JPS6289881A - スパツタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、スパッタ装置に関するものである。

〔発明の背景〕

スパッタ装置としては、例えば、特開昭５６−１０３４
４２号公報に記載のような、主真空室がロードロ７り手
段と処理手段とで構成され、該処理手段として加熱手段
、スパッタ商膜手段、冷却手段の順に配列されたものが
知られている。

一方、近年、試料へのスパッタ成膜の前に試料表面の酸
化膜を除去する（スパッタエッチ）ことが要求されるよ
うになった。しかし、このような機能を上記のような装
置はイイしていす、また、このような機能を単に付加し
たのみでは、成膜処理工程（ベーキング→スパッタエッ
チ→スパッタ成１１１に、スバッタエブチ→ベーキング
→スパッタ成膜）を自由に選択することが困難になる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、スパッタエッチ機能を有すると共に成
膜処理工程を自由に選択できるスパッタ装置を提供する
ことにある。

〔発明の概要〕

本発明は、スパッタ装置を、試料昏こスパッタ成膜する
成膜手段と、期記試料をスパッタエッチするスパッタエ
ッチ手段と、前記試料をベーキングする加熱手段とを具
備し、該加熱手段を前記スパッタエッチ手段の前後工程
側に配設した装置とするもので、スパッタエッチ機能を
有すると共に加熱手段の使い分けにより成膜工程を自由
に選択できるよう：こしたものである。

〔発明の実施例〕

本発明の一実施例を図面により説明する。

図面で、スパッタ装置は主真空室１２冊処理室３、ロー
ド室４１　アンロード室５．ロードカセットエレベータ
９．アンロードカセットエレベータｌＯより構成される
。主真空室１は５角形で構成され、各辺には加熱室６．
スパッタ室７．冷却室８が配置されている。主真空室１
の内部には、内筒２があり１回転ドラムあが内筒２に対
しドラム回転手段あにより回転可能に設けられ、該回転
ドラムあには基板ホルダ１３が、バネ四により往復動可
能に保持されている。また、基板ホルダ１３の内部には
加熱手段胛が装着されている。内筒２には主真空室ｌの
５角形の対辺に対応する位置にブツシャ１１が設けられ
、シリンダ１４により往復動可能である。前処理室３の
内部には加熱手段１９が、バッファステージ四ン２１に
はスパッタエッチ手段３１カ設けられ、ロード室４より
バッファステーション４への試料、例えば、半導体素子
基板（以下、つ゛　エバと略）の搬送の目的でベルトあ
、ブツシャあ。

アーム１８が、また、スパッタエッチ手段への搬送の目
的でブツシャ頷、アームη、プッンヤ加が設けられ、ス
パッタエッチ手段３１と主真空室１間の搬送の目的で、
アーム田、ブツシャδ、ウェハ姿勢変換手段冴が設置さ
れている。

次に、動作について説明すると、ロードカセットエレベ
ータ９上のウェハはゲートバルブ１６が開くとロード室
４内に入り、ゲートバルブ１６が閉じ、図示していない
排気手段によりロード室４内を真空排気した後、ゲート
バルブ１７が開き、ウェハはベルトあ上に移動する。こ
の時前処理室３の内部は図示していない排気手段により
、晶真空排気されている。ベルトお上のウェハはブツシ
ャあにより、図面の紙面に直角方向に持ち上げられ、ア
ーム１８が旋回し、ウェハの下に移動すると、ブツシャ
には下降し、ウェハはアーム１８上に保持される。

しかる後アーム１８は再び旋回動作し、バッファステー
ジぢレム上に停止すると、ブツシャ１９が図面の紙面に
垂直方向に上昇し、ウェハを持ち上げる。

アーム詔は、第１図に示す位置に逆旋回すると、ブツシ
ャ加は下降し、ウェハをバッフ１ステーシヨン２１上に
置（ことになる。バッフ１ステーシヨン乙の内部には、
加熱手段１９が設ｉＪされており、ウェハを加熱し、ウ
ェハ表面に付着したガス分子の放出処理を行なう。同処
理が終了した後、ブツシャ加は再び上昇し、アームｎが
旋回し、バッファステーション２１の真下に停止すると
、ブツシャ囚は下降する。このよう沓こしてウェハは、
アームｎ上に移動する。アームｎは逆旋回しスパッタエ
ッチ手段３１の真上に停止するとブツシャ父が図面の紙
面に直角方向に上昇しウェハを持ち上げる。

アームρが、図面の紙面の位ぽ・こ旋回退避するとブツ
シャ美は下降する。かくしてウェハは、スパッタエッチ
手段３１上に置かれる。スパッタエッチ処理が終了する
とブツシャ加は再び上昇し、アーム田が図面の図示位置
より旋回して来てスパッタエッチ手段３１上に停止Ｆす
るとブツシャ（９）は下降し、７−ＡＺ３上にウェハが
移動する。アームｚａは逆ｍ回し、図面に示す退避位置
に停止し、再び旋回してブツシャδ上に停止するとブツ
シャ３がブツシャ２０．３４．３０と同様上昇し、ウェ
ハな持ち上げ、アームｎは図面に示す退避位置に移動す
る。ブツシャ５は下降し、ベルト５上１こウェハを置（
と、ウェハ姿勢変換手段々が図示していない旋回方法で
、ブツシャ３の真上に旋回停止し、ウェハを杷持し、基
板ホルダ１３にウェハを受渡す位置まで逆旋回する。か
くしてウェハは水平姿勢より垂直姿勢に変換される。基
板ホルダ１３は主真空室ｌとｉｆｆ処理室３とを仕切る
仕切弁の役割をしており、ウェハ受渡し時はシリンダ１
４によりブツシャ１１は押出されバネ認に保持された基
板ホルダ１３は主真空室内壁面に押付けられている。ま
た、基板ホルダに設けた加熱手段舅はウェハを一定温度
に保持する。ウェハが図示していない受渡し手段により
、基板ホルダ１３に受渡されると、シリンダ１４は図面
の紙面に直角方向に移動し、ブツシャ１１が引込む結果
、基板ホルダ１３はバネ稔により主真空室１の壁面より
離れ、引込動作をする。加熱手段ごにょリウェハは一定
温度加熱されると共にドラムあが、ドラム回転手段間に
より７２度だけ旋回動作を行なうと、基板ホルダ庄に保
持されたウェハは、加熱室６に進む。加熱室６Ｉこは加
熱手段℃があり、ウェハの急速加熱を行なうことができ
る。シリンダ１４．ブツシャ１１により基板ホルダ１３
は再び主真空室１の壁面に押付けられ、加熱手段ηによ
る加熱後、シリンダ１４．ブツシャ１１により基板ホル
ダ１３は引込み、ドラム莫が再びドラム回転手段間によ
り更に７２２度目動作を行ない、スパッタ室７に移動す
る。スパッタ室７ではウェハはスパツタ源おによりスパ
ッタ成膜される。成膜中は加熱手段３７により加熱され
る結果ステップカバレッジの向上奢こ寄与できる。以上
のように基板ホルダ１３の引込押出、旋回動作を繰返す
ことにより基板ホルダ１３に装着されたウェハはスパッ
タ成膜され、冷却室８に至り、再び、元の位置に戻って
くる。ウェハ姿勢変換手段２４壷こより、ウェハはブツ
シャ５の真上に移動するとブツシャ５が上昇、下降し、
ベルト３上にウェハな置く。ゲートバルブｎが開き、ウ
ェハはアンロード室５に移動するとゲートバルブγは閉
じ、図示していないリーク手段によりアノロード室５は
大気圧となり、ゲートバルブ部が開き、ベルト囚により
ウェハは、アノロードカセットエレベータ１０上の収納
口暑こ収納される。

かくしてウェハは、自動的に各処理を施されることにな
る。

本実施例の加熱手段１９．３２．３７の用途は次のとお
りである。

ウェハ成膜処理工程をウェハヘーキングースパッタエツ
チ→成膜と選択したい場合、加熱手段１９゜罫を用いて
目的とする処理を実施できる。この際勿論、加熱手段β
を補助として用いても良いし、かつ加熱手段１９．ａ２
を用いて、加熱手段ごを用いずとも良い。また、ウェハ
成膜処理工程をスパッタエッチ→ウェハベーキング→成
膜と選択したい場合には、加熱手段１９を用いず加熱手
段諺、３７のみを用いれば良い。また、装ｒＪ！ｌ製造
者より見ればユーザーのニーズによるその都度の大巾な
変更を必要としないこと１′ｊ明らかである。

〔発明の効果〕

本発明は、以上説明したように、スパッタエッチ機能を
１１すると共に成膜処理工程を自由に選択できるスパッ
タ装置を提供できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

図面は、本発明によるスパッタ装置の一実施例を示す平
面図である。 ６・・・・・加熱室、７・・・・・・スパッタ室、１９
．３２・・・・・・加熱手段、２１・・・・・・バッフ
ァステーション、３１　・・−・・スパッタエッチ手段
、お・・・・・・スパブタ源代理人　弁理士　　小　川
　勝　男・′　゛６−−−−ｍ熱’ｊＥ　、　７−−−
−Ｘ／ｆｙ７ａ　、　／９，３２−−−−−−祠削殺２
１−一−−１ら７γスフーシ４ン、　３１−一−−スハ
ル７エツチＪ４文、述・−−−−スパッ７４

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、試料にスパッタ成膜する成膜手段と、前記試料をス
   パッタエッチするスパッタエッチ手段と、前記試料をベ
   ーキングする加熱手段とを具備し、該加熱手段を前記ス
   パッタエッチ手段の前後工程側に配設したことを特徴と
   するスパッタ装置。