JPS6130030B2 - - Google Patents
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- JPS6130030B2 JPS6130030B2 JP56035743A JP3574381A JPS6130030B2 JP S6130030 B2 JPS6130030 B2 JP S6130030B2 JP 56035743 A JP56035743 A JP 56035743A JP 3574381 A JP3574381 A JP 3574381A JP S6130030 B2 JPS6130030 B2 JP S6130030B2
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- Japan
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 28
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、被処理基板、例えばシリコンウエハ
ー等を、装置内に順次移動させ、加熱等の処理、
ウエハー表面に対する被膜の形成あるいは、表面
のエツチング等のうちの単数あるいは複数の処理
を行なう基板処理装置に関する。
ー等を、装置内に順次移動させ、加熱等の処理、
ウエハー表面に対する被膜の形成あるいは、表面
のエツチング等のうちの単数あるいは複数の処理
を行なう基板処理装置に関する。
従来使用されているこの種の装置として、例え
ば、第１図に示したカセツトツウカセツトスパツ
タ装置などがある。この装置においては、大気圧
下でカセツトを挿入する挿入室１、エツチング或
いは加熱等を行なう前処理室２、スパツタ等の処
理室３、および処理後の基板を大気中へ取出すた
めの取出室４にて構成されている。これらの４室
は、それぞれ図示されなていない排気ポンプによ
り真空状態にすることができる。
ば、第１図に示したカセツトツウカセツトスパツ
タ装置などがある。この装置においては、大気圧
下でカセツトを挿入する挿入室１、エツチング或
いは加熱等を行なう前処理室２、スパツタ等の処
理室３、および処理後の基板を大気中へ取出すた
めの取出室４にて構成されている。これらの４室
は、それぞれ図示されなていない排気ポンプによ
り真空状態にすることができる。
このカセツトツウカセツトスパツタ装置ではま
ず挿入室１に大気雰囲気時に被処理基板５を複数
枚収容したカセツト６が一式挿入される。この
時、挿入室１と前処理室２との間の封止バルブ７
は閉じられており、前処理室２および処理室３は
真空に保たれている。次に挿入室１を排気した
後、封止バルブ７を開き被処理室基板５を順次１
枚づつカセツト６の下部の基板から搬送ヘルト１
４により、前処理室２へ送られる。前処理室２に
はエツチング電極８或いは加熱治具９が設けられ
ており、搬送ベルト１４，１５により送り込まれ
た被処理基板５にエツチング或は加熱を行なうこ
とができる。次いで封止バルブ１０を開き、被処
理基板５を搬送ベルト１５，１６により処理室３
に送り、封止バルブ１０を閉じ被処理基板５に対
し、膜付け等が行なわれる。一方取出室４の内部
には、カセツト１２が収容されており、処理済み
の基板５は、ベルト１６，１７により、カセツト
１３の上部から順次収容される。
ず挿入室１に大気雰囲気時に被処理基板５を複数
枚収容したカセツト６が一式挿入される。この
時、挿入室１と前処理室２との間の封止バルブ７
は閉じられており、前処理室２および処理室３は
真空に保たれている。次に挿入室１を排気した
後、封止バルブ７を開き被処理室基板５を順次１
枚づつカセツト６の下部の基板から搬送ヘルト１
４により、前処理室２へ送られる。前処理室２に
はエツチング電極８或いは加熱治具９が設けられ
ており、搬送ベルト１４，１５により送り込まれ
た被処理基板５にエツチング或は加熱を行なうこ
とができる。次いで封止バルブ１０を開き、被処
理基板５を搬送ベルト１５，１６により処理室３
に送り、封止バルブ１０を閉じ被処理基板５に対
し、膜付け等が行なわれる。一方取出室４の内部
には、カセツト１２が収容されており、処理済み
の基板５は、ベルト１６，１７により、カセツト
１３の上部から順次収容される。
しかしながら、このような従来の方法による基
板処理装置では、すべての移動が直線に行なわれ
るため挿入室から取出室までが、やはり直線状に
並ぶために設置についてスペースフアクターが良
くないとか、操作にあたつても、効率の悪い動作
が要求されるなどの欠点があつた。特に前処理や
処理の種類が増し、前処理室、処理室の数が増し
た時には、上記の欠点はますます大きくなつた。
板処理装置では、すべての移動が直線に行なわれ
るため挿入室から取出室までが、やはり直線状に
並ぶために設置についてスペースフアクターが良
くないとか、操作にあたつても、効率の悪い動作
が要求されるなどの欠点があつた。特に前処理や
処理の種類が増し、前処理室、処理室の数が増し
た時には、上記の欠点はますます大きくなつた。
本発明の目的は、装置内の被処理基板の移動に
単なる直線的移動でなく、屈折、枝分かれを簡単
に導入できる新たな機構を採用することによつ
て、スペースフアクター、操作性に優れた基板処
理装置を提供することにある。
単なる直線的移動でなく、屈折、枝分かれを簡単
に導入できる新たな機構を採用することによつ
て、スペースフアクター、操作性に優れた基板処
理装置を提供することにある。
この目的のために、本発明においては、従来行
なわれているベルトやレール上の移動の他に、軸
の円りの平面の回転運動とを組合わせることによ
つている。しかも、直進運動の間の被処理基板の
受け渡しは、基板が置かれるでき座の上下運動を
利用して、簡単、確実な動作を行うよう作られて
いる。
なわれているベルトやレール上の移動の他に、軸
の円りの平面の回転運動とを組合わせることによ
つている。しかも、直進運動の間の被処理基板の
受け渡しは、基板が置かれるでき座の上下運動を
利用して、簡単、確実な動作を行うよう作られて
いる。
次に本発明を実施したカセツトツーカセツトス
パツタ装置の実施例を説明するのに先立つて、先
ず、より改良された従来のスパツタ装置の説明を
第２図（平面図及び側面図）によつて行う。この
装置は図に示されるように、基板挿入室１、前処
理室２、処理室３および基板取出室４とよりな
り、これらの諸室は封止バルブ７，１０，１２で
仕切られているとともに、それぞれ図示されてい
ない排気ポンプによつて真空状態にすることでき
る。挿入室１には大気雰囲気時に、被処理基板５
複数枚を収容したカセツト６が一式挿入される。
この際封止バルブ７は閉じられており、前処理室
２以降は真空に保たれている。次に挿入室１を排
気した後、封止バルブ７を開き被処理基板５を、
順次１枚づつ搬送ベルト１４により前処理室へ送
り込む。これに先立つて、前処理室２において
は、回転機構１８に取付けられた回転アーム１９
を、封止バルブ７の方向に合わせておき、首振り
式搬送ベルト機構２０を下方より水平方向に回転
させることにより、挿入室１の搬送ベルト機構１
４と平行にしておく。
パツタ装置の実施例を説明するのに先立つて、先
ず、より改良された従来のスパツタ装置の説明を
第２図（平面図及び側面図）によつて行う。この
装置は図に示されるように、基板挿入室１、前処
理室２、処理室３および基板取出室４とよりな
り、これらの諸室は封止バルブ７，１０，１２で
仕切られているとともに、それぞれ図示されてい
ない排気ポンプによつて真空状態にすることでき
る。挿入室１には大気雰囲気時に、被処理基板５
複数枚を収容したカセツト６が一式挿入される。
この際封止バルブ７は閉じられており、前処理室
２以降は真空に保たれている。次に挿入室１を排
気した後、封止バルブ７を開き被処理基板５を、
順次１枚づつ搬送ベルト１４により前処理室へ送
り込む。これに先立つて、前処理室２において
は、回転機構１８に取付けられた回転アーム１９
を、封止バルブ７の方向に合わせておき、首振り
式搬送ベルト機構２０を下方より水平方向に回転
させることにより、挿入室１の搬送ベルト機構１
４と平行にしておく。
搬送ベルト機構１４から搬送ベルト機構２０に
渡された被処理基板５は、搬送ベルト機構２０に
よつて、回転アーム１９の位置まで運ばれる。次
に必要あれば封止バルブ７を閉じ、首振り式搬送
ベルト機構２０を水平位置より下方に回転させる
ことにより、被処理基板５は回転アーム１９の上
に乗せられる。次いで、回転機構１８を回転する
ことにより、エツチング８或いは、加熱９の位置
に移動させる。被処理基板５はエツチング或い
は、加熱処理後、回転機構１８上の回転アーム１
９に乗せられたまま、首振り式搬送ベルト２０′
の位置に運ばれる。この状態で首振り式搬送ベル
ト機構２０′が下方より水平方向に回転し、その
ベルト上に被処理板５を受け取る。次に封止バル
ブ１０を開き、被処理基板５は、搬送ベルト機構
２０′から同１６に移される。以後の被処理基板
５の動きは、第１図に示した従来の装置とほぼ同
じである。
渡された被処理基板５は、搬送ベルト機構２０に
よつて、回転アーム１９の位置まで運ばれる。次
に必要あれば封止バルブ７を閉じ、首振り式搬送
ベルト機構２０を水平位置より下方に回転させる
ことにより、被処理基板５は回転アーム１９の上
に乗せられる。次いで、回転機構１８を回転する
ことにより、エツチング８或いは、加熱９の位置
に移動させる。被処理基板５はエツチング或い
は、加熱処理後、回転機構１８上の回転アーム１
９に乗せられたまま、首振り式搬送ベルト２０′
の位置に運ばれる。この状態で首振り式搬送ベル
ト機構２０′が下方より水平方向に回転し、その
ベルト上に被処理板５を受け取る。次に封止バル
ブ１０を開き、被処理基板５は、搬送ベルト機構
２０′から同１６に移される。以後の被処理基板
５の動きは、第１図に示した従来の装置とほぼ同
じである。
以上の二つの従来の装置にあつて、第２図の装
置は単に直線的に動いていた第１図の装置よりも
幅広く利用できる点ですぐれている。又、高温で
の熱処理に対してもその場所に関しては、ベルト
を使用していないため、特別の機構を必要としな
いなどの利点があり、更に前処理室で数多くの前
処理を行う必要があれば、回転アームの静止位置
を増すことで解決できる。
置は単に直線的に動いていた第１図の装置よりも
幅広く利用できる点ですぐれている。又、高温で
の熱処理に対してもその場所に関しては、ベルト
を使用していないため、特別の機構を必要としな
いなどの利点があり、更に前処理室で数多くの前
処理を行う必要があれば、回転アームの静止位置
を増すことで解決できる。
第３図は本発明の実施例を説明するための図
で、従来の装置が単一の処理室と、そこへ被処理
基板を搬送するための搬送系との組合わせであつ
たのに対して、効率をあげるために、複数の処理
室とそれらへ被処理基板を搬送するための搬送系
の組合わせを示すものである。この例では、前処
理室２′について３個の処理室３，３′，３″が設
けられている。この例では、前処理後、別の処理
室へ被処理基板を振り分けて搬送することもで
き、場合によつては、１種の処理を行つた基板を
再び前処理室２へ戻し、もう一度加熱等行つて、
別の処理室へ送ることもできる。この装置では、
複数の処理室でそれぞれの処理を行いながら、前
処理室では、それぞれ次の処理に応じた前前処理
を、別々の被処理基板に対し行うことも容易であ
る。
で、従来の装置が単一の処理室と、そこへ被処理
基板を搬送するための搬送系との組合わせであつ
たのに対して、効率をあげるために、複数の処理
室とそれらへ被処理基板を搬送するための搬送系
の組合わせを示すものである。この例では、前処
理室２′について３個の処理室３，３′，３″が設
けられている。この例では、前処理後、別の処理
室へ被処理基板を振り分けて搬送することもで
き、場合によつては、１種の処理を行つた基板を
再び前処理室２へ戻し、もう一度加熱等行つて、
別の処理室へ送ることもできる。この装置では、
複数の処理室でそれぞれの処理を行いながら、前
処理室では、それぞれ次の処理に応じた前前処理
を、別々の被処理基板に対し行うことも容易であ
る。
第３図の例は、複数の処理を効率よく行なうこ
とを述べたもので、ここで云う処理とは、蒸着、
スパツタリング、ドライエツチングあるいは、プ
ラズマ化学分解による被膜の生成などに広く応用
することができる。第３図の例ではカセツトツウ
カセツトのスパツタリングを示しているが、スパ
ツタリング以外でも全く同様であることは明らか
である。又カセツトツウカセツトの装置に限る理
由は全くない。
とを述べたもので、ここで云う処理とは、蒸着、
スパツタリング、ドライエツチングあるいは、プ
ラズマ化学分解による被膜の生成などに広く応用
することができる。第３図の例ではカセツトツウ
カセツトのスパツタリングを示しているが、スパ
ツタリング以外でも全く同様であることは明らか
である。又カセツトツウカセツトの装置に限る理
由は全くない。
なお本発明の要旨からは多少はずれるが、被処
理基板の搬送系の間における受渡しについて述べ
ておく。今まで述べてきた説明では、被処理基板
を直線移動と回転移動との間で受け渡しをする際
に、直線移動を受持つ側のベルトの上下運動によ
つていたが、この上下運動は、相対的なものであ
つて、受け取る側の第３図における回転アーム１
９の上下運動で行つてもよい。すなわち、被処理
基板５が送られてくる前に回転アーム１９をベル
ト搬送機構２０，２０′と同じ高さに設置し被処
理基板５が送られてきてから回転アーム１９を上
昇させ、次いで回転によつて位置を変えることに
なる。このような機構の場合には、当然ベルトの
上下運動は省略することも可能である。又直線移
動については、ベルトによらず、レール上の移動
などに変えることもでき、特に首振り機構のない
時には利用し易い。
理基板の搬送系の間における受渡しについて述べ
ておく。今まで述べてきた説明では、被処理基板
を直線移動と回転移動との間で受け渡しをする際
に、直線移動を受持つ側のベルトの上下運動によ
つていたが、この上下運動は、相対的なものであ
つて、受け取る側の第３図における回転アーム１
９の上下運動で行つてもよい。すなわち、被処理
基板５が送られてくる前に回転アーム１９をベル
ト搬送機構２０，２０′と同じ高さに設置し被処
理基板５が送られてきてから回転アーム１９を上
昇させ、次いで回転によつて位置を変えることに
なる。このような機構の場合には、当然ベルトの
上下運動は省略することも可能である。又直線移
動については、ベルトによらず、レール上の移動
などに変えることもでき、特に首振り機構のない
時には利用し易い。
第４図は本発明の第二の実施例を説明するため
の図であり、第２図にける前処理室内の回転機
構、回転アームの改良された、一度に複数の避処
理基板を保持するメカニズムの一例が搬送ベルト
機構と一緒に示されている。この例では回転アー
ムの代りに、回転軸に取り付けられた回転平板１
９′によつて被処理基板を受取つている。図より
明らかなように、ベルト２０を受け入れられる切
込みと、被処理基板を収容する窪みを有する。第
４図側面図にも示されているように、被処理基板
を受取つてから点線で示したように上方に持上げ
て次の位置に移すための回転を行なう。勿論この
場合も、ベルト機構２０に対して、上下首振り機
能を与えて、受け渡しを行なわせてもよい。本発
明の第二の実施例による回転平板は同時に２枚の
被処理基板を保持することができるので、搬送ベ
ルト２０と回転板の間における受渡しと、搬送ベ
ルト２０′と回転板の間における受渡しを同時に
すすめることができ、もつて全体として受渡し時
間の短縮が容易になる。
の図であり、第２図にける前処理室内の回転機
構、回転アームの改良された、一度に複数の避処
理基板を保持するメカニズムの一例が搬送ベルト
機構と一緒に示されている。この例では回転アー
ムの代りに、回転軸に取り付けられた回転平板１
９′によつて被処理基板を受取つている。図より
明らかなように、ベルト２０を受け入れられる切
込みと、被処理基板を収容する窪みを有する。第
４図側面図にも示されているように、被処理基板
を受取つてから点線で示したように上方に持上げ
て次の位置に移すための回転を行なう。勿論この
場合も、ベルト機構２０に対して、上下首振り機
能を与えて、受け渡しを行なわせてもよい。本発
明の第二の実施例による回転平板は同時に２枚の
被処理基板を保持することができるので、搬送ベ
ルト２０と回転板の間における受渡しと、搬送ベ
ルト２０′と回転板の間における受渡しを同時に
すすめることができ、もつて全体として受渡し時
間の短縮が容易になる。
第５図は本発明の第三の実施例を説明するため
の図であり、第４図における回転板と回転機構の
別の実施例として、４枚の被処理基板を同時に保
持するメカニズムを示す。第４図及び第５図の回
転機構と回転板は、第２図における回転機構、回
転アームのかわりに用いるだけでも全体として被
処理基板の受渡しに要する時間を短縮して装置の
生産性を向上するのに大きな効果がある。しかし
第４図及び第５図の回転機構と回転板を第３図に
おける回転機構、回転アームのかわりに用いるな
らば装置全体としての生産性が極めて大きく向上
する。第二、第三の実施例においては回転板を用
いたが、本発明の要旨は形状を限定するものでは
なく回転機構１８のまわりに第３図の回転アーム
１９の形状のものを複数配置することでも同じ効
果が得られる。このように多数同時に行なうこと
も容易なのは、本発明の特徴ということができ
る。すなわち直線運動と、回転運動とを組み合
せ、しかもその連結に相対的な上下運動を利用し
ていることによる。
の図であり、第４図における回転板と回転機構の
別の実施例として、４枚の被処理基板を同時に保
持するメカニズムを示す。第４図及び第５図の回
転機構と回転板は、第２図における回転機構、回
転アームのかわりに用いるだけでも全体として被
処理基板の受渡しに要する時間を短縮して装置の
生産性を向上するのに大きな効果がある。しかし
第４図及び第５図の回転機構と回転板を第３図に
おける回転機構、回転アームのかわりに用いるな
らば装置全体としての生産性が極めて大きく向上
する。第二、第三の実施例においては回転板を用
いたが、本発明の要旨は形状を限定するものでは
なく回転機構１８のまわりに第３図の回転アーム
１９の形状のものを複数配置することでも同じ効
果が得られる。このように多数同時に行なうこと
も容易なのは、本発明の特徴ということができ
る。すなわち直線運動と、回転運動とを組み合
せ、しかもその連結に相対的な上下運動を利用し
ていることによる。
以上本発明を具体的実施例により説明してきた
が、本発明の要旨概念をまとめると次のようにな
る。本発明は真空中における処理室とそこへ被処
理基板を送り込んだり引き出したりする搬送系の
組合わせにおいて、(1)複数の処理室の結合、(2)複
数の被処理基板を同時に保持してなおかつ、水平
回転可能な回転機構と基板保持体、及び(3)複数の
処理室と複数の被処理板を同時に保持できる基板
保持体の組合わせ、の３項目で特徴づけることが
できる。そして以上３項目のうち(1)及び(2)は一方
だけを適用しても本発明の要旨とするスペースフ
アクター、操作性にすぐれた生産効率の高い装置
を提供するものである。しかし(1)と(2)を組合わせ
た上に(3)を適用すれば生産効率を最も高くするこ
とができる。
が、本発明の要旨概念をまとめると次のようにな
る。本発明は真空中における処理室とそこへ被処
理基板を送り込んだり引き出したりする搬送系の
組合わせにおいて、(1)複数の処理室の結合、(2)複
数の被処理基板を同時に保持してなおかつ、水平
回転可能な回転機構と基板保持体、及び(3)複数の
処理室と複数の被処理板を同時に保持できる基板
保持体の組合わせ、の３項目で特徴づけることが
できる。そして以上３項目のうち(1)及び(2)は一方
だけを適用しても本発明の要旨とするスペースフ
アクター、操作性にすぐれた生産効率の高い装置
を提供するものである。しかし(1)と(2)を組合わせ
た上に(3)を適用すれば生産効率を最も高くするこ
とができる。
なお以上の実施例において複数の処理室の結合
例として３個の例が示されたが、その数は３個に
限定されるものではない。また回転可能な基板保
持体が一度に保持できる基板の数は具体的実施例
で示された１個、２個あるいは４個のいずれかに
限定されるものでもない。
例として３個の例が示されたが、その数は３個に
限定されるものではない。また回転可能な基板保
持体が一度に保持できる基板の数は具体的実施例
で示された１個、２個あるいは４個のいずれかに
限定されるものでもない。
以上の説明で明らかなように、本発明による基
板処理装置は、簡単な機構でありながら、基板処
理の工程を必要に応じて曲折させて構成できるの
みならず分岐、再集合なども容易であり、スペー
スフアクターに優れ、操作性に富んだ装置にする
ことができる。しかも簡単な機構であるため信頼
性も高く、自動化に対して特に有利である。
板処理装置は、簡単な機構でありながら、基板処
理の工程を必要に応じて曲折させて構成できるの
みならず分岐、再集合なども容易であり、スペー
スフアクターに優れ、操作性に富んだ装置にする
ことができる。しかも簡単な機構であるため信頼
性も高く、自動化に対して特に有利である。
第１図ａ，ｂ第２図ａ，ｂは従来の基板処理装
置を説明するための平面図及び側面図、第３〜５
図は本発明の実施例の平面図である。 １……挿入室、２，２′……前処理室、３，
３′，３″……処理室、４……取出室、５……被処
理基板、１４，１５，１６，１６′，１６″，１７
……搬送ベルト、１８……回転機構、１９……回
転アーム、１９′……回転平板。
置を説明するための平面図及び側面図、第３〜５
図は本発明の実施例の平面図である。 １……挿入室、２，２′……前処理室、３，
３′，３″……処理室、４……取出室、５……被処
理基板、１４，１５，１６，１６′，１６″，１７
……搬送ベルト、１８……回転機構、１９……回
転アーム、１９′……回転平板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の排気可能な容器と、被処理基板を搬送
し、各容器中で処理を受けさせるための移動を行
う搬送系を有し、該搬送系が複数のほぼ平面内の
直線移動と、少なくとも１ケ所の固定軸の回りの
回転運動による移動との組合わせにより成り、か
つ直線移動と回転移動との間の被処理基板の受け
渡が受ける側、渡す側の被処理基板を保持すべき
座の相対的高さを変えることにより行う基板処理
装置において、複数の処理室が、１個の前処理室
に設けられた該直線移動と該回転移動の該搬送系
を介して結合されていることを特徴とする基板処
理装置。 ２ 複数の排気可能な容器と、被処理基板を搬送
し、各容器中で処理を受けさせるための移動を行
う搬送系を有し、該搬送系が複数のほぼ平面内の
直線移動と、少なくとも１ケ所の固定軸の回りの
回転運動による移動との組合わせにより成り、か
つ直線移動と回転移動との間の被処理基板の受け
渡が受ける側、渡す側の被処理基板を保持すべき
座の相対的高さを変えることにより行う基板処理
装置において、該回転移動の機構は同時に複数の
被処理基板を保持しかつ回転することが可能であ
ることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3574381A JPS57149748A (en) | 1981-03-12 | 1981-03-12 | Treating device for substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3574381A JPS57149748A (en) | 1981-03-12 | 1981-03-12 | Treating device for substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57149748A JPS57149748A (en) | 1982-09-16 |
| JPS6130030B2 true JPS6130030B2 (ja) | 1986-07-10 |
Family
ID=12450296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3574381A Granted JPS57149748A (en) | 1981-03-12 | 1981-03-12 | Treating device for substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57149748A (ja) |
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