JPS6050162A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS6050162A JPS6050162A JP15782483A JP15782483A JPS6050162A JP S6050162 A JPS6050162 A JP S6050162A JP 15782483 A JP15782483 A JP 15782483A JP 15782483 A JP15782483 A JP 15782483A JP S6050162 A JPS6050162 A JP S6050162A
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- wafer
- film forming
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- vacuum
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は薄膜形成方法およびその装置に関し、特に半導
体ウェーッ・表面に蒸着方法文はスノクノタ方法により
薄膜を形成する際に有効なＲ膜形成方法およびその装置
に関するものである。
体ウェーッ・表面に蒸着方法文はスノクノタ方法により
薄膜を形成する際に有効なＲ膜形成方法およびその装置
に関するものである。
一般ｙｘａ、ｌＬＳＩ、）ランジスタ等の半導体装置の
製造に際しては蒸着又はスノクノタ等θ）方法による薄
膜を形成する工程が必要とされる。例えば、半導体ウェ
ーッ・の主面に形成し７た素子間の配線材料としてＡ７
？膜が利用嘔れ、この人ｌ膜をスパッタ法により形成す
ることがある。ところで、このＡｌ膜のスパッタ形成に
際しては、半導体ウェーハの表面に吸着ガスや水分が付
着していると、。
製造に際しては蒸着又はスノクノタ等θ）方法による薄
膜を形成する工程が必要とされる。例えば、半導体ウェ
ーッ・の主面に形成し７た素子間の配線材料としてＡ７
？膜が利用嘔れ、この人ｌ膜をスパッタ法により形成す
ることがある。ところで、このＡｌ膜のスパッタ形成に
際しては、半導体ウェーハの表面に吸着ガスや水分が付
着していると、。
形成したＡｌ膜に良質のものが得られ難い。このため、
前処理として半導体ウェーハな真空炉内に入れてこれを
ベークし、このベークによつ１表面の吸着ガスや水分な
除去する必要がある。よって、薄膜を形成″１−る装置
も第１図に示すように、ロード部１、ベーク部２、エッ
チ部３、スパッタ部４、アンロード部５を一連に形成し
、半導体ウェーッ・Ｗを前記各部内で順序的に移動式ぜ
かつ処（ｊｌｌすることにより真空ベークおよびスパッ
ク成膜の処理を行なうように構成することを考えた。前
記エッチ部３は半導体ウェーハ表面の酸化膜を除去する
ためのものであり、所謂ドライエッチ法が採用され又い
る。
前処理として半導体ウェーハな真空炉内に入れてこれを
ベークし、このベークによつ１表面の吸着ガスや水分な
除去する必要がある。よって、薄膜を形成″１−る装置
も第１図に示すように、ロード部１、ベーク部２、エッ
チ部３、スパッタ部４、アンロード部５を一連に形成し
、半導体ウェーッ・Ｗを前記各部内で順序的に移動式ぜ
かつ処（ｊｌｌすることにより真空ベークおよびスパッ
ク成膜の処理を行なうように構成することを考えた。前
記エッチ部３は半導体ウェーハ表面の酸化膜を除去する
ためのものであり、所謂ドライエッチ法が採用され又い
る。
しかしながら、実際に良質のＡｌ膜を形成１−るために
は、真空ベークをベーク部２において十分に時間をかけ
１行なわなければブよらず、この処理時間がエッチ部３
、スパッタ部４における処理時間に較べて長いものにな
る。このため、第１図の装置を使用ｔまたＡＡ膜形成で
はベーク部２における処理時間のみが長くなり、結局こ
の装置で半導体ウェーハな連続的に処理しようとし７て
もベ−り部２の処理がネックになって効率のよいＡ ｌ
！ｆ’ｉ！形成ケ行なうことが離し、いものになる。処
理効率を１７けるためにベーク時間を短縮１“れげ、特
にイマ１着水分の除去が不十分となり、質の悪い膜が形
成をれ又スルーブツトが低下される。
は、真空ベークをベーク部２において十分に時間をかけ
１行なわなければブよらず、この処理時間がエッチ部３
、スパッタ部４における処理時間に較べて長いものにな
る。このため、第１図の装置を使用ｔまたＡＡ膜形成で
はベーク部２における処理時間のみが長くなり、結局こ
の装置で半導体ウェーハな連続的に処理しようとし７て
もベ−り部２の処理がネックになって効率のよいＡ ｌ
！ｆ’ｉ！形成ケ行なうことが離し、いものになる。処
理効率を１７けるためにベーク時間を短縮１“れげ、特
にイマ１着水分の除去が不十分となり、質の悪い膜が形
成をれ又スルーブツトが低下される。
本発明の目的は良質の薄膜を１１効率で形成１−ろこと
かできろ薄膜形成方法を提供′１′ろことにある。
かできろ薄膜形成方法を提供′１′ろことにある。
また本発明の目的は、ベーク等の前処理からＩＩＱ形成
に至る各工程な略同一時間で処理でき、これにより連続
的な膜形成を可能にして良質σ林、’ｌ’ ｌＩｒ４を
高能率で形成できろ薄膜形成装置を提供−ｇ乙）ことに
ある。
に至る各工程な略同一時間で処理でき、これにより連続
的な膜形成を可能にして良質σ林、’ｌ’ ｌＩｒ４を
高能率で形成できろ薄膜形成装置を提供−ｇ乙）ことに
ある。
本発明の前記ならびにそのほかの１ｊ的と新規な特徴は
、本明細書の記述および６Σ付図面からあぎらかになる
であろう。
、本明細書の記述および６Σ付図面からあぎらかになる
であろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明′１−れば、下記のとおりである。
を簡単に説明′１−れば、下記のとおりである。
１°なわち、真空べ一久エソナング（エッチ）、膜形成
の各工程からなる薄膜形成工程の前処理として予備真空
ベークゴー程を新たに設け、この予備真空ベークと真空
ベークの両工程にて半導体ウェーハ等の試料表面の吸着
ガスや付着水分の除去を複数回に分け−Ｃ行なうことに
より、各ベータ工程での処理時間の短縮を図り、トータ
ルのベーク時間〉゛短縮し７ても良質の薄膜を高効率で
形成−１７，）ことができるものである。
の各工程からなる薄膜形成工程の前処理として予備真空
ベークゴー程を新たに設け、この予備真空ベークと真空
ベークの両工程にて半導体ウェーハ等の試料表面の吸着
ガスや付着水分の除去を複数回に分け−Ｃ行なうことに
より、各ベータ工程での処理時間の短縮を図り、トータ
ルのベーク時間〉゛短縮し７ても良質の薄膜を高効率で
形成−１７，）ことができるものである。
また、真空ベーク部、エッチ部、フＩＱ形成部を一体化
した薄膜形成装置に、これと一体又は別体に予備兵をベ
ーク部な付設し、試料をこの予備真空ベーク部を通した
上で前記薄膜形成装置に供給して膜形成を行ない得るよ
うに構成することにより、トー タルのベーク時間を短
縮し２°℃も十分に半導体ウェーハ等の試料表面の吸着
ガスや付着水分の除去を行なえるので膜形成の高効率化
および膜ＦｔＯ向十を達成−［ることができる。
した薄膜形成装置に、これと一体又は別体に予備兵をベ
ーク部な付設し、試料をこの予備真空ベーク部を通した
上で前記薄膜形成装置に供給して膜形成を行ない得るよ
うに構成することにより、トー タルのベーク時間を短
縮し２°℃も十分に半導体ウェーハ等の試料表面の吸着
ガスや付着水分の除去を行なえるので膜形成の高効率化
および膜ＦｔＯ向十を達成−［ることができる。
〔実施例１〕
第２図は本発明の薄膜形成装置の一実施例を示す。図に
おい℃、１０は薄膜形成装置１（でありローダ部１２、
真空ベーク部１３、エッチ部１４、膜形成部１５、アン
ローダ部１６を・一体に並設置ている。即ち、これらの
各部は容器状本体１１０両端および各部間に設けたゲ−
トバルブ１７〜２２により各室に区画をれ、かつ真空ポ
ンプ２３を弁装した排気管２４を接続して内部を真空状
態に保持１ている。そして、表面に薄膜が形成でれる試
料とし７ての半導体ウェーハＷは各ゲー トバルブ１７
〜２２を通して適宜治具によりロー ダ部１２からアン
ローダ部１６へと移動式れ７−、。
おい℃、１０は薄膜形成装置１（でありローダ部１２、
真空ベーク部１３、エッチ部１４、膜形成部１５、アン
ローダ部１６を・一体に並設置ている。即ち、これらの
各部は容器状本体１１０両端および各部間に設けたゲ−
トバルブ１７〜２２により各室に区画をれ、かつ真空ポ
ンプ２３を弁装した排気管２４を接続して内部を真空状
態に保持１ている。そして、表面に薄膜が形成でれる試
料とし７ての半導体ウェーハＷは各ゲー トバルブ１７
〜２２を通して適宜治具によりロー ダ部１２からアン
ローダ部１６へと移動式れ７−、。
前記真空ベーク部１３はヒータ２５を有し、ウェーハＷ
を真空状態で加熱してウェー）・表面に吸着したガスや
伺着した水分を除去イーる。エッチ部１４は電極構体２
６を１１″Ｊ−石と共にエッヂガス供給管２７を接続し
、ウェーハＷ表面の酸化Ｂ＠等の不要膜をドライエンチ
ング、例えばプラズマエツチングする。膜形成部】５は
電極構体２８およびターゲット２９（本例ではＡＡメタ
−ット）を有すると共に、反応ガス供給管３０を接続（
２、ウェーハＷ表面にＡＡ薄膜をスパッタ形成する。
を真空状態で加熱してウェー）・表面に吸着したガスや
伺着した水分を除去イーる。エッチ部１４は電極構体２
６を１１″Ｊ−石と共にエッヂガス供給管２７を接続し
、ウェーハＷ表面の酸化Ｂ＠等の不要膜をドライエンチ
ング、例えばプラズマエツチングする。膜形成部】５は
電極構体２８およびターゲット２９（本例ではＡＡメタ
−ット）を有すると共に、反応ガス供給管３０を接続（
２、ウェーハＷ表面にＡＡ薄膜をスパッタ形成する。
一方、前記本体１１の前工程位置には独立して容器状の
予備処理本体３１を配設し、ている。この予備処理本体
３１はローダ部３２、予備Ｘ、Ｚベーク部３３、アンロ
ーダ部３４とで構成され、各部は本体３１に設けたゲー
トバルブ３５〜３Ｂにより区画され、ウェーハＷはロー
ダ部３２からアンローダ部３４へと移動される。また、
各部には前記排気管２４の一部が廷設接続され、各部３
２゜３３．３４内を真空状態にする。なお、予備真空べ
〜り部３３はローダ部３２．アンローダ部３３よりも高
真空に保たれ又いる。そして、前記予備真空ベータ部３
３内にはヒータ４２を内装し、内部に移動されたウェー
ハＷを加熱処理することができろ。
予備処理本体３１を配設し、ている。この予備処理本体
３１はローダ部３２、予備Ｘ、Ｚベーク部３３、アンロ
ーダ部３４とで構成され、各部は本体３１に設けたゲー
トバルブ３５〜３Ｂにより区画され、ウェーハＷはロー
ダ部３２からアンローダ部３４へと移動される。また、
各部には前記排気管２４の一部が廷設接続され、各部３
２゜３３．３４内を真空状態にする。なお、予備真空べ
〜り部３３はローダ部３２．アンローダ部３３よりも高
真空に保たれ又いる。そして、前記予備真空ベータ部３
３内にはヒータ４２を内装し、内部に移動されたウェー
ハＷを加熱処理することができろ。
々図示矢印方向にウェーッ・Ｗを搬送″′ｆることがで
きる。
きる。
次に以上の構成になる本実施例装置の作用と共に本発明
方法を説明する。先ず、ウェーッ・Ｗは搬送手段３９に
より予備処理本体：３１のローダ部３２内に搬入シれ、
ここで外気と遮断６れた状態でゲートバルブ３６を通１
〜て予備真空ベーク部３３内にセントされ、ヒータ４２
により加熱（ベ−り）される。これにより、ウェーッ・
Ｗは表面に吸着し、たガスや付着した水分が除去をｉｔ
ろ。このベークは比較的に短い時間であり、ガスや水分
は大部分が除去されるが幾分は残存さプする。その後１
°７エーハＷはアンロード部３４を通し、て本体３１外
に搬出される。この間においても、ウェー／・Ｗでは残
熱によりガスや水分が若干除去される。
方法を説明する。先ず、ウェーッ・Ｗは搬送手段３９に
より予備処理本体：３１のローダ部３２内に搬入シれ、
ここで外気と遮断６れた状態でゲートバルブ３６を通１
〜て予備真空ベーク部３３内にセントされ、ヒータ４２
により加熱（ベ−り）される。これにより、ウェーッ・
Ｗは表面に吸着し、たガスや付着した水分が除去をｉｔ
ろ。このベークは比較的に短い時間であり、ガスや水分
は大部分が除去されるが幾分は残存さプする。その後１
°７エーハＷはアンロード部３４を通し、て本体３１外
に搬出される。この間においても、ウェー／・Ｗでは残
熱によりガスや水分が若干除去される。
次いでウェーハＷは搬送手段４０により本体用のロード
部１２内に移動され−ここで外気と遮断−、Ｘれた上で
ゲートバルブ１８を通して真空ベーク部１３に搬入され
る。ｆると、ここでもウェーッ・Ｗはヒータ２５により
力ａ熱され、前述と同様１／（ガス、水分の除去が行な
われる。この場合、ウェーハでは大部分のガス、水分が
前工程において除去されているので残存ガス、水分を除
去するだし７ｒでよく、同様に短い時間のベークを行な
うだけで殆んど全部のガス、水分を除去することができ
る。
部１２内に移動され−ここで外気と遮断−、Ｘれた上で
ゲートバルブ１８を通して真空ベーク部１３に搬入され
る。ｆると、ここでもウェーッ・Ｗはヒータ２５により
力ａ熱され、前述と同様１／（ガス、水分の除去が行な
われる。この場合、ウェーハでは大部分のガス、水分が
前工程において除去されているので残存ガス、水分を除
去するだし７ｒでよく、同様に短い時間のベークを行な
うだけで殆んど全部のガス、水分を除去することができ
る。
実際には、真空ベーク一度のみで行なう場合のベーク時
間の約半分の時間で前記各ベーク部３３゜１３の処理を
行なうことができろ。
間の約半分の時間で前記各ベーク部３３゜１３の処理を
行なうことができろ。
ベークの完了したウェーッ・Ｗはゲート７り／Ｉ／ブ１
９を通してエッチ部１４へ移動され、ここで例えばプラ
ズマエツチングによって表面の酸化ｊＩＱ等がエツチン
グ除去され、ウェーッ・の表面（活性面）が露呈される
。その上でウェーッ・Ｗをゲートバルブ２０を通し１膜
形成部１５に移動し、スノぐツタ法によるＡｌ薄膜を形
成する。形成８れた薄膜は。
９を通してエッチ部１４へ移動され、ここで例えばプラ
ズマエツチングによって表面の酸化ｊＩＱ等がエツチン
グ除去され、ウェーッ・の表面（活性面）が露呈される
。その上でウェーッ・Ｗをゲートバルブ２０を通し１膜
形成部１５に移動し、スノぐツタ法によるＡｌ薄膜を形
成する。形成８れた薄膜は。
２工程のベークによって吸着ガス、水分が良好に除去さ
れているため高品質のものとされる。膜形成されたウェ
ーッ・Ｗはゲートバルブ２１からアンローダ部１６へ移
動場れ、更にシャッタ１６から本体ｌｌ外に出さ才１．
た後に搬送手段４１によって次二■二、ｆ呈へ撞ン送き
ノすることになる。
れているため高品質のものとされる。膜形成されたウェ
ーッ・Ｗはゲートバルブ２１からアンローダ部１６へ移
動場れ、更にシャッタ１６から本体ｌｌ外に出さ才１．
た後に搬送手段４１によって次二■二、ｆ呈へ撞ン送き
ノすることになる。
そして、前述した一連のウェーッ・成膜工程に、ｈりて
は、予備真空ベーク部３３とハ４空−＼−り部１３の各
ベーク処理時間が一度だけ真空ベークを行なう場合の約
半分に短縮でき２）の１−１名ベーク処理時間をエッチ
部１４や膜形成部１５σ）各処理時間に近℃・ものにで
きる。したかつ−こ、ウェーッ・の各部におけろ処理時
間な略均−化でき、こオシに４つウェーッ・を順次処理
する連続処理がａｒ ＊ｅ Ｋ ｌ；Ｃす、処理効率、
つまり成膜効率を高（・もσ）にでき４、。なお、本実
施例においては、搬Ｊ＾手段４０においで、ウェーッ・
が外気に甥らされ−Ｃ℃・るカー、−・用、真空ベーク
した場合、再度ウェー／・にイζ１着″１−ろ′／、ト
ー、分やガスの量は機敏なもので問題す月；ｔ ｌｕ
％。
は、予備真空ベーク部３３とハ４空−＼−り部１３の各
ベーク処理時間が一度だけ真空ベークを行なう場合の約
半分に短縮でき２）の１−１名ベーク処理時間をエッチ
部１４や膜形成部１５σ）各処理時間に近℃・ものにで
きる。したかつ−こ、ウェーッ・の各部におけろ処理時
間な略均−化でき、こオシに４つウェーッ・を順次処理
する連続処理がａｒ ＊ｅ Ｋ ｌ；Ｃす、処理効率、
つまり成膜効率を高（・もσ）にでき４、。なお、本実
施例においては、搬Ｊ＾手段４０においで、ウェーッ・
が外気に甥らされ−Ｃ℃・るカー、−・用、真空ベーク
した場合、再度ウェー／・にイζ１着″１−ろ′／、ト
ー、分やガスの量は機敏なもので問題す月；ｔ ｌｕ
％。
〔実施例２〕
第３図は本発明の他の実施例を示し、予備真空ベーク部
を真空ベーク部と一体に構成（、た例であ４・。即ち、
容器状本体５０内にゲートバルブ゛５］〜５７を形成り
、−（内部をローダ部５８、予備真空べ−り部５９、真
空ベーク部６０、エッチ部６１、膜形成部６２、アンロ
ーダ部６３を画成し２、つ工−ハＷをローダ部５８から
アンローダ部６３に向けて移動できるようにする。そし
て、各部には真空ポンプ６４を備えた排気管６５を接続
して内部を真空状態に保持している。
を真空ベーク部と一体に構成（、た例であ４・。即ち、
容器状本体５０内にゲートバルブ゛５］〜５７を形成り
、−（内部をローダ部５８、予備真空べ−り部５９、真
空ベーク部６０、エッチ部６１、膜形成部６２、アンロ
ーダ部６３を画成し２、つ工−ハＷをローダ部５８から
アンローダ部６３に向けて移動できるようにする。そし
て、各部には真空ポンプ６４を備えた排気管６５を接続
して内部を真空状態に保持している。
前記予備真空ベ−り部５９と真空ベーク部６０は略同−
構成とされ、夫々ヒータ６６．５７を内装し、てウェー
ハを加熱し、ウニ〜ハ表面の吸着ガス、付着水分を除去
できろ。また、エッチ部６１は電極構体６８を内設する
一方エノチガス供給管６９が接続され、膜形成部６２は
電極構体７０、ターゲット７１を内設する一方で反応ガ
ス供給管７２を接続している。
構成とされ、夫々ヒータ６６．５７を内装し、てウェー
ハを加熱し、ウニ〜ハ表面の吸着ガス、付着水分を除去
できろ。また、エッチ部６１は電極構体６８を内設する
一方エノチガス供給管６９が接続され、膜形成部６２は
電極構体７０、ターゲット７１を内設する一方で反応ガ
ス供給管７２を接続している。
本実施例装置にあっては、ウェーハＷはローダ部５８に
おいて外気遮断された上で予備真空べ一り部５９に移動
され、ここでベークされて大部分の吸着ガス、付着水分
が除去される。所定時間のベークが完了されると、ウェ
ーハはゲートバルブ５３を通して真空ベーク部６０に移
され、今度はここで同様にベークが行なわれる。結局ベ
ークを２回に分けて行なうことになり、これ（（より各
ベーク部５９．６０での夫々のベーク時間は真空ベーク
を一度だけ行なう場合の約半分になり、かつ一方ではガ
ス、水分の除去を真空ベークを一匹だけ行なう場合に比
べて良好に行なうことができろ。
おいて外気遮断された上で予備真空べ一り部５９に移動
され、ここでベークされて大部分の吸着ガス、付着水分
が除去される。所定時間のベークが完了されると、ウェ
ーハはゲートバルブ５３を通して真空ベーク部６０に移
され、今度はここで同様にベークが行なわれる。結局ベ
ークを２回に分けて行なうことになり、これ（（より各
ベーク部５９．６０での夫々のベーク時間は真空ベーク
を一度だけ行なう場合の約半分になり、かつ一方ではガ
ス、水分の除去を真空ベークを一匹だけ行なう場合に比
べて良好に行なうことができろ。
ベークの完了したウェーッ・は、前記実施例と同様にエ
ッチ部６１、膜形成部６２へとｌｌｌｉｌ次移送され、
良質の膜が形成プれる。成膜されたウェーッ・はアンロ
ーダ部６３から次工程へ搬送されろ。
ッチ部６１、膜形成部６２へとｌｌｌｉｌ次移送され、
良質の膜が形成プれる。成膜されたウェーッ・はアンロ
ーダ部６３から次工程へ搬送されろ。
本実施例におい又も十分な時間のベークを行１工ってい
るのでガス、水分の除去を確実に行ない良質の膜形成を
行ｔ「い得る一方、ベークを２段階に行なって各ベーク
時間を半減できるのでウーエーノ・の連続処理を可能に
して成膜の高効率化を達成できる０ 〔効 果〕 （１） ウェー・・の膜形成前に予備真空ベークと真空
ベークとを行なっているので、十分なベーク時間を確保
して吸着ガスと付着水分の除去を確実に行ない、これに
より良質の薄膜を形成ｆることができる。
るのでガス、水分の除去を確実に行ない良質の膜形成を
行ｔ「い得る一方、ベークを２段階に行なって各ベーク
時間を半減できるのでウーエーノ・の連続処理を可能に
して成膜の高効率化を達成できる０ 〔効 果〕 （１） ウェー・・の膜形成前に予備真空ベークと真空
ベークとを行なっているので、十分なベーク時間を確保
して吸着ガスと付着水分の除去を確実に行ない、これに
より良質の薄膜を形成ｆることができる。
（２）トータルのベーク時間を予備真穿ベークと真空ベ
ークとで夫々分割して分担することに１．ｃるので、各
ベークにおゆるベーク時間の燈縮化う・図ることができ
、ウェーハの連続処理を可能にし又膜形成の高効率化を
達成できる。
ークとで夫々分割して分担することに１．ｃるので、各
ベークにおゆるベーク時間の燈縮化う・図ることができ
、ウェーハの連続処理を可能にし又膜形成の高効率化を
達成できる。
（３）予備真空ベーク部を別体に設けているので、従来
の薄膜形成装置に予備真空ベーク部を付設置−ろだけで
よく、簡単に構成できる。
の薄膜形成装置に予備真空ベーク部を付設置−ろだけで
よく、簡単に構成できる。
（４）予備真空ベーク部を他のベーク部、エッヂ部等と
一体に設けているので、装置のコンパクト化を実現でき
る。
一体に設けているので、装置のコンパクト化を実現でき
る。
以上本発明者によってなこれた発明を実施例にもとづき
具体的に説明し、だが、本発明は十記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱１−２ない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。たとえば、膜形
成部には蒸着やＯＶＤ法を用いるようにし５てもよい。
具体的に説明し、だが、本発明は十記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱１−２ない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。たとえば、膜形
成部には蒸着やＯＶＤ法を用いるようにし５てもよい。
以上の１；発明では主とし２て本発明者によってなσれ
た発明をその背景どなった利用分野で矛）ろ半導体ウェ
ーハ表面への″Ｒ膜形成に適用した場合について説明し
たが、そ１−１に限定されるものではなく、他の基板へ
の薄膜形成技術にも適用できろ。
た発明をその背景どなった利用分野で矛）ろ半導体ウェ
ーハ表面への″Ｒ膜形成に適用した場合について説明し
たが、そ１−１に限定されるものではなく、他の基板へ
の薄膜形成技術にも適用できろ。
図面の簡単／、、Ｃ説明
第１図は考えられろ装置の一例の模式構成図、第２図は
本発明の一実施例の全体構成図、第３図は他の実施例の
全体構成図である。
本発明の一実施例の全体構成図、第３図は他の実施例の
全体構成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 表面に薄膜を形成する試料を力ロ熱して表面の吸
着ガスや付着水分を除去する真空ベーク工程と、表面の
不要膜を除去するエソチング工程と、表面に薄膜を形成
する膜形成上程とを有する一連の薄膜形成工程の前処理
工程として、予備真空ベーク工程を設けたことを特徴と
ｆろ？’ｊＪ膜形成方法。 ２− 試料は半導体ウェーハであり、このウェーハの表
面にＡ、７等の薄膜を形成する方法である特許請求の範
囲第１項記載の薄膜形成方法。 ３、膜形成上程はスパッタ成膜法である特許請求の範囲
第１項又は第２項記載の薄膜形成方法。 ４、表面に薄膜を形成する試料を力０熱し又表面の吸着
カスや付着水分を除去する真空ベーク部と、表面の不要
膜を除去するエッチ部と、表面に薄膜を形成する膜形成
部を一体に構成した薄膜形成装。 置に、これと一体又は別体の予備真空ベーク部を付設し
１、前記試料は先にこの予備真空ベーク部で処理した上
で前記薄膜形成装置での処理を行なし・得るように構成
したことを特徴とする薄膜形成装置。 ５、予備真空ベーク部は試料を収納可能な真空チャンバ
と、真空チャンバ内の試料を加熱する力１１熱手段とを
備えてなる特許請求の範囲第４項記載σ）薄膜形成装置
。 に、膜形成部はスパッタ装置である特許請求の範囲第４
項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15782483A JPH07113150B2 (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15782483A JPH07113150B2 (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050162A true JPS6050162A (ja) | 1985-03-19 |
| JPH07113150B2 JPH07113150B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=15658110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15782483A Expired - Lifetime JPH07113150B2 (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07113150B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159025A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH0471230A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018520326A (ja) * | 2015-04-23 | 2018-07-26 | ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド | チャンバ弁 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP15782483A patent/JPH07113150B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02159025A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-19 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPH0471230A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018520326A (ja) * | 2015-04-23 | 2018-07-26 | ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド | チャンバ弁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07113150B2 (ja) | 1995-12-06 |
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