JPS6339102B2 - - Google Patents
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- JPS6339102B2 JPS6339102B2 JP54079200A JP7920079A JPS6339102B2 JP S6339102 B2 JPS6339102 B2 JP S6339102B2 JP 54079200 A JP54079200 A JP 54079200A JP 7920079 A JP7920079 A JP 7920079A JP S6339102 B2 JPS6339102 B2 JP S6339102B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- stage
- chamber
- vacuum
- processing chamber
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、真空状態においてウエーハを連続
処理する必要がある場合の真空室構造及びウエー
ハの搬送方式に適用するものである。
処理する必要がある場合の真空室構造及びウエー
ハの搬送方式に適用するものである。
従来、ウエーハを真空状態で連続処理する場
合、第1図のようにローダ・アンローダ、処理室
を有し、ウエーハの処理毎に処理室の真空搬気、
大気パージを毎回くり返す第1の方式、ローダ・
アンローダ、処理室を全て真空室内に組込む第2
の方式、ローダ・アンローダ部、真空予備室、ウ
エーハ処理室を有し、ウエーハを予備室から送り
出し、処理後に他の予備室へプツシヤで引込むと
いう第2図に示す第3の方式がある。
合、第1図のようにローダ・アンローダ、処理室
を有し、ウエーハの処理毎に処理室の真空搬気、
大気パージを毎回くり返す第1の方式、ローダ・
アンローダ、処理室を全て真空室内に組込む第2
の方式、ローダ・アンローダ部、真空予備室、ウ
エーハ処理室を有し、ウエーハを予備室から送り
出し、処理後に他の予備室へプツシヤで引込むと
いう第2図に示す第3の方式がある。
上述の第1の方式では、ウエーハ1枚毎に処理
室の状態を真空、大気圧に切換える必要があり、
所定時間が長くなり、第2の方式では、処理室は
常に真空状態を保てるが、ローダ・アンローダ部
が真空室内にあるので、他の装置との一貫連続化
が困難であり、第3の方式では真空予備室を有
し、ローダ・アンローダ部は大気中に設けられ、
ウエーハ処理室は常に真空状態に保つことができ
るが、真空予備室内に外部からのウエーハ搬送
部、処理室へのプツシヤ送り機構部を備える必要
があり、予備室の内部容積を大きくしなければな
らないので予備室の真空排気に時間がかかるとい
う問題点がある。
室の状態を真空、大気圧に切換える必要があり、
所定時間が長くなり、第2の方式では、処理室は
常に真空状態を保てるが、ローダ・アンローダ部
が真空室内にあるので、他の装置との一貫連続化
が困難であり、第3の方式では真空予備室を有
し、ローダ・アンローダ部は大気中に設けられ、
ウエーハ処理室は常に真空状態に保つことができ
るが、真空予備室内に外部からのウエーハ搬送
部、処理室へのプツシヤ送り機構部を備える必要
があり、予備室の内部容積を大きくしなければな
らないので予備室の真空排気に時間がかかるとい
う問題点がある。
本発明の目的は、内部容積の小さな真空予備室
を設け、処理室へのウエーハ搬送室と処理室を分
離、これにより複数の処理室を直列的に並べるこ
とを可能とし、処理室へのウエーハの搬送には、
その足場にウエーハをセツトしうる構造をした搬
送ステージを用いた、ウエーハの連続真空処理装
置を提供することにある。以下に実施例により、
本発明を具体的に説明する。
を設け、処理室へのウエーハ搬送室と処理室を分
離、これにより複数の処理室を直列的に並べるこ
とを可能とし、処理室へのウエーハの搬送には、
その足場にウエーハをセツトしうる構造をした搬
送ステージを用いた、ウエーハの連続真空処理装
置を提供することにある。以下に実施例により、
本発明を具体的に説明する。
第3図乃至第6図は本発明によるウエーハの連
続真空処理装置の一実施例を示す。第3図は、装
置全体構成図である。同図において、扉()が
開いた状態でローダ部よりウエーハが供給され、
ベルト搬送部付ステージの足位置へ搬送される。
そこで、扉()が閉じ、予備室()内を真空
排気する。真空度が設定値に達するとステージが
第1段位置まで下降する。次にスライド式アーム
付回転部のアームがウエーハとステージの間へ移
動し、その後ステージは、最下点まで下降する。
これにより、ウエーハはアーム上へ移換され、ア
ームは回転部の定位置まで戻る。ここで、第3図
に示した2つのベルト搬送部付ステージ、上下動
ピン付ステージの上昇、下降を同時に行うと、ア
ーム上へウエーハが移換されたとき、ステージ1
9も最下点まで下降している。この状態で回転部
17が180゜回転し、さらにアームがウエーハをの
せて移動する。次にステージ19が第1段位置ま
で上昇し、ステージの4本のピン上へウエーハを
移し換える。ここで、アームはウエーハとステー
ジの間を移動し定位置へ戻り、ステージ19は、
最上点まで上昇し、ウエーハはステージ上へ設置
され、回転部は、再び180゜回転して、はじめの位
置へ戻る。ステージ19の上昇によりウエーハ処
理室とウエーハ搬送部とは、隔離され、処理室内
で例えば、CF4ガスによるエツチング等を行つて
も、エツチングガスが搬送室内に流れてこないの
で、搬送機構部に対するガスの影響の心配がな
い。ウエーハ処理室内での処理が終了すると、ス
テージ19は、第1段位置まで下降し、スライド
式アーム付回転部のアームがウエーハとステージ
の間へ移動し、ついでステージが最下点まで下降
してウエーハをアームへ移換する。この時、回転
部のアーム上へは前述の方式により次のウエーハ
が移換されており、アーム戻り、2つの回転部の
180゜の回転、各ステージの上昇、アームの移動に
より、ウエーハはステージ19、ベルト搬送部付
ステージへ移し換えられる。ベルト搬送部付ステ
ージは、ウエーハを受取つた後、最上点まで上昇
し、予備室()と搬送室を隔離した後、室内を
大気圧にリークさせ、扉()を開放してウエー
ハをアンローダへ収納する。予備室()、()
では以上のように大気パージ、真空排気を行いウ
エーハの供給、収納を行い、ウエーハ搬送部、処
理室は常に真空を保つことができる。
続真空処理装置の一実施例を示す。第3図は、装
置全体構成図である。同図において、扉()が
開いた状態でローダ部よりウエーハが供給され、
ベルト搬送部付ステージの足位置へ搬送される。
そこで、扉()が閉じ、予備室()内を真空
排気する。真空度が設定値に達するとステージが
第1段位置まで下降する。次にスライド式アーム
付回転部のアームがウエーハとステージの間へ移
動し、その後ステージは、最下点まで下降する。
これにより、ウエーハはアーム上へ移換され、ア
ームは回転部の定位置まで戻る。ここで、第3図
に示した2つのベルト搬送部付ステージ、上下動
ピン付ステージの上昇、下降を同時に行うと、ア
ーム上へウエーハが移換されたとき、ステージ1
9も最下点まで下降している。この状態で回転部
17が180゜回転し、さらにアームがウエーハをの
せて移動する。次にステージ19が第1段位置ま
で上昇し、ステージの4本のピン上へウエーハを
移し換える。ここで、アームはウエーハとステー
ジの間を移動し定位置へ戻り、ステージ19は、
最上点まで上昇し、ウエーハはステージ上へ設置
され、回転部は、再び180゜回転して、はじめの位
置へ戻る。ステージ19の上昇によりウエーハ処
理室とウエーハ搬送部とは、隔離され、処理室内
で例えば、CF4ガスによるエツチング等を行つて
も、エツチングガスが搬送室内に流れてこないの
で、搬送機構部に対するガスの影響の心配がな
い。ウエーハ処理室内での処理が終了すると、ス
テージ19は、第1段位置まで下降し、スライド
式アーム付回転部のアームがウエーハとステージ
の間へ移動し、ついでステージが最下点まで下降
してウエーハをアームへ移換する。この時、回転
部のアーム上へは前述の方式により次のウエーハ
が移換されており、アーム戻り、2つの回転部の
180゜の回転、各ステージの上昇、アームの移動に
より、ウエーハはステージ19、ベルト搬送部付
ステージへ移し換えられる。ベルト搬送部付ステ
ージは、ウエーハを受取つた後、最上点まで上昇
し、予備室()と搬送室を隔離した後、室内を
大気圧にリークさせ、扉()を開放してウエー
ハをアンローダへ収納する。予備室()、()
では以上のように大気パージ、真空排気を行いウ
エーハの供給、収納を行い、ウエーハ搬送部、処
理室は常に真空を保つことができる。
以上述べた一連の動作をくり返し、ウエーハの
連統真空処理を行う。本実施例では2つのベルト
搬送部付ステージ、上下動ピン付ステージの上
昇、下降は一駆動源からの動力伝達により同じタ
イミングで行い、また、2つの回転部も同様な方
式としている。
連統真空処理を行う。本実施例では2つのベルト
搬送部付ステージ、上下動ピン付ステージの上
昇、下降は一駆動源からの動力伝達により同じタ
イミングで行い、また、2つの回転部も同様な方
式としている。
第4図〜第6図は、上下動ピン付ステージにつ
いて説明したものである。第4図はステージの下
降位置、第5図は第1段停止位置、第6図は上昇
位置を示す。第4図においてピンは平行板バネ、
コイルバネ等により押し上げられステージ面より
突出している。回転部のアームがウエーハを乗せ
て図の位置まで移動してきて停止すると、ステー
ジはアームがステージとピンの間隔dの間にくる
第1段位置まで上昇し、ウエーハをピン上へ移し
換える。アームは、間隔dの部分を移動し後退す
る。ピンがステージ面より突出した位置でウエー
ハ乗せたまま、処理室までステージが上昇し、処
理を行うと、ウエーハの裏面への影響が出たり、
ステージ温度を制御することにより、ウエーハ温
度を制御することができなくなるので、処理室内
では、ウエーハをステージ面へ設置する必要があ
る。そこで、第6図において、アームから上下動
ピンへウエーハを移し換えた後、ステージが最上
点まで上昇すると、ベース部に取付けられたスト
ツパに上下動ピンの当てピンが当たり、上下動ピ
ンは押し下げられ、上下動ピンのウエーハ設置部
は、ステージ面より低い位置になり、ウエーハは
ステージ面上に設置されることになる。ステージ
の下降時には、上下動ピンを支えているバネの復
元力により、再びステージ面から突出すことにな
る。
いて説明したものである。第4図はステージの下
降位置、第5図は第1段停止位置、第6図は上昇
位置を示す。第4図においてピンは平行板バネ、
コイルバネ等により押し上げられステージ面より
突出している。回転部のアームがウエーハを乗せ
て図の位置まで移動してきて停止すると、ステー
ジはアームがステージとピンの間隔dの間にくる
第1段位置まで上昇し、ウエーハをピン上へ移し
換える。アームは、間隔dの部分を移動し後退す
る。ピンがステージ面より突出した位置でウエー
ハ乗せたまま、処理室までステージが上昇し、処
理を行うと、ウエーハの裏面への影響が出たり、
ステージ温度を制御することにより、ウエーハ温
度を制御することができなくなるので、処理室内
では、ウエーハをステージ面へ設置する必要があ
る。そこで、第6図において、アームから上下動
ピンへウエーハを移し換えた後、ステージが最上
点まで上昇すると、ベース部に取付けられたスト
ツパに上下動ピンの当てピンが当たり、上下動ピ
ンは押し下げられ、上下動ピンのウエーハ設置部
は、ステージ面より低い位置になり、ウエーハは
ステージ面上に設置されることになる。ステージ
の下降時には、上下動ピンを支えているバネの復
元力により、再びステージ面から突出すことにな
る。
本発明の構成により、真空予備室の内部容積を
小さくし、排気に要する時間を短く出来、ウエー
ハ搬送部と処理室を分離したため、複数の処理室
を直列に設けられる。例えば、第3図において、
スライド式アーム付回転部とウエーハ処理室を1
式ずつ増やせば、処理室を2式直列に並べた構成
になる。さらに、上下動ピン付ステージによるウ
エーハの搬送で、ウエーハ処理室の定位置にウエ
ーハを設置できる。搬送においては、ウエーハを
強制的にすべらすことがなく、破損、塵埃を防ぐ
効果がある。
小さくし、排気に要する時間を短く出来、ウエー
ハ搬送部と処理室を分離したため、複数の処理室
を直列に設けられる。例えば、第3図において、
スライド式アーム付回転部とウエーハ処理室を1
式ずつ増やせば、処理室を2式直列に並べた構成
になる。さらに、上下動ピン付ステージによるウ
エーハの搬送で、ウエーハ処理室の定位置にウエ
ーハを設置できる。搬送においては、ウエーハを
強制的にすべらすことがなく、破損、塵埃を防ぐ
効果がある。
また、ウエーハ処理室とウエーハ搬送室は常に
真空に保たれ、ウエーハの処理中は、処理室と搬
送室が隔離され、処理ガス等の影響が搬送室に及
ばない構造になつている。
真空に保たれ、ウエーハの処理中は、処理室と搬
送室が隔離され、処理ガス等の影響が搬送室に及
ばない構造になつている。
第1図、第2図は、従来のウエーハ連続真空処
理装置の構成図である。第3図は、本発明のウエ
ーハ連続真空処理装置の構成図、第4図乃至第6
図は、ウエーハ搬送室からウエーハ処理室へのウ
エーハの移換方法を説明する断面図である。第4
図は、ステージ最下点位置、第5図は、第1段停
止位置、第6図は、ステージ最上点位置を示す。
1……ローダ部、2……搬送部、3……上下動ス
テージ、4……ウエーハ処理室、5……アンロー
ダ部、6……ウエーハ、7……扉(A)、8……扉
(B)、9……ベルト搬送部、10……プツシヤ部、
11……固定ステージ、12……真空予備室
()、13……真空予備室()、14……扉
()、15……扉()、16……ベルト搬送部
付ステージ、17……スライド式アーム付回転
部、18……アーム、19……上下動ピン付ステ
ージ、20……上下動ピン、21……当てピン、
22……ストツパ、23……ウエーハ搬送室、2
4……真空シール。
理装置の構成図である。第3図は、本発明のウエ
ーハ連続真空処理装置の構成図、第4図乃至第6
図は、ウエーハ搬送室からウエーハ処理室へのウ
エーハの移換方法を説明する断面図である。第4
図は、ステージ最下点位置、第5図は、第1段停
止位置、第6図は、ステージ最上点位置を示す。
1……ローダ部、2……搬送部、3……上下動ス
テージ、4……ウエーハ処理室、5……アンロー
ダ部、6……ウエーハ、7……扉(A)、8……扉
(B)、9……ベルト搬送部、10……プツシヤ部、
11……固定ステージ、12……真空予備室
()、13……真空予備室()、14……扉
()、15……扉()、16……ベルト搬送部
付ステージ、17……スライド式アーム付回転
部、18……アーム、19……上下動ピン付ステ
ージ、20……上下動ピン、21……当てピン、
22……ストツパ、23……ウエーハ搬送室、2
4……真空シール。
Claims (1)
- 1 ローダ部、アンローダ部、真空予備室、ウエ
ーハ搬送室、ウエーハ処理室を有し、前記ウエー
ハ処理室へはローダ部から真空予備室、ウエーハ
搬送室を介してウエーハが搬送されるようになつ
ており、かつ前記ウエーハ搬送室が真空状態を保
つように前記真空予備室とウエーハ搬送室との間
を区切ることができると共に前記真空予備室に運
ばれたウエーハを前記ウエーハ搬送室に搬送する
第1ステージと、前記ウエーハ処理室が真空状態
を保つように前記ウエーハ搬送室とウエーハ処理
室とを区切ることができると共に前記ウエーハを
載置し前記ウエーハ処理室内で前記ウエーハが所
定の処理を施されるようにすることができる第2
ステージと、前記第1ステージと前記第2ステー
ジとの間において前記第1ステージから第2ステ
ージに前記ウエーハを搬送する搬送手段を有する
ことを特徴とするウエーハ真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7920079A JPS564244A (en) | 1979-06-25 | 1979-06-25 | Continuous vacuum treatment device for wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7920079A JPS564244A (en) | 1979-06-25 | 1979-06-25 | Continuous vacuum treatment device for wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS564244A JPS564244A (en) | 1981-01-17 |
JPS6339102B2 true JPS6339102B2 (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=13683312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7920079A Granted JPS564244A (en) | 1979-06-25 | 1979-06-25 | Continuous vacuum treatment device for wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS564244A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04163302A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-06-08 | Wacoal Corp | 人体にフィットする下着 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5739430U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-03 | ||
JPS57134946A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Toshiba Corp | Carrying device for semiconductor substrate |
JPS58118124A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Hitachi Ltd | ウエ−ハロ−デイング法 |
JPS58155764U (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-18 | 鈴木 了 | バツテリ−液の自動補充装置 |
JPS59116372A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Hitachi Ltd | 連続真空処理装置 |
JPH0834232B2 (ja) * | 1985-09-20 | 1996-03-29 | 株式会社日立製作所 | 基板搬送方法 |
US4724874A (en) * | 1986-05-01 | 1988-02-16 | Asyst Technologies | Sealable transportable container having a particle filtering system |
DE58905888D1 (de) * | 1988-07-15 | 1993-11-18 | Balzers Hochvakuum | Haltevorrichtung für eine Scheibe sowie Anwendung derselben. |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5023769A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-03-14 | ||
JPS5039070A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-04-10 |
-
1979
- 1979-06-25 JP JP7920079A patent/JPS564244A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5023769A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-03-14 | ||
JPS5039070A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-04-10 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04163302A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-06-08 | Wacoal Corp | 人体にフィットする下着 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS564244A (en) | 1981-01-17 |
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