JPH0471230A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0471230A JPH0471230A JP18322390A JP18322390A JPH0471230A JP H0471230 A JPH0471230 A JP H0471230A JP 18322390 A JP18322390 A JP 18322390A JP 18322390 A JP18322390 A JP 18322390A JP H0471230 A JPH0471230 A JP H0471230A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置
における成膜の前処理に関する。
における成膜の前処理に関する。
半導体装置基板にコンタクト部分を設け、金属膜あるい
は半導体膜などの導体膜を成膜するとき、コンタクト部
分の自然酸化膜麦除去する方法として、従来、ウェット
式エツチングを採用していた。
は半導体膜などの導体膜を成膜するとき、コンタクト部
分の自然酸化膜麦除去する方法として、従来、ウェット
式エツチングを採用していた。
また、ドライ式エツチングでこの前処理を行なうことも
あるが、前処理後、大気中に取り出し、しかる後導体膜
の成膜装置に入れていた。
あるが、前処理後、大気中に取り出し、しかる後導体膜
の成膜装置に入れていた。
あるいは、成膜装置に入れる前には前処理を行なわず、
成膜装置内においてエツチングガスを導入して前処理を
行ない、同一装置内で膜の形成を行なっていた。
成膜装置内においてエツチングガスを導入して前処理を
行ない、同一装置内で膜の形成を行なっていた。
従来の方法は前処理の段階で自然酸化膜がほぼ完全に除
去される。
去される。
しかし、ウェット式エツチングにおいては、エツチング
後の純水リンス過程において純水中の溶存酸素により数
人の自然酸化膜が再形成されるという問題がある。
後の純水リンス過程において純水中の溶存酸素により数
人の自然酸化膜が再形成されるという問題がある。
また、ドライ式エツチングにおいては、純水中でのリン
ス過程が無いため、はぼ完全に自然酸化膜を除去するこ
とが可能である。しかしその後、成膜装置に導入する前
に大気中に晒されるため、その経過時間と共に自然酸化
膜が成長するという問題がある。
ス過程が無いため、はぼ完全に自然酸化膜を除去するこ
とが可能である。しかしその後、成膜装置に導入する前
に大気中に晒されるため、その経過時間と共に自然酸化
膜が成長するという問題がある。
更に、成膜装置内に導入して成膜を行なう場合、２００
℃程度以上の温度を必要とするため、装置に導入する際
の微量の酸素の持ち込みにより、コンタクト部分に簡単
に酸化膜が形成される。
℃程度以上の温度を必要とするため、装置に導入する際
の微量の酸素の持ち込みにより、コンタクト部分に簡単
に酸化膜が形成される。
あるいは、成膜装置内においてエツチングガスを導入し
て前処理を行いコンタクト部分の自然酸化膜を除去する
場合、エツチングガスが半導体装置基板等に吸着した形
で残存し、半導体装置基板と導体膜とのコンタクト界面
を汚染するという問題がある。
て前処理を行いコンタクト部分の自然酸化膜を除去する
場合、エツチングガスが半導体装置基板等に吸着した形
で残存し、半導体装置基板と導体膜とのコンタクト界面
を汚染するという問題がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体装置基板上に導体膜を形成する半導体装置の製造
方法において、 半導体装置基板と導体膜とのコンタクト部分の自然酸化
膜を、ドライ式前処理装置により除去する工程と、 半導体装置基板を、真空中もしくは不活性ガス雰囲気中
にて搬送する工程と、 導体膜を形成する工程とを有している。
方法において、 半導体装置基板と導体膜とのコンタクト部分の自然酸化
膜を、ドライ式前処理装置により除去する工程と、 半導体装置基板を、真空中もしくは不活性ガス雰囲気中
にて搬送する工程と、 導体膜を形成する工程とを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に用いる半導体製造装置の断
面模式図である。
面模式図である。
１は減圧ＣＶＤ装置であり、金属膜あるいは半導体膜な
どの導体膜を減圧高温化で成膜する装置である。２はド
ライ式前処理装置であり、下方に位置するエツチングガ
ス叶出口３より例えば弗化水素ガスを導入し、表面が下
向きになっている半導体装置基板４の表面にエツチング
ガスが吹き付けられ、半導体装置基板４のコンタクト部
分の自然酸化膜がエツチング除去される。残存ガスは上
方に位置する排気口５より真空引きされる構造になって
いる。６はロードロック室であり、減圧ＣＶＤ室１の前
室であり、かつ、ドライ式前処理装置２をその内部に有
し、ロードロック室排気ロアより真空排気される。
どの導体膜を減圧高温化で成膜する装置である。２はド
ライ式前処理装置であり、下方に位置するエツチングガ
ス叶出口３より例えば弗化水素ガスを導入し、表面が下
向きになっている半導体装置基板４の表面にエツチング
ガスが吹き付けられ、半導体装置基板４のコンタクト部
分の自然酸化膜がエツチング除去される。残存ガスは上
方に位置する排気口５より真空引きされる構造になって
いる。６はロードロック室であり、減圧ＣＶＤ室１の前
室であり、かつ、ドライ式前処理装置２をその内部に有
し、ロードロック室排気ロアより真空排気される。
従って、カセット８に装填された状態での半導体装置基
板４は、ロードロック室６の人出部のシャッター９が開
くことにより、ロードロック室６内に入る。続いて、シ
ャッター９を閉じてロードロック室排気ロアより真空排
気することにより、ロードロック室６内は真空状態にな
る。その後、第１移載装置１０により、半導体基板４は
ドライ式前処理装置２の内部に搬送される。ここで、ド
ライ式前処理装置２においては、チャンバー下部１１が
昇降することにより、半導体装置基板４の出し入れが行
なわれる。
板４は、ロードロック室６の人出部のシャッター９が開
くことにより、ロードロック室６内に入る。続いて、シ
ャッター９を閉じてロードロック室排気ロアより真空排
気することにより、ロードロック室６内は真空状態にな
る。その後、第１移載装置１０により、半導体基板４は
ドライ式前処理装置２の内部に搬送される。ここで、ド
ライ式前処理装置２においては、チャンバー下部１１が
昇降することにより、半導体装置基板４の出し入れが行
なわれる。
ドライ式前処理が完了した後、ドライ式前処理装置２の
内部は真空保持され、チャンバー下部１１が下降し、減
圧ＣＶＤ装置１の石英ボート１３が下降した状態の時に
、半導体装置基板４は第２移載装Ｗ１２により石英ボー
ト１３に装填される。
内部は真空保持され、チャンバー下部１１が下降し、減
圧ＣＶＤ装置１の石英ボート１３が下降した状態の時に
、半導体装置基板４は第２移載装Ｗ１２により石英ボー
ト１３に装填される。
全ての半導体装置基板４が石英ボート１３に装填された
後、石英ボート１３は上昇し、減圧ＣＶＤ装置１は閉た
系となり、その内部で成膜が行なわれる。
後、石英ボート１３は上昇し、減圧ＣＶＤ装置１は閉た
系となり、その内部で成膜が行なわれる。
成膜完了後、上述の順序と逆の順序でカセット８に半導
体装置基板４が全て収納され、ロードロック室６を常圧
に戻した後、シャッター９を開放し、カセット８を取り
出し、工程が終了する。
体装置基板４が全て収納され、ロードロック室６を常圧
に戻した後、シャッター９を開放し、カセット８を取り
出し、工程が終了する。
尚、アンロード時には、チャンバー１１が下降状態を保
持し、ドライ式前処理装置２においては、エツチングは
行なわれない。
持し、ドライ式前処理装置２においては、エツチングは
行なわれない。
以上説明したように本発明は、ドライ式の前処理を用い
、更に、前処理後に、半導体装置基板を大気中に開放せ
ずに、これに導体膜を成膜することにより、半導体装置
基板のコンタクト部分において自然酸化膜がほとんど形
成されることなく、導体膜の成膜が行なわれる。
、更に、前処理後に、半導体装置基板を大気中に開放せ
ずに、これに導体膜を成膜することにより、半導体装置
基板のコンタクト部分において自然酸化膜がほとんど形
成されることなく、導体膜の成膜が行なわれる。
その結果、半導体装置基板と成膜された導体膜とのコン
タクト性が良くなるという効果がある。
タクト性が良くなるという効果がある。
更に、前処理および成膜時における大気中への開放が無
いため、コンタクト部分における半導体装置基板と導体
膜との界面の汚染は避けられ、成膜された導体膜自体も
非常に清浄な膜になるという利点がある。
いため、コンタクト部分における半導体装置基板と導体
膜との界面の汚染は避けられ、成膜された導体膜自体も
非常に清浄な膜になるという利点がある。
また、従来の成膜装置内においてエツチングガスを導入
して自然酸化膜を除去し、その後、成膜を行なう方法で
は、エツチングガスが半導体装置基板に吸着されて清浄
な界面が得られないが、本発明による方法を用いて、ド
ライ式エッチンゲを枚葉式とすれば、前処理として弗化
水素ガスを使用した場合にはキセノンランプ照射が可能
となり、清浄な界面が得られるという利点もある。
して自然酸化膜を除去し、その後、成膜を行なう方法で
は、エツチングガスが半導体装置基板に吸着されて清浄
な界面が得られないが、本発明による方法を用いて、ド
ライ式エッチンゲを枚葉式とすれば、前処理として弗化
水素ガスを使用した場合にはキセノンランプ照射が可能
となり、清浄な界面が得られるという利点もある。
基板、５・・・排気口、６・・・ロードロック室、７・
・・ロードロック室排気口、８・・・カセット、９・・
・シャッター １０・・・第１移載装置、１１・・・第
２移載装置、１３・・・石英ボート。
・・ロードロック室排気口、８・・・カセット、９・・
・シャッター １０・・・第１移載装置、１１・・・第
２移載装置、１３・・・石英ボート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体装置基板上に導体膜を形成する半導体装置の製造
方法において、 半導体装置基板と導体膜とのコンタクト部分の自然酸化
膜を、ドライ式前処理装置により除去する工程と、 前記半導体装置基板を、真空中もしくは不活性ガス雰囲
気中にて搬送する工程と、 前記導体膜を形成する工程とを有することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18322390A JPH0471230A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18322390A JPH0471230A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0471230A true JPH0471230A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16131947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18322390A Pending JPH0471230A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0471230A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
| KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
| JP2008509818A (ja) * | 2004-08-16 | 2008-04-03 | フリト−レイ ノース アメリカ インコーポレイテッド | シーターギャップ調整および油圧作動 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050162A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6053013A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP18322390A patent/JPH0471230A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050162A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-19 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS6053013A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
| KR100345304B1 (ko) * | 2000-10-12 | 2002-07-25 | 한국전자통신연구원 | 수직형 초고진공 화학증착장치 |
| JP2008509818A (ja) * | 2004-08-16 | 2008-04-03 | フリト−レイ ノース アメリカ インコーポレイテッド | シーターギャップ調整および油圧作動 |
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