JPS6074530A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPS6074530A JPS6074530A JP18029683A JP18029683A JPS6074530A JP S6074530 A JPS6074530 A JP S6074530A JP 18029683 A JP18029683 A JP 18029683A JP 18029683 A JP18029683 A JP 18029683A JP S6074530 A JPS6074530 A JP S6074530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- preparatory chamber
- dry etching
- cassette
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチング装置に関するものである。
エツチングガスなグロー放電によりプラズマ化し、この
プラズマにより基板にエツチング処理を施こす、つまり
、ドライプロセスにて基板にエツチング処理を施こすド
ライエツチング装置の重要な用途の一つに半導体集積回
路等の微小固体素子の製造における微細パターンの形成
がある。このため、エツチング処理される基板表面には
、このパターンに対応してフォトレジストが塗布される
。
プラズマにより基板にエツチング処理を施こす、つまり
、ドライプロセスにて基板にエツチング処理を施こすド
ライエツチング装置の重要な用途の一つに半導体集積回
路等の微小固体素子の製造における微細パターンの形成
がある。このため、エツチング処理される基板表面には
、このパターンに対応してフォトレジストが塗布される
。
このフォトレジストは、基板のエツチング処理後は不要
であり、その表面から除去される。しだがって、このよ
うなドライエツチング装置では、基板がドライプロセス
にてエツチング処理される処理室と、この処理室に真空
開閉手段を介して置設される予備室と共に、エツチング
処理後の基板表面からフォトレジストを除去するアッシ
ャ−室を設ける必要がある。
であり、その表面から除去される。しだがって、このよ
うなドライエツチング装置では、基板がドライプロセス
にてエツチング処理される処理室と、この処理室に真空
開閉手段を介して置設される予備室と共に、エツチング
処理後の基板表面からフォトレジストを除去するアッシ
ャ−室を設ける必要がある。
従来のドライエツチング装置では、予備室が置設された
処理室とアッシャ−室とが別々の場所に設まられ、エツ
チング処理が完了した基板は処理室から予備室を経て大
気中に一旦取出され、その後、アッシャ−室に搬入され
てその表面からフォトレジストが除去されている。
処理室とアッシャ−室とが別々の場所に設まられ、エツ
チング処理が完了した基板は処理室から予備室を経て大
気中に一旦取出され、その後、アッシャ−室に搬入され
てその表面からフォトレジストが除去されている。
したがって、このようなドライエツチング装置では、次
のような欠点があった。
のような欠点があった。
（１） 予備室が置設された処理室とアッシャ−室とが
別々の場所に設けられ、処理室、予備室、アッシャ−室
がそれぞれ床を占有するため、装置の占有面積が増大す
る。
別々の場所に設けられ、処理室、予備室、アッシャ−室
がそれぞれ床を占有するため、装置の占有面積が増大す
る。
（２）処理室からアッシャ−室への搬送途中において、
基板が大気にさらされるため、基板表面の酸化や塵埃付
着等が生じ、パターン精度が低下する。
基板が大気にさらされるため、基板表面の酸化や塵埃付
着等が生じ、パターン精度が低下する。
本発明の目的は、予備室の占有床をアッシャ−室と共有
化することで、装置の占有床面積を減少できるドライエ
ツチング装置を提供することにある。
化することで、装置の占有床面積を減少できるドライエ
ツチング装置を提供することにある。
本発明は、処理室と、該処理室に真空開閉手段を介して
置設された予備室と、該予備室と連通してその下方に設
けられたアッシャ−室とで構成し、予備室に、基板カセ
ット取付具と遮断具とを昇降可能に、基板搬送手段を部
分回動可能にそれぞれ内設したことを特徴とするもので
、アッシャ−室を予備室の下方に設けることで、予備室
の占有床をアッシャ−室と共有化しようとするものであ
る。
置設された予備室と、該予備室と連通してその下方に設
けられたアッシャ−室とで構成し、予備室に、基板カセ
ット取付具と遮断具とを昇降可能に、基板搬送手段を部
分回動可能にそれぞれ内設したことを特徴とするもので
、アッシャ−室を予備室の下方に設けることで、予備室
の占有床をアッシャ−室と共有化しようとするものであ
る。
本発明の一実施例′Ｊｋ第１図〜第３図により説明する
。
。
第１図〜第３図で、処理室１０には、真空開開学・ ３
・ 段、例えば、ゲート弁列を介して予備室３０が置設され
ている。予備室（資）の下方には、予備室（９）と連通
してアッシャ−室４０が設けられている。予備室間には
、基板カセット取付具間と遮断具５１とが昇降可能に内
設されている。遮断具５１は、予備室間の頂壁を貫通し
予備室（資）の気密を保持して昇降装置５２で昇降駆動
される昇降ロッド簡の下端に設けられ、基板カセット取
付兵団は遮断具５１の下方で、かつ、基板カセットωの
下部側から基板６１を、取出し並びに回収可能に設けら
れている。予備室（資）には、基板搬送手段、例えば、
搬送ベルト７０が部分回動可能、つまり、基板カセット
６０の下部側か嶌 ら基板６１を取出し並びに回収可能な位置と２板カセッ
ト取付具聞、遮断具５１の昇降を阻害しない位置との間
で回動可能、この場合は、水平位置と予備室（資）の側
壁に沿う位置との間で回動可能に内設されている。なお
、７１は、搬送ベルト７０の駆動用のモータ、７２は搬
送ベルト７０を部分回動させるアクチュエータである。
・ 段、例えば、ゲート弁列を介して予備室３０が置設され
ている。予備室（資）の下方には、予備室（９）と連通
してアッシャ−室４０が設けられている。予備室間には
、基板カセット取付具間と遮断具５１とが昇降可能に内
設されている。遮断具５１は、予備室間の頂壁を貫通し
予備室（資）の気密を保持して昇降装置５２で昇降駆動
される昇降ロッド簡の下端に設けられ、基板カセット取
付兵団は遮断具５１の下方で、かつ、基板カセットωの
下部側から基板６１を、取出し並びに回収可能に設けら
れている。予備室（資）には、基板搬送手段、例えば、
搬送ベルト７０が部分回動可能、つまり、基板カセット
６０の下部側か嶌 ら基板６１を取出し並びに回収可能な位置と２板カセッ
ト取付具聞、遮断具５１の昇降を阻害しない位置との間
で回動可能、この場合は、水平位置と予備室（資）の側
壁に沿う位置との間で回動可能に内設されている。なお
、７１は、搬送ベルト７０の駆動用のモータ、７２は搬
送ベルト７０を部分回動させるアクチュエータである。
また、アッシャ−室の容積は、基板カセットωを収容可
能な容積である。
能な容積である。
予備室（９）には、開口部３１を経てフォトレジストが
塗布された基板６１が搬入され、これにより、基板カセ
ット取付具間に取付けられている基板カセットωには、
所定枚数の基板６１が収納される。その後、開口部３１
は、気密封止され予備室（資）は処理室１０と同程度の
圧力まで減圧排気される。このような減圧排気完了後、
ゲート弁（９）が開放され処理室ｌＯと連通した予備室
間からは、昇降装置５２で基板カセットωを間欠的に下
降駆動し、アクチュエータ７２で水平位置にセットされ
た搬送ベルト７０のモータ７１による駆動並びに専用フ
ォーク（資）の往復動により所定枚数の基板６１が基板
カセットωから取り出されて処理室１０に搬入される。
塗布された基板６１が搬入され、これにより、基板カセ
ット取付具間に取付けられている基板カセットωには、
所定枚数の基板６１が収納される。その後、開口部３１
は、気密封止され予備室（資）は処理室１０と同程度の
圧力まで減圧排気される。このような減圧排気完了後、
ゲート弁（９）が開放され処理室ｌＯと連通した予備室
間からは、昇降装置５２で基板カセットωを間欠的に下
降駆動し、アクチュエータ７２で水平位置にセットされ
た搬送ベルト７０のモータ７１による駆動並びに専用フ
ォーク（資）の往復動により所定枚数の基板６１が基板
カセットωから取り出されて処理室１０に搬入される。
処理室１０への基板６１の搬入完了後、ゲート弁列は閉
止され、基板６１はドライプロセスにてエツチング処理
される。エツチング処理が完了した基板６１は、その後
、上記の操作と逆操作により基板カセット印に回収され
る。このようにして基板６１のエツチング処理が全て完
了し、この基板６１の基板カセット６０への回収が全て
完了した時点で、搬送ベルト７０は、アクチユニータフ
２で水平位置から予備室部の側壁に沿う位置まで回動さ
れ、その後、基板カセット印は昇降装置５２で下降させ
られる。この結果、基板カセット６０は基板カセット取
付具５０に取付けられた状態でアッシャ−室４０に収納
され、予備室３０とアッシャ−室４０との連通は遮断具
５１が予備室（９）の底壁に、例えば、０リング（図示
省略）を介して当接することで気密に遮断される。この
状態で、基板カセットωの基板６１の表面からのフォト
レジストの除去処理が行われる。この処理が完了した後
は、昇降装置５２で基板カセット６０は搬送ベルト７０
の回動を阻害しない高さまで上昇させられ、一方、搬送
ベルト７０は、予備室（９）の側壁に沿う位置から元の
水平位置までアクチュエータ７２で回動される。その後
、基板カセット６０の基板６１は、昇降装置５２で基板
カセットωを間欠的に下降駆動し、モータ７１で搬送ベ
ルト７０を駆動することで開口部３１を経て予備室（資
）から搬出される。
止され、基板６１はドライプロセスにてエツチング処理
される。エツチング処理が完了した基板６１は、その後
、上記の操作と逆操作により基板カセット印に回収され
る。このようにして基板６１のエツチング処理が全て完
了し、この基板６１の基板カセット６０への回収が全て
完了した時点で、搬送ベルト７０は、アクチユニータフ
２で水平位置から予備室部の側壁に沿う位置まで回動さ
れ、その後、基板カセット印は昇降装置５２で下降させ
られる。この結果、基板カセット６０は基板カセット取
付具５０に取付けられた状態でアッシャ−室４０に収納
され、予備室３０とアッシャ−室４０との連通は遮断具
５１が予備室（９）の底壁に、例えば、０リング（図示
省略）を介して当接することで気密に遮断される。この
状態で、基板カセットωの基板６１の表面からのフォト
レジストの除去処理が行われる。この処理が完了した後
は、昇降装置５２で基板カセット６０は搬送ベルト７０
の回動を阻害しない高さまで上昇させられ、一方、搬送
ベルト７０は、予備室（９）の側壁に沿う位置から元の
水平位置までアクチュエータ７２で回動される。その後
、基板カセット６０の基板６１は、昇降装置５２で基板
カセットωを間欠的に下降駆動し、モータ７１で搬送ベ
ルト７０を駆動することで開口部３１を経て予備室（資
）から搬出される。
本実施例のドライエツチング装置では、次のような効果
が得られる。
が得られる。
（１） アッシャ−室を予備室の下方に設けているため
、予備室の占有床をアッシャ−室と共有化でき、装置の
占有床面積を減少できる。
、予備室の占有床をアッシャ−室と共有化でき、装置の
占有床面積を減少できる。
（２）処理室からアッシャ−室への搬送途中において、
基板が大気にさらされることがないため、基板表面の酸
化や塵埃付着等が生じるのを防止できパターン精度の低
下を防止できる。
基板が大気にさらされることがないため、基板表面の酸
化や塵埃付着等が生じるのを防止できパターン精度の低
下を防止できる。
（３） 搬送ベルトを予備室に部分回動可能に内股して
いるため、予備室がコンパクトになり予備室の減圧排気
時間を短縮できスループットを向上できる。
いるため、予備室がコンパクトになり予備室の減圧排気
時間を短縮できスループットを向上できる。
（４） 所定枚数の基板を基板カセットに収納した状態
で基板表面からのフォトレジストの除去処理を行うため
、フォトレジスト除去処理時間な短縮できスループント
を向上できる。
で基板表面からのフォトレジストの除去処理を行うため
、フォトレジスト除去処理時間な短縮できスループント
を向上できる。
本発明は、以上説明したように、処理室と、該処理室に
真空開閉手段を介して置設された予備室と、該予備室と
連通してその下方に設けられたアッシャ−室とで構成し
、予備室に、基板カセット・ ７ ・ 取付具と遮断具とを昇降可能に、基板搬送手段を部分回
動可能にそれぞれ内設したことで、予備室の占有床をア
ッシャ−室と共有できるので、装置の占有床面積を減少
できる効果がある。
真空開閉手段を介して置設された予備室と、該予備室と
連通してその下方に設けられたアッシャ−室とで構成し
、予備室に、基板カセット・ ７ ・ 取付具と遮断具とを昇降可能に、基板搬送手段を部分回
動可能にそれぞれ内設したことで、予備室の占有床をア
ッシャ−室と共有できるので、装置の占有床面積を減少
できる効果がある。
第１図は、本発明によるドライエツチング装置の要部横
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図
は、第１図のＢ−Ｂ矢視断面図である。 １０・・・・・・処理室、（９）・・・・・・ゲート弁
、加・・・・・・予備室、４０・・・・・・アッシャ−
室、関・・・・・・基板カセット取付具、５１・・・・
・・遮断具、ω・・・・・・基板カセット、６１・・・
・・・基板、７２ ヤＪ図 特開昭ＧＯ−７４５３０（４） 才３図
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図
は、第１図のＢ−Ｂ矢視断面図である。 １０・・・・・・処理室、（９）・・・・・・ゲート弁
、加・・・・・・予備室、４０・・・・・・アッシャ−
室、関・・・・・・基板カセット取付具、５１・・・・
・・遮断具、ω・・・・・・基板カセット、６１・・・
・・・基板、７２ ヤＪ図 特開昭ＧＯ−７４５３０（４） 才３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ドライプロセスにて基板がエツチング処理される
処理室と、該処理室に真空開閉手段を介して具設された
予備室と、該予備室と連通してその下方に設けられたア
ッシャ−室とで構成し、前記予備室に、基板カセット取
付具と遮断具とを昇降可能に、基板搬送手段を部分回動
可能にそれぞれ内設したことを特徴とするドライエツチ
ング装置。 ２、前記遮断具を前記基板カセット取付具の上方に設け
ると共に、該取付具を基板カセットの下部側から基板を
取出し並びに回収可能に設け、前記基板搬送手段を基板
カセットの下部側から基板を取出し並びに回収可能な位
置と遮断具。 基板カセット取付具の昇降を阻害しない位置との間で回
動可能に設けた特許請求の範囲′＠１項記載のドライエ
ツチングｉｔ。 ３、前記基板搬送手段を搬送ベルトとした特許請求の範
囲第１項又は第２項記載のドライエツチング装置。 ４ 前記アッシャー室の容積を基板カセットを収容可能
な容積とした特許請求の範囲第１項記載のドライエツチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18029683A JPS6074530A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18029683A JPS6074530A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074530A true JPS6074530A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH051612B2 JPH051612B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16080724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18029683A Granted JPS6074530A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18029683A patent/JPS6074530A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051612B2 (ja) | 1993-01-08 |
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