をエッチャントとして用いたウェ
ットエツチング処理によって、またはＡｒイオンビーム
を用いたドライエツチング処理によって、若しくはハロ
ゲン系ガスを用いた反応性ドライエツチング処理によっ
て、酸化物超伝導膜２からパターン化された酸化物超伝
導膜２′を形成する（第５図Ｃ）。 次に、マスク層３をパターン化された酸化物超伝導膜２
′上から除去する（第５図Ｄ）。 以上が、従来提案されているパターン化酸化物超伝導膜
形成法である。
導膜形成法が提案されている。 すなわち、予め用意された例えば１ｖｌｏｏ、 ５ｒＴ
１０３、／ｒＯなどでなる基板１上に、例えばＢ１５ｒ
ＣａＣｕＯ系でなる酸化物超伝導体材料層をスパッタリ
ング法によって例えば３μ厚に形成し、次で、その酸化
物超伝導体材料層に対し、比較的高い温度での熱処理を
施すことによって、その酸化物超伝導体材料層から、超
伝導性を有する酸化物超伝導膜２を形成する（第５図Ａ
）。 次に、その酸化物超伝導膜２上に、フォトリソグラフィ
法によって、有機レジスト材でなるマスク層３を形成す
る（第５図Ｂ）。 次に、酸化物超伝導膜２に対するマスク層３をマスクと
する、燐酸系、塩酸系をエッチャントとして用いたウェ
ットエツチング処理によって、またはＡｒイオンビーム
を用いたドライエツチング処理によって、若しくはハロ
ゲン系ガスを用いた反応性ドライエツチング処理によっ
て、酸化物超伝導膜２からパターン化された酸化物超伝
導膜２′を形成する（第５図Ｃ）。 次に、マスク層３をパターン化された酸化物超伝導膜２
′上から除去する（第５図Ｄ）。 以上が、従来提案されているパターン化酸化物超伝導膜
形成法である。
第５図に示す従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の
場合、酸化物超伝導膜２上にマスク層３を形成する工程
（第５図Ｂ）において、そのマスク層３がフォトリソグ
ラフィ法によって、酸化物超伝導膜２に接して形成され
、一方、マスク層３が有機レジスト材でなり、また、酸
化物超伝導膜２が比較的低い科学的な安定性しか有しな
いので、マスク層３を形成するときに、マスク層３を構
成している材料が酸化物超伝導膜２と反応し、酸化物超
伝導膜２の表面にその反応生成物を形成し、また、マス
、り層３を形成するときの現像処理時において用いる水
（純水）が酸化物超伝導膜２に触れ、このため、その酸
化物超伝導膜２が、水分によって、膜質的に劣化してい
た。 以上のことから、第５図に示す従来のパターン化酸化物
超伝導膜形成法の場合、パターン化された酸化物超伝導
膜２′を、その全厚に亘って、所期の良好な膜質を有す
るものとして形成することができない、という欠点を有
していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない新規なパターン
化酸化物超伝導膜形成法を提案せんとするものである。 ［１題を解決するための手段］ 本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法は、■基
板上に、酸化物超伝導膜を形成する工程と、■その酸化
物超伝導膜上に、貴金属でなる保護層を形成する工程と
、■その保ｌ！層上に、パターン化されたマスク層を形
成する工程と、■上記保護層及び上記酸化物超伝導膜に
対する上記マスク層をマスクとするエツチング処理によ
って、上記保護層から、それがパターン化された保護層
を形成するとともに、上記酸化物超伝導膜から、それが
パターン化された酸化物超伝導膜を形成する工程と、０
１２７２９層を、エツチング処理によって、上記パター
ン化され１ｃ保護層上から除去する工程と、■上記パタ
ーン化された保護層を、エツチング処理によって、上記
パターン化された酸化物超伝導膜上から除去する工程と
を有する。
場合、酸化物超伝導膜２上にマスク層３を形成する工程
（第５図Ｂ）において、そのマスク層３がフォトリソグ
ラフィ法によって、酸化物超伝導膜２に接して形成され
、一方、マスク層３が有機レジスト材でなり、また、酸
化物超伝導膜２が比較的低い科学的な安定性しか有しな
いので、マスク層３を形成するときに、マスク層３を構
成している材料が酸化物超伝導膜２と反応し、酸化物超
伝導膜２の表面にその反応生成物を形成し、また、マス
、り層３を形成するときの現像処理時において用いる水
（純水）が酸化物超伝導膜２に触れ、このため、その酸
化物超伝導膜２が、水分によって、膜質的に劣化してい
た。 以上のことから、第５図に示す従来のパターン化酸化物
超伝導膜形成法の場合、パターン化された酸化物超伝導
膜２′を、その全厚に亘って、所期の良好な膜質を有す
るものとして形成することができない、という欠点を有
していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない新規なパターン
化酸化物超伝導膜形成法を提案せんとするものである。 ［１題を解決するための手段］ 本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法は、■基
板上に、酸化物超伝導膜を形成する工程と、■その酸化
物超伝導膜上に、貴金属でなる保護層を形成する工程と
、■その保ｌ！層上に、パターン化されたマスク層を形
成する工程と、■上記保護層及び上記酸化物超伝導膜に
対する上記マスク層をマスクとするエツチング処理によ
って、上記保護層から、それがパターン化された保護層
を形成するとともに、上記酸化物超伝導膜から、それが
パターン化された酸化物超伝導膜を形成する工程と、０
１２７２９層を、エツチング処理によって、上記パター
ン化され１ｃ保護層上から除去する工程と、■上記パタ
ーン化された保護層を、エツチング処理によって、上記
パターン化された酸化物超伝導膜上から除去する工程と
を有する。
本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法によれば
、酸化物超伝導膜上に保護層を形成する工程において、
その保護層が、酸化物超伝導膜との間で漏れがよく、ま
た、酸化物超伝導膜と実質的に反応しないので、その保
護層を、酸化物超伝導膜上に、酸化物超伝導膜の膜質を
全厚さに亘って劣化させることなしに形成することがで
きる。 また、保護層上にマスク層を形成する工程において、そ
のマスク層を、フォトリソグラフィ法によって形成する
場合でも、酸化物超伝導膜が保護層によって保護されて
いるので、そのマスク層を、酸化物超伝導膜の膜質を劣
化させることなしに形成することができる。 また、パターン化された保護層をパターン化された酸化
物超伝導膜上から除去する工程において、パターン化さ
れた保護層が貴金属でなるので、パターン化された酸化
物超伝導膜上から、その膜質を劣化させることなしに、
速やかに除去することができる。 以上のことから、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法によれば、パターン化された酸化物超伝導膜を
、その全厚に亘って所期の良好な膜□質を有するものと
して容易に形成することができる。
、酸化物超伝導膜上に保護層を形成する工程において、
その保護層が、酸化物超伝導膜との間で漏れがよく、ま
た、酸化物超伝導膜と実質的に反応しないので、その保
護層を、酸化物超伝導膜上に、酸化物超伝導膜の膜質を
全厚さに亘って劣化させることなしに形成することがで
きる。 また、保護層上にマスク層を形成する工程において、そ
のマスク層を、フォトリソグラフィ法によって形成する
場合でも、酸化物超伝導膜が保護層によって保護されて
いるので、そのマスク層を、酸化物超伝導膜の膜質を劣
化させることなしに形成することができる。 また、パターン化された保護層をパターン化された酸化
物超伝導膜上から除去する工程において、パターン化さ
れた保護層が貴金属でなるので、パターン化された酸化
物超伝導膜上から、その膜質を劣化させることなしに、
速やかに除去することができる。 以上のことから、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法によれば、パターン化された酸化物超伝導膜を
、その全厚に亘って所期の良好な膜□質を有するものと
して容易に形成することができる。
【実施例１】
次に、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の
第１の実施例を述べよう。 本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の実施例
は、第１図を伴って次に述べる順次の工程をとって、目
的とするパターン化された酸化物超伝導膜を形成する。 すなわち、第５図で前述した従来のパターン化酸化物超
伝導膜の形成法の場合と同様に、例えばＭＯＯ１ＳｒＴ
ｉＯ３、ＺｒＯなどでなる予め用意された基板１上に、
例えば５ｔｓｒｃａｃｕｏ系でなる酸化物超伝導体材料
層を、それ自体は公知の例えばスパッタリング法によっ
て、例えば３μ厚に形成し、次で、その酸化物超伝導体
材料層に対し、比較的高い温度での熱処理を施すことに
よって、その酸化物超伝導体材料層から、超伝導性を有
する酸化物超伝導膜２を形成する（第１図Ａ）。 次に、酸化物超伝導膜２上に、それと実質的に反応せず
且つ科学的に安定であるとともに、酸化物超伝導膜２に
比し早い速度でエツチングさせることができるＡｕｌＡ
ｇ、Ｐｔなどの貴金属、望ましくはＡｕでなる貴金属で
なる保護層４を、それ自体は公知の例えばスパッタリン
グ法によって形成する（第１図Ｂ）。 次に、保護層２上に、第５図に示す従来のパターン化酸
化物超伝導膜形成法で前述したと同様のマスク層３を、
同様に形成する（第１図Ｃ）次に、保護層４及び酸化物
超伝導膜に対するマスク層１４をマスクとする例えばＡ
ｒイオンビームを用いたドライエツチング処理によって
、保護層４から、それがパターン化されている保護層４
′を形成するとともに、酸化物超伝導膜２から、それが
パターン化された酸化物超伝導膜２′を形成する（第１
図Ｄ）。 次に、パターン化された保護層４′を、アセトンなどの
有機溶剤でなるエッチャントを用いたウェットエツチン
グ処理、酸素プラズマを用いたプラズマエツチング処理
などによって、パターン化された酸化物超伝導膜２上か
ら除去する（第１図Ｅ）。 次に、マスク層３を、比較的低いエネルギを有するイオ
ンを用いたイオンビームエツチング処理によって、パタ
ーン化された酸化物超伝導膜２′上から除去する（第１
図Ｊ）。 以上が、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法
の第１の実施例である。 このような本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成
法の第１の実施例によれば、詳細説明は省略するが、
第１の実施例を述べよう。 本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の実施例
は、第１図を伴って次に述べる順次の工程をとって、目
的とするパターン化された酸化物超伝導膜を形成する。 すなわち、第５図で前述した従来のパターン化酸化物超
伝導膜の形成法の場合と同様に、例えばＭＯＯ１ＳｒＴ
ｉＯ３、ＺｒＯなどでなる予め用意された基板１上に、
例えば５ｔｓｒｃａｃｕｏ系でなる酸化物超伝導体材料
層を、それ自体は公知の例えばスパッタリング法によっ
て、例えば３μ厚に形成し、次で、その酸化物超伝導体
材料層に対し、比較的高い温度での熱処理を施すことに
よって、その酸化物超伝導体材料層から、超伝導性を有
する酸化物超伝導膜２を形成する（第１図Ａ）。 次に、酸化物超伝導膜２上に、それと実質的に反応せず
且つ科学的に安定であるとともに、酸化物超伝導膜２に
比し早い速度でエツチングさせることができるＡｕｌＡ
ｇ、Ｐｔなどの貴金属、望ましくはＡｕでなる貴金属で
なる保護層４を、それ自体は公知の例えばスパッタリン
グ法によって形成する（第１図Ｂ）。 次に、保護層２上に、第５図に示す従来のパターン化酸
化物超伝導膜形成法で前述したと同様のマスク層３を、
同様に形成する（第１図Ｃ）次に、保護層４及び酸化物
超伝導膜に対するマスク層１４をマスクとする例えばＡ
ｒイオンビームを用いたドライエツチング処理によって
、保護層４から、それがパターン化されている保護層４
′を形成するとともに、酸化物超伝導膜２から、それが
パターン化された酸化物超伝導膜２′を形成する（第１
図Ｄ）。 次に、パターン化された保護層４′を、アセトンなどの
有機溶剤でなるエッチャントを用いたウェットエツチン
グ処理、酸素プラズマを用いたプラズマエツチング処理
などによって、パターン化された酸化物超伝導膜２上か
ら除去する（第１図Ｅ）。 次に、マスク層３を、比較的低いエネルギを有するイオ
ンを用いたイオンビームエツチング処理によって、パタ
ーン化された酸化物超伝導膜２′上から除去する（第１
図Ｊ）。 以上が、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法
の第１の実施例である。 このような本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成
法の第１の実施例によれば、詳細説明は省略するが、
【
作用・効果】の項で述べた優れた作用効果が得られるこ
とは明らかである。
作用・効果】の項で述べた優れた作用効果が得られるこ
とは明らかである。
【実施例２】
次に、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の
第２の実施例を述べよう。 本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の第２の
実施例は、第２図を伴って次に述べる順次の工程をとっ
て、目的とするパターン化された酸化物超伝導膜を形成
する。 すなわち、
第２の実施例を述べよう。 本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の第２の
実施例は、第２図を伴って次に述べる順次の工程をとっ
て、目的とするパターン化された酸化物超伝導膜を形成
する。 すなわち、
【実施例１】の場合と同様に、予め用意され
た基板１上に、超伝導性を有する酸化物超伝導膜２、を
、同様の方法によって形成する（第２図Ａ）。 次に、酸化物超伝導膜２上に、
た基板１上に、超伝導性を有する酸化物超伝導膜２、を
、同様の方法によって形成する（第２図Ａ）。 次に、酸化物超伝導膜２上に、
【実施例１】の場合と同
様に、同様の保護層４を同様に形成する（第２図Ｂ）。 次に、酸化物超伝導膜２上に、例えばＡＺ１３５０Ｊ
（商品名〉のような有機物でなるレジスト層１１を、そ
れ自体は公知の例えばスピンコード法によって、比較的
厚い厚さに形成する（第２図Ｃ）。 次に、レジスト層１１に対する１６０〜２５０℃の温度
での熱処理によって、レジスト層１１から、それが熱に
よって変質したレジスト層１２を形成する（第２図Ｄ）
。 次に、レジスト層１２上に、Ｔａ５ＺｒまたはＮｂでな
る金属層１３を、それ自体は公知の例えばスパッタリン
グ法によって形成する（第２図Ｅ）。 次に、金属層１３上に、例えばＡＺ１３５０（商品名）
のようなレジスト材でなる層をスピンコード法によって
形成し、次でその層に対し、露光を所要のパターンで施
し、続いて現像処理を施すことによって、レジスト材で
なる層から、それがパターン化されたマスク層１４を形
成する（第２図Ｆ）。 次に、金属層１３に対するマスク層１４をマスクとする
例えばＡｒイオンビームを用いたドライエツチング処理
によって、金属層１４から、それがパターン化されてい
るマスク層１３′を形成する（第２図Ｇ）。 次に、レジスト層１２に対するマスク層１３′をマスク
とするドライエツチング処理によって、レジスト層１２
からそれがパターン化されているマスク層１２′を形成
する（第２図Ｈ）。 この場合、ドライエツチング処理には、イオンビームと
して、窒化イオンビームを用いるのを可とする。また、
この場合、マスクＨ１４は、マスク層１３′から除去さ
れる。 次に、酸化物超伝導膜２に対するマスク層１３′及び１
２′をマスクとする
様に、同様の保護層４を同様に形成する（第２図Ｂ）。 次に、酸化物超伝導膜２上に、例えばＡＺ１３５０Ｊ
（商品名〉のような有機物でなるレジスト層１１を、そ
れ自体は公知の例えばスピンコード法によって、比較的
厚い厚さに形成する（第２図Ｃ）。 次に、レジスト層１１に対する１６０〜２５０℃の温度
での熱処理によって、レジスト層１１から、それが熱に
よって変質したレジスト層１２を形成する（第２図Ｄ）
。 次に、レジスト層１２上に、Ｔａ５ＺｒまたはＮｂでな
る金属層１３を、それ自体は公知の例えばスパッタリン
グ法によって形成する（第２図Ｅ）。 次に、金属層１３上に、例えばＡＺ１３５０（商品名）
のようなレジスト材でなる層をスピンコード法によって
形成し、次でその層に対し、露光を所要のパターンで施
し、続いて現像処理を施すことによって、レジスト材で
なる層から、それがパターン化されたマスク層１４を形
成する（第２図Ｆ）。 次に、金属層１３に対するマスク層１４をマスクとする
例えばＡｒイオンビームを用いたドライエツチング処理
によって、金属層１４から、それがパターン化されてい
るマスク層１３′を形成する（第２図Ｇ）。 次に、レジスト層１２に対するマスク層１３′をマスク
とするドライエツチング処理によって、レジスト層１２
からそれがパターン化されているマスク層１２′を形成
する（第２図Ｈ）。 この場合、ドライエツチング処理には、イオンビームと
して、窒化イオンビームを用いるのを可とする。また、
この場合、マスクＨ１４は、マスク層１３′から除去さ
れる。 次に、酸化物超伝導膜２に対するマスク層１３′及び１
２′をマスクとする
【実施例１】の場合と同様のドライ
エツチング処理によって、保護層４から、それがパター
ン化された保護層４′を形成するとともに、酸化物超伝
導膜２から、それがパターン化された酸化物超伝導膜２
′を形成する（第２図■）。 次に、マスク層１３′及び１２′を、酸素プラズマを用
いたエツチング処理によって、パターン化された保護層
２′上から除去する（第２図Ｊ）。 次に、パターン化された保護層４′を【実施例１１の場
合と同様に、パターン化された酸化物超伝導膜２′上か
ら除去する（第２図Ｋ）。 以上が、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法
の第２の実施例である。 このような本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成
法の第２の実施例によっても、第１の実施例の場合と同
様の優れた作用効果が得られる。 また、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の
第２の実施例の場合、レジスト層１２上に金属層１３を
形成する工程（第２図Ｅ）において、レジスト層１２が
、レジスト層１１が熱によって変質した層であるため、
その上に形成される金属層１３が、レジスト層１２に良
くなじむことから、金属層１３を良好に形成することが
できる。 また、マスク層１３′がドライエツチング処理によって
形成されるので、そのマスク層１３′を、高精度、微細
に形成することができる。 このため、１２２１〜層１２から、それがパターン化さ
れたマスク層を形成する工程（第２図１１）において、
そのマスク層１２′を、高精度、微細に形成することが
できる。 さらに、酸化物超伝導膜２から、マスク層１３′及び１
２′をマスクとして用いて、パターン化されたパターン
化酸化物超伝導膜形成法４′を形成するとともに、パタ
ーン化された酸化物超伝導膜２′を形成する工程（第２
図Ｉ）において、パターン化された酸化物超伝導膜２′
が、酸化物超伝導膜２から、ドライエツチング処理によ
って形成されるので、パターン化された酸化物超伝導膜
２′をウェットエツチング処理によって形成する場合に
比し、より高精度、微゛細に容易に形成することができ
る。 以上のことから、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法の第２の実施例によれば、パターン化された酸
化物超伝導膜を、第１の実施例の場合に比しより高精度
に、微細に形成することができる。 第３図は、第２図に示す本発明によるパターン化酸化物
超伝導膜形成法によって形成されたパターン化された酸
化物超伝導膜２′の温度（Ｋ）に対する抵抗化率を、そ
の酸化物超伝導膜２′の幅をパラメータとして、第５図
で前述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場
合と対比して示し、また、第４図は、第２図に示す本発
明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の第２の実施
例によって形成されたパタ−ン化された酸化物超伝導膜
２′の規格化温度に対する臨界電流密度を、第５図で前
述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場合と
対比して示している。 第３図及び第４図に示されている結果から、本発明によ
るパターン化酸化物超伝導膜形成法が、従来のパターン
化酸化物超伝導膜形成法に比し素暮れていることが明ら
かであろう。 なお、上述においては、本発明の１つの実施例を示した
に留まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変
型、変更をなし得るであろう。
エツチング処理によって、保護層４から、それがパター
ン化された保護層４′を形成するとともに、酸化物超伝
導膜２から、それがパターン化された酸化物超伝導膜２
′を形成する（第２図■）。 次に、マスク層１３′及び１２′を、酸素プラズマを用
いたエツチング処理によって、パターン化された保護層
２′上から除去する（第２図Ｊ）。 次に、パターン化された保護層４′を【実施例１１の場
合と同様に、パターン化された酸化物超伝導膜２′上か
ら除去する（第２図Ｋ）。 以上が、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法
の第２の実施例である。 このような本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成
法の第２の実施例によっても、第１の実施例の場合と同
様の優れた作用効果が得られる。 また、本発明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の
第２の実施例の場合、レジスト層１２上に金属層１３を
形成する工程（第２図Ｅ）において、レジスト層１２が
、レジスト層１１が熱によって変質した層であるため、
その上に形成される金属層１３が、レジスト層１２に良
くなじむことから、金属層１３を良好に形成することが
できる。 また、マスク層１３′がドライエツチング処理によって
形成されるので、そのマスク層１３′を、高精度、微細
に形成することができる。 このため、１２２１〜層１２から、それがパターン化さ
れたマスク層を形成する工程（第２図１１）において、
そのマスク層１２′を、高精度、微細に形成することが
できる。 さらに、酸化物超伝導膜２から、マスク層１３′及び１
２′をマスクとして用いて、パターン化されたパターン
化酸化物超伝導膜形成法４′を形成するとともに、パタ
ーン化された酸化物超伝導膜２′を形成する工程（第２
図Ｉ）において、パターン化された酸化物超伝導膜２′
が、酸化物超伝導膜２から、ドライエツチング処理によ
って形成されるので、パターン化された酸化物超伝導膜
２′をウェットエツチング処理によって形成する場合に
比し、より高精度、微゛細に容易に形成することができ
る。 以上のことから、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法の第２の実施例によれば、パターン化された酸
化物超伝導膜を、第１の実施例の場合に比しより高精度
に、微細に形成することができる。 第３図は、第２図に示す本発明によるパターン化酸化物
超伝導膜形成法によって形成されたパターン化された酸
化物超伝導膜２′の温度（Ｋ）に対する抵抗化率を、そ
の酸化物超伝導膜２′の幅をパラメータとして、第５図
で前述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場
合と対比して示し、また、第４図は、第２図に示す本発
明によるパターン化酸化物超伝導膜形成法の第２の実施
例によって形成されたパタ−ン化された酸化物超伝導膜
２′の規格化温度に対する臨界電流密度を、第５図で前
述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場合と
対比して示している。 第３図及び第４図に示されている結果から、本発明によ
るパターン化酸化物超伝導膜形成法が、従来のパターン
化酸化物超伝導膜形成法に比し素暮れていることが明ら
かであろう。 なお、上述においては、本発明の１つの実施例を示した
に留まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変
型、変更をなし得るであろう。
第１図Ａ〜Ｆは、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法の第１の実施例を示す順次の工程における路線
的断面図である。 第２図Ａ−には、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法の第２の実施例を示す順次の工程における路線
的断面図である。 第３図は、第２図に示す本発明によるパターン化酸化物
超伝導膜形成法によって形成されたパターン化された酸
化物超伝導膜２′の温度（Ｋ）に対する抵抗化率を、そ
の酸化物超伝導膜２′の幅をパラメータとして、第５図
で前述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場
合と対比して示している図である。 第４図は、第２図に示す本発明によるパターン化酸化物
超伝導膜形成法の第２の実施例によって形成されたパタ
ーン化された酸化物超伝導膜２′の規格化温度に対する
臨界電流密度を、第５図で前述した従来のパターン化酸
化物超伝導膜形成法の場合と対比して示している図であ
る。 第５図は、従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法を示
す、順次の工程における路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・・・・・
・・・・・・・・・酸化物超伝導膜２′・・・・・・・
・・・・・パターン化された酸化物超伝導膜 ３・・・・・・・・・・・・・・・マスク層４・・・・
・・・・・・・・・・・保護層４′・・・・・・・・・
・・・パターン化された保護層１．１２・・・・・・レ
ジスト層
膜形成法の第１の実施例を示す順次の工程における路線
的断面図である。 第２図Ａ−には、本発明によるパターン化酸化物超伝導
膜形成法の第２の実施例を示す順次の工程における路線
的断面図である。 第３図は、第２図に示す本発明によるパターン化酸化物
超伝導膜形成法によって形成されたパターン化された酸
化物超伝導膜２′の温度（Ｋ）に対する抵抗化率を、そ
の酸化物超伝導膜２′の幅をパラメータとして、第５図
で前述した従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法の場
合と対比して示している図である。 第４図は、第２図に示す本発明によるパターン化酸化物
超伝導膜形成法の第２の実施例によって形成されたパタ
ーン化された酸化物超伝導膜２′の規格化温度に対する
臨界電流密度を、第５図で前述した従来のパターン化酸
化物超伝導膜形成法の場合と対比して示している図であ
る。 第５図は、従来のパターン化酸化物超伝導膜形成法を示
す、順次の工程における路線的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・基板２・・・・・・
・・・・・・・・・酸化物超伝導膜２′・・・・・・・
・・・・・パターン化された酸化物超伝導膜 ３・・・・・・・・・・・・・・・マスク層４・・・・
・・・・・・・・・・・保護層４′・・・・・・・・・
・・・パターン化された保護層１．１２・・・・・・レ
ジスト層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、酸化物超伝導膜を形成する工程と、上記酸
化物超伝導膜上に、貴金属でなる保護層を形成する工程
と、 上記保護層上に、パターン化されたマスク層を形成する
工程と、 上記保護層及び上記酸化物超伝導膜に対する上記マスク
層をマスクとするエッチング処理によつて、上記保護層
から、それがパターン化された保護層を形成するととも
に、上記酸化物超伝導膜から、それがパターン化された
酸化物超伝導膜を形成する工程と、 上記マスク層を、エッチング処理によつて、上記パター
ン化された保護層上から除去する工程と、 上記パターン化された保護層を、エッチング処理によっ
て、上記パターン化された酸化物超伝導膜上から除去す
る工程とを有することを特徴とするパターン化酸化物超
伝導膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113458A JPH0410676A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | パターン化酸化物超伝導膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113458A JPH0410676A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | パターン化酸化物超伝導膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410676A true JPH0410676A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14612752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113458A Pending JPH0410676A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | パターン化酸化物超伝導膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007146637A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-06-14 | Asahi Kasei Homes Kk | 開口部の施錠構造 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2113458A patent/JPH0410676A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007146637A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-06-14 | Asahi Kasei Homes Kk | 開口部の施錠構造 |
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