JPH0159354B2 - - Google Patents

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JPH0159354B2
JPH0159354B2 JP62188029A JP18802987A JPH0159354B2 JP H0159354 B2 JPH0159354 B2 JP H0159354B2 JP 62188029 A JP62188029 A JP 62188029A JP 18802987 A JP18802987 A JP 18802987A JP H0159354 B2 JPH0159354 B2 JP H0159354B2
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JP
Japan
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chamber
vacuum processing
unloading
chambers
load
Prior art date
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JP62188029A
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English (en)
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JPS6431970A (en
Inventor
Hidetaka Jo
Osamu Watanabe
Katsuya Okumura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokuda Seisakusho Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokuda Seisakusho Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH0159354B2 publication Critical patent/JPH0159354B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は真空処理装置に係り、特に被処理物の
真空処理を迅速に行うことを可能とした真空処理
装置に関する。
(従来の技術〕 第4図は従来のバツチ式の真空処理装置を示し
たもので、上面が半球状に形成された真空処理室
1の内部下方には、蒸発源2が配置されており、
この真空処理室1の上部には、複数の被処理物
3,3を保持する保持具4がこの真空処理室1の
内面に沿つて配設されている。
上記装置においては、上記保持具4に複数の被
処理物3,3を装着した後、真空処理室1内を図
示しない真空排気装置により所定圧力に排気し、
蒸発源2から被着金属を蒸発させて被処理物3の
表面に堆積させるものである。そして、堆積終了
後、真空処理室1内を大気圧に戻して被処理物3
を保持具4から取りはずして作業が終了する。
また、第5図は従来の枚葉式の真空処理装置を
示したもので、スパツタリングにより薄膜形成を
行なう真空処理室1の前段側および後段側には、
それぞれロード室5およびアンロード室6が配設
されており、上記真空処理室1とロード室5およ
びアンロード室6との間には、それぞれゲートバ
ルブ7a,7bが開閉自在に設けられている。
上記装置においては、まず、被処理物3をロー
ド室5に搬入し、このロード室5を所定の圧力に
真空排気した後、ロード室5側のゲートバルブ7
aを開き図示しない搬送装置により被処理物3を
真空処理室1内に搬送する。そして、真空処理室
1内で被処理物3のスパツタリング等の真空処理
を行なつた後、アンロード室のゲートバルブ7b
を開いてアンロード室6に被処理物3を搬送し、
このゲートバルブ7bを閉じた後、アンロード室
6を大気に戻して被処理物3を取出すものであ
る。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、上記第4図に示すバツチ式の真空処理
装置においては、保持具4への被処理物3の着脱
作業を自動的に行なうことが困難であり、薄膜形
成工程の自動化ができないという問題を有してお
り、さらに、真空処理室1が被処理物3の着脱作
業の際に大気にさらされるため、真空処理室1あ
るいは保持具4に堆積した被着金属が剥がれやす
く、発塵の原因となつていた。
また、上記第5図示す枚葉式の真空処理装置に
おいては、ロード室5およびアンロード室6を設
けており、真空処理室1が大気にさらされること
がないので、上記バツチ式真空処理装置における
問題を解決することができるが、ロード室5およ
びアンロード室6を大気から真空に排気するのに
時間がかかつてしまい、この排気時間により被処
理物3の生産性が著しく低下してしまうという問
題を有している。例えば、被処理物3としてのコ
ンパクトデイスクにその反射源として500〜2000
Åの膜を堆積させる場合、スパツタリングによる
堆積速度は、200〜250Å/秒が可能であるから、
堆積時間はわずか2〜10秒で終了するが、ロード
室5およびアンロード室6を大気から10-5
10-6Torrの高真空に排気するには、100〜200秒
必要であるため、排気時間により大幅に処理時間
がかかつてしまつていた。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
排気時間を短縮して迅速な処理を行なうことので
きる真空処理装置を提供することを目的とするも
のである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため本発明に係る真空処理
装置は、真空処理室の前段側および後段側に、大
気圧から真空まで排気されるロード室およびアン
ロード室を開閉自在なゲートバルブを介してそれ
ぞれ配設するとともに、上記真空処理室と上記ロ
ード室およびアンロード室との間で被処理物の受
渡しを行うようにした真空処理装置において、上
記ロード室およびアンロード室を上記真空処理室
の側壁に隣接して複数室並列に設けるとともに、
この各ロード室およびアンロード室をゲートバル
ブを介して各々1つの搬送路および搬出路にそれ
ぞれ連続させ、これら各ロード室およびアンロー
ド室の内部に、被処理物の上記真空処理室と搬入
路または搬出路との間の搬送を行う搬送装置をそ
れぞれ配置したものである。
(作 用) 本発明においては、ロード室およびアンロード
室を複数設けたことにより、ロード室およびアン
ロード室における真空排気時間が実質的に短縮さ
れることになるため、装置の処理効率が著しく向
上し、被処理物を迅速に処理することができる。
しかも、真空処理室を搬入路または搬送路との間
の被処理物の搬送は、ロード室およびアンロード
室の各々に夫々配置した搬送装置によつて個々に
行われ、これによつて装置全体としての簡素化お
よびコンパクト化を図ることができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を第1図乃至第3図を参
照して説明する。
第1図は本発明に係る真空処理装置の一実施例
を示したもので、真空処理室1をほぼ正六角形に
形成し、この真空処理室1の図において下側3辺
の外側には、それぞれ第1、第2、第3のロード
室5a,5b,5cが配設され、上記真空処理室
1の図において上側3辺の外側には、それぞれ第
1、第2、第3のアンロード室6a,6b,,6
cが配設されている。また、上記各ロード室5
a,5b,5cの外側には、上記各ロード室5
a,5b,5cの外面に沿つてロード側搬送室8
が配設され、上記各アンロード室6a,6b,6
cの外側には、上記各アンロード室6a,6b,
6cの外面に沿つてアンロード側搬送室9が配設
されている。上記真空処理室1と各ロード室5
a,5b,5cおよびアンロード室6a,6b,
6cとの間、各ロード室5a,5b,5cおよび
アンロード室6a,6b,6cとロード側搬送室
8およびアンロード側搬送室9との間には、各室
を気密に仕切るゲートバルブ7,7……がそれぞ
れ開閉自在に配設されており、上記ロード側搬送
室8には、被処理物3を多数収納した図示しない
カセツト等から3を搬入する搬入部10が形成さ
れるとともに、上記アンロード側搬送室9には、
処理後の被処理物3をカセツト等に搬出する搬出
部11が形成されている。
このロード側搬送室8と搬入部10によつて搬
送路が、アンロード側搬送室9と搬出部11によ
つて搬出路が夫々構成されている。
また、上記各ロード室5a,5b,5cの内部
には、パワタグラフ状に連結されたアーム12の
先端に被処理物3の載置板13を取付け、上記ア
ーム12の伸縮により被処理物3をロード側搬送
室9から真空処理室1に搬送する搬入側の搬送装
置14,14……がそれぞれ配置されており、上
記アンロード室6a,6b,6cの内部にも、同
様に、被処理物3を真空処理室1からアンロード
側搬送室9に搬送する搬出側の搬送装置14,1
4……がそれぞれ配置されている。さらに、上記
ロード側搬送室8の内部には、各ロード室5a,
5b,5cの外面と平行に配置された3つの搬送
ベルト15,15……が配置されており、これら
各搬送ベルト15,15……の下方であつて、上
記搬入側の搬送装置14の移動位置には、上記搬
送ベルト15で送られる被処理物3を搬送ベルト
15から持上げる支持ピン16,16……が昇降
自在に設けられている。この支持ピン16による
昇降位置には、該位置で被処理物3を停止させる
位置決めストツパ17,17……が昇降自在に配
置されている。同様に、上記アンロード側搬送室
9の内部にも、搬送ベルト15および支持ピン1
6がそれぞれ配設されている。
次に、本発明の作用について説明する。
本実施例においては、カセツト等から被処理物
3を1枚ずつ取出して搬入部10からロード側搬
送室8内に搬入し、搬送ベルト15を駆動すると
ともに、ストツパ17を上昇させ、被処理物3を
第1ロード室5aの前ま送つて停止させる。次い
で、支持ピン16を上昇させて被処理物3を搬送
ベルト15の上方に保持すると同時に、第1ロー
ド室5aのゲートバルブ7を開き、この第1ロー
ド室5aの搬送装置14を駆動してその載置板1
3を被処理物3の下方に移動させる。そして、上
記支持ピン16を下降させて上記載置板13上被
処理物3を載置し、搬送装置14を駆動して被処
理物3を第1ロード室5a内に搬送して上記ゲー
トバルブ7を閉じる。この状態で、第1ロード室
5aを約10-6Trrの圧力に真空排気した後、真空
処理室1側のゲートバルブ7を開いて搬送装置1
4の駆動により被処理物3を真空処理室1内に搬
送し、被処理物3のスパツタリング等の真空処理
を行なうものである。この間に、カセツト内の被
処理物3は、順次ロード側搬送室8に送られ第2
ロード室5b、第3ロード室5c内に上記手順と
同様に搬送れる。そして、上記第1ロード室5a
から送られた被処理物3の真空処理が終了した
ら、所定圧力に真空排気されている第1アンロー
ド室6a側のゲートバルブ7を開いて、第1アン
ロード室6a内の搬送装置14により処理後の被
処理物3を第1アンロード室6a内に搬入すると
同時に、第2ロード5b室の被処理物3を真空処
理室1に搬送する。この第2ロード室5bからの
被処理物3を真空処理するとともに、第1アンロ
ード室6a内を大気圧に戻してアンロード側搬送
室9へのゲートバルブ7を開いて、搬出側の搬送
装置14により被処理物3をアンロード側搬送室
9に送る。そして、支持ピン16を上昇させるこ
とにより、載置板13から被処理物3を浮上さ
せ、上記搬送装置14を第1アンロード室6aに
戻すとともに、支持ピン16を下降させて、被処
理物3を搬送ベルト15の上に載置する。次い
で、搬送ベルト15の駆動により被処理物3を搬
出部11に搬送し、この搬出部11から被処理物
3を取出す。
上記作業の間に、順次第3ロード室5c内の被
処理物3を真空処理室1に送り、処理後の被処理
物3を第2アンロード室6b、第3アンロード室
6cからアンロード側搬送室9に送るもので、こ
れら作業を連続して行なうことにより、被処理物
3の連続処理を行なうことができる。
本実施例においては、ロード室5およびアンロ
ード室6を大気圧から10-6Torrまで真空排気す
るのに要する時間は、約100秒であり、真空処理
室1において被処理物3表面にAl膜を1500Å堆
積させるのに要する時間は約6秒である。そのた
め、ロード室およびアンロード室6がそれぞれ3
室あることにより、ロード室5およびアンロード
室6における真空排気時間が実質的に1/3に短
縮されることになり、ロード室5およびアンロー
ド室6の真空排気終了までの待ち時間が短時間で
済み、装置の真空処理効率を著しく向上させるこ
とができる。
また、第2図は本発明の他の実施例を示したも
ので、ほぼ正方形の真空処理室1の隣接する2面
には、それぞれほぼ正方形を有する第1および第
2ロード室5a,5bが設けられ、他の隣接する
2面には、それぞれほぼ正方形を有する第1およ
び第2ロード室6a,6bが設けられている。上
記各ロード室5a,5bの隣接する2面に対向す
る位置には、被処理物3を搬入する搬入路として
搬入部10が配設され、各アンロード室6a,6
bの隣接する2面に対向する位置には、搬出路と
しての搬出部11が配設されている。また、上記
真空処理室1とロード室5a,5bおよびアンロ
ード室6a,6bとの間、ロード室5a,5bお
よびアンロード室6a,6bと搬入部10および
搬出部11との間には、それぞれゲートバルブ
7,7……が開閉自在に設けられている。上記各
ロード室5a,5bの内部には、回転駆動により
伸縮自在に連結されたアーム12の先端に被処理
物3の載置板13を取付け、上記アーム12の伸
縮により被処理物3を搬入部10から真空処理室
1に搬送する搬入側搬送装置14,14がそれぞ
れ配設されるとともに、上記アンロード室6a,
6bの内部には、真空処理室1から搬出部11に
被処理物3を搬送する搬出側搬送装置14,14
がそれぞれ配設されており、これら各搬送装置1
4は、装置全体が少なくとも90゜回動自在とされ
ている。
本実施例においては、カセツト等から被処理物
3を搬入部10に送り、第1ロード室5aとの間
のゲートバルブ7を開いてその搬送装置14によ
り被処理物3を第1ロード室5a内に搬送する。
そして、第1ロード室5a内を所定圧力に真空排
気した後、真空処理室1側のゲートバルブ7を開
いて、搬送装置14を回動させるとともに、アー
ム12を伸延させて被処理物3を真空処理室1に
搬送し、被処理物3のスパツタリング等の真空処
理を行なうものである。本実施例においても同様
に、第1ロード室5aの被処理物3を真空処理室
1で処理している間に、第2ロード室5b内に被
処理物3を搬入して、真空排気しておき、第1ロ
ード室5aの被処理物3の処理後、第1アンロー
ド室6aに被処理物3を搬送すると同時に、第2
ロード室5bの被処理物3を真空処理室1内に搬
送するものであり、この作業を繰返すことによ
り、被処理物3の連続処理を行なうことができ
る。
したがつて、本実施例においては、ロード室5
およびアンロード室6の排気速度が実質的に1/
2になり、装置の真空処理効率を著しく向上させ
ることができる。
また、第3図は本発明のさらに他の実施例を示
したもので、2つの真空処理室1a,1bを設
け、これら各真空処理室1a,1bの間には、パ
ンタグラフ状の搬送装置14が収容され各真空処
理室1a,1bとほぼ同様の真空状態に保持され
た搬送室18が設けられており、その他の構成部
分は、上記第2図に示す実施例と同様であるた
め、同一部分には同一符号を付してその説明を省
略する。
本実施例においても、上記各実施例と同様に、
ロード室5およびアンロード室6における真空排
気時間を著しく短縮し、被処理物3を効率よく処
理することが可能となる。また、本実施例におい
ては、真空処理室1を2室設けているため、被処
理物3表面に2層に薄膜を形成することができ
る。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明に係る真空処理装置
は、ロード室およびアンロード室を上記真空処理
室に対して複数室並列に設けるとともに、これら
各ロード室およびアンロード室と上記真空処理室
との間で被処理物を搬送する複数の搬送装置を設
けるようにしたので、ロード室およびアンロード
室における真空排気時間が実質的に短縮されるこ
とになり、したがつて、装置の処理効率が著しく
向上し、被処理物を迅速に処理することができ
る。
しかも、ロード室およびアンロード室の各々に
夫々搬送装置を配置し、この搬送装置によつて真
空処理室を搬入路または搬送路との間の被処理物
の搬送を行うことにより、該搬入路または搬送路
を1つで済ますとともに、搬送ラインも搬入側お
よび搬出側夫々1つとして、真空処理装置全体と
しての簡素化およびコンパクト化を図ることがで
きるといつた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図はそれぞれ本発明
の一実施例を示す平面図、第4図は従来の真空処
理装置を示す縦断面図、第5図は従来の真空処理
装置をす概略平面図である。 1……真空処理室、3……被処理物、5……ロ
ード室、6……アンロード室、7……ゲートバル
ブ、8,9,18……搬送室、14……搬送装
置、15……搬送ベルト、16……支持ピン、1
7……ストツパ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 真空処理室の前段側および後段側に、大気圧
    から真空まで排気されるロード室およびアンロー
    ド室を開閉自在なゲートバルブを介してそれぞれ
    配設するとともに、上記真空処理室と上記ロード
    室およびアンロード室との間で被処理物の受渡し
    を行うようにした真空処理装置において、上記ロ
    ード室およびアンロード室を上記真空処理室の側
    壁に隣接して複数室並列に設けるとともに、この
    各ロード室およびアンロード室をゲートバルブを
    介して各々1つの搬入路および搬出路に夫々連続
    させ、これら各ロード室およびアンロード室の内
    部に、被処理物の上記真空処理室と搬入路または
    搬出路との間の搬送を行う搬送装置をそれぞれ配
    置したことを特徴とする真空処理装置。
JP18802987A 1987-07-28 1987-07-28 Vacuum treatment equipment Granted JPS6431970A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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USRE39756E1 (en) * 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39824E1 (en) * 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61113766A (ja) * 1984-11-09 1986-05-31 Nissin Electric Co Ltd エンドステ−シヨン

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61113766A (ja) * 1984-11-09 1986-05-31 Nissin Electric Co Ltd エンドステ−シヨン

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