JP2877744B2 - 半導体基板のレジスト処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】開示技術は、半導体基板のレジス
ト処理装置の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体装置の製造には、シリコ
ンのような基板としての半導体単結晶の半導体基板にト
ランジスタ等の素子を形成するために、多数の微細加工
工程が含まれる。その中で、半導体基板の表面に所定の
レジストパターンを形成するＰＥＰ（ｐｈｏｔｏｅｎｇ
ｒａｖｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）は非常に重要な地位を
占めている。

【０００３】蓋し、該ＰＥＰで形成されるレジストパタ
ーンはエッチングマスク等として使用され、現在の微細
加工技術の基礎を提供するからである。

【０００４】而して、該ＰＥＰにおけるレジストパター
ン処理は、例えば、特開昭５２−２７３６７号公報に示
されている如く、半導体基板の表面にフォトレジストを
塗布して均一な膜厚のフォトレジスト膜を形成する工程
と、該フォトレジスト膜の所定領域を選択的に露光する
工程と、露光されたフォトレジスト膜を現像して所望の
レジストパターンを形成する工程とからなるものであ
る。

【０００５】このうち露光工程は、例えば、ステップ・
アンド・リピート・アライナー（ステッパーと称され
る）等の露光装置を用いて行われ、他方、半導体基板表
面にフォトレジスト膜を形成するレジスト処理工程は、
例えば、以下に説明するシリーズ処理的な装置を用いて
行われる。

【０００６】図７はトラック方式と呼ばれるフォトレジ
スト膜形成処理装置での処理手順を示すフローチャート
であり、この装置は図示するように前段から後段にかけ
てそれぞれ予備加熱処理工程４、冷却処理工程５、塗布
処理工程６、加熱処理工程８を行う処理ステーションを
シリーズ的に有している。

【０００７】表面にフォトレジスト膜を形成する半導体
基板１は、カセット状の容器２に収納されてこの装置に
導入され、該半導体基板１は一枚ずつ該カセット２から
取出され、ベルト搬送機構３により順次各処理ステーシ
ョンに搬送され、所定の処理を施されるようにされ、ま
ず、予備加熱処理工程４においては、半導体基板１は加
熱により水分を除去される。

【０００８】予備加熱された半導体基板１は冷却処理工
程５で冷却された後、塗布処理工程６に送られ、該塗布
工程６では、例えば、スピンナーコーター（ｓｐｉｎｎ
ｅｒｃｏａｔｅｒ）等の塗布装置により、該半導体基板
１の表面にフォトレジスト液が均一に薄膜状に塗布さ
れ、該フォトレジスト液を塗布された半導体基板１はウ
ォーキングビーム方式の搬送機構７を介して加熱工程８
に送られ、該加熱工程８で加熱されることにより、該半
導体基板１に塗布されたフォトレジスト液は膜状に安定
化処理される。

【０００９】そして、加熱処理工程８を終了し、表面に
初期のフォトレジスト薄膜が形成された半導体基板９は
ベルト搬送機構３により、処理済みの半導体基板９を収
納するためのカセット１０に収納される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、半導体基
板１に対するレジスト処理は極めて重要な処理であるに
もかかわらず、従来の半導体基板１のレジスト処理装置
においてはそれぞれの独立した処理ステーションが直列
に配置され、処理されるべき該半導体基板１はこれらの
ステーションを所定の順序で、且つ、シリーズ的に一方
通行で必ず通り、処理の必要性の有無に関係なく処理を
受けなければならないようになっており、このため、一
旦設定された処理順序を任意に変更することは出来ず、
又、ある処理ステーションだけを選択的に通過させるこ
とも不可能であり、したがって、適宜なレジスト処理が
行えないものであるという欠点があった。

【００１１】これに対し、半導体基板１は半導体素子を
形成するに、必要な処理工程はその順序を含めて該半導
体基板１に形成されるＩＣの種類によって変わるにもか
かわらず、上述従来のフォトレジスト膜形成装置では、
ある処理工程が不要な半導体基板１についても全ての処
理工程を終らざるを得ないため、スループット性を向上
する妨げとなっている難点があった。

【００１２】したがって、レジスト処理すべき半導体基
板１の種類に応じ、装置に設けられた処理ステーション
のうち、いずれの処理ステーションをどの順序で使用す
るかを任意に変更出来る装置が望まれているがこれに応
える装置がこれまで案出されていなかった。

【００１３】この出願の発明の目的は上述の従来技術に
基づく半導体基板のレジスト処理の問題点に対処してな
されたもので、処理工程を必要に応じ選択的に変更が可
能で処理のスループット性の高い半導体基板のレジスト
処理装置を提供せんとするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述目的に沿い先述特許
請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成は、前述
課題を解決するために、半導体基板を搬送自在に構成さ
れた搬送機構を配置する直線状の搬送配置部と、該直線
状の搬送配置部の一方側に沿って少なくとも２つ併設に
配置され、それぞれが下方側に上記半導体理基板を冷却
するための冷却処理部、上方側に該半導体基板を加熱し
て処理する加熱処理部を積層して構成される熱系処理部
と、上記直線状の搬送配置部の他方側に沿って配置さ
れ、半導体基板にレジスト液を塗布する処理部のみで構
成、或いは、半導体基板に現像液を供給し、現像処理す
る処理部のみで構成、或いは、半導体基板にレジスト液
を塗布する処理部と該半導体基板に現像液を供給し現像
処理する処理部とで構成される液処理部とを少なくとも
具備した半導体基板のレジスト処理装置とし、第２の発
明は上記加熱処理部には、上記塗布する処理部で塗布処
理する前の半導体基板を加熱して水分を除去する処理及
び／又は上記塗布する処理部で処理した後の該半導体体
基板に形成されるレジスト膜を乾燥させる処理を施す処
理部を具備し、更に、上記冷却処理部には前記加熱処理
部にて熱的処理された該半導体基板を所定の温度に冷却
する処理部を具備しているレジスト処理装置とするよう
にした技術的手段を講じたものである。

【００１５】

【作用】而して、この出願の発明の半導体基板のレジス
ト処理装置では対向して配置された複数の工程間を選択
して基板を搬送出来るようにしたレジスト処理により、
該半導体基板の種類に応じた最適処理工程を選択し得る
ようにするものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、この出願の発明の実施の形
態を半導体基板のレジスト処理装置を塗布現像処理に適
用した一実施例の態様について図面に基づいて説明す
る。

【００１７】図１は半導体基板Ｗに対するフォトレジス
ト膜の塗布現像装置１００を示す平面図であり、図中１
０１は装置本体の基台である。該基台１０１の中央部に
は矢印Ｙ方向（横方向）に延設された通路１０２が形成
されており、該通路１０２の一方側には該通路１０２に
沿って未処理の半導体基板Ｗを加熱して水分等を除去す
るためのＨＭＤＳ処理を伴うか、又は、単に加熱する予
備加熱ステーション１０３、予備加熱された該半導体基
板Ｗを冷却するための冷却ステーション１０４、例え
ば、フォトレジスト液を塗布した後の半導体基板Ｗを加
熱し、乾燥したフォトレジスト膜を形成するために用い
る上下方向にそれぞれ２枚の加熱装置を有する第１、及
び、第２の加熱ステーション１０５，１０６が併置的に
設けられている。

【００１８】又、通路１０２の他方側には予備加熱、及
び、冷却を終了した半導体基板Ｗの表面に、例えば、フ
ォトレジスト液を塗布するために用いる第１、及び、第
２の塗布ステーション１０７，１０８が該通路１０２に
沿って設けられている。

【００１９】尚、当該図１では冷却ステーション１０
４、及び、予備加熱ステーション１０３、第１，第２の
加熱ステーション１０５，１０６が図示の都合上平面的
に配置されているように示されてはいるが、これは便宜
上のもので実際には冷却ステーション１０４の上に予備
加熱ステーション１０３の加熱装置が上下２段に設けら
れた積層構造となっている。

【００２０】而して、通路１０２には該通路１０２内
を、例えば、ボールスクリュー等の図示しない駆動機構
によってＹ方向に移動する搬送機構としてのハンドリン
グ手段、例えば、搬送装置１１０が配置されており、該
搬送装置１１０はキャリッジ１１１を有し、該キャリッ
ジ１１１にはバキュームピンセット、例えば、半導体基
板Ｗを吸着保持するための２つのピンセット１１２，１
１３が上下に重畳されて取付けられ、該ピンセット１１
２，１１３はそれぞれ独立にＸ方向（縦方向）、Ｙ方向
（横方向）に移動可能で、重畳されたピンセット１１
２，１１３は同時にＺ方向（垂直方向）にも平行移動が
可能で、又、θ方向（周方向）に回動することが出来る
ようにされており、該ピンセット１１２１，１１３のこ
のような平行移動、及び、回動を可能とするため、キャ
リッジ１１１にはステッピングモータ、及び、これに連
結されたボールスクリュー等の図示しない駆動機構が設
けられている。

【００２１】ピンセット１１２，１１３は一方のピンセ
ットで半導体基板Ｗを保持して処理ステーションに搬送
し、該処理ステーションに処理済半導体基板Ｗ_F があっ
た時、他のピンセットが該処理済半導体基板Ｗ_F をピッ
クアップし搬出入することが出来るようにされ、搬送装
置１１０は半導体基板Ｗを前記の各処理ステーション１
０３〜１０８に相互独立的に、又、排反的に選択的に搬
送するために用いられる。

【００２２】基台１０１の左側には搬出入機構部１２０
が設けられており、該搬出入機構部１２０には処理前の
半導体基板Ｗ_B を収容した半導体基板カセット１２２、
及び、処理後の半導体基板Ｗ_F を収容する半導体基板カ
セット１２３が設けられ、又、搬出入機構部１２０は半
導体基板Ｗの裏面を吸着保持するためのピンセット１２
１を具備しており、該ピンセット１２１は前記のピンセ
ット１１２，１１３と同様の構成により、Ｘ，Ｙ方向に
平行移動が可能になっていて、該ピンセット１２１は処
理前の半導体基板Ｗ_B をカセット１２２から取出し、
又、処理後のＷ_Fを半導体基板カセット１２３に収納す
る。

【００２３】而して、該搬出入機構部１２０のピンセッ
ト１２１は処理前の半導体基板Ｗ_Bを搬送装置１１０の
ピンセット１１２，１１３にバトンタッチ的に渡し、
又、処理後のＷ_F をピンセット１１２，１１３から同じ
くバトンタッチ的に受け取るようにされており、このバ
トンタッチ的な受渡しを可能とするインターフェース機
構３０が通路１０２と搬出入機構部１２０との境界に設
けられている。

【００２４】又、該搬送装置１１０のピンセット１１
２，１１３は各処理ステーション１０３〜１０８との間
で半導体基板Ｗの受渡しを行うことによって該半導体基
板Ｗは所定の順序に従い、各処理ステーション１０３〜
１０８での所定の処理を受けることが出来るようにされ
ている。

【００２５】そして、搬送装置１１０の動作は全て図示
しない制御システムによって制御されるようになってお
り、したがって、制御システムのプログラムを変更する
ことによって処理ステーション１０３〜１０８における
処理を任意に設定することが出来、即ち、処理ステーシ
ョン１０３〜１０８における処理の幾つかのみをスルー
プット的に選択的に行うことも処理の順序を変更するこ
とも可能である。

【００２６】図２、及び、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に上
記ピンセット１１２，１１３，１２１を詳細に記載して
おり、これの図において、２１はピンセット本体であ
り、該ピンセット本体２１には３つの支点２２，２３，
２４が突設され、半導体基板Ｗはこれらの支点によって
三点支持され、この三点支持は該ピンセット本体２１の
表面のゴミの付着を防止する効果がある。

【００２７】これらの支点２２〜２４のうち、２４には
その頂面に開口した真空吸着のための吸引口が設けられ
ている。

【００２８】又、半導体基板Ｗのアライメントのため
に、該半導体基板Ｗの周縁に対応した円弧状のガイド部
材２５とストッパ部材２６とが設けられており、半導体
基板Ｗは、まず、図３（Ａ）に示す状態でピンセット上
に載置され、この状態では該半導体基板Ｗは何らアライ
メントされておらず、真空吸着もされていないが、次い
で、図３（Ｂ）に示す様に、ピンセット本体２１がスト
ッパ部材２６に向けて水平に移動させ、半導体基板Ｗの
オリエンテーションフラットＷ_a をストッパ部材２６に
当接させ、その後、更に水平移動を続けることにより、
該半導体基板Ｗはピンセット本体２１の支点２２〜２４
上をスライドし、最終的にはガイド部材２５に当接して
所定にアライメントされて停止する。

【００２９】したがって、もし図３（Ａ）の状態で半導
体基板Ｗの位置がピンセット本体２１の中央部からズレ
ていたとしても、ガイド部材２５に案内されることによ
って、該ピンセット本体２１中央の所定位置にアライメ
ントすることが出来る。

【００３０】図４は通路１０２と搬出入機構部１２０と
の境界に設けられたインターフェース機構３０を示して
おり、該インターフェース機構３０はピンセット１２１
とピンセット１１２，１１３との間でバトンタッチ的に
受渡しされる半導体基板Ｗを一時待機させるバッファー
機能を有し、真空吸着機構により該半導体基板Ｗを保持
する保持部材３１と該保持部材３１を昇降させるための
駆動装置（例えばエアシリンダ）３２とからなり、搬出
入機構部１２０のピンセット１２１が図示の位置に半導
体基板Ｗを搬送してくると、保持部材３２が上昇し、図
示の様に該半導体基板Ｗを持上げて保持するようにし、
次に、レジスト塗布現像装置１００側の半導体基板搬送
装置１１０が図示のインターフェース機構３０の位置に
移動し、そして、保持部材３１が下降することにより、
該保持部材３１に保持されている半導体基板Ｗはピンセ
ット１１２、又は、１１３に載置され、該ピンセット１
１２，１１３からピンセット１２１への半導体基板Ｗの
バトンタッチ的な受渡しも上述同様にして行われる。

【００３１】次に、上述実施例のレジスト塗布現像装置
１００によって半導体基板Ｗの表面にフォトレジスト膜
を形成する工程を順に追って説明すると、該工程は既述
の制御システムの予め記憶されたプログラムに基づいて
実施される。

【００３２】まず、搬出入機構部１２０のピンセット１
２１によりカセット１２２から半導体基板Ｗを１枚取出
し、インターフェース機構３０の位置まで搬送し、搬送
されてきた該半導体基板Ｗは該インターフェース機構３
０を介して通路１０２の左端に待機している搬送装置１
１０の一方のピンセット、例えば、ピンセット１１２に
渡され吸着保持されるが、この際、１つのカセット１２
２に同一種の半導体基板Ｗのみが収納されている場合に
は、カセット１２２に適宜のＩＤコードを表示し、該Ｉ
Ｄコードを読取って製造工程プログラムを選択するよう
にしても良い。

【００３３】以下、予備加熱ステーション１０３、冷却
ステーション１０４、第１の塗布ステーション１０７、
第１の加熱ステーション１０５での処理がこの順序で選
択された場合について説明する。

【００３４】まず、半導体基板Ｗを受取ったピンセット
１１２を予備加熱ステーション１０３に向かって移動さ
せ、該半導体基板Ｗを該予備加熱ステーション１０３に
セットして予備加熱するが、当該予備加熱はヒータプレ
ートにより構成し、該半導体基板Ｗを該ヒータプレート
上に載置するようにし、この時、該半導体基板Ｗは該ヒ
ータプレート上に直接接触させず、ピンセット１１２の
ピンセット本体２１の３つの支点２２，２３，２４によ
る三点支持により０．３ｍｍ程度浮かせるとゴミ付着対
策が良好である。

【００３５】この間にピンセット１２１を移動させて２
番目の半導体基板Ｗをカセット１２２から取出し、前記
インターフェース機構３０に待機させておくようにし、
最初の半導体基板Ｗを予備加熱ステーション１０３に搬
入し終った後、搬送装置１１０は該インターフェース機
構３０から２番目の半導体基板Ｗをピンセット１１２で
受取り、該ピンセット１１２上に吸着保持するように
し、該予備加熱ステーション１０３での最初の半導体基
板Ｗの処理が終了するまでそのまま待機する。

【００３６】該最初の半導体基板Ｗの予備加熱処理が終
了した時、搬送装置１１０は次の動作を行い、即ち、ま
ず半導体基板Ｗを保持していないピンセット１１３を移
動させることにより、予備加熱処理が終了した最初の半
導体基板Ｗを予備加熱ステーション１０３から取出す。

【００３７】こうして該予備加熱ステーション１０３を
空にした後、２番目の半導体基板Ｗを保持しているピン
セット１１２を動作させ、２番目の半導体基板Ｗを予備
加熱ステーション１０３にセットし、次いで、ピンセッ
ト１１２，１１３をＹ方向，θ方向，Ｚ方向に移動し、
冷却ステーション１０４位置に移動し、半導体基板に保
持したピンセット１１３をＸ方向に動作し、この最初の
半導体基板Ｗを該冷却ステーション１０４にセットす
る。

【００３８】この動作から２つのピンセット１１２，１
１３を設けた利点が理解される。即ち、ピンセットが１
つしかない場合には、搬送装置１１０はまず最初の半導
体基板Ｗを予備加熱ステーション１０３から取出し、こ
れを冷却ステーション１０４にセットし、その後にイン
ターフェース機構３０から２番目の半導体基板Ｗを受取
ってこれを予備加熱ステーション１０３にセットする動
作を行わなければならないからである。

【００３９】尚、上述の動作が行われている間に、搬出
入機構部１２０ではピンセット１２１により次に処理す
る３番目の半導体基板Ｗをインターフェース機構３０に
待機させておく。

【００４０】次に、搬送装置１１０は該インターフェー
ス機構３０から３番目の半導体基板Ｗをピンセット１１
２に保持し、そして、冷却ステーション１０４での処理
が終了するまで待機させる。

【００４１】而して、最初の半導体基板Ｗの冷却工程が
終了した時、搬送装置１１０は半導体基板Ｗを保持して
いない方のピンセット１１３で該冷却ステーション１０
４内の半導体基板Ｗを取出し、次にプログラムされたフ
ォトレジストの塗布工程のための第１の塗布ステーショ
ン１０７にセットし、この塗布処理の間に予備加熱ステ
ーション１０３における２番目の半導体基板Ｗの処理が
終了したら、搬送装置１１０は該半導体基板Ｗを保持し
ていない方のピンセット１１３によってこの半導体基板
Ｗを予備加熱ステーション１０３から取出し、ピンセッ
ト１１２に保持している３番目の半導体基板Ｗを予備加
熱ステーション１０３にセットすると同時に、ピンセッ
ト１１３に保持している２番目の半導体基板Ｗを冷却ス
テーション１０４にセットするが、この動作は既述した
態様と同じである。

【００４２】尚、もし最初の半導体基板Ｗの冷却工程が
終了する前に、２番目の半導体基板Ｗの予備加熱処理が
終了する場合には、次のような動作を行うようにプログ
ラムすることも可能である。

【００４３】即ち、まず３番目の未処理の半導体基板Ｗ
をピンセット１１２に保持した状態で、ピンセット１１
３により２番目の半導体基板Ｗを予備加熱ステーション
１０３から取出し、続いてピンセット１１２に保持され
ている３番目の半導体基板Ｗを予備加熱ステーション１
０３にセットした後待機する。

【００４４】そして、冷却ステーション１０４における
最初の半導体基板Ｗの冷却工程が終了した後、この最初
の半導体基板Ｗをピンセット１１２、又は、１１３で取
出し、第１の塗布ステーション１０７にセットするが、
この塗布は、例えば、レジスト液を滴下スピンコーティ
ング装置により実行する。

【００４５】而して、第１の塗布ステーション１０７に
おいて最初の半導体基板Ｗに対するフォトレジストの塗
布処理が終了した時、搬送装置１１０はピンセット１１
３によりこの半導体基板Ｗを第１の塗布ステーション１
０７から取出し、続いてＹ方向に沿って右側に移動し、
取出した最初の半導体基板Ｗを第１の加熱ステーション
１０５にセットして加熱処理を行い、当該加熱処理を行
っている間に冷却ステーション１０４内での２番目の半
導体基板Ｗの冷却処理が終了したら、搬送装置１１０は
この半導体基板Ｗをピンセット１１３にて取出し、更に
第１の塗布ステーション１０７にセットしてフォトレジ
ストの塗布を開始する。

【００４６】そして、第１の加熱ステーション１０５に
於て最初の半導体基板Ｗの処理が終了し、所望のフォト
レジスト膜が形成されたら、搬送装置１１０はこの最初
の半導体基板Ｗをピンセット１１３にて取出し、続い
て、搬送装置１１０はＹ方向左側に移動し、ピンセット
１１３に保持した半導体基板Ｗを前記のインターフェー
ス機構３０に渡す。

【００４７】該インターフェース機構３０での待機中、
半導体基板Ｗを直接載置部に接触させず、３つの支点２
２，２３，２４による３点支持を介して僅かに浮かせて
載置することがゴミ付着対策上有効であり、又、待機機
構はキャリアカセットにより構成すると更に有利であ
る。

【００４８】このようにして処理済みの半導体基板Ｗ_F
がインターフェース機構３０に待機されると、搬出入機
構部１２０のピンセット１２１がこの半導体基板Ｗ_F を
受取り、カセット１２３に収納する。

【００４９】以上述べた一連の処理動作はカセット１２
２内の未処理の半導体基板Ｗ_B がなくなるまで続けられ
る。

【００５０】尚、上述の動作説明では第１の塗布ステー
ション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用い
たが、これらの代わりに第２の塗布ステーション１０
８、及び、第２の加熱ステーション１０６を使用しても
良いし、又、フォトレジストの塗布工程及び／又は加熱
工程が他の工程に比べて時間がかかる場合には、２つの
塗布ステーション１０７，１０８及び／又は２つの加熱
ステーション１０５，１０６を同時に使用することも可
能である。

【００５１】ところで、上述のフォトレジスト膜形成工
程を実施する際、プログラムされたプロセスが適切なも
のであるか否かを確認するために、１枚の半導体基板Ｗ
について試しにテスト処理を行ってみるのが普通であ
り、この場合、試しの処理が終了したテスト半導体基板
Ｗ_T を検査のためにカセット１２１から取出す必要があ
るが、この取出しを容易にするため、図５に示す様に、
カセット１２３の基部に引出し可能なレシーバ４０を設
けるのが好ましく、該レシーバ４０の一端には取手４１
を設け、内部には半導体基板載置台４２を設けておくよ
うにし、試しの処理を終了したテスト半導体基板Ｗ_T は
ピンセット１２１によって開口部４３から挿入され、載
置台４２に載せられ、したがって、該テスト半導体基板
Ｗ_T はレシーバ４０を図示のように引出すことによって
容易に取出すことが出来る。

【００５２】尚、上述の動作説明では第１の塗布ステー
ション１０７と第１の加熱ステーション１０５とを用い
たが、これらの代わりに、第２の塗布ステーション１０
８、及び、第２の加熱ステーション１０６を使用しても
良く、又、フォトレジストの塗布工程及び／又は加熱工
程が他の工程に比べて時間がかかる場合には、２つの塗
布ステーション１０７，１０８及び／又は２つの加熱ス
テーション１０５，１０６を同時に使用することも可能
である。

【００５３】以上の動作説明から明らかなように、上述
実施例の装置によれば半導体基板の表面にフォトレジス
ト膜を形成するために必要な複数の工程を、その順序も
含めたシリーズ的に、又、パラレル的に任意に組合せた
スループットを含めて最良の工程をプログラムすること
が出来、したがって、処理すべき半導体基板Ｗの種類に
応じて最も効率の良い組合せプロセスを選択し、最適の
スループット性をも得ることが出来る。

【００５４】又、搬送装置１１０が２つのピンセット１
１２，１１３を有し、それぞれ独立の動作をすることか
ら、処理の自由度が高く、例えば、次工程のステーショ
ンに半導体基板Ｗが存在していると、その工程は該半導
体基板Ｗの入替えが出来ないといった不都合がない。

【００５５】尚、搬送機構１１０のピンセットは必ずし
も２つである必要はなく、３つ以上であっても良い。

【００５６】更に、各処理ステーションを通路１０２に
沿ってその両側に配設しているため、搬送装置１１０の
動作プログラムの変更する際の自由度が極めて高く、し
たがって、処理プログラムの変更が容易であり、又、予
備加熱ステーション１０３と冷却ステーション１０４と
を上下に積層配置したため、設置のために必要な床面積
も節減される。

【００５７】そして、２つの塗布ステーション１０７，
１０８のいずれか一方をフォトレジストの塗布に用い、
他方を現像液の塗布に用いることによりフォトレジスト
膜の形成、及び、現像の両方を行う装置として使用する
ことが出来、その際、通路１０２の右端にも図４の様な
インターフェース機構３０を設け、露光装置との間で半
導体基板Ｗのバトンタッチ的な受渡しを行えるようにす
ることにより、レジスト塗布から現像までを一貫した連
続プロセスとして実施することも出来る。

【００５８】尚、処理ユニットを複数連設したい場合に
は、通路１０２の延長線上に次の様な通路が形成される
ように構成し、この接続部に半導体基板Ｗの待機機構、
例えば、キャリアステーションを設けると良い。

【００５９】即ち、例えば、図６に示す様に、カセット
１２２，１２３内の半導体基板Ｗを搬出、或いは、カセ
ット１２２，１２３内へ搬入するアーム１２０ａを有す
る搬出入機構部１２０と、インターフェース機構３０で
半導体基板Ｗの受渡しを行う搬送装置１１０ａを有する
第１の処理系１５０により上述したような動作で各処理
を行い、例えば、この第１の処理系１５０にＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）処理ステーション１５１、
第１の加熱ステーション１５２、第１の冷却ステーショ
ン１５３、第１層目のレジストを回転塗布する第１の塗
布ステーション１５４、第２層目のレジストを回転塗布
する第２の塗布ステーション１５５を設け、これに各ス
テーションに選択的に半導体基板Ｗを搬送して処理を行
い、更に、複数の処理ステーション、例えば、第２の加
熱ステーション１５６、第２の冷却ステーション１５
７、露光工程時の光乱反射を防止するためにレジスト上
面にＣＥＬ膜等の表面被覆層を塗布形成する第３の塗布
ステーション１５８等がそれぞれ対向的に配置され、且
つ、これら各ステーションに半導体基板Ｗを搬送する搬
送装置１１０ｂを備えた第２の処理系１５９を設け、該
第２の処理系１５９、及び、第１の処理系１５０の間に
待機機構１６０を配置させ、該待機機構１６０には半導
体基板Ｗ１枚を載置出来る載置台１６１を設け、上記イ
ンターフェース機構３０における半導体基板Ｗの受渡し
と同様に、上記載置台１６１を利用して第１の処理系１
５０の搬送装置１１０ａと第２の処理系１５９の搬送装
置１１０ｂとの間で該半導体基板Ｗの受渡しを行うよう
にするが、該待機機構１６０の構成は載置台１６１を設
けずにバッファー用カセット（図示せず）を設け、該カ
セットにより複数枚の半導体基板Ｗを待機出来る構造と
しても良く、該バッファー用カセットにより、搬送機構
１１０ａ、及び、搬送機構１１０ｂの作業量の差があっ
ても、一方の搬送機構が待機する時間を少くすることが
可能となる。

【００６０】このように待機機構１６０を介して搬送機
構を２系統とすることにより、処理ステーションの増加
に容易に対応出来ると共に、高スループット処理が可能
となる。

【００６１】そして、上記搬送機構は２系統に限定する
ものではなく、３系統以上としても良く、待機機構の増
設に伴って増加させることが出来る。

【００６２】

【発明の効果】以上、説明したようにこの出願の発明に
よれば、半導体基板のレジスト処理におけるプロセスに
対応出来ると共に、処理のスループット性を高くするこ
とが出来る効果がある。

【００６３】又、搬送路に沿って半導体基板を搬送可能
にする搬送機構が直線状の配置部として設けられている
ことにより、処理体の半導体基板容器から１枚ずつ該半
導体基板を搬出して各レジスト処理ステーションに当該
半導体基板を搬出入する時に当該半導体基板の種類によ
って最適な姿勢状態でセット出来る優れた効果が奏され
る。

【００６４】そして、複数の処理ステーションにおいて
所定の処理が出来る工程をシリーズ的、パラレル的、ス
ループット的に選択自在に変更出来るために、各半導体
基板は必要とする処理工程に直接的に、又は、選択的に
変更出来ることから、レジスト処理効率が良く、作業能
率も良く、又、各ステーションに対する半導体基板の処
理工程のプロセスが最短プロセスで行われるために塵埃
の付着等がなく、したがって、パーコレーション対策が
良好になり処理効率が良く、製品に対する信頼性も向上
するという優れた効果が奏される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この出願の発明の装置の１実施例を説明するた
めの塗布現像装置の構成図である。

【図２】図１のピンセット説明図である。

【図３】図１のピンセット説明図である。

【図４】図１装置のインターフェース機構説明図であ
る。

【図５】図１のカセット説明図である。

【図６】この出願の発明の装置の他の実施例の説明図で
ある。

【図７】従来の塗布装置の構成図である。

【符号の説明】

１００ レジスト処理装置 １１０ 搬送機構 １１２，１１３ ピンセット １２０ 搬出入機構部 １６０ 待機機構 Ｗ 半導体基板（被処理基板） １０２ 搬送路（配置部） ３０ インターフェース機構 １０４ 冷却処理部 １０３ 加熱処理部 １０３〜１０６ 熱系処理部 １０７ レジスト液処理部 １０５，１０６ 乾燥処理部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−27367（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−154370（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−69582（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−199469（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−149748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−13332（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板を搬送自在にされた搬送機構を
   配設する直線状の搬送配置部と、 該直線状の搬送配置部の一方側に沿って併設に配置さ
   れ、それぞれが下方側に上記半導体基板を冷却するため
   の冷却処理部、上方側に該半導体基板を加熱して処理す
   る加熱処理部を積層して構成される熱系処理部と、 上記直線状の搬送配置部の他方側に沿って配置され、半
   導体基板にレジスト液を塗布する処理部のみで構成或い
   は該半導体基板に現像液を供給し、現像処理する処理部
   のみで構成、或いは半導体基板にレジスト液を塗布する
   処理部と該半導体基板に現像液を供給し現像処理する処
   理部とで構成される液処理部とを少なくとも具備した半
   導体基板のレジスト処理装置であって、上記加熱処理部
   には、上記レジスト液を塗布する処理部で処理する前の
   半導体基板を加熱して水分を除去する処理及び／又は該
   レジスト液を塗布する処理部で処理した後の該半導体基
   板に形成されるレジスト膜を乾燥させる処理を施す処理
   部を具備し、 更に前記冷却処理部には前記加熱処理部にて熱的処理を
   された半導体基板を所定の温度に冷却する処理部を具備
   していることを特徴とする半導体基板のレジスト処理装
   置。