JPS6350433B2 - - Google Patents
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- JPS6350433B2 JPS6350433B2 JP60228607A JP22860785A JPS6350433B2 JP S6350433 B2 JPS6350433 B2 JP S6350433B2 JP 60228607 A JP60228607 A JP 60228607A JP 22860785 A JP22860785 A JP 22860785A JP S6350433 B2 JPS6350433 B2 JP S6350433B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- pusher
- chamber
- heating means
- sputtering
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 20
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スパツタ装置に関するものである。
スパツタ装置としては、例えば、特開昭56―
103442号公報に記載のような、主真空室がロード
ロツク手段と処理手段とで構成され、該処理手段
として加熱手段、スパツタ商膜手段、冷却手段の
順に配列されたものが知られている。
103442号公報に記載のような、主真空室がロード
ロツク手段と処理手段とで構成され、該処理手段
として加熱手段、スパツタ商膜手段、冷却手段の
順に配列されたものが知られている。
一方、近年、試料へのスパツタ成膜の前に試料
表面の酸化膜を除去する（スパツタエツチ）こと
が要求されるようになつた。しかし、このような
機能を上記のような装置は有していず、また、こ
のような機能を単に付加したのみでは、成膜処理
工程（ベーキング→スパツタエツチ→スパツタ成
膜、スパツタエツチ→ベーキング→スパツタ成
膜）を自由に選択することが困難になる。
表面の酸化膜を除去する（スパツタエツチ）こと
が要求されるようになつた。しかし、このような
機能を上記のような装置は有していず、また、こ
のような機能を単に付加したのみでは、成膜処理
工程（ベーキング→スパツタエツチ→スパツタ成
膜、スパツタエツチ→ベーキング→スパツタ成
膜）を自由に選択することが困難になる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、スパツタエツチ機能を有する
と共に成膜処理工程を自由に選択できるスパツタ
装置を提供することにある。
と共に成膜処理工程を自由に選択できるスパツタ
装置を提供することにある。
本発明は、スパツタ装置を、試料にスパツタ成
膜する成膜手段と、前記試料をスパツタエツチす
るスパツタエツチ手段と、前記試料をベーキング
する加熱手段とを具備し、該加熱手段を前記スパ
ツタエツチ手段の前後工程側に配設した装置とす
るもので、スパツタエツチ機能を有すると共に加
熱手段の使い分けにより成膜工程を自由に選択で
きるようにしたものである。
膜する成膜手段と、前記試料をスパツタエツチす
るスパツタエツチ手段と、前記試料をベーキング
する加熱手段とを具備し、該加熱手段を前記スパ
ツタエツチ手段の前後工程側に配設した装置とす
るもので、スパツタエツチ機能を有すると共に加
熱手段の使い分けにより成膜工程を自由に選択で
きるようにしたものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、スパツタ装置は主真空室１、前処理室
３、ロード室４、アンロード室５、ロードカセツ
トエレベータ９、アンロードカセツトエレベータ
１０より構成される。主真空室１は５角形で構成
され、各辺には加熱室６、スパツタ室７、冷却室
８が配置されている。主真空室１の内部には、内
筒２があり、回転ドラム３６が内筒２に対しドラ
ム回転手段３８により回転可能に設けられ、該回
転ドラム３６には基板ホルダ１３が、バネ１２に
より往復動可能に保持されている。また、基板ホ
ルダ１３の内部には加熱手段３７が装着されてい
る。内筒２には主真空室１の５角形の対辺に対応
する位置にプツシヤ１１が設けられ、シリンダ１
４により往復動可能である。前処理室３の内部に
は加熱手段１９が、バツフアステーシヨン２１に
はスパツタエツチ手段３１が設けられ、ロード室
４よりバツフアステーシヨン２１への試料、例え
ば、半導体素子基板（以下、ウエハと略）の搬送
の目的でベルト３４、プツシヤ３５、アーム１８
が、また、スパツタエツチ手段への搬送の目的で
プツシヤ２０、アーム２２、プツシヤ３０が設け
られ、スパツタエツチ手段３１と主真空室１間の
搬送の目的で、アーム２３、プツシヤ２５、ウエ
ハ姿勢変換手段２４が設置されている。
３、ロード室４、アンロード室５、ロードカセツ
トエレベータ９、アンロードカセツトエレベータ
１０より構成される。主真空室１は５角形で構成
され、各辺には加熱室６、スパツタ室７、冷却室
８が配置されている。主真空室１の内部には、内
筒２があり、回転ドラム３６が内筒２に対しドラ
ム回転手段３８により回転可能に設けられ、該回
転ドラム３６には基板ホルダ１３が、バネ１２に
より往復動可能に保持されている。また、基板ホ
ルダ１３の内部には加熱手段３７が装着されてい
る。内筒２には主真空室１の５角形の対辺に対応
する位置にプツシヤ１１が設けられ、シリンダ１
４により往復動可能である。前処理室３の内部に
は加熱手段１９が、バツフアステーシヨン２１に
はスパツタエツチ手段３１が設けられ、ロード室
４よりバツフアステーシヨン２１への試料、例え
ば、半導体素子基板（以下、ウエハと略）の搬送
の目的でベルト３４、プツシヤ３５、アーム１８
が、また、スパツタエツチ手段への搬送の目的で
プツシヤ２０、アーム２２、プツシヤ３０が設け
られ、スパツタエツチ手段３１と主真空室１間の
搬送の目的で、アーム２３、プツシヤ２５、ウエ
ハ姿勢変換手段２４が設置されている。
次に、動作について説明すると、ロードカセツ
トエレベータ９上のウエハはゲートバルブ１６が
開くとロード室４内に入り、ゲートバルブ１６が
閉じ、図示していない排気手段によりロード室４
内を真空排気した後、ゲートバルブ１７が開き、
ウエハはベルト３５上に移動する。この時前処理
室３の内部は図示していない排気手段により、高
真空排気されている。ベルト３５上のウエハはプ
ツシヤ３４により、図面の紙面に直角方向に持ち
上げられ、アーム１８が旋回し、ウエハの下に移
動すると、プツシヤ３５は下降し、ウエハはアー
ム１８上に保持される。しかる後アーム１８は再
び旋回動作し、バツフアステーシヨン２１上に停
止すると、プツシヤ１９が図面の紙面に垂直方向
に上昇し、ウエハを持ち上げる。アーム１８は、
第１図に示す位置に逆旋回すると、プツシヤ２０
は下降し、ウエハをバツフアステーシヨン２１上
に置くことになる。バツフアステーシヨン２１の
内部には、加熱手段１９が設置されており、ウエ
ハを加熱し、ウエハ表面に付着したガス分子の放
出処理を行なう。同処理が終了した後、プツシヤ
２０は再び上昇し、アーム２２が旋回し、バツフ
アステーシヨン２１の真下に停止すると、プツシ
ヤ２０は下降する。このようにしてウエハは、ア
ーム２２上に移動する。アーム２２は逆旋回しス
パツタエツチ手段３１の真上に停止するとプツシ
ヤ３０が図面の紙面に直角方向に上昇しウエハを
持ち上げる。アーム２２が、図面の紙面の位置に
旋回退避するとプツシヤ３０は下降する。かくし
てウエハは、スパツタエツチ手段３１上に置かれ
る。スパツタエツチ処理が終了するとプツシヤ３
０は再び上昇し、アーム２３が図面の図示位置よ
り旋回して来てスパツタエツチ手段３１上に停止
するとプツシヤ３０は下降し、アーム２３上にウ
エハが移動する。アーム２３は逆旋回し、図面に
示す退避位置に停止し、再び旋回してプツシヤ２
５上に停止するとプツシヤ２５がプツシヤ２０，
３４，３０と同様上昇し、ウエハを持ち上げ、ア
ーム２３は図面に示す退避位置に移動する。プツ
シヤ２５は下降し、ベルト２５上にウエハを置く
と、ウエハ姿勢変換手段２４が図示していない旋
回方法で、プツシヤ２５の真上に旋回停止し、ウ
エハを把持し、基板ホルダ１３にウエハを受渡す
位置まで逆旋回する。かくしてウエハは水平姿勢
より垂直姿勢に変換される。基板ホルダ１３は主
真空室１と前処理室３とを仕切る仕切弁の役割を
しており、ウエハ受渡し時はシリンダ１４により
プツシヤ１１は押出されバネ１２に保持された基
板ホルダ１３は主真空室内壁面に押付けられてい
る。また、基板ホルダに設けた加熱手段３７はウ
エハを一定温度に保持する。ウエハが図示してい
ない受渡し手段により、基板ホルダ１３に受渡さ
れると、シリンダ１４は図面の紙面に直角方向に
移動し、プツシヤ１１が引込む結果、基板ホルダ
１３はバネ１２により主真空室１の壁面より離
れ、引込動作をする。加熱手段３７によりウエハ
は一定温度加熱されると共にドラム３６が、ドラ
ム回転手段３８により72度だけ旋回動作を行なう
と、基板ホルダ１２に保持されたウエハは、加熱
室６に進む。加熱室６には加熱手段３２があり、
ウエハの急速加熱を行なうことができる。シリン
ダ１４、プツシヤ１１により基板ホルダ１３は再
び主真空室１の壁面に押付けられ、加熱手段３２
による加熱後、シリンダ１４、プツシヤ１１によ
り基板ホルダ１３は引込み、ドラム３６が再びド
ラム回転手段３８により更に72度旋回動作を行な
い、スパツタ室７に移動する。スパツタ室７では
ウエハはスパツタ源３３によりスパツタ成膜され
る。成膜中は加熱手段３７により加熱される結果
ステツプカバレツジの向上に寄与できる。以上の
ように基板ホルダ１３の引込押出、旋回動作を繰
返すことにより基板ホルダ１３に装着されたウエ
ハはスパツタ成膜され、冷却室８に至り、再び、
元の位置に戻つてくる。ウエハ姿勢変換手段２４
により、ウエハはプツシヤ２５の真上に移動する
とプツシヤ２５が上昇、下降し、ベルト２６上に
ウエハを置く。ゲートバルブ２７が開き、ウエハ
はアンロード室５に移動するとゲートバルブ２７
は閉じ、図示していないリーク手段によりアンロ
ード室５は大気圧となり、ゲートバルブ２８が開
き、ベルト２９によりウエハは、アンロードカセ
ツトエレベータ１０上の収納筐に収納される。か
くしてウエハは、自動的に各処理を施されること
になる。
トエレベータ９上のウエハはゲートバルブ１６が
開くとロード室４内に入り、ゲートバルブ１６が
閉じ、図示していない排気手段によりロード室４
内を真空排気した後、ゲートバルブ１７が開き、
ウエハはベルト３５上に移動する。この時前処理
室３の内部は図示していない排気手段により、高
真空排気されている。ベルト３５上のウエハはプ
ツシヤ３４により、図面の紙面に直角方向に持ち
上げられ、アーム１８が旋回し、ウエハの下に移
動すると、プツシヤ３５は下降し、ウエハはアー
ム１８上に保持される。しかる後アーム１８は再
び旋回動作し、バツフアステーシヨン２１上に停
止すると、プツシヤ１９が図面の紙面に垂直方向
に上昇し、ウエハを持ち上げる。アーム１８は、
第１図に示す位置に逆旋回すると、プツシヤ２０
は下降し、ウエハをバツフアステーシヨン２１上
に置くことになる。バツフアステーシヨン２１の
内部には、加熱手段１９が設置されており、ウエ
ハを加熱し、ウエハ表面に付着したガス分子の放
出処理を行なう。同処理が終了した後、プツシヤ
２０は再び上昇し、アーム２２が旋回し、バツフ
アステーシヨン２１の真下に停止すると、プツシ
ヤ２０は下降する。このようにしてウエハは、ア
ーム２２上に移動する。アーム２２は逆旋回しス
パツタエツチ手段３１の真上に停止するとプツシ
ヤ３０が図面の紙面に直角方向に上昇しウエハを
持ち上げる。アーム２２が、図面の紙面の位置に
旋回退避するとプツシヤ３０は下降する。かくし
てウエハは、スパツタエツチ手段３１上に置かれ
る。スパツタエツチ処理が終了するとプツシヤ３
０は再び上昇し、アーム２３が図面の図示位置よ
り旋回して来てスパツタエツチ手段３１上に停止
するとプツシヤ３０は下降し、アーム２３上にウ
エハが移動する。アーム２３は逆旋回し、図面に
示す退避位置に停止し、再び旋回してプツシヤ２
５上に停止するとプツシヤ２５がプツシヤ２０，
３４，３０と同様上昇し、ウエハを持ち上げ、ア
ーム２３は図面に示す退避位置に移動する。プツ
シヤ２５は下降し、ベルト２５上にウエハを置く
と、ウエハ姿勢変換手段２４が図示していない旋
回方法で、プツシヤ２５の真上に旋回停止し、ウ
エハを把持し、基板ホルダ１３にウエハを受渡す
位置まで逆旋回する。かくしてウエハは水平姿勢
より垂直姿勢に変換される。基板ホルダ１３は主
真空室１と前処理室３とを仕切る仕切弁の役割を
しており、ウエハ受渡し時はシリンダ１４により
プツシヤ１１は押出されバネ１２に保持された基
板ホルダ１３は主真空室内壁面に押付けられてい
る。また、基板ホルダに設けた加熱手段３７はウ
エハを一定温度に保持する。ウエハが図示してい
ない受渡し手段により、基板ホルダ１３に受渡さ
れると、シリンダ１４は図面の紙面に直角方向に
移動し、プツシヤ１１が引込む結果、基板ホルダ
１３はバネ１２により主真空室１の壁面より離
れ、引込動作をする。加熱手段３７によりウエハ
は一定温度加熱されると共にドラム３６が、ドラ
ム回転手段３８により72度だけ旋回動作を行なう
と、基板ホルダ１２に保持されたウエハは、加熱
室６に進む。加熱室６には加熱手段３２があり、
ウエハの急速加熱を行なうことができる。シリン
ダ１４、プツシヤ１１により基板ホルダ１３は再
び主真空室１の壁面に押付けられ、加熱手段３２
による加熱後、シリンダ１４、プツシヤ１１によ
り基板ホルダ１３は引込み、ドラム３６が再びド
ラム回転手段３８により更に72度旋回動作を行な
い、スパツタ室７に移動する。スパツタ室７では
ウエハはスパツタ源３３によりスパツタ成膜され
る。成膜中は加熱手段３７により加熱される結果
ステツプカバレツジの向上に寄与できる。以上の
ように基板ホルダ１３の引込押出、旋回動作を繰
返すことにより基板ホルダ１３に装着されたウエ
ハはスパツタ成膜され、冷却室８に至り、再び、
元の位置に戻つてくる。ウエハ姿勢変換手段２４
により、ウエハはプツシヤ２５の真上に移動する
とプツシヤ２５が上昇、下降し、ベルト２６上に
ウエハを置く。ゲートバルブ２７が開き、ウエハ
はアンロード室５に移動するとゲートバルブ２７
は閉じ、図示していないリーク手段によりアンロ
ード室５は大気圧となり、ゲートバルブ２８が開
き、ベルト２９によりウエハは、アンロードカセ
ツトエレベータ１０上の収納筐に収納される。か
くしてウエハは、自動的に各処理を施されること
になる。
本実施例の加熱手段１９，３２，３７の用途は
次のとおりである。
次のとおりである。
ウエハ成膜処理工程をウエハベーキング→スパ
ツタエツチ→成膜と選択したい場合、加熱手段１
９，３７を用いて目的とする処理を実施できる。
この際勿論、加熱手段３２を補助として用いても
良いし、かつ加熱手段１９，３２を用いて、加熱
手段３７を用いずとも良い。また、ウエハ成膜処
理工程をスパツタエツチ→ウエハベーキング→成
膜と選択したい場合には、加熱手段１９を用いず
加熱手段３２，３７のみを用いれば良い。また、
装置製造者より見ればユーザーのニーズによるそ
の都度の大巾な変更を必要としないことは明らか
である。
ツタエツチ→成膜と選択したい場合、加熱手段１
９，３７を用いて目的とする処理を実施できる。
この際勿論、加熱手段３２を補助として用いても
良いし、かつ加熱手段１９，３２を用いて、加熱
手段３７を用いずとも良い。また、ウエハ成膜処
理工程をスパツタエツチ→ウエハベーキング→成
膜と選択したい場合には、加熱手段１９を用いず
加熱手段３２，３７のみを用いれば良い。また、
装置製造者より見ればユーザーのニーズによるそ
の都度の大巾な変更を必要としないことは明らか
である。
本発明は、以上説明したように、スパツタエツ
チ機能を有すると共に成膜処理工程を自由に選択
できるスパツタ装置を提供できるという効果があ
る。
チ機能を有すると共に成膜処理工程を自由に選択
できるスパツタ装置を提供できるという効果があ
る。
図面は、本発明によるスパツタ装置の一実施例
を示す平面図である。 ６……加熱室、７……スパツタ室、１９，３２
……加熱手段、２１……バツフアステーシヨン、
３１……スパツタエツチ手段、３３……スパツタ
源。
を示す平面図である。 ６……加熱室、７……スパツタ室、１９，３２
……加熱手段、２１……バツフアステーシヨン、
３１……スパツタエツチ手段、３３……スパツタ
源。
Claims (1)
- １ 試料にスパツタ成膜する成膜手段と、前記試
料をスパツタエツチするスパツタエツチ手段と、
前記試料をベーキングする加熱手段とを具備し、
該加熱手段を前記スパツタエツチ手段の前後工程
側に配設したことを特徴とするスパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22860785A JPS6289881A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22860785A JPS6289881A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289881A JPS6289881A (ja) | 1987-04-24 |
| JPS6350433B2 true JPS6350433B2 (ja) | 1988-10-07 |
Family
ID=16878997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22860785A Granted JPS6289881A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289881A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0699803B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1994-12-07 | 三容真空工業株式会社 | スパッタリングによる透明導電膜の製造装置 |
| JP2804849B2 (ja) * | 1989-12-26 | 1998-09-30 | 株式会社日立製作所 | 赤外線温度画像測定装置及びそれを備えた成膜装置 |
| JP2644912B2 (ja) | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
| USRE39756E1 (en) * | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39823E1 (en) * | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US5215420A (en) * | 1991-09-20 | 1993-06-01 | Intevac, Inc. | Substrate handling and processing system |
| JP2002035572A (ja) * | 2000-05-18 | 2002-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置と多室型真空処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP22860785A patent/JPS6289881A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6289881A (ja) | 1987-04-24 |
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