JPH0765197B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH0765197B2 JPH0765197B2 JP58205811A JP20581183A JPH0765197B2 JP H0765197 B2 JPH0765197 B2 JP H0765197B2 JP 58205811 A JP58205811 A JP 58205811A JP 20581183 A JP20581183 A JP 20581183A JP H0765197 B2 JPH0765197 B2 JP H0765197B2
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- vacuum
- vacuum chamber
- chamber
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、真空処理装置に係り、特にドライプロセスに
て基板処理する真空処理装置に関するものである。
て基板処理する真空処理装置に関するものである。
ドライプロセスにて基板を処理する真空処理装置には、
ドライエッチング装置，プラズマCVD装置，スパッタリ
ング装置等がある。
ドライエッチング装置，プラズマCVD装置，スパッタリ
ング装置等がある。
第１図により従来慣用されている真空処理装置例を説明
する。
する。
第１図で、真空室10aには、基板電極20が上下動可能に
内設されると共に、真空室10aの内部で基板30を搬送し
基板電極20の基板載置面との間で基板30を受渡し可能に
基板搬送装置40のアーム41が内設されている。アーム41
は、その一端に基板受部を有しその他端は真空室10外に
設けられた回動装置42の回動軸43に設けられている。基
板電極20の基板載置面と対向する真空室10aの頂壁に
は、基板電極20の基板載置面が突出可能な穴11aが形成
されている。対向電極50が内設された真空容器60aは、
穴11aを介して真空室10aと連通し、かつ、対向電極50が
基板電極20と上下方向に対向する位置で真空室10aに気
密に構設されている。基板電極20の基板載置面と反対側
面には、往復動装置（図示省略）の往復動軸70が設けら
れると共に、穴11aより寸法が大きいフランジ80aが設け
られている。フランジ80aと真空室10aのフランジ80aと
対向する底壁との間には、往復動軸70の外側でベローズ
90aが気密に跨設されている。真空容器60aには、真空容
器60aの側壁の一部とガス排気路100を形成して石英管11
0が内設されると共に、ガス排気路100と連通して排気ノ
ズル120aが設けられている。排気ノズル120aには、排気
管130aの一端が連結され、排気管130aの他端は真空排気
装置140に連結されている。
内設されると共に、真空室10aの内部で基板30を搬送し
基板電極20の基板載置面との間で基板30を受渡し可能に
基板搬送装置40のアーム41が内設されている。アーム41
は、その一端に基板受部を有しその他端は真空室10外に
設けられた回動装置42の回動軸43に設けられている。基
板電極20の基板載置面と対向する真空室10aの頂壁に
は、基板電極20の基板載置面が突出可能な穴11aが形成
されている。対向電極50が内設された真空容器60aは、
穴11aを介して真空室10aと連通し、かつ、対向電極50が
基板電極20と上下方向に対向する位置で真空室10aに気
密に構設されている。基板電極20の基板載置面と反対側
面には、往復動装置（図示省略）の往復動軸70が設けら
れると共に、穴11aより寸法が大きいフランジ80aが設け
られている。フランジ80aと真空室10aのフランジ80aと
対向する底壁との間には、往復動軸70の外側でベローズ
90aが気密に跨設されている。真空容器60aには、真空容
器60aの側壁の一部とガス排気路100を形成して石英管11
0が内設されると共に、ガス排気路100と連通して排気ノ
ズル120aが設けられている。排気ノズル120aには、排気
管130aの一端が連結され、排気管130aの他端は真空排気
装置140に連結されている。
真空室10aと真空容器60aとが穴11aを介して連通した状
態で真空排気装置140を駆動し真空室10aと真空容器60a
とを所定圧力まで減圧排気する。所定圧力まで減圧排気
された真空室10aには、例えば、外部から基板30が搬入
され、アーム41の基板受部に受け取られる。一方、往復
動装置を駆動することで基板電極20は往復動軸70を介し
てアーム41の基板受部の基板30を基板載置面で受け取り
可能な高さにセットされる。その後回動装置42によりア
ーム41を回動させることで、基板受部の基板30は、基板
電極20の基板載置面に対応させられ基板30は、アーム41
の基板受部から基板電極20の基板載置面に渡されて載置
される。その後、アーム41は回動装置42により元の場所
に退避させられ、基板電極20は、往復動軸70を介して往
復動装置により上昇させられる。この上昇の途中におい
てフランジ80aの上面周辺が真空室10aの頂壁に当接し、
これにより真空室10aと真空容器60aとの連通は気密に遮
断され、この結果、処理室150aが形成される。その後、
処理室150aには、処理ガスが所定流量で導入されると共
に、真空排気装置140の駆動により処理圧力に適正調節
される。この状態で、例えば、基板電極20に、例えば、
高周波電力が印加され、対向電極50と基板電極20との間
にはグロー放電が生じ、これにより、処理ガスはプラズ
マ化される。基板電極20の基板載置面に載置された基板
30は、このプラズマにより処理される。処理完了後、基
板電極20は、往復動軸70を介して往復動装置により元の
位置まで下降させられ、これにより真空容器60aは穴11a
を介して真空室10aと連通状態となる。その後、処理済
みの基板30は、アーム41を回動装置42で回動することで
基板電極20の基板載置面からアーム41の基板受部に受け
取られた後に真空室10aより外部へ搬出される。このよ
うな操作を繰り返すことで、この場合、基板30は１枚毎
順次処理される。
態で真空排気装置140を駆動し真空室10aと真空容器60a
とを所定圧力まで減圧排気する。所定圧力まで減圧排気
された真空室10aには、例えば、外部から基板30が搬入
され、アーム41の基板受部に受け取られる。一方、往復
動装置を駆動することで基板電極20は往復動軸70を介し
てアーム41の基板受部の基板30を基板載置面で受け取り
可能な高さにセットされる。その後回動装置42によりア
ーム41を回動させることで、基板受部の基板30は、基板
電極20の基板載置面に対応させられ基板30は、アーム41
の基板受部から基板電極20の基板載置面に渡されて載置
される。その後、アーム41は回動装置42により元の場所
に退避させられ、基板電極20は、往復動軸70を介して往
復動装置により上昇させられる。この上昇の途中におい
てフランジ80aの上面周辺が真空室10aの頂壁に当接し、
これにより真空室10aと真空容器60aとの連通は気密に遮
断され、この結果、処理室150aが形成される。その後、
処理室150aには、処理ガスが所定流量で導入されると共
に、真空排気装置140の駆動により処理圧力に適正調節
される。この状態で、例えば、基板電極20に、例えば、
高周波電力が印加され、対向電極50と基板電極20との間
にはグロー放電が生じ、これにより、処理ガスはプラズ
マ化される。基板電極20の基板載置面に載置された基板
30は、このプラズマにより処理される。処理完了後、基
板電極20は、往復動軸70を介して往復動装置により元の
位置まで下降させられ、これにより真空容器60aは穴11a
を介して真空室10aと連通状態となる。その後、処理済
みの基板30は、アーム41を回動装置42で回動することで
基板電極20の基板載置面からアーム41の基板受部に受け
取られた後に真空室10aより外部へ搬出される。このよ
うな操作を繰り返すことで、この場合、基板30は１枚毎
順次処理される。
このような真空処理装置では、次のような欠点があっ
た。
た。
（１） 真空容器等の保守点検時に、真空室から真空容
器を取り外すのみでなく排気管を真空容器から取り外す
必要があるため、真空容器等の保守点検作業が面倒で作
業工数が増大する。
器を取り外すのみでなく排気管を真空容器から取り外す
必要があるため、真空容器等の保守点検作業が面倒で作
業工数が増大する。
（２） 真空室と真空容器とを気密に遮断するフランジ
が基板電極に設けられているため、対向電極と基板電極
との間の距離（以下、電極間隔と略）を随時変化させる
ことができない。
が基板電極に設けられているため、対向電極と基板電極
との間の距離（以下、電極間隔と略）を随時変化させる
ことができない。
本発明の目的は、真空室から真空容器のみを取り外し真
空容器等の保守点検を行えるようにすることで、真空容
器等の保守点検作業を容易化し作業工数を低減できる真
空処理装置を提供することにある。
空容器等の保守点検を行えるようにすることで、真空容
器等の保守点検作業を容易化し作業工数を低減できる真
空処理装置を提供することにある。
本発明は、内部で基板を搬送可能な真空室と、真空室に
連通された真空容器と、真空容器の内部に対向して基板
配置面を有した基板電極と、真空室を気密に貫通して設
けられ基板電極を真空容器の軸方向に移動させる移動手
段と、真空室内部に位置する移動手段の移動部および基
板電極を囲むように真空室内に設けられ、基板電極側の
空間と該空間の外側とを開閉可能に仕切るとともに、該
仕切りによる閉時に真空容器内の空間と電極側の空間と
によって内部に処理室を形成する仕切り手段と、該形成
される処理室に連通する真空室の位置に連結された真空
排気手段とから構成し、真空室から真空容器のみを取外
し真空容器等の保守点検を容易に行えるようにしたもの
である。
連通された真空容器と、真空容器の内部に対向して基板
配置面を有した基板電極と、真空室を気密に貫通して設
けられ基板電極を真空容器の軸方向に移動させる移動手
段と、真空室内部に位置する移動手段の移動部および基
板電極を囲むように真空室内に設けられ、基板電極側の
空間と該空間の外側とを開閉可能に仕切るとともに、該
仕切りによる閉時に真空容器内の空間と電極側の空間と
によって内部に処理室を形成する仕切り手段と、該形成
される処理室に連通する真空室の位置に連結された真空
排気手段とから構成し、真空室から真空容器のみを取外
し真空容器等の保守点検を容易に行えるようにしたもの
である。
本発明の一実施例を第２図により説明する。
第２図で、真空室10bには、基板電極20が可動、この場
合は上下動可能に内設されると共に、真空室10bの内部
で基板30を搬送し基板電極20の基板載置面との間で基板
30を受渡し可能に基板搬送装置40のアーム41が内設され
ている。アーム41は、その一端（第２図では、左端）に
基板受部を有し、その他端（第２図では、右端）は、真
空室10外に設置された回動装置42の回動軸43に設けられ
ている。基板電極20の基板載置面と対向する真空室10b
の壁、この場合、頂壁には、基板電極20が連通可能な穴
11bが形成されている。対向電極50が内設された真空容
器60bは、穴11bを介し真空室10bと連通し、かつ、対向
電極50が基板電極20と、この場合は、上下方向に対向す
る位置で真空室10bに気密に構設されている。基板電極2
0の基板載置面と反対側面には、真空室10外に配置され
た往復動装置71の往復動軸70が設けられている。基板電
極20の下方位置でフランジ80bが往復動軸70に設けら
れ、フランジ80bとフランジ80bの下面に対向する真空室
10の壁、この場合、底壁との間には、往復動軸70の外側
でベローズ90bが気密に跨設されている。また、仕切り
装置160は、真空容器60bに対応する真空室10bの一部を
他の部分と気密に仕切り、この仕切られた真空室10bの
一部と真空容器60bと穴11bとで対向電極50並びに基板電
極20を含む処理室150bを形成するように設けられてい
る。この場合、仕切り装置160は、内径寸法が穴11bの寸
法と略等しいフランジ161とベローズ162と往復動軸163
を有する往復動装置164とで構成されている。フランジ1
61は真空容器60b等と同心状に、かつ、その上面を真空
室10bの頂壁に対向して真空室10bに内設されている。往
復動装置164は真空室10b外でその下方位置に設置され、
往復動軸163はフランジ161の下面外周辺部と対応する位
置で真空室10bの底壁側から気密を保持し往復動可能、
この場合は、上下動可能に挿通されている。フランジ16
1の外周辺部には往復動軸163の上端が連結され、フラン
ジ161とフランジ161の下面に対向する真空室10bの底壁
との間には、フランジ80b,ベローズ90b等の外側でベロ
ーズ162が気密に跨設されている。また、真空室10bに
は、処理室150bと連通して排気ノズル120bが設けられ、
排気ノズル120bには、排気管130bの一端が連結されてい
る。排気管130bの他端は、真空排気装置140に連結され
ている。
合は上下動可能に内設されると共に、真空室10bの内部
で基板30を搬送し基板電極20の基板載置面との間で基板
30を受渡し可能に基板搬送装置40のアーム41が内設され
ている。アーム41は、その一端（第２図では、左端）に
基板受部を有し、その他端（第２図では、右端）は、真
空室10外に設置された回動装置42の回動軸43に設けられ
ている。基板電極20の基板載置面と対向する真空室10b
の壁、この場合、頂壁には、基板電極20が連通可能な穴
11bが形成されている。対向電極50が内設された真空容
器60bは、穴11bを介し真空室10bと連通し、かつ、対向
電極50が基板電極20と、この場合は、上下方向に対向す
る位置で真空室10bに気密に構設されている。基板電極2
0の基板載置面と反対側面には、真空室10外に配置され
た往復動装置71の往復動軸70が設けられている。基板電
極20の下方位置でフランジ80bが往復動軸70に設けら
れ、フランジ80bとフランジ80bの下面に対向する真空室
10の壁、この場合、底壁との間には、往復動軸70の外側
でベローズ90bが気密に跨設されている。また、仕切り
装置160は、真空容器60bに対応する真空室10bの一部を
他の部分と気密に仕切り、この仕切られた真空室10bの
一部と真空容器60bと穴11bとで対向電極50並びに基板電
極20を含む処理室150bを形成するように設けられてい
る。この場合、仕切り装置160は、内径寸法が穴11bの寸
法と略等しいフランジ161とベローズ162と往復動軸163
を有する往復動装置164とで構成されている。フランジ1
61は真空容器60b等と同心状に、かつ、その上面を真空
室10bの頂壁に対向して真空室10bに内設されている。往
復動装置164は真空室10b外でその下方位置に設置され、
往復動軸163はフランジ161の下面外周辺部と対応する位
置で真空室10bの底壁側から気密を保持し往復動可能、
この場合は、上下動可能に挿通されている。フランジ16
1の外周辺部には往復動軸163の上端が連結され、フラン
ジ161とフランジ161の下面に対向する真空室10bの底壁
との間には、フランジ80b,ベローズ90b等の外側でベロ
ーズ162が気密に跨設されている。また、真空室10bに
は、処理室150bと連通して排気ノズル120bが設けられ、
排気ノズル120bには、排気管130bの一端が連結されてい
る。排気管130bの他端は、真空排気装置140に連結され
ている。
第２図の状態から往復動装置164を駆動し往復動軸143を
介してフランジ161を下降させることで、真空室10bと真
空容器60bとは穴11bを介して連通させられる。この状態
で、真空排気装置140を駆動することで真空室10bと真空
容器60bとは所定圧力まで減圧排気される。所定圧力ま
で減圧排気された真空室10bには、例えば、外部から基
板30が搬入され、この基板30はアーム41の基板受部に受
け取られる。一方、往復動装置71を駆動することで、基
板電極20は往復動軸70を介してアーム41の基板受部の基
板30を基板載置面で受け取り可能な高さにセットされる
と共に、フランジ161は、往復動装置164によりアーム41
の回動を阻害しない高さにセットされる。その後、回動
装置42によりアーム41を回動させることで基板受部の基
板30は、基板電極20の基板載置面に対応させられ、基板
30は、アーム41の基板受部から基板電極20の基板載置面
に渡されて載置される。その後、アーム41は回動装置42
により元の場所に退避させられ、フランジ161は往復動
軸163を介して往復動装置164により上昇させられる。こ
の上昇によりフランジ161の上面が真空室10bの頂壁に当
接し、これにより真空室10bと真空容器60bとの連通は気
密に遮断されると共に真空容器60bに対応する真空室10b
の一部は仕切られる。この結果、処理室150bが形成され
る。また、基板電極20は電極間隔が適正な間隔となるよ
うに往復動軸70を介して往復動装置71により上昇させら
れる。その後、処理室150bには、処理ガスが所定流量で
導入されると共に、真空排気装置140の駆動により処理
圧力に適正調節される。この状態で、例えば、基板電極
20に、例えば、高周波電力が印加され、対向電極50と基
板電極20との間にはグロー放電が生じ、これにより処理
ガスはプラズマ化される。基板電極20の基板載置面に載
置された基板30は、このプラズマにより処理される。処
理完了後、フランジ161は、アーム41の回動を阻害しな
い高さまで下降させられ、これにより、真空容器60bは
穴11bを介して真空室10bと連通させられると共に真空室
10bの仕切りが解除される。また、基板電極20は、基板
載置面の処理された基板30をアーム41の基板受部で受け
取り可能な高さまで下降させられる。その後、処理済み
の基板30は、基板電極20の基板載置面からアーム41の基
板受部に受け取られ真空室10b内を搬送された後に、真
空室10bから外部へ搬出される。このような操作を繰り
返すことで、この場合、基板30は１枚毎順次処理され
る。
介してフランジ161を下降させることで、真空室10bと真
空容器60bとは穴11bを介して連通させられる。この状態
で、真空排気装置140を駆動することで真空室10bと真空
容器60bとは所定圧力まで減圧排気される。所定圧力ま
で減圧排気された真空室10bには、例えば、外部から基
板30が搬入され、この基板30はアーム41の基板受部に受
け取られる。一方、往復動装置71を駆動することで、基
板電極20は往復動軸70を介してアーム41の基板受部の基
板30を基板載置面で受け取り可能な高さにセットされる
と共に、フランジ161は、往復動装置164によりアーム41
の回動を阻害しない高さにセットされる。その後、回動
装置42によりアーム41を回動させることで基板受部の基
板30は、基板電極20の基板載置面に対応させられ、基板
30は、アーム41の基板受部から基板電極20の基板載置面
に渡されて載置される。その後、アーム41は回動装置42
により元の場所に退避させられ、フランジ161は往復動
軸163を介して往復動装置164により上昇させられる。こ
の上昇によりフランジ161の上面が真空室10bの頂壁に当
接し、これにより真空室10bと真空容器60bとの連通は気
密に遮断されると共に真空容器60bに対応する真空室10b
の一部は仕切られる。この結果、処理室150bが形成され
る。また、基板電極20は電極間隔が適正な間隔となるよ
うに往復動軸70を介して往復動装置71により上昇させら
れる。その後、処理室150bには、処理ガスが所定流量で
導入されると共に、真空排気装置140の駆動により処理
圧力に適正調節される。この状態で、例えば、基板電極
20に、例えば、高周波電力が印加され、対向電極50と基
板電極20との間にはグロー放電が生じ、これにより処理
ガスはプラズマ化される。基板電極20の基板載置面に載
置された基板30は、このプラズマにより処理される。処
理完了後、フランジ161は、アーム41の回動を阻害しな
い高さまで下降させられ、これにより、真空容器60bは
穴11bを介して真空室10bと連通させられると共に真空室
10bの仕切りが解除される。また、基板電極20は、基板
載置面の処理された基板30をアーム41の基板受部で受け
取り可能な高さまで下降させられる。その後、処理済み
の基板30は、基板電極20の基板載置面からアーム41の基
板受部に受け取られ真空室10b内を搬送された後に、真
空室10bから外部へ搬出される。このような操作を繰り
返すことで、この場合、基板30は１枚毎順次処理され
る。
本実施例のような真空処理装置では、真空室と真空容器
とを仕切って処理室を形成する仕切り装置と、基板電極
を往復動させる往復動装置とを分離して構成し、真空室
と処理室とを独立の空間に隔離可能とすると共に、処理
室内に移動可能な基板電極を配置しベローズによって処
理室雰囲気を隔離しているので、次のような効果が得ら
れる。
とを仕切って処理室を形成する仕切り装置と、基板電極
を往復動させる往復動装置とを分離して構成し、真空室
と処理室とを独立の空間に隔離可能とすると共に、処理
室内に移動可能な基板電極を配置しベローズによって処
理室雰囲気を隔離しているので、次のような効果が得ら
れる。
（１） 真空室から処理室空間のみを独立に開放できる
ので、真空容器のみを取り出して真空容器等の保守点検
が行え、真空容器等の保守点検作業を容易化でき作業工
数を低減できる。
ので、真空容器のみを取り出して真空容器等の保守点検
が行え、真空容器等の保守点検作業を容易化でき作業工
数を低減できる。
（２） 仕切り装置とは独立したベローズによって処理
室内雰囲気から基板電極の往復動軸および往復動装置を
隔離してあるので、処理室外雰囲気から駆動部での発塵
を処理室内に持ち込むことなく処理室内の基板電極を自
由に処理室内軸方向に上下動させることができる。これ
により、電極間隔を随時変化させることができる。
室内雰囲気から基板電極の往復動軸および往復動装置を
隔離してあるので、処理室外雰囲気から駆動部での発塵
を処理室内に持ち込むことなく処理室内の基板電極を自
由に処理室内軸方向に上下動させることができる。これ
により、電極間隔を随時変化させることができる。
なお、仕切り装置は、この他にゲート弁等の真空間ゲー
トを有するものであっても良い。また、基板搬送装置
は、この他に、アームが直進するものであっても良く、
基板受部は、基板をすくうタイプのものでも基板を把持
するタイプのものでも良い。更に、基板電極に設けられ
た往復動軸は往復動機能と共に回動機能を具備するもの
となし基板の処理時に基板電極を回動させるようにして
も良い。
トを有するものであっても良い。また、基板搬送装置
は、この他に、アームが直進するものであっても良く、
基板受部は、基板をすくうタイプのものでも基板を把持
するタイプのものでも良い。更に、基板電極に設けられ
た往復動軸は往復動機能と共に回動機能を具備するもの
となし基板の処理時に基板電極を回動させるようにして
も良い。
本発明は、以上説明したように、内部で基板を搬送可能
な真空室と、真空室に連通された真空容器と、真空容器
の内部に対向して基板配置面を有した基板電極と、真空
室を気密に貫通して設けられ基板電極を真空容器の軸方
向に移動させる移動手段と、真空室内部に位置する移動
手段の移動部および基板電極を囲むように真空室内に設
けられ、基板電極側の空間と該空間の外側との開閉可能
に仕切るとともに、該仕切りによる閉時に真空容器内の
空間と電極側の空間とによって内部に処理室を形成する
仕切り手段と、該形成される処理室に連通する真空室の
位置に連結された真空排気手段とから構成しているの
で、真空室から真空容器のみを取り外し真空容器等の保
守点検を行うことができ、真空容器等の保守点検作業を
容易化し作業工数を低減できるという効果がある。
な真空室と、真空室に連通された真空容器と、真空容器
の内部に対向して基板配置面を有した基板電極と、真空
室を気密に貫通して設けられ基板電極を真空容器の軸方
向に移動させる移動手段と、真空室内部に位置する移動
手段の移動部および基板電極を囲むように真空室内に設
けられ、基板電極側の空間と該空間の外側との開閉可能
に仕切るとともに、該仕切りによる閉時に真空容器内の
空間と電極側の空間とによって内部に処理室を形成する
仕切り手段と、該形成される処理室に連通する真空室の
位置に連結された真空排気手段とから構成しているの
で、真空室から真空容器のみを取り外し真空容器等の保
守点検を行うことができ、真空容器等の保守点検作業を
容易化し作業工数を低減できるという効果がある。
第１図は、従来の真空処理装置の要部縦断面図、第２図
は、本発明による真空処理装置の一実施例を示す要部縦
断面図である。 10b……真空室、20……基板電極、30……基板、40……
基板搬送装置、50……対向電極、60b……真空容器、140
……真空排気装置、150b……処理室、160……仕切り装
置
は、本発明による真空処理装置の一実施例を示す要部縦
断面図である。 10b……真空室、20……基板電極、30……基板、40……
基板搬送装置、50……対向電極、60b……真空容器、140
……真空排気装置、150b……処理室、160……仕切り装
置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065
Claims (1)
- 【請求項１】内部で基板を搬送可能な真空室と、 前記真空室に連通された真空容器と、 前記真空容器の内部に対向して基板配置面を有した基板
電極と、 前記真空室を気密に貫通して設けられ前記基板電極を前
記真空容器の軸方向に移動させる移動手段と、 前記真空室内部に位置する前記移動手段の移動部および
前記基板電極を囲むように前記真空室内に設けられ、前
記基板電極側の空間と該空間の外側とを開閉可能に仕切
るとともに、該仕切りによる閉時に前記真空容器内の空
間と前記電極側の空間とによって内部に処理室を形成す
る仕切り手段と、 該形成される処理室に連通する前記真空室の位置に連結
された真空排気手段とから成ることを特徴とするプラズ
マエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205811A JPH0765197B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205811A JPH0765197B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100687A JPS60100687A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH0765197B2 true JPH0765197B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=16513084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205811A Expired - Lifetime JPH0765197B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765197B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326357A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6360276A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-16 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| JPH0258830A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH04142734A (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 微細加工装置及び方法 |
| IL104608A0 (en) * | 1992-02-13 | 1993-06-10 | Hughes Aircraft Co | Apparatus for programmed plasma etching tool motion to modify solid layer thickness profiles |
| JP2000133597A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Tadahiro Omi | 半導体製造装置 |
| JP2004506313A (ja) * | 2000-08-04 | 2004-02-26 | エス．シー．フルーイズ，インコーポレイテッド | 遮断密閉メカニズムを有した逆圧容器 |
| CN106684028B (zh) * | 2015-11-10 | 2019-05-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置、反应腔室及半导体加工设备 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170028A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 真空処理装置 |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP58205811A patent/JPH0765197B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100687A (ja) | 1985-06-04 |
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