JP2664216B2 - 真空処理装置の制御方法 - Google Patents
真空処理装置の制御方法Info
- Publication number
- JP2664216B2 JP2664216B2 JP63215008A JP21500888A JP2664216B2 JP 2664216 B2 JP2664216 B2 JP 2664216B2 JP 63215008 A JP63215008 A JP 63215008A JP 21500888 A JP21500888 A JP 21500888A JP 2664216 B2 JP2664216 B2 JP 2664216B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum processing
- processing chamber
- sample
- gas
- opening
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空処理装置に係り、特に半導体素子基板
（以下、基板と略）等の試料を真空処理するのに好適な
処理装置の制御方法に関するものである。
（以下、基板と略）等の試料を真空処理するのに好適な
処理装置の制御方法に関するものである。
真空処理装置としては、例えば、特開昭61−246381号
公報，特開昭62−61316号公報，特開昭62−89881号公報
等に記載のものが知られている。
公報，特開昭62−61316号公報，特開昭62−89881号公報
等に記載のものが知られている。
これら真空処理装置では、内部で試料が処理される真
空処理室は、ゲートバルブ等の外部との遮へい連通手段
を構成要素として有している。
空処理室は、ゲートバルブ等の外部との遮へい連通手段
を構成要素として有している。
上記従来技術では、真空処理室の構成要素である外部
との遮へい連通手段の開閉動作時に該手段から発生する
塵埃，該塵埃の真空処理室内での拡散防止について配慮
されていない。
との遮へい連通手段の開閉動作時に該手段から発生する
塵埃，該塵埃の真空処理室内での拡散防止について配慮
されていない。
従って、真空処理室内で拡散した塵埃が試料の被処理
面に付着して試料の歩留りが低下するといった問題が生
じる。
面に付着して試料の歩留りが低下するといった問題が生
じる。
本発明の目的は、真空処理される試料の塵埃付着によ
る歩留り低下を防止できる真空処理装置の制御方法を提
供することにある。
る歩留り低下を防止できる真空処理装置の制御方法を提
供することにある。
上記目的は、外部との遮へい連通手段を構成要素とし
て有し内部で試料が真空処理される真空処理部と、該真
空処理室内を排気する手段と、前記真空処理室内に不活
性ガスを導入する手段と、前記遮へい連通手段を作動さ
せる手段とを具備し、前記遮へい連通手段の開閉作動前
に前記ガス導入手段により不活性ガスを導入し、該導入
した不活性ガスを前記排気手段により真空処理室外へ排
気し、前記遮へい連通手段の開閉作動が完了した時点で
不活性ガスの導入を停止するように制御することによ
り、達成される。
て有し内部で試料が真空処理される真空処理部と、該真
空処理室内を排気する手段と、前記真空処理室内に不活
性ガスを導入する手段と、前記遮へい連通手段を作動さ
せる手段とを具備し、前記遮へい連通手段の開閉作動前
に前記ガス導入手段により不活性ガスを導入し、該導入
した不活性ガスを前記排気手段により真空処理室外へ排
気し、前記遮へい連通手段の開閉作動が完了した時点で
不活性ガスの導入を停止するように制御することによ
り、達成される。
遮へい連通手段の開閉動作時に該手段についていた反
応生成物等の異物が該手段から外れ、これにより塵埃が
発生し真空処理室内に飛散する。そこで、遮へい連通手
段の開閉動作前に、真空処理室内にはガス導入手段より
ガス、例えば、窒素ガス等の不活性ガスが導入され、該
導入されたガスは、排気手段により真空処理室外へ排気
される。このようなガスの導入，排気により真空処理室
内ではガケ流れが生じる。このように真空処理室内にガ
スが導入され排気されている間に遮へい連通手段は、作
動手段により開閉作動させられる。遮へい連通手段の開
閉動作により発生する塵埃は、上記ガス流れに取り込ま
れガスと共に真空処理室内へ拡散することなく真空処理
室外へ排出される。
応生成物等の異物が該手段から外れ、これにより塵埃が
発生し真空処理室内に飛散する。そこで、遮へい連通手
段の開閉動作前に、真空処理室内にはガス導入手段より
ガス、例えば、窒素ガス等の不活性ガスが導入され、該
導入されたガスは、排気手段により真空処理室外へ排気
される。このようなガスの導入，排気により真空処理室
内ではガケ流れが生じる。このように真空処理室内にガ
スが導入され排気されている間に遮へい連通手段は、作
動手段により開閉作動させられる。遮へい連通手段の開
閉動作により発生する塵埃は、上記ガス流れに取り込ま
れガスと共に真空処理室内へ拡散することなく真空処理
室外へ排出される。
従って、真空処理室内で処理される試料の被処理面へ
の塵埃の付着が防止され、これによる試料の歩留り低下
が防止される。
の塵埃の付着が防止され、これによる試料の歩留り低下
が防止される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は、本発明を適用した、いわゆる有磁場マイク
ロ波プラズマエッチング装置の構成図である。
ロ波プラズマエッチング装置の構成図である。
第１図で、放電管10の外側には、導波管20が略同心状
に配設されている。導波管20とマイクロ波発振手段であ
るマグネトロン30とは、導波管21で連結されている。導
波管20の外側には、磁場発生用コイル40が環装されてい
る。バッファ室50は、放電管10開口端部の形状，寸法と
略一致する開口51が形成された頂壁52を有する。放電管
10は、開口51を介してバッファ室50内と連通して頂壁52
に気密に構設されている。遮へい連通手段は、この場
合、ベローズ60とリング状の弁体61とでなるタイプのゲ
ートバルブ62である。ベローズ60,弁体61の径は、この
場合、放電管10,開口51の径よりも大きくなっている。
ゲートバルブ62は、放電管10と略同心状にバッファ室50
内に設けられる。つまり、ベローズ60の下端部はバッフ
ァ室50の底壁53に気密に設けられ、ベローズ60の上端部
には、頂壁52対応して弁体61が設けられる。作動手段で
ある。例えば、シリンダ70は、底壁53と対応した位置で
バッファ室50外に設置される。シリンダ70のロッド71
は、ベローズ60の軸心に沿って底壁53に気密を保持し、
この場合、上下動可能に挿設されている。ロッド71のバ
ッファ室50内端部には、弁体61が連結されている。弁体
61が頂壁52に当接して締切られた状態で、真空処理室80
が形成される。つまり、真空処理室80は、放電管10,開
口51,ベローズ60内に対応する頂壁52部，底部53部，ゲ
ートバルブ62により形成される。真空処理室80内には、
試料、例えば、基板90を保持する試料台100が設けられ
る。試料台100の試料保持面は、この場合、略水平状態
であり、開口51に対応させられている。この場合、窒素
ガス等の不活性ガスを、試料台100の試料保持面に設置
された試料90の被エッチング面の上方位置で真空処理室
80内に導入可能に構成されている。つまり、ガス源110
が外部に設置され、ガス導入管111の一端はガス源110に
連結されている。ガス導入管111の他端は、試料台100の
試料保持面に設置された試料90の被エッチング面の上方
位置で放電管10内に開口させられている。ガス導入管11
1には、バルブ112が設けられている。真空ポンプ120が
外部に設置され、排気管121の一端は真空ポンプ120の吸
気口に連結されている。排気管121の他端は、真空処理
室80内に連通して底壁53に連結されている。排気管121
には、バルブ122が設けられている。なお、図示省略し
たが、エッチングガスを放電管10内に導入する手段を、
この場合、別に有している。また、バッファ室50内も減
圧排気可能になっている。
に配設されている。導波管20とマイクロ波発振手段であ
るマグネトロン30とは、導波管21で連結されている。導
波管20の外側には、磁場発生用コイル40が環装されてい
る。バッファ室50は、放電管10開口端部の形状，寸法と
略一致する開口51が形成された頂壁52を有する。放電管
10は、開口51を介してバッファ室50内と連通して頂壁52
に気密に構設されている。遮へい連通手段は、この場
合、ベローズ60とリング状の弁体61とでなるタイプのゲ
ートバルブ62である。ベローズ60,弁体61の径は、この
場合、放電管10,開口51の径よりも大きくなっている。
ゲートバルブ62は、放電管10と略同心状にバッファ室50
内に設けられる。つまり、ベローズ60の下端部はバッフ
ァ室50の底壁53に気密に設けられ、ベローズ60の上端部
には、頂壁52対応して弁体61が設けられる。作動手段で
ある。例えば、シリンダ70は、底壁53と対応した位置で
バッファ室50外に設置される。シリンダ70のロッド71
は、ベローズ60の軸心に沿って底壁53に気密を保持し、
この場合、上下動可能に挿設されている。ロッド71のバ
ッファ室50内端部には、弁体61が連結されている。弁体
61が頂壁52に当接して締切られた状態で、真空処理室80
が形成される。つまり、真空処理室80は、放電管10,開
口51,ベローズ60内に対応する頂壁52部，底部53部，ゲ
ートバルブ62により形成される。真空処理室80内には、
試料、例えば、基板90を保持する試料台100が設けられ
る。試料台100の試料保持面は、この場合、略水平状態
であり、開口51に対応させられている。この場合、窒素
ガス等の不活性ガスを、試料台100の試料保持面に設置
された試料90の被エッチング面の上方位置で真空処理室
80内に導入可能に構成されている。つまり、ガス源110
が外部に設置され、ガス導入管111の一端はガス源110に
連結されている。ガス導入管111の他端は、試料台100の
試料保持面に設置された試料90の被エッチング面の上方
位置で放電管10内に開口させられている。ガス導入管11
1には、バルブ112が設けられている。真空ポンプ120が
外部に設置され、排気管121の一端は真空ポンプ120の吸
気口に連結されている。排気管121の他端は、真空処理
室80内に連通して底壁53に連結されている。排気管121
には、バルブ122が設けられている。なお、図示省略し
たが、エッチングガスを放電管10内に導入する手段を、
この場合、別に有している。また、バッファ室50内も減
圧排気可能になっている。
第１図に示す状態から、ゲートバルブ62を閉動作させ
る前に、バルブ112,121が開弁され、真空ポンプ120が作
動させられる。これにより、ガス源110から窒素ガスが
所定流量でガス導入管111を通って放電管10内に導入さ
れる。放電管10内に導入された窒素ガスは、開口51を通
り真空処理室80の一部となるバッファ室50内を流れて真
空ポンプ120により排気される。これにより少なくとも
真空処理室80内は粘性流若しくは中間流領域に置かれ
る。この状態で、シリンダ70が作動させられロッド71は
上昇させられる。これにより弁体61は、頂壁52に向って
上昇させられ、最終的には、弁体61が頂壁52に当接して
締切られ遮へいされる。ロッド71の上昇，これによる弁
体61の上昇によりベローズ60は伸びる方向に変形させら
れる。該変形時にベローズ60についていた反応生成物等
の異物がベローズ60から外れる。該外れた異物や弁体61
から外れた異物は塵埃となり、窒素ガスのガス流れに取
り込まれて窒素ガスと共に真空処理室80外へ排出され
る。ゲートバルブ62の閉動作が完了した時点で、バルブ
112は閉弁され、窒素ガスの導入が停止される。その
後、試料90の被エッチング面は、例えば、特公昭 −
号公報等に記載のようにしてエッチング処
理される。試料90のエッチング処理終了後、ゲートバル
ブ62は開かれるが、この場合、上記したように真空処理
室80内を粘性流若しくは中間流領域に置いた後に開動作
させられる。ゲートバルブ62の開動作によりゲートバル
ブ62から外れた異物は、窒素ガスの流れに取り込まれて
窒素ガスと共に真空処理室80外へ排出される。その後、
このような操作が繰り返し実施されることで、試料90
は、１個毎にエッチング処理される。
る前に、バルブ112,121が開弁され、真空ポンプ120が作
動させられる。これにより、ガス源110から窒素ガスが
所定流量でガス導入管111を通って放電管10内に導入さ
れる。放電管10内に導入された窒素ガスは、開口51を通
り真空処理室80の一部となるバッファ室50内を流れて真
空ポンプ120により排気される。これにより少なくとも
真空処理室80内は粘性流若しくは中間流領域に置かれ
る。この状態で、シリンダ70が作動させられロッド71は
上昇させられる。これにより弁体61は、頂壁52に向って
上昇させられ、最終的には、弁体61が頂壁52に当接して
締切られ遮へいされる。ロッド71の上昇，これによる弁
体61の上昇によりベローズ60は伸びる方向に変形させら
れる。該変形時にベローズ60についていた反応生成物等
の異物がベローズ60から外れる。該外れた異物や弁体61
から外れた異物は塵埃となり、窒素ガスのガス流れに取
り込まれて窒素ガスと共に真空処理室80外へ排出され
る。ゲートバルブ62の閉動作が完了した時点で、バルブ
112は閉弁され、窒素ガスの導入が停止される。その
後、試料90の被エッチング面は、例えば、特公昭 −
号公報等に記載のようにしてエッチング処
理される。試料90のエッチング処理終了後、ゲートバル
ブ62は開かれるが、この場合、上記したように真空処理
室80内を粘性流若しくは中間流領域に置いた後に開動作
させられる。ゲートバルブ62の開動作によりゲートバル
ブ62から外れた異物は、窒素ガスの流れに取り込まれて
窒素ガスと共に真空処理室80外へ排出される。その後、
このような操作が繰り返し実施されることで、試料90
は、１個毎にエッチング処理される。
本実施例によれば、ゲートバルブの開閉作動により発
生する塵埃を、真空処理室内への拡散を防止して真空処
理室外へ排出できるので、試料の被エッチング面への塵
埃の付着を防止できる。従って、試料が基板である場
合、塵埃付着による素子回路不良を防ぐことができ歩留
り低下を防止することができる。
生する塵埃を、真空処理室内への拡散を防止して真空処
理室外へ排出できるので、試料の被エッチング面への塵
埃の付着を防止できる。従って、試料が基板である場
合、塵埃付着による素子回路不良を防ぐことができ歩留
り低下を防止することができる。
なお、上記実施例では、遮へい連通手段としてベロー
ズと弁体とでなるタイプのゲートバルブを用いている
が、その他のタイプのゲートバルブを用いても良い。ま
た、ゲートバルブとは異なる、例えば、シャッタ，回転
弁等のものを用いても良い。いずれにしても、遮へい連
通手段とは、真空処理室の構成要素であり、開閉作動時
に可動部分を有する構造のものである。
ズと弁体とでなるタイプのゲートバルブを用いている
が、その他のタイプのゲートバルブを用いても良い。ま
た、ゲートバルブとは異なる、例えば、シャッタ，回転
弁等のものを用いても良い。いずれにしても、遮へい連
通手段とは、真空処理室の構成要素であり、開閉作動時
に可動部分を有する構造のものである。
更に、上記実施例では、真空処理室の内部で試料がエ
ッチング処理されるが、その他の処理，成膜処理，クリ
ーニング処理，アッッシング処理等が実施されても良
い。
ッチング処理されるが、その他の処理，成膜処理，クリ
ーニング処理，アッッシング処理等が実施されても良
い。
本発明によれば、遮へい連通手段の開閉作動により発
生する塵埃の試料への付着を防止できるので、該塵埃付
着に起因する試料の歩留り低下を防止できる効果があ
る。
生する塵埃の試料への付着を防止できるので、該塵埃付
着に起因する試料の歩留り低下を防止できる効果があ
る。
第１図は、本発明の一実施例の有磁場マイクロ波プラズ
マエッチング装置の構成図である。 62……ゲートバルブ、70……シリンダ、71……ロッド、
80……真空処理室、90……試料、100……試料台、110…
…ガス源、111……ガス導入管、112,122……バルブ、12
0……真空ポンプ、121……排気管
マエッチング装置の構成図である。 62……ゲートバルブ、70……シリンダ、71……ロッド、
80……真空処理室、90……試料、100……試料台、110…
…ガス源、111……ガス導入管、112,122……バルブ、12
0……真空ポンプ、121……排気管
Claims (1)
- 【請求項１】外部との遮へい連通手段を構成要素として
有し内部で試料が真空処理される真空処理室と、該真空
処理室内を排気する手段と、前記真空処理室内に不活性
ガスを導入する手段と、前記遮へい連通手段を作動させ
る手段とを具備し、前記遮へい連通手段の開閉作動前
に、前記ガス導入手段により不活性ガスを導入し、該導
入した不活性ガスを前記排気手段により真空処理室外へ
排気し、前記遮へい連通手段の開閉作動が完了した時点
で不活性ガスの導入を停止するように制御することを特
徴とする真空処理装置の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215008A JP2664216B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 真空処理装置の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215008A JP2664216B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 真空処理装置の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265130A JPH0265130A (ja) | 1990-03-05 |
| JP2664216B2 true JP2664216B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=16665185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215008A Expired - Lifetime JP2664216B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 真空処理装置の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664216B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002329763A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Yaskawa Electric Corp | 気密室間の連結構造 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370530A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPH0770495B2 (ja) * | 1986-11-19 | 1995-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63215008A patent/JP2664216B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0265130A (ja) | 1990-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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